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「n²」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索
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該当件数 : 1462



例文

A sub-cell has p-conductor layers p1 and p2, intrinsic-semiconductor layers i1 and i2, and n-conductor layers n1 and n2.例文帳に追加

サブセルはp導体層p1、p2、真性半導体層i1、i2及びn導体層n1、n2を有する。 - 特許庁

A data switching circuit 14 is connected between the node N1 and a node bN2, and the node bN1 and a node N2.例文帳に追加

データ入れ替え回路14は、ノードN1とノードbN2の間及びノードbN1とN2の間に接続される。 - 特許庁

Then, a gate valve G is opened, so that N2 can flow from a carriage chamber 200 communicating with the treatment chamber 102.例文帳に追加

ゲートバルブGを開放し,処理室102と連通する搬送室200内からN_2を流入させる。 - 特許庁

The system for drying a device sheet comprises ducts 2 and 3 conducting N2 gas for drying, and clean room sheets 71 and 72 disposed closely to each other on the upstream side and downstream side of N2 gas while traversing the ducts 2 and 3 and clamping a device sheet 9.例文帳に追加

乾燥用N2ガスを流通させるダクト2、3と、当該ダクト2、3を横切ってN2ガスの上流側と下流側で互いに近接して位置させられてデバイスシート9を挟持するクリーンルーム紙71、72とを備える。 - 特許庁

例文

A light leakage modulator 8 on the rear side 34 of the light guide body is formed with a composite layer 80 having first and second refraction index regions 81, 82 with refraction indexes n1, n2 (ng>n1, n2>n1), and a third refraction index layer 83 with a refraction index n3 (n3>n1).例文帳に追加

導光体裏面34上の漏光モジュレータ8は、屈折率n1,n2(ng>n1,n2>n1)の第1及び第2の屈折率領域部81,82を有する複合層80と、屈折率n3(n3>n1)の第3屈折率層83とを備える。 - 特許庁


例文

Moreover, distances P2, P2' concerning thickness direction K2 between second reference positions N2, N2' provided on each of the outlines 26, 26' and the projection centers M, M' are made to differ between the element 321 of the initial lot and the element 321' of the final lot.例文帳に追加

また、各外郭26,26’に設けられる第2の基準位置N2N2’と突出中心M,M’との厚み方向K2に関する距離P2,P2’を、初期ロットの素材321と終期ロットの素材321’とで異ならせている。 - 特許庁

A differential circuit 5a comprises a different pair of transistors N1 and N2, and a tail current source 68 that supplies a tail current switchable so that the amount of current flowing through the different pair of transistors N1 and N2 is switched in at least two levels.例文帳に追加

差動回路5aは、差動対トランジスタN1,N2と、差動対トランジスタN1,N2に流れる電流量が少なくとも2つのレベルで切替わるように、切替可能なテール電流を供給するテール電流源68とを備える。 - 特許庁

A diode D1 cuts off a current through the secondary winding N2, while a switch element Q1 connected between the power source V1 and the primary winding N1 is on, and passes the current to the secondary winding N2, while the switch element Q1 is off.例文帳に追加

ダイオードD1は、低電圧電源V1と1次巻線N1との間に接続されるスイッチ素子Q1がオンの間は2次巻線N2に電流を流さず、スイッチ素子Q1がオフの間に2次巻線N2に電流を流す役割を果たす。 - 特許庁

A dynamic supercharging effect of intake air is provided even in an engine speed zone not lower than changeover speed N2 by changing over the intake air route when engine speed reaches the predetermined changeover speed N2.例文帳に追加

エンジン回転数があらかじめ設定した所定の切換回転数N2となったときに吸気経路を切替えることによって、該切替回転数N2以上のエンジン回転数領域でも吸気の動的過給効果が得られるようにされる。 - 特許庁

例文

Furthermore, ratios of a hand N2 and an elbow N3 adjacent to the wrist N1 with respect to the part moving distance M1 of the wrist N1 are larger than the predetermined value, respectively, and the hand N2 and the elbow N3 move cooperatively with the wrist N1.例文帳に追加

また、手首N1の部位移動距離M1に対する、手首N1に隣接する手N2、ヒジN3の部位移動距離M2,M3の比率はそれぞれ所定値より大きく、手N2、ヒジN3が、手首N1に連動して動作している。 - 特許庁

