「n²」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

A first curved surface part N1 and a second curved surface part N2 are arranged alternately along the vehicle width direction on the roof reinforcements 13 and 15 for reinforcing the roof panel 9 from the cabin 2 side.例文帳に追加

ルーフパネル９を車室２側から補強するルーフレインフォースメント１３及び１５に、第１曲面部Ｎ１と第２曲面部Ｎ２とを車幅方向に交互に設けた同形状とする。 - 特許庁

The method further involves a step constituted by combining at least one risk level (N1, N2, N3) with at least one technical action for restricting use of the vehicle.例文帳に追加

この方法は、さらに、少なくとも一つの危険性レベル（Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３）と、車両の使用を制限する少なくとも一つの技術行動とを組み合わせることからなるステップを含む。 - 特許庁

A resist film 15 having a third refractive index n3 smaller than the second refractive index n2 is formed on the first insulating film 13 and the second insulating film 14 so as to fill in the concave portion 12.例文帳に追加

第２屈折率ｎ２より小さい第３屈折率ｎ３を有するレジスト膜１５が、凹部１２を埋め込むように第１絶縁膜１３および第２絶縁膜１４上に形成される。 - 特許庁

The wiring resistances are different from each other between respective ends T1 and T2 of adjacent wires 10-1 and 10-2 and both ends N1 and N2 of the bridge wiring 20.例文帳に追加

それら隣接する配線１０−１，１０−２のそれぞれの端部Ｔ１，Ｔ２とブリッジ配線２０の両端Ｎ１，Ｎ２のそれぞれとの間の配線抵抗は、互いに異なっている。 - 特許庁

The above N2+-reducing agent complex compound can be obtained as an aqueous solution by bringing hydroxyacetone into reaction with hydrazine to obtain ketohydrazone and thereafter reacting the ketohydrazone with an aqueous solution of an Ni compound.例文帳に追加

前記Ｎｉ^2+・還元剤錯体化合物は、ヒドロキシアセトンとヒドラジンとを反応させてケトンヒドラゾンを得た後、該ケトンヒドラゾンとＮｉ化合物の水溶液とを反応させて水溶液として得る。 - 特許庁

The compound is a xinafoate salt of N4-[(2,2-difluoro-4H-benzo[1,4]oxazin-3-one)-6-yl]-5-fluoro-N2-[3-(methylaminocarbonylmethyleneoxy)phenyl]-2,4-pyrimidinediamine.例文帳に追加

本発明は、Ｎ４−［（２，２−ジフルオロ−４Ｈ−ベンゾ［１，４］オキサジン−３−オン）−６−イル］−５−フルオロ−Ｎ２−［３−（メチルアミノカルボニルメチレンオキシ）フェニル］−２，４−ピリミジンジアミンのキシナホ酸塩に関する。 - 特許庁

A 1st inverter IV1 includes a 1st load element L1 and a 1st transistor D1 connected in series between 1st and 2nd terminals N1 and N2, a 1st input terminal, and a 1st output terminal.例文帳に追加

第１インバータＩＶ１は、第１、第２端子Ｎ１、Ｎ２間に直列接続された第１負荷素子Ｌ１および第１トランジスタＤ１、第１入力端子、第１出力端子を含む。 - 特許庁

In the formation process of an InGaN film, In and Ga are simultaneously accommodated in one HWE furnace, heated and evaporated, and NH3+N2 as nitrogen source is supplied above the HWE furnace from the outside.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ膜の成膜は、一つのＨＷＥ炉にＩｎとＧａを同時に収容して加熱蒸発させ、外部から窒素源としてＮＨ_3＋Ｎ_2をＨＷＥ炉上に供給する。 - 特許庁

To efficiently occlude NOx within an exhaust emission gas by a catalyst, and convert the NOx occluded in the catalyst into a harmless N2, water or the like to regenerate the catalyst, without complicating structure of an exhaust system.例文帳に追加

排気系の構造を複雑にせず、排ガス中のＮＯｘを効率良く触媒に吸蔵し、触媒に吸蔵されたＮＯｘを無害のＮ_2や水等に変換して触媒を再生する。 - 特許庁

Thereafter, the valve 17 is coupled between a and c and the N2 gas is discharged from a sample gas introduction port 16 thus purging the sample gas remaining in the channel preceding the valve 17.例文帳に追加

