n²を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1462件
The intermediate layer 4 has a plurality of discontinuous structures having the refractive index of n1 and formed discontinuously, and a plurality of gaps with the refractive index of n2 (here, n2<n1, and n2<ng).例文帳に追加
中間層4は、屈折率がn1であり、非連続的に複数形成された非連続構造と、屈折率n2(ここで、n2<n1、且つn2<ng)の複数の空隙とを有する。 - 特許庁
By engaging a leading part of connected nails N2 to be loaded with a hook part 9a of the nail charger 9, pushing the connected nails N2 and integrally sliding the connected nails and the nail charger forward, the connected nails are guided by the nail charger and loaded in a second row position.例文帳に追加
装填すべき連結釘N2の先頭部を釘チャージャ9のフック部9aに係合させ、連結釘N2を押して連結釘と釘チャージャを一体に前方へスライドさせることにより、連結釘が釘チャージャに誘導されて第二列位置へ装填される。 - 特許庁
The RAM regards the maximum gradation bit number as n1 (n1: an integer of 2 or more) and the designated gradation bit number as n2 (1≤n2≤n1) and stores display data of n2 by dividing it into 2k (k: 0 or a natural number) frames satisfying k=log_2(n1/n2).例文帳に追加
RAMは、最大階調ビット数をn1(n1は2以上の整数)、指定階調ビット数をn2(1≦n2≦n1)とした時、k=log_2(n1/n2)を満たす2k(kは0か自然数)フレームに分けてn2の表示データを格納する。 - 特許庁
Furthermore, a first secondary winding N2 and a second secondary winding N2' are arranged as the secondary winding of the power isolation transformer PIT so that currents flowing through a rectifier diode D01 or D04 by the magnetic flux of different polarity have the same magnitudes.例文帳に追加
さらに、異なる極性の磁束によって生じる整流ダイオードD01ないし整流ダイオードD04に流れる電流の大きさが同一となるように絶縁コンバータトランスPITの二次巻線として、第1の二次巻線N2と第2の二次巻線N2'とを配した。 - 特許庁
Voltage boosted according to the winding ratio of the winding N1 to the winding N2 of the inductor L2 is applied to the high-pressure discharge lamp 15 for starting.例文帳に追加
インダクタL2の巻線N1と巻線N2との巻数比に応じて昇圧した電圧を高圧放電ランプ15に印加して始動させる。 - 特許庁
A first N2 gas supply tube 26A and a second N2 gas supply tube 40A are connected and fixed to each other by a fitting 76.例文帳に追加
第1N_2 ガス供給管26と第2N_2 ガス供給管40とを止め金具76により相互に連結、固定している。 - 特許庁
The sub coil 4 is connected between the switch 5 and the node N2.例文帳に追加
サブコイル4は、スイッチ5とノードN2との間に接続される。 - 特許庁
An encrypted mail N2 to the nondisclosure address is separately formed.例文帳に追加
非開示宛先に対する暗号化メールN2を別に作成する。 - 特許庁
BREATHING FILTER UNIT FOR N2 GAS PURGE AND PURGING APPARATUS FOR N2 GAS PURGING SEMICONDUCTOR WAFER STORAGE VESSEL HAVING FILTER UNIT例文帳に追加
N2ガスパージ用ブリージングフィルターユニットおよび該フィルターユニットを搭載した半導体ウエハ収納容器をN2ガスパージするパージ装置 - 特許庁
Relation of N1>N2 is established to light with short wavelength and relation of N2>N1 is established to light with long wavelength.例文帳に追加
短波長の光に対してはN1>N2の関係が成立し、長波長の光に対してはN2>N1の関係が成立する。 - 特許庁
The magnet roller 33d is equipped with fixed magnetic poles N1, S1, N2, S2, N3, S3, N4.例文帳に追加
マグネットローラ33は固定磁極N1,S1,N2,S2,N3,S3,N4を備えている。 - 特許庁
The combination of (n1', n2') is used as the gradation levels for G, B parts of the respective pixels to perform average display of (n1', n2').例文帳に追加
各画素のG,B部分について階調レベルとして(n1’,n2’)の組み合わせを用い、(n1’,n2’)の平均表示を行う。 - 特許庁
The ratio (N2/N1) of the number N2 of the adjacent dimple pairs whose pitch is ≤(Da/20) to the number N1 is ≥0.50.例文帳に追加
そのピッチが(Da/20)以下である隣接ディンプル対の数N2の数N1に対する比(N2/N1)は、0.50以上である。 - 特許庁
Thereafter, the upper part of the a-Si film is nitrided through a treatment with N2 plasma or He/N2 plasma to deposit an n-type silicon film.例文帳に追加
