「n²」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

By using pressure of N2 gas, the material solution is spin-coated on a surface of a substrate 200 from a nozzle 110.例文帳に追加

Ｎ_2ガスによる圧力で、ノズル１１０から原料溶液を基板２００表面にスピン塗布する。 - 特許庁

In the first, second, and third grooves 21, 22, 23, a primary winding N1, a secondary winding N2, and a tertiary winding N3 are arranged.例文帳に追加

第１、第２及び第３の溝２１、２２、２３に１次、２次及び３次巻線Ｎ1 、Ｎ2 、Ｎ3 を配置する。 - 特許庁

Switching elements (S2, S3) are connected in series between the output node (N3) and the inverted input node (N2) of a differential amplifier (OP), and a capacitive element (C1) is connected between the inverted input node N2 and a constant potential node.例文帳に追加

差動増幅器（ＯＰ）の出力ノード（Ｎ３）と反転入力ノード（Ｎ２）の間に直列にスイッチング素子（Ｓ２，Ｓ３）を接続し、かつ反転入力ノードＮ２と定電位ノードの間に容量素子（Ｃ１）を接続する。 - 特許庁

As for drains of the N type transistors N1, N2 for inputting the complementary signals, voltage values applied to them are restricted to below the voltage of the low voltage source VDD (below withstand pressure of the N type transistors N1, N2) by a protection circuit A.例文帳に追加

前記相補信号入力用のＮ型トランジスタＮ１、Ｎ２のドレインは、そのかかる電圧値が、保護回路Ａにより、低電圧源ＶＤＤの電圧以下（Ｎ型トランジスタＮ１、Ｎ２の耐圧以下）に制限される。 - 特許庁

When the current converting gains are changed in accordance with an input signal S2, voltages of a node N1' and a node N2' are adjusted to a direction wherein voltages of the node N1 and the node N2 become constant to the change.例文帳に追加

この電流変換ゲインが入力信号Ｓ２に応じて変化すると、この変化に対しノードＮ１およびノードＮ２の電圧が一定となる方向に、ノードＮ１’およびノードＮ２’の電圧が調節される。 - 特許庁

A bobbin 2 consists of a cylindrical member 21 having a cylindrical winding portion around which a secondary winding n2 is wound; and a covering member 22 for covering one part of the secondary winding n2, and around which a primary winding n1 is wound from the top.例文帳に追加

ボビン２は、２次巻線ｎ２が巻回される円筒形状の巻回部を有する筒状部材２１と、２次巻線ｎ２の一部を覆うとともに上から１次巻線ｎ１が巻回される覆い部材２２とからなる。 - 特許庁

A liquid L pushed towards a first direction P1 and left without being wiped on open ends of the nozzles N1 and N2 is wiped to be separated away from the open end of one of the nozzles N1 and N2.例文帳に追加

これにより、ノズルＮ１，Ｎ２の開口端における第一の方向Ｐ１寄りに押し付けられて拭き残っていた液体Ｌは、ノズルＮ１，Ｎ２の一方の開口端から引き離されるように払拭される。 - 特許庁

Since the control SMS includes a control code allowing the operation control for making the mobile terminal 2 establish an IP connection via a network N2 (cellular network), the mobile terminal 2 is connected to the network N2 by the IP connection.例文帳に追加

制御ＳＭＳには移動端末２にネットワークＮ２（セルラ網）を介したＩＰ接続をさせるための動作制御が可能な制御コードが含まれているので、移動端末２は、ネットワークＮ２とＩＰ接続される。 - 特許庁

In a secondary winding N2, a secondary winding N2B is additionally wound on a secondary winding N2A, and a half-wave rectifier circuit is connected to the secondary winding N2A with a parallel resonance capacitor C2 connected to the secondary winding N2.例文帳に追加

また、二次巻線Ｎ2は二次巻線部Ｎ2Aに対して二次巻線部Ｎ2Bを追加的に巻装し、二次巻線部Ｎ2Aに対して半波整流回路を接続し、二次巻線Ｎ2に並列共振コンデンサＣ2を接続する。 - 特許庁

Even when connected nails N1 of a first row still exist, the loaded connected nails N2 do not collide into a rear end of the connected nails N1 of the first row, and connected nails can be easily replenished during work.例文帳に追加

第一列の連結釘N1が残っている場合であっても、装填する連結釘N2が第一列の連結釘N1の後尾に衝突することがなく、作業中に連結釘を簡単に補充することができる。 - 特許庁

The at least one voltage level conversion unit 150 can be connected to the first node n1 and the second node n2 and convert the voltage level of an input signal by using the voltage of the first node n1 and the voltage of the second node n2.例文帳に追加

電圧レベル変換部１５０は、第１ノードｎ１及び第２ノードｎ２と連結され、第１ノードｎ１の電圧及び第２ノードｎ２の電圧を利用して入力信号の電圧レベルを変換できる。 - 特許庁

An electronic circuit A comprises: a transistor N1 and a transistor N2 which have different channel lengths; and a selection part 100 for selecting one of the transistor N1 and the transistor N2 to electrically connect it to a predetermined node N.例文帳に追加

