n²を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1462件
The nail head support 5 is set to be higher than the top surface of the nail guide rail 8, and the nails N1 of the first row and the nails N2 of the second row are stored in an uneven manner.例文帳に追加
釘ガイドレール8の上面よりも釘頭サポート5の高さを高くして、一列目の釘N1と二列目の釘N2とを段違いに収容する。 - 特許庁
The ignition coil 20 includes a structure capable of varying ratio of numbers of turns N2/N1 of number of turns N1 of the primary coil 21 and number of turns N2 of secondary coil 22.例文帳に追加
点火コイル20は、1次側コイル21の巻数N1と2次側コイル22の巻数N2との巻数比(N2/N1)を可変とする構成を有する。 - 特許庁
Formula 2 is represented by R_3-O-(-CH_2CH_2O-)_n2-R_4 (wherein R_3 and R_4 independently are 16-22C alkyl, and the average additional molar number n2 of an oxyethylene group is in a range of 45-450).例文帳に追加
R_3-O-(-CH_2CH_2O-)_n2-R_4 (式2)式中、R_3 およびR_4は、独立に炭素数16〜22のアルキル基、オキシエチレン基の平均付加モル数 n2 は45〜450の範囲である。 - 特許庁
Wherein, n2 is set to be n2<n1(=ΔT/Δt) and ΔP1 is set to be (set inflation pressure Pset-first warning value P1)/n1, for example.例文帳に追加
n_2 はn_2 <n_1 (=ΔT/Δt)を満たすよう設定され、Δp_t は例えば(設定空気圧P_set −第1の警報値P1)/n_1 となるように設定される。 - 特許庁
A capacitor 11 for driving is connected between the node N1 and the node N2.例文帳に追加
駆動用コンデンサ11がノードN1とノードN2との間に接続される。 - 特許庁
A reference current I_REF is inputted into a point between the NMOS transistor N1 and the NMOS transistor N2, and the NMOS transistor N2 operates in a linear region.例文帳に追加
NMOSトランジスタN1とNMOSトランジスタN2との間に参照電流I_REFが入力され、NMOSトランジスタN2は線形領域で動作する。 - 特許庁
A transfer gate switch TG is connected between the node N1 and the node N2.例文帳に追加
ノードN1とノードN2の間にはトランスファーゲートスイッチTGが接続される。 - 特許庁
The nitrogen gas N2 can be blown against the central part of the upper surface of the semiconductor substrate 12, and the pressure or the current velocity of nitrogen gas N2 is adjustable variably.例文帳に追加
又、窒素ガスN2は半導体基板12の上面中央部に吹き付け可能とし、窒素ガスN2の圧力又は流速は可変調整可能にする。 - 特許庁
When the deviation (D2-D1) becomes larger than the regulation value N2, the torque-reduction control is concluded.例文帳に追加
そして、D2−D1>N2になると、トルクダウン制御を終了させる。 - 特許庁
A winding N1 at one end of an inductor L2 having a center tap 16 is connected to an inverter circuit 14, and a winding N2 at the other end is connected to a high-pressure discharge lamp 15.例文帳に追加
中間タップ16を有するインダクタL2の一端側の巻線N1をインバータ回路14に接続し、他端側の巻線N2を高圧放電ランプ15に接続する。 - 特許庁
The node N1 is connected on one-to-one correspondence with the nodes N2, N3 and N4 through the Hub-1, and connected on one-to-one correspondence with the node N5 and N6 through the Hub-3.例文帳に追加
また、ノードN1はHub-1を介してノードN2、N3及びN4に1対1の関係で接続され、Hub-3を介してノードN5及びN6に1対1の関係で接続されている。 - 特許庁
Inside a network N2, based on the serial number of a network connector 124, for example, a specified communication frequency in this network N2 is allocated.例文帳に追加
また、ネットワークN_2内では、例えばネットワーク接続装置12_4のシリアル番号を基にこのネットワークN_2内における特定の通信周波数が割り当てられる。 - 特許庁
When the end of the paper passes through the paper sensor, the ASF motor is driven by n2 steps and the PF motor is driven by m1-a steps to cause a certain length to bite into the conveying roller.例文帳に追加
紙検知器を用紙の先端が通過した時点で、ASFモータはn2 steps駆動し、一方PFモータはm1-a steps駆動し、搬送ローラに一定長食い付かせる。 - 特許庁
This SRAM memory cell 1 has three storage holding states of a state in which 0, 1 are stored in storage nodes N1, N2, a state in which 1, 0 are stored in storage nodes N1, N2, a state in which 1, 1 are stored in storage nodes N1, N2.例文帳に追加
このSRAMのメモリセル1は、記憶ノードN1,N2に0,1を記憶する状態と、記憶ノードN1,N2に1,0を記憶する状態と、記憶ノードN1,N2に1,1を記憶する状態との3つの記憶保持状態を有する。 - 特許庁