例文

If the former nozzle 30 is also a malfunctioning nozzle, the array N2 is moved with respect to the array N1 in accordance with malfunctioning nozzle detection results so that another nozzle 30 in the array N2 is next to the malfunctioning nozzle in the array N1 along the direction 31.例文帳に追加

後者のノズル30も不調ノズルである場合は、アレイN2内の別のノズル30が方向31沿いにアレイN1内不調ノズルと並ぶよう、不調ノズル検知結果に応じアレイN2をアレイN1に対して移動させる。 - 特許庁

The charge pump circuit 30 includes a pump capacitor 32 connected between nodes N1 and N2 to which the pulses CP are inputted, a switch element 34 which is connected between the node N2 and an output node No, and a bias circuit 40.例文帳に追加

チャージポンプ回路30は、パルスCPが入力されるノードN1とノードN2との間に接続されたポンプ容量32と、ノードN2および出力ノードNoの間に接続されるスイッチ素子34と、バイアス回路40とを含む。 - 特許庁

The blade 41 is disposed on a developer conveyance path R2 between a magnet N2 (an example of a first magnet) and a magnet S1 (an example of a second magnet) and closer to the magnet S1 than to the magnet N2.例文帳に追加

ブレード41は、磁石N2(第1の磁石の一例)上から磁石S1(第2の磁石の一例)上までの現像剤搬送経路R2であって磁石N2上よりも磁石S1上に近い位置に設けられている。 - 特許庁

The mass spectrograph further comprises a sample gas supply source 21 for supplying the halogenated compound to the chamber, and an N2 gas supply source 22 for supplying a gas (N2 or the like) hardly adhering metal ion as compared with the halogenated compound to the chamber.例文帳に追加

このハロゲン化化合物を反応室に供給する試料ガス供給源21と、反応室へハロゲン化化合物に比べて金属イオンが付着しにくいガス(N_2 等)を供給するN_2 ガス供給源22が備えられる。 - 特許庁

After nail feeding, the feeding pawl retreats, the abutting part 10b and the pawl part 10a run onto a side face of a connecting nail N2 of the second row and they return to withdrawn positions, the front feeding pawl 9 engages with the leading nail FN2 of the second row, and nail feeding is carried on.例文帳に追加

釘送り後に送り爪が後退し、当接部10bと爪部10aは第二列の連結釘N2の側面に乗り上げて退避位置に戻り、前部送り爪9が第二列の先頭の釘FN2に係合して釘送りを続行する。 - 特許庁

In S15, a balance equation on an alignment chart is solved based on Ne and Te, whereby the amount of motor electricity is entirely covered by the generated power to determine motor/generator operating points N1 and T1, and N2 and T2 for direct power distribution which does not require the battery power to be taken out.例文帳に追加

S15では、Ne,Teを基に共線図上のバランス式を解くことにより、発電力でモータ電量の全てを賄い、バッテリ電力の持ち出しが必要でないダイレクト配電用のモータ/ジェネレータの動作点(N1,T1)および(N2,T2)を決定する。 - 特許庁

The inductor L1 has a secondary winding used as a detecting winding n2, and the lighting system A is equipped with a detection circuit 6 for detecting the operation status of the lighting circuit 1 and the lamp 5 by using the output of the detecting winding n2.例文帳に追加

インダクタL1は検出用巻線n2となる2次巻線を備えており、照明装置Aは、検出用巻線n2の出力を用いて点灯回路1およびランプ5の動作状態を検出する検出回路6を備える。 - 特許庁

Further, the apparatus includes a first layer disposed at the side of the reflective layer with a reflective index n1, and a second layer opposite to the first layer with the reflective index n2 (n2<n1), with the second electrode layer arranged as the center.例文帳に追加

また、この第2電極層を中心として、前記反射層側に配置される屈折率n1をもつ第1層、及び、当該第1層とは反対側に配置される屈折率n2(ただし、n2<n1)をもつ第2層、が備えられる。 - 特許庁

In an image processing part 22 of a printer controller 20, an image conversion part 221 generates image data of characters or line drawings of a gradation value n1, and the image data of photographic images of a gradation value n2 (n2>n1), based on print control data.例文帳に追加