その後、N_2プラズマもしくはHe/N_2プラズマ処理等によりa−Si膜上部を窒化させ、n型シリコン膜を堆積する。 - 特許庁
USE OF OXYGEN CONCENTRATOR FOR SEPARATING N2 FROM BLAST FURNACE GAS例文帳に追加
高炉ガスからN2を分離するための酸素濃縮器の使用 - 特許庁
When refractive indices of the first, the second and the third protective films in the light L having a specified wavelength are defined as n1, n2 and n3, respectively, n1>n2>n3 or n2>n1>n3 is satisfied.例文帳に追加
特定波長の光Lにおける第1保護膜の屈折率をn1、第2保護膜の屈折率をn2、第3保護膜の屈折率をn3としたときにn1>n2>n3またはn2>n1>n3を満たす。 - 特許庁
In this case, a gas with composition of SiH4+N2O+PH3+N2, SiH4+CO+PH3+N2 or SiH4+CO2+PH3+N2 may be used.例文帳に追加
上記平行平板プラズマCVD法には、SiH_4+N_2O+PH_3+N_2 又はSiH_4+CO+PH_3+N_2又はSiH_4+CO_2+PH_3+N_2 を成分とするガスを使用することも開示している。 - 特許庁
Further, the coating apparatus causes the nozzle N2 to suck air to form a second air layer in the nozzle N2 concurrently with the process in which the nozzle N2 is moved to above a first wafer WB of a next lot B.例文帳に追加
更に、ノズルN2を次ロットBの先頭のウエハWBの上方に移動させる工程に重ねて、ノズルN2に空気を吸い込ませて当該ノズルN2内に第2の空気層を形成する。 - 特許庁
When the transistors n2, p12 are designed to have the same threshold voltage, a voltage shifting the level of the input signal Vin by the threshold voltage of the transistor n2 is applied to the transistor n2.例文帳に追加
ここで、トランジスタn2、p12のしきい値電圧が同一となるように設計すると、トランジスタn2には、自己のしきい値電圧分だけ入力信号Vinをレベルシフトした電圧が供給される。 - 特許庁
A full-wave rectifier circuit is connected to the secondary winding N2 of a transformer 2.例文帳に追加
トランス2の2次巻線N2に全波整流回路を接続する。 - 特許庁
When the number of rotations N2 is a threshold value Th1 or more (zone TB), the number of rotations N2 with frequency division is determined as the monitor rotational number.例文帳に追加
また、回転数N2が閾値Th1より大きい場合(区間TB)、分周ありの回転数N2をモニタ回転数に決定する。 - 特許庁
The signal lines L3, L4 are electrically connected to the nodes N1, N2.例文帳に追加
信号線L3,L4がノードN1,N2に電気的に接続される。 - 特許庁
Similarly, the nodes N2-N6 are connected independently on one-to-one correspondence with the other nodes through any one of the Hub-1 through Hub-3.例文帳に追加
ノードN2〜N6についても同様にHub-1〜Hub-3のいずれか1つのハブ介して他のノードに対して1対1の関係で独立して接続されている。 - 特許庁
The refractive indexes of the respective areas has a relation n2<n3<n0<n1.例文帳に追加
各領域の屈折率の大小関係はn_2<n_3<n_0<n_1 である。 - 特許庁
Therefore, it is to be desired that the flow ratio of CF4 to N2 in the processing gas should be 1≤(flow of N2/flow of CF4)≤4.例文帳に追加
このため,処理ガスのCF_4とN__2の流量比は,実質的に,1≦(N_2の流量/CF_4の流量)≦4であることが好ましい。 - 特許庁
To the secondary coil N2 of the transformer 2, a full-wave rectifying circuit is connected.例文帳に追加
トランス2の2次巻線N2 に全波整流回路を接続する。 - 特許庁
An output rectifying and smoothing circuit 3 is connected with a secondary winding N2.例文帳に追加
2次巻線N2に出力整流平滑回路3を接続する。 - 特許庁
An output rectifying and smoothing circuit 5 is connected to a secondary winding N2.例文帳に追加
2次巻線N2に出力整流平滑回路5を接続する。 - 特許庁
The capacitative element C2 boosts the voltage of a voltage boosting nose (node N2).例文帳に追加
容量素子C2は、昇圧ノード(ノードN2)の電圧を昇圧する。 - 特許庁
Numbers N1 and N2 are matched to the positions of the design frames D1 and D2.例文帳に追加
ノンブルN1,N2は、デザイン枠D1,D2の位置に合わせられる。 - 特許庁
The various magnification relations of the refractive indices of the respective regions are n1<n2<n3.例文帳に追加
各領域の屈折率の大小関係は n_1>n_2>n_3 である。 - 特許庁
A transistor T3 connected to a node N2 to be connected to the gate of the transistor T2 charges the node N2 in synchronization with a clock signal of the first clock terminal A in a period where the transistor T2 is made conductive by charging the node N2, to compensate for level reduction of the node N2 due to a leak current.例文帳に追加