電子回路Ａは、チャネル長の異なるトランジスターＮ１及びトランジスターＮ２と、トランジスターＮ１及びトランジスターＮ２の一つを選択して所定のノードＮに電気的に接続する選択部１００とを備える。 - 特許庁

A refractive index n1 for the first protecting layer 1 in the designated wavelength for the laser beam 7 and a refractive index n2 for the second protecting layer 3 in the designated wavelength for the laser beam 7 satisfies a relationship of n2<n1.例文帳に追加

レーザー光７の所定波長における第１の保護層１の屈折率ｎ１と、レーザー光７の所定波長における第２の保護層３の屈折率ｎ２とは、ｎ２＜ｎ１の関係を満たしている。 - 特許庁

Then, variations in the luminance along line segments, each including the certain number of pixels are acquired from the top of the candidate segment n1 in a plurality of directions about the top pixel, and a candidate segment n2 in the direction in which the variation in luminance becomes minimum, is extracted.例文帳に追加

候補線分n1の先端から一定画素数の線分における輝度のばらつきを先端画素から複数方向にわたって求めて、最も輝度のばらつきの小さい方向の候補線分n2を抽出する。 - 特許庁

An output terminal 3 is connected to nodes N1, N2 via a connecting selecting fuse T13 or T14.例文帳に追加

出力端子３は、接続選択用ヒューズＴ１３又は１４を介して接点Ｎ１，Ｎ２に接続されている。 - 特許庁

The switching power supply comprises a transformer 3 containing a primary coil N1, a secondary coil N2, and a third coil N3.例文帳に追加

スイッチング電源装置は、１次巻線Ｎ１と２次巻線Ｎ２と３次巻線Ｎ３を有するトランス３を有する。 - 特許庁

Drains of the field-effect transistors M3 and M4 are connected to the storage nodes N1 and N2 and sources are connected to a ground potential.例文帳に追加

電界効果トランジスタＭ３，Ｍ４のドレインは記憶ノードＮ１、Ｎ２に、ソースは接地電位に接続されている。 - 特許庁

Since the transistors N2 and P2 have the same configuration as the transistors N1 and P1, the increase in the number of manufacturing processes is suppressed.例文帳に追加

トランジスタＮ２、Ｐ２がトランジスタＮ１、Ｐ１と同一構成であるため、製造工程の増加を抑止できる。 - 特許庁

Also, the refractive index in the film 25 is changed continuously from the refractive index n1 to n2.例文帳に追加

また、反射防止膜２５内の屈折率を屈折率ｎ１からｎ２まで連続的に変化させるようにする。 - 特許庁

The switch S2 connected to the node N2 is connected to either of the power supply node, ground node or boosting node.例文帳に追加

ノード（Ｎ２）に接続されたスイッチ（Ｓ２）は、電源ノード、グランドノード、および昇圧ノードのいずれかに接続される。 - 特許庁

The inspection data retrieval system 70 receives (obtains) the inspection data from an analyzer 80 through a communication network N2.例文帳に追加

検査データ取込装置７０は、通信ネットワークＮ２を介して、分析器８０から検査データを受信（取得）する。 - 特許庁

The signal distributed to the node N2 is transmitted while being delayed by a strip line SL and reflected on a node NE.例文帳に追加

ノードＮ２に分配された信号は、ストリップラインＳＬにより遅延されつつ伝送され、ノードＮＥで反射される。 - 特許庁

An output buffer 22 comprises transistors TP2 and TN2 connected between the power line and the ground line, and a resistor R2 connected between a node n2 and the input/output terminal 23.例文帳に追加

信号入力モードにおいて、出力バッファ２１，２２によって１つの終端回路を構成する。 - 特許庁

Here, for example, N1 is the frequencies for the two-hole punching, and N2 is the frequencies for the three-hole punching.例文帳に追加

ここで例えば、Ｎ１は２穴のパンチがなされた回数であり、Ｎ２は３穴のパンチがなされた回数である。 - 特許庁

METHOD FOR CRYSTALLIZING N2-((S)-1-ETHOXYCARBONYL-3-PHENYLPROPYL)-N6-TRIFLUOROACETYL-L-LYSYL-L-PROLINE例文帳に追加

Ｎ２−（（Ｓ）−１−エトキシカルボニル−３−フェニルプロピル）−Ｎ６−トリフルオロアセチル−Ｌ−リシル−Ｌ−プロリンの結晶化方法 - 特許庁

An inspection data capturing apparatus 70 receives (acquires) inspection data from an analyzer 80 via a communication network N2.例文帳に追加

検査データ取込装置７０は、通信ネットワークＮ２を介して、分析器８０から検査データを受信（取得）する。 - 特許庁

In the detecting circuit 25 the frequency of FG signal from a capstan motor 4 is compared with (N2/N1)×fREC.例文帳に追加

検出回路２５において、キャプスタンモータ４からのＦＧ信号の周波数と（Ｎ_2 ／Ｎ_1 ）×ｆ_REF とが比較される。 - 特許庁

Furthermore, an amplitude limiter circuit 20 limits the amplitude of the input voltage V1 and the resulting voltage is outputted from a node N2.例文帳に追加