その後、バルブ１７のａ−ｃ間を接続し、Ｎ2を試料ガス導入口１６から排出することにより、バルブ１７手前の流路に残留している試料ガスも追い出す。 - 特許庁

In general formula (1), R, B^0 and Q each independently represent a monovalent organic group; Z represents a hydrogen atom or a monovalent substituent; and n2 represents an integer of 0 to 5.例文帳に追加

下記一般式（Ｉ）中、Ｒ、Ｂ^０、及びＱは各々独立に一価の有機基を表し、Ｚは水素原子、または一価の置換基を表し、ｎ２は０〜５の整数を表す。 - 特許庁

A developer regulating member 23c has narrow sections 23c1 at its lengthwise ends, each section 23c1 being narrower in a gap N2 between a first developer carrier 23a1 and the member 23c itself than the lengthwise middle section.例文帳に追加

現像剤規制部材２３ｃは、第１現像剤担持体２３ａ１とのギャップＮ２が長手方向中央部に比べて狭い狭小部２３ｃ１を長手方向端部に具備する。 - 特許庁

The first circuit has a write switch, constituted of first and second transistors P1 and N1, and the second circuit has a holding switch, constituted of third and fourth transistors N2 and P2.例文帳に追加

第１回路は第１トランジスタＰ１及び第２トランジスタＮ１からなる書き込みスイッチを有し、第２回路は第３トランジスタＮ２及び第４トランジスタＰ２からなるホールドスイッチを有する。 - 特許庁

If the tip of the paper sheet passes through the paper detector PE, driving step numbers (n2, m1) of the respective motors are set so that a paper feed amount of the paper feed roller is balanced with that of the conveying roller.例文帳に追加

紙検知器を用紙の先端が通過した時点で、給紙ローラと搬送ローラの用紙の送り量を均衡させるよう各モータの駆動ステップ数（ｎ２，ｍ１）を設定する。 - 特許庁

In the machine, a starting number of pieces for CPM down control N1 and a compensated starting number of pieces for CPM down control N2 are determined beforehand, according to the type and the size of the paper.例文帳に追加

用紙の種類とサイズによりＣＰＭダウン制御開始枚数（Ｎ１）と、通紙開始時の定着ローラの温度（Ｔ）による補正されたＣＰＭダウン制御開始枚数（Ｎ２）を決めておく。 - 特許庁

The electric locks 16a to 16n are connected to the IC card reader terminals 15a to 15n respectively in a one-to-one relationship, and the IC card reader terminals 15a to 15n are connected to a network N2.例文帳に追加

電気錠１６ａ〜１６ｎは１対１でＩＣカードリーダ端末１５ａ〜１５ｎにそれぞれ接続されており、ＩＣカードリーダ端末１５ａ〜１５ｎはネットワークＮ２に接続されている。 - 特許庁

That is, the transparent layer 101 is controlled to have the refractive index n3 larger than the refractive index n1 of air and smaller than the refractive index n2 of the core of the optical waveguide 49.例文帳に追加

すなわち、透明な層１０１は、空気の屈折率ｎ１よりも大きく、光導波路４９のコアの屈折率ｎ２よりも小さな屈折率ｎ３となるように設定されている。 - 特許庁

In this method, the spot diameter can be decreased to about 1/n×λ/NA (wherein (n) is the refractive index of the condenser lens 5), and the recording density of an optical disk D can be increased by about n2 times.例文帳に追加

この場合、スポット径を１／ｎ×λ／ＮＡ程度（ｎは集光レンズ５の屈折率）に絞ることができ、光ディスクＤの記録密度をｎ^2 倍程度に高めることが可能になる。 - 特許庁

A gateway device 9 includes voice processing blades 10, 20 configured redundantly between different IP network N1 and SDH network N2 and includes functions for receiving a VoIP packet supplied from the IP network N1, for output of an I-TDM packet to an SDH network interface blade 30 after applying voice processing thereto, and to output data to the SDH network N2.例文帳に追加

ゲートウェイ装置９は、異なるＩＰネットワークＮ１及びＳＤＨネットワークＮ２間で冗長構成される音声処理ブレード１０，２０を有し、ＩＰネットワークＮ１から供給されるＶｏＩＰパケットを受信し、音声処理を施した後にＩ−ＴＤＭパケットをＳＤＨネットワークインタフェースブレード３０へ出力し、ＳＤＨネットワークＮ２へデータ出力する機能を有している。 - 特許庁