プリンタコントローラ20の画像処理部22では、画像変換部221が印刷制御データに基づいて、階調値n1の文字又は線画の画像データ及び階調値n2n2>n1)の写真画の画像データを生成する。 - 特許庁

An angle θ1 formed by the directions n1 and n2 is less than 180° with the magnetic pole 96 between them.例文帳に追加

方向n1と方向n2とがなす角度θ1は、磁極96を挟んで180度未満になるようにされている。 - 特許庁

Then, the wafer W is supplied with N2 gas (dry gas) so as to remove the moisture adhering to the surface of the wafer W.例文帳に追加

そして、ウエハWにN2ガス(乾燥気体)を供給してウエハW表面に付着する水分を除去する。 - 特許庁

The external surface of the suction nozzle N2 is also washed both in the feeding of the steam and in the feeding of the washing liquid.例文帳に追加

蒸気の供給及び洗浄液の供給の両者において吸引ノズルN2の外面も洗浄される。 - 特許庁

A film is grown using O2, O3, N2, O, NO, NO2 and NH3 reactant gases and silane, which is shown by the formula (t-C4H9NH)2 SiH2.例文帳に追加

O_2 、O_3 、N_2 O、NO、NO_2 、NH_3 の反応物ガスと式(t−C_4 H_9 NH)_2 SiH_2 のシランから膜を成長させる。 - 特許庁

Three drive transistors TD1, TD2 and TD3 are connected in parallel by nodes N1, N2, ..., Nm-1, and Nm.例文帳に追加

各ノードN1、N2、・・・、Nm-1、Nmによって3個の駆動トランジスタTD1、TD2、TD3が並列に接続される。 - 特許庁

Two FETs 7 and 8 are connected in series between the nodes N1 and N2 connected to the emitters of transistors 1 and 2.例文帳に追加

トランジスタ1,2のエミッタに接続されるノードN1,N2間には、2つのFET7,8が直列に接続されている。 - 特許庁

At time t13, a switching element Q1 is turned on but a current is flowing from N1 to N2 to L2 to D2 to C1 to N1.例文帳に追加

タイミングt13では、スイッチング素子Q1がオンとなるが、電流はN1→N2→L2→D2→C1→N1と流れている。 - 特許庁

The thickness n1 of the first elastic layer 58a and the thickness n2 of the second elastic layer 58b are substantially the same.例文帳に追加

第1の弾性体層58aの層厚n1と第2の弾性体層58bの層厚n2とは略同一である。 - 特許庁

All the power consuming apparatuses mounted to the electric vehicle 5 are brought into a non-contact state with the power supply nodes N1, N2.例文帳に追加

そして、給電ノードN1、N2には、電動車両5に搭載される電力消費機器の全てが非接続とされる。 - 特許庁

The formation of the crystallization accelerating layer 3 is carried out by using a Bi target and introducing a gaseous Ar-N2 mixture.例文帳に追加

結晶化促進層3の成膜は、Biからなるターゲットを用い、アルゴンと窒素の混合ガスを導入して行う。 - 特許庁

A level shift part 5 includes an MOS transistor N2, a resistor R2, and a resistor R1, which are connected in series to one another.例文帳に追加

レベルシフト部5は、MOSトランジスタN2と、抵抗R2と、抵抗R1とを備え、これらが直列接続されている。 - 特許庁

When a washing liquid is fed, in that state, to the suction nozzle N2, the protein or the like is effectively removed.例文帳に追加

その状態で吸引ノズルN2に対して洗浄液が供給されると、タンパク質等が効果的に除去される。 - 特許庁

In the FM demodulator, the FM modulation signal is distributed to a node N2 and a node N3 by a resistance distributor 2.例文帳に追加

FM復調器においては、FM変調信号が抵抗分配器2によりノードN2およびノードN3に分配される。 - 特許庁

Potentials of back gate terminals BN1 and BN2 of the NMOS transistors N1 and N2 are set to a ground potential GND.例文帳に追加

NMOSトランジスタN1及びN2のバックゲート端子BN1及びBN2の電位は接地電位GNDに設定される。 - 特許庁

A switching element SW2 sets a potential of a connecting point N2 between the resistor R2 and the external terminal 12 to a ground potential.例文帳に追加