A path for leading the signal from the connecting point N2 to the input side is formed.例文帳に追加
接続点N2からは、入力側に信号を導く経路が形成される。 - 特許庁
In the formula (1), R denotes a 1-3C alkyl group, n1 denotes an integer of 2-4, and n2 denotes an integer of 1-200.例文帳に追加
n1は2〜4の整数であり、n2は1〜200の整数である。 - 特許庁
The tertiary winding N3 is arranged between the primary winding N1 and the secondary winding N2.例文帳に追加
3次巻線N3 を1次巻線N1 と2次巻線N2 との間に配置する。 - 特許庁
The laser beam 23 is irradiated on the laminate body 10 while blasting N2 gas 27.例文帳に追加
レーザビーム23を、N_2ガス27を吹き付けながら、積層体10に照射する。 - 特許庁
Thereby, a DC voltage of a node N2 is controlled to 140 V, for example.例文帳に追加
これにより、ノードN2の直流電圧は、例えば140Vに制御される。 - 特許庁
A transistor Tnp is prepared to an output node N2 for a latch circuit LAT.例文帳に追加
ラッチ回路LATの出力ノードN2にはトランジスタTnpが設けられている。 - 特許庁
The gas not reacting with the source gas is Ar, He or N2.例文帳に追加
前記原料ガスと反応しないガスとしてAr、He、もしくはN_2を用いた。 - 特許庁
A second transistor T2 is connected between the node N2 and the ground GND.例文帳に追加
ノードN2とグランドGNDの間には第二のトランジスタT2が接続される。 - 特許庁
Button number N1 is mapped to the negative Z axis motion and button number N2 is mapped to the positive Z axis motion.例文帳に追加
ホイールを2つ持っているマウスの場合、4 つのボタン番号を指定できる。 - XFree86
A charge circuit 11 charges a piezoelectric element 50 through a first node N2.例文帳に追加
充電回路11は、第1のノードN2を通じてピエゾ素子50を充電する。 - 特許庁
Two arrays N1 and N2 are provided on, for example, a full-width-array-type print head 12 so that nozzles of the nozzle array N1 and nozzles of the nozzle array N2 are arranged along a processing direction 31.例文帳に追加
プロセス方向31沿いにノズルアレイN1のノズルとノズルアレイN2のノズルとが並ぶよう、例えば全幅アレイ型のプリントヘッド12に2本のアレイN1,N2を設ける。 - 特許庁
Further, the coupling between the primary winding n1 and the secondary winding n2 is strengthened to improve efficiency, compared to a case where the covering member 22 covers the entirety of the secondary winding n2.例文帳に追加
1また、覆い部材22が2次巻線n2全体を覆う場合に比べ、1次巻線n1と2次巻線n2との結合を強めて効率を向上させることができる。 - 特許庁
Since the end faces of adhesive materials N1, N2 will not be exposed, the side faces will not be sticky.例文帳に追加
粘着材N1,N2の端面が露出しないので、側面がベトつかない。 - 特許庁
The developing device is provided with a wall 20 arranged to be opposed to the repulsive poles N2 and N3 and covering a position where magnetic force in a normal direction by the repulsive poles N2 and N3 is maximum.例文帳に追加
また、反発極N2,N3に対向するように配置されて、この反発極N2,N3による法線方向の磁力が最大となる位置を覆う壁20を設ける。 - 特許庁
Upon exchanging the printing plates of respective printing units all together, N1, N2, N3, N4 (N4>N3>N2>N1) are set for number of removing sheet in respective printing units as the values considering ink trapping (102).例文帳に追加
各印刷ユニットの刷版の一斉交換に際し、インキ・トラッピングを考慮に入れた値としてN1,N2,N3,N4(N4>N3>N2>N1)を、各印刷ユニットでのリムービング枚数として設定しておく。 - 特許庁
Since the end faces of adhesive materials N1 and N2 are not exposed, the side faces do not become sticky.例文帳に追加
粘着材N1,N2の端面が露出しないので、側面がベトつかない。 - 特許庁
A VAV unit V1 or the like of a control object is on network lines N1 and N2.例文帳に追加
制御対象であるVAVユニットV1等はネットワーク回線N1、N2上にある。 - 特許庁
The control section instructs the transmission section to transmit the frames when a time n2 (n2 is a constant natural number) times as long as the period of the clock signal passes after the time information is updated.例文帳に追加
制御部は、時刻情報が更新されてからクロック信号の周期をn2(n2は定数の自然数)倍した時間が経過した後に、フレームの送信を指示する。 - 特許庁
Heads of connection nails N1 of a first row are supported by a top surface corner part of a nail guide rail 8, and heads of connection nails N2 of a second row are supported by a nail head support 5 provided on a pressure plate 6.例文帳に追加