A multiplication array 3 in m * n bit configuration performs fixed point multiplication by inputting all the bits of first m bit fixed point data (D1) and the lower n bits of second m bit fixed point data (D2), and calculates two intermediate products N1 and N2 for acquiring the multiplication result of m+n-1 bits, and outputs those intermediate products N1 and N2.例文帳に追加

ｍ＊ｎビット構成の乗算アレイ３は、固定小数点乗算時に、第１のｍビット固定小数点データ（Ｄ１）の全ビットおよび第２のｍビット固定小数点データ（Ｄ２）の下位ｎビットを入力として乗算を行い、ｍ＋ｎ−１ビットの乗算結果を得るための２個の中間積Ｎ１およびＮ２を算出し、当該中間積Ｎ１およびＮ２を出力する。 - 特許庁

A SRAM memory cell is constituted by complementary connection of an inverter INV1 constituted of a NMOS transistor NM1 and a PMOS transistor PM1 and an inverter INV2 constituted of a NMOS transistor NM2 and a PMOS transistor PM2, A gate of the NMOS transistor N2 and a gate of the NMOS transistor N2 are connected to storage nodes NA and NB respectively.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタＮＭ１とＰＭＯＳトランジスタＰＭ１により構成されるインバータＩＮＶ１と、ＮＭＯＳトランジスタＮＭ２とＰＭＯＳトランジスタＰＭ２により構成されるインバータＩＮＶ２との相補接続によって、ＳＲＡＭのメモリセルが構成され、記憶ノードＮＡおよびＮＢにそれぞれＮＭＯＳトランジスタＮ１のゲートとＮＭＯＳトランジスタＮ２のゲートを接続する。 - 特許庁

Next, the pressing force of the rotary tool 4 is increased to N2 and the number of rotation is reduced to P2 a predetermined time after the start of rotation to generate the plastic flow by a relatively slow rotation.例文帳に追加

次に、回転開始から所定時間後に回転ツール４の押圧力をＮ２まで増加させ、回転数をＰ２まで低下させ、比較的ゆっくりした回転で、大きく塑性流動を生じさせる。 - 特許庁

Thereafter, a gas having no relation with processes nor etching is introduced into the chamber 4 by using an inert gas of N2, Ar, He, etc., excited by means of a power source 9 for excitation installed to a gas introducing pipeline 8.例文帳に追加

その後、ガス導入配管８に設置された励起用電源９により励起されたＮ_２、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガスでプロセスおよびエッチングに関係のないガスをプロセスチャンバ４内に導入する。 - 特許庁

A wire 14 connects the core conductor 171 with the node N2 of the variable capacitive element 7 through a resistor 16, and a wire 13 connects the core conductor 171 with a power supply terminal 3B through a capacitor 9.例文帳に追加

導線１４は、芯導体１７１を抵抗体１６を介して可変容量素子７のノードＮ２に接続し、導線１３は、芯導体１７１をコンデンサ９を介して給電端子３Ｂに接続する。 - 特許庁

The supply crucible 4 and the delivery crucible 1 are pressurized with N2-8%H2 mixture reducing gas atmosphere from a linked pressure unit 11 to push out a specified quantity of molten to the bottom part of the delivery crucible 1 through an orifice 5.例文帳に追加

供給ルツボ４と出湯ルツボ／加圧装置１１連係されたＮ_２−８％Ｈ_２混合還元性ガス雰囲気で加圧し、出湯ルツボ１の底部にオリフィス５を通して一定量の溶湯を押し出す。 - 特許庁

The first and second pressure sensors 60 and 61 respectively detecting negative control pressures N1 and N2 are provided to a nearby upstream of negative control throttles 16 and 26 provided to the first and second center bypass oil pathways 11 and 21.例文帳に追加

第１及び第２のセンターバイパス油路１１，２１に設けたネガコン絞り１６，２６の直近上流に、夫々のネガコン圧Ｎ１，Ｎ２を検出する第１及び第２の圧力センサ６０，６１を設ける。 - 特許庁

Flip-flops FF are connected to nodes A, B as a level holder circuit on current paths between loading PMOS transistors P1, P2 forming a level shift stage and a driving NMOS transistors N1, N2.例文帳に追加