更に入力電圧ＶＩは、振幅制限回路２０で振幅が制限されてノードＮ２から出力される。 - 特許庁

The midpoint X is connected to the gates of P1 and N2 and also connected to the drains of P2 and N1.例文帳に追加

中点Ｘは、Ｐ１およびＮ２のゲートと接続されるとともに、Ｐ２およびＮ１のドレインと接続される。 - 特許庁

Thus, a variance in mirror current between the N type MOS transistors N2 and N3 is effectively suppressed.例文帳に追加

これによって、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＮ２、Ｎ３のミラー電流のばらつきを効果的に抑制することができる。 - 特許庁

The synchronous rectifier circuit consisting of a fifth and sixth switches Q5, Q6 is mounted to a secondary winding N2 of the transformer T.例文帳に追加

トランスＴの２次巻線Ｎ2 に第５及び第６のスイッチＱ5 、Ｑ6 からなる同期整流回路を設ける。 - 特許庁

Each secondary circuit has secondary transformer output windings (N2 to N6), provided with a secondary winding of the same number of turns of winding.例文帳に追加

各二次回路は、同一巻き数の二次巻線をもつ二次変圧器出力巻線（Ｎ２〜Ｎ６）を有する。 - 特許庁

A connection point (node N2) of the capacitors 50 and 52 is connected to a middle point tap mt of the secondary side coil 20b.例文帳に追加

これらコンデンサ５０，５２の接続点(ノードＮ２)を、２次側コイル２０ｂの中点タップｍｔに接続する。 - 特許庁

When the fuses 11, 12 are fused, the switches 16, 17 for separation separates the comparator circuit 13 and the nodes N1, N2.例文帳に追加

分離用スイッチ１６、１７は、ヒューズ１１、１２の溶断時に比較回路１３とノードＮ１、Ｎ２とを分離する。 - 特許庁

The first range N1 is formed so that its light emitting function becomes lower than the second range N2.例文帳に追加

そして、第１の範囲Ｎ１は、第２の範囲Ｎ２よりも出射機能が低くなるように形成されている。 - 特許庁

Output electrodes of M1 and M2 are connected with N1, and output electrodes of M3 and M4 are connected with N2.例文帳に追加

Ｍ１、Ｍ２の出力電極はＮ１と接続され、Ｍ３、Ｍ４の出力電極はＮ２と接続される。 - 特許庁

The slip ratio λ is obtained from rotating speed N1 and N2 of a driven wheel and a driving wheel respectively by a slip ratio estimation means 42.例文帳に追加

従動輪と駆動輪の回転数Ｎ１，Ｎ２から、スリップ率推定手段４２によりスリップ率λを求める。 - 特許庁

A primary winding n1 and a secondary winding n2 are respectively provided with a center tap, and they are wound on different positions of a core 3.例文帳に追加

１次巻線ｎ１と２次巻線ｎ２とはそれぞれセンタタップを備え、コア３の異なる位置に巻装される。 - 特許庁

The other terminal of the 2nd capacitor C2 is connected to a connection point N2 between the TFTs (T2) and (T3).例文帳に追加

第２の容量Ｃ２の他方の端子は、ＴＦＴ（Ｔ２）、ＴＦＴ（Ｔ３）の接続点Ｎ２に接続されている。 - 特許庁

If the noticeable pixel is fit to a condition (2), the noticeable image density counted value is multiplied by a weighting coefficient n2 (S114).例文帳に追加

条件（２）に適合する場合、注目画像濃度カウント値に重み付け係数ｎ２を掛ける（Ｓ１１４）。 - 特許庁

The auxiliary circuits H1 and H2 are connected in parallel with the smoothing reactor L1 between a node N1 and a node N2.例文帳に追加

補助回路Ｈ１，Ｈ２は、ノードＮ１とノードＮ２との間に平滑用リアクトルＬ１に並列に接続される。 - 特許庁

In this case, it is desirable that the wavelength of the laser beam is set to 0.5-1.5 μm and that N2 gas is used as shielding gases for welding.例文帳に追加

その際、レーザー光の波長を０．５〜１．５μｍとし、シールドガスとしてＮ_2 ガスを用いることが好ましい。 - 特許庁

Otherwise, if (flow of N2/flow of CF4) is larger than 4, it will cause bowing, and the etching form will be disagreeable.例文帳に追加

また，（Ｎ_２の流量／ＣＦ_４の流量）が４より大きいと，ボーイングが生じるなど，エッチング形状が良くない。 - 特許庁

The nitriding film formed on the conductive layer is etched by CH2F2/Ar/N2-based mixed gas.例文帳に追加

ＣＨ_２Ｆ_２／Ａｒ／Ｎ_２系混合ガスを用いることにより、導電層上に形成された窒化膜をエッチングする。 - 特許庁

This silicon nitride film is formed by irradiating silicon single crystal (100) surface with N2+ ion accelerated to 500 eV in a vacuum.例文帳に追加

真空中で、５００ｅＶに加速したＮ_2 ^+ イオンをシリコン単結晶（１００）表面に照射して形成する。 - 特許庁