釘ガイドレール8の上面角部で一列目の連結釘N1の頭を支え、圧力板6の上に設けた釘頭サポート5にて二列目の連結釘N2の頭を支える。 - 特許庁
The cover 15 is provided with a pipeline 17 of cooling water on which a reaction by-product contained in exhaust gas is stuck, and with an N2-gas-purging port 20 for purging N2 gas into the trap device 10.例文帳に追加
蓋15には、排気ガス中の反応副生成物を付着させる冷却水配管17と、トラップ装置10内にN_2 ガスをパージするN_2 ガスパージポート20を設ける。 - 特許庁
The magnetic poles N2 and N3 of the magnet 51 constitute repulsive poles in the container 40, and the magnetic pole S11 (repulsive pole to S12) of the magnet 31 is arranged near an opposed position to N2.例文帳に追加
マグネット51の磁極N2、N3は容器40内で反発極を構成し、マグネット31の磁極S11(S12と反発極)をN2の対向位置近傍に配置する。 - 特許庁
As each of non-magnetic layers N1 and N2, a spin tunnel insulating film is preferably used.例文帳に追加
各非磁性層N1,N2としては、スピントンネル絶縁膜が好ましく使用される。 - 特許庁
A first transistor T1 is connected between the node N2 and a power supply VDD.例文帳に追加
ノードN2と電源VDDの間には第一のトランジスタT1が接続される。 - 特許庁
A line driver amplifier 300 is constituted by using an amplifier stage 301 containing plural output transistor 303 (301-1 to 303-N2) and plural corresponding auxiliary amplifiers 305 (305-1 to 305-N2).例文帳に追加
ラインドライバ増幅器は、複数の出力トランジスタ(303)を含む増幅器段(301)および対応する複数の補助増幅器(305)を使用することにより構成される。 - 特許庁
For suppression of the surface recombination, improvement is expected by making an N2 gas as an introduced gas uniformly flow into a wafer in a wafer boat when the wafer boat is carried outside.例文帳に追加
表面再結合の抑制としては、ウェハボート搬出時に導入ガスであるN2ガスをウェハボート内のウェハに均一に流れるようする事で改善が見込まれる。 - 特許庁
Thus, when the voltage of the Node N2 rises, the voltage of the Node N3 goes down.例文帳に追加
よって、ノードN2の電圧が上昇するとき、ノードN3の電圧は下降する。 - 特許庁
Because retrieval object data Dx is stored in a data block db4 of a node N2, the node N2 indicates to a client C1 that the retrieval object data Dx exists.例文帳に追加
ノードN2のデータブロックdb4に検索対象データDxが記憶されているため、ノードN2は、検索対象データDxが存在する旨をクライアントC1に返す。 - 特許庁
A first layer is connected to the bottom surface of any other layer, and has an index of refraction n2.例文帳に追加
第1の層は他の層の底面に連結され、屈折率n2を有している。 - 特許庁
As a result, the light made incident at an angle below total reflection threshold angle θa= sin-1[n1*sin{cos-1(n2/n1)}] is totally reflected by the flanks of the light absorption wall array and is transmitted through the visual field control sheet.例文帳に追加
これにより、全反射限界角θa=sin^-1[n1*sin{cos^-1(n2/n1)}]以下の角度で入射する光は光吸収壁列の側面で全反射され視野制御シートを透過する。 - 特許庁
The number n2 of delivered packets is recorded in a buffer by the other base station BS2.例文帳に追加
この配送されて来たパケット数n2を、他の基地局BS2がバッファに記録する。 - 特許庁
The voltage detecting circuits 244 and 245 monitor the voltages of nodes N2 and N3.例文帳に追加
電圧検出回路244,245は、それぞれ、ノードN2,N3の電圧を監視する。 - 特許庁
The two-components developer is drawn up by N2 and S11, regulated in terms of layer thickness by the sleeve 30, and peeled from the sleeve 5 between N2 and N3 inside the container 40 after development is finished.例文帳に追加
2成分現像剤はN2、S11で汲み上げられ、スリーブ30で層厚規制され、現像終了後、容器40内のN2とN3間でスリーブ5から剥離する。 - 特許庁
Consequently, NO becomes easy to be decomposed to N atom and O atom and N atom easily becomes N2.例文帳に追加
その結果、NOはN原子とO原子に解離し易くなり、N原子はN_2となる。 - 特許庁
Where a refractive index of the low reflectivity film is n1 and a refractive index of the amorphous silicon film is n2, a relation of n1<n2 is preferably satisfied in laser wavelength.例文帳に追加
低反射率膜の屈折率をn1とし、非晶質シリコン膜の屈折率をn2としたとき、レーザー波長において、n1<n2の関係を満たすことが好ましい。 - 特許庁
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