レベルシフト段を構成する負荷用のＰＭＯＳトランジスタＰ１，Ｐ２と駆動用のＮＭＯＳトランジスタＮ１，Ｎ２との間の電流経路上のノードＡ，Ｂに、レベルホルダ回路としてフリップフロップＦＦを接続する。 - 特許庁

With this configuration, the first, second and third drive transistors TD1, TD2 and TD3 connected to the nodes N1, N2, ..., Nm-1 and Nm share a common source/drain.例文帳に追加

これによって、各ノードＮ１、Ｎ２、・・・、Ｎｍ-１、又Ｎｍに接続された第１、第２及び第３駆動トランジスタＴＤ１、ＴＤ２、ＴＤ３は、一つの共通したソース/ドレインを共有することができる。 - 特許庁

At this time, although a transistor Tr is in an off state, the current of the auxiliary coil N2 flows into a parasitic capacitance of the transistor Tr via a rectifier diode D3 to raise a gate potential of the transistor Tr.例文帳に追加

このとき、トランジスタＴｒはオフしているが、補助巻線Ｎ２の電流は整流ダイオードＤ３を介してトランジスタＴｒの寄生容量に流れ、トランジスタＴｒのゲート電位が持ち上がる。 - 特許庁

The pressurizing region N2 of the pressurizing member 28 to the conveyance belt 26 is controlled to be smaller than the contact region N1 of the cooling member 27 to the conveyance belt 26 along the conveyance direction B of the recording medium.例文帳に追加

加圧部材２８の搬送ベルト２６に対する加圧領域Ｎ２を、冷却部材２７の搬送ベルト２６に対する接触領域Ｎ１よりも、記録媒体搬送方向Ｂに小さくした。 - 特許庁

Then the minimum value of the square sum To is obtained in an S6 and the frequencies N1 and N2 at that time are respectively adopted as the cut-off frequencies Δfmax1, Δfmax2 in a light receiving angle β0 in the case of receiving light by the photo-multiplier.例文帳に追加

その後にＳ６で、二乗和Ｔｏの最小値を求め、そのときの周波数Ｎ１、Ｎ２をそれぞれフォトマルチプライヤで受光される受光角度β0におけるカットオフ周波数Δfmax1、Δfmax2とする。 - 特許庁

The cation A'_a1^n1+A"_a2^n2+...A^n'_an^nn+ and the cation B_b1^m1+B"_b2^m2+...B^m'_bm^mn+ comprise the cations chosen from the specific group, respectively.例文帳に追加

前記陽イオンＡ^’_ａ１^^ｎ１＋Ａ^”_ａ２^ｎ２＋．．．Ａ^ｎ’_ａｎ^ｎｎ＋及び前記陽イオンＢ^’_ｂ１^ｍ１＋Ｂ^”_ｂ２^ｍ２＋．．．Ｂ^ｍ’_ｂｍ^ｍｎ＋が、各々特定のグループから選択された陽イオンを含む。 - 特許庁

The absorbent core 4 is further provided with a pair of slit parts L extending in the longitudinal direction in positions in the both left/right sides in the absorbent core 4 in the width-directional inward of the notch parts N1 and N2.例文帳に追加

更に吸収性コア４に、該吸収性コア４における左右両側部であって且つ切り欠き部Ｎ１，Ｎ２よりも幅方向内方の位置に、長手方向に延びる一対のスリット部Ｌを設ける。 - 特許庁

Ti≤0.005% and O≤0.005% are controlled, and also, Al/Ca≤1.0 is satisfied.例文帳に追加

但し、n、n1、n2はそれぞれ面積1mm^2当たりの、MnS系介在物の個数、MnS系介在物のうちでCaが質量％で0.5％以上固溶しているものの個数、MnS系介在物のうちで異種介在物を含むものの個数、を表す。 - 特許庁

This lowers the voltage of a power source Vdd1 sufficiently to keep the level on the nodes A, B, and will not to an intermediate level, even if the on-resistances of the NMOS transistors N1, N2 are increased, resulting in not going to the intermediate level.例文帳に追加

これにより、電源Ｖｄｄ１の電圧が低下することにより、ＮＭＯＳトランジスタＮ１，Ｎ２のオン抵抗が上昇しても、ノードＡ，Ｂのレベルが維持され、中間レベルとならない。 - 特許庁