スイッチング素子SW2は、抵抗R2と外部端子12との接続点N2の電位を、グランド電位に設定する。 - 特許庁

The NAND gate 2 comprises Pch MOS transistors P1, P2, and Nch MOS transistors N1, N2.例文帳に追加

NANDゲート2は、Pch MOSトランジスタP1、P2、及びNch MOSトランジスタN1、N2から構成されている。 - 特許庁

The developing roller 51 has a developing sleeve 51B, and a draw-up pole N2 and a release pole N3 in the developing sleeve 51B.例文帳に追加

現像ローラ51は、現像スリーブ51Bと、現像スリーブ51B内に汲み上げ極N2及び釈放極N3を有する。 - 特許庁

Sub-decoder elements provided correspondingly to respective word lines are constituted of the same conduction type MOS transistors (N1, N2).例文帳に追加

ワード線それぞれに対応して設けられるサブデコーダ素子を同一導電型のMOSトランジスタ(N1、N2)で構成する。 - 特許庁

Leakage current passage is limited by the n-type MOS field effect transistor N2 and current consumption is suppressed.例文帳に追加

このn型MOS電界効果トランジスタN2により、リーク電流の経路が制限され、消費電流が抑制される。 - 特許庁

One end each of the second and third windings N2 and N3 is connected to the first and second DC terminals 1a and 1b.例文帳に追加

第2及び第3の巻線N2、N3の一端を第1及び第2の直流端子1a、1bに接続する。 - 特許庁

The sensor is equipped with a core having a refractive index of n1 and a clad having a refractive index of n2, and the core diameter is 1.0 mm or less.例文帳に追加

屈折率n1のコアと屈折率n2のクラッドを備え、コアの口径を1.0mm以下にするものである。 - 特許庁

The partial pressure of the N2 gas in the mixed gas used for the sputtering method is specified to be 0.5-10%, preferably 1-9%.例文帳に追加

このスパッタリング法に用いられる混合ガス中のN_2 ガスの分圧を、0.5〜10%、好ましくは1〜9%とする。 - 特許庁

The gas inlet part 103 is provided to the other side of the wafer introducing part 101 and N2 gas, for example, is supplied.例文帳に追加

ガス導入部103はウェハ導入部101の反対側に設けられており、例えばN_2 ガスが供給される。 - 特許庁

A resonance circuit 15 is provided between the middle points N1 and N2 of the bridge arms of an inverter circuit 13 (between the output terminals).例文帳に追加

インバータ回路13の各ブリッジアームの中間点N1,N2間(出力端子間)に共振回路15が設けられる。 - 特許庁

The index of refraction n2 of the first layer preferentially outputs light that is input from the wedge-shaped layer to the first layer.例文帳に追加

第1の層の屈折率n2は楔状層から入力される光を第1の層に優先的に出力する。 - 特許庁

The measures are to operate either the elements N1 and N2 or N9 and N10 positioned at both ends on a path.例文帳に追加

この対策は、経路上の両端に位置する要素N1,N2またはN9,N10のいずれかを操作するものである。 - 特許庁

Thus, a potential difference dependent on the external magnetic field is generated between the parts N1 and N2, and the potential difference is measured by a voltmeter 104.例文帳に追加

そのため、N1とN2の間に外部磁界に依存した電位差が生じ、それを電圧計104で測定する。 - 特許庁

The reflected signal returns from the node N2 to the resistance distributor 2 and added to the signal distributed to the node N3.例文帳に追加

反射された信号は、ノードN2から抵抗分配器2に戻りノードN3に分配された信号に加算される。 - 特許庁

The supply line ACL connects the neutrals N1, N2 of the motor generators MG1, MG2 and the outside of a vehicle electrically.例文帳に追加

供給線ACLは、モータジェネレータMG1,MG2の中性点N1,N2と車両外部とを電気的に接続する。 - 特許庁

If the power output node N2 is ground-faulted, the control circuit 6 is not activated so that overcurrent does not flow.例文帳に追加

電力出力ノードN2が地絡されている場合は、制御回路6が活性化されず、過電流が流れることがない。 - 特許庁

例文

When the control voltage V_CNT exceeds the specified level Vf, the potential V_N2 of the output node N2 gradually lowers.例文帳に追加

制御電圧V_CNTが一定レベルVfよりも高くなると、出力ノードN2の電位V_N2が緩やかに低下する。 - 特許庁




  
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