トランジスタT2のゲートが接続するノードN2に接続したトランジスタT3は、ノードN2が充電されてトランジスタT2が導通状態になる期間に、第1クロック端子Aのクロック信号に同期してノードN2を充電し、リーク電流によるノードN2のレベル低下を補償する。 - 特許庁
Further, a winding ratio between a first secondary winding N2 and a second secondary winding N2' is determined as a secondary winding of the insulation converter transformer PIT so that the size of currents flowing through a rectifier diode D01 and a rectifier diode D02, which are generated due to magnetic flux of different polarity can become the same.例文帳に追加
さらに、異なる極性の磁束によって生じる整流ダイオードD01と整流ダイオードD02とに流れる電流の大きさが同一となるように絶縁コンバータトランスPITの二次巻線として、第1の二次巻線N2と第2の二次巻線N2'との巻線比を定めた。 - 特許庁
The refractive index n1 of the 1st dielectric layer 11, the refractive index n2 of the 2nd dielectric layer 12 and the refractive index n3 of the 3rd dielectric layer 13 satisfy the relations n1>n2 and n3>n2.例文帳に追加
第1誘電体層11の屈折率n1と第2誘電体層12の屈折率n2と第3誘電体層13の屈折率n3の関係がn1>n2かつn3>n2の関係を満たすようにする。 - 特許庁
When the display surface is visually recognized from the oblique direction, the average luminance by the combination of (n1, n2) is higher than the average luminance by the combination of (n1', n2').例文帳に追加
斜め方向から視認したときには、(n1,n2)の組み合わせによる平均輝度は、(n1’,n2’)の組み合わせによる平均輝度よりも高い。 - 特許庁
The tubes 106 are connected to an N2 gas feed tube 111, that feeds the N2 gas in the top end of the quartz tube 101.例文帳に追加
二重チューブ106に,石英ガラス管101の先端部内にN_2ガスを供給するN_2ガス供給チューブ111が接続されている。 - 特許庁
This game machine detects the number N1 of shot balls, the number N2 of foul balls, the number N3 of out balls, and the number N4 of safe balls and computes the number N5(N1-N2) of game balls.例文帳に追加
発射球数N1・ファール球数N2・アウト球数N3・セーフ球数N4を検出し、遊技球数N5(N1−N2)を演算する。 - 特許庁
Also, limited values N1 and N2 of the number of sliding frames of a reel for drawing the BB1 pattern and the BB2 pattern are set as N1 ≥ N2 and the number of sliding frames in the case of drawing both patterns at the same time is within N2.例文帳に追加
また、BB1図柄およびBB2図柄の引き込みのためのリールの滑り駒数の制限値N1,N2をN1≧N2に設定し、両図柄を同時に引き込む場合の滑り駒数をN2駒以内にする。 - 特許庁
A node N2 and a node N4 are electrically coupled accompanied by the turning-off.例文帳に追加
これに伴い、ノードN2とノードN4とが電気的に結合される。 - 特許庁
A rectifying smoothing circuit 4 is connected to the secondary winding N2 of the transformer 2.例文帳に追加
トランス2の2次巻線N2 には整流平滑回路4を接続する。 - 特許庁
Further, the third gate (G3) outputs a third signal (/Q) corresponding to the second signal (N2) in response to the second level (L level, for example) of the clock.例文帳に追加
更に、第3のゲート(G3)は、クロックの第2のレベル(例えばHレベル)に応答して、第2の信号(N2)に対応する第3の信号(/Q)を出力する。 - 特許庁
When the MOS transistor N2 is in an off-state, the zener diode ZD2 clamps the voltage between the drain and the source of the MOS transistor N2 at a predetermined value.例文帳に追加
ツェナーダイオードZD2は、MOSトランジスタN2がオフのときに、MOSトランジスタN2のドレインとソースとの間の電圧を所定値にクランプする。 - 特許庁
Similarly, a device N2 generates information F1λ1 N2λ1F2.例文帳に追加
同様に装置N2は、F1λ1N2λ1F2という情報を生成する。 - 特許庁
A transistor Q9 cramps the voltage level of the node N2 to a constant value.例文帳に追加
トランジスタQ9は、ノードN2の電圧レベルを一定値にクランプする。 - 特許庁
The part 31 decodes encoding data which is compressed by a JPEG system at every MCU till the contents N2 of the output MCU counter 52 become '0'.例文帳に追加
ハフマン復号部31は、出力MCUカウンタ52の内容N2が「0」になるまでJPEG方式にて圧縮された符号データをMCU毎に復号する。 - 特許庁
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