In measurement, the NchMOSFET N1 and N2 are turned on to actuate the driver stage 2, the output part 3, and the buffer chain 5 as a ring oscillator comprising differential amplification circuits of eight stages.例文帳に追加

そして、測定時にＮｃｈＭＯＳＦＥＴＮ１及びＮ２をオン状態にし、ドライバ段２、差動出力部３、及びダミーバッファチェーン５を８段の差動増幅回路からなるリング発振器として動作させる。 - 特許庁

A code amount comparing section 111 selects and outputs encoded data of which the encoded data amount is minimum, from among N2 pieces of encoded data generated from the coefficient value of one pixel block repeatedly N1 times.例文帳に追加

符号量比較部１１１は、１つの画素ブロックの係数値から生成されたＮ２個の符号化データ中の最小符号化データ量となる符号化データを選択し、出力することをＮ１回行なう。 - 特許庁

This image forming apparatus is provided with a 2nd residual developer electrifying means 25 for applying DC voltage between the secondary transfer position N2 and the 1st residual developer electrifying means 23 along the intermediate transfer body 9.例文帳に追加

中間転写体９に沿って、二次転写位置Ｎ２と第１の残現像剤帯電手段２３との間に、直流電圧を印加する第２の残現像剤帯電手段２５が設けられる。 - 特許庁

By using an integrated primary/secondary division bobbin 20, a primary winding N1 is wound around one magnetic leg, and a secondary side winding (a secondary winding N2, a tertiary winding N4) are wound around the other magnetic leg.例文帳に追加

そして、一体化された一次／二次分割ボビン２０を用いて、一次巻線Ｎ1を一方の磁脚に対して巻装し、二次側巻線（二次巻線Ｎ2、三次巻線Ｎ4）を他方の磁脚に巻装する。 - 特許庁

In a cooling roll 37, setting is carried out so that heat is absorbed from a 2nd fixing part N2 positioned on a downstream side of a fixing part N formed by a fixing roll 27 and a press roll 28.例文帳に追加

冷却ローラ３７は、定着ローラ２７と加圧ローラ２８によって形成される定着部Ｎの下流側に位置する第２の定着部Ｎ２から熱を吸収するように設定されている。 - 特許庁

The first transistors (Q21, Q41) connect the gates to a first bit line (BL) and apply a predetermined voltage (H level) to the second node (N2) in response to the voltage of the first bit line at the write-in of data.例文帳に追加

第１トランジスタ（Ｑ２１、Ｑ４１）は、第１ビット線（ＢＬ）にゲートを接続し、データ書き込み時の第１ビット線の電圧に応答して所定の電圧（Ｈレベル）を第２ノード（Ｎ２）に印加する。 - 特許庁

To provide a document search system and a document search program for efficiently searching a document by inputting an associable keyword by use of the N2 method and setting a linkage each between keywords.例文帳に追加

Ｎ２法を利用し、連想されるキーワードを入力させ、各キーワード間の関連を設定させることで、効率的に文書を検索する文書検索システム及び文書検索プログラムを提供する。 - 特許庁

However, in this case, an output node N3 is H and a fourth node N4 is L, so that an n-type transistor Tr6 of the second dynamic circuit 1B is turned off, thereby preventing the second node N2 from discharging.例文帳に追加

しかし、この場合には、出力ノードＮ３がＨとなり、第４ノードＮ４がＬとなって、前記第２ダイナミック回路１Ｂのｎ型トランジスタＴｒ６がオフして、第２ノードＮ２の放電を阻止する。 - 特許庁

The pneumatic actuator controls driving force by injecting N2 and making it flow out through a thin metallic tube 24 by solenoid valves 31 and 32 provided in normal temperature environment through a remote operation.例文帳に追加

空圧アクチエータは、常温環境に設置された電磁弁３１、３２により細い金属の細管２４を通して遠隔操作によりＮ_2 を注入及び流出させることで駆動力を制御する。 - 特許庁

The powdery activated carbon having ≥1,000 m2/g specific surface area measured by N2 adsorption BET method and ≥10 Å to ≤50 Åaverage fine pore diameter, and the manufacturing method are provided.例文帳に追加

Ｎ_２吸着ＢＥＴ法で測定した比表面積が１０００ｍ^２／ｇ以上であり、かつ平均細孔直径が１０Å以上５０Å以下である活性炭粉体及びその製造法。 - 特許庁