「n v」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the gear pump 42 is adjusted so as to satisfy the following relation; V/N≤0.07 cc, wherein V is volume of liquid supply of the coating liquid per one rotation of the gear and N is the number of teeth of the gear.例文帳に追加

またギアポンプ４２は、Ｖ ／ Ｎ ≦ ０．０７ｃｃ、（Ｖ：前記ギアの一回転当たりの前記塗布液の送液容積、Ｎ：前記ギアが有する歯数）を満たすように調整されている。 - 特許庁

For all k (k=1,2,...,n), data ext_k(v^*) of all or some tuples including coincided data v^* are obtained in a predetermined order and then a set of ext_k(v^*) (k=1,2,...,n) of v_* of the same order is obtained.例文帳に追加

すべてのｋ（ｋ＝１，２，…，ｎ）について、一致データｖ^＊を含むタプルの全部または一部のデータｅｘｔ_ｋ（ｖ^＊）を所定の順序で取得した後に、同一の順序のｖ_＊のｅｘｔ_ｋ（ｖ^＊）（ｋ＝１，２，…，ｎ）の集合を取得する。 - 特許庁

From an input voltage value V and a motor speed (n) into the inverter 3, and a torque command value T into the motor 2, a current value I is calculated using a following equation (1): I(A)= 2π × T(Nm) × n(rpm) × Km ÷ {60(s) × V(V)}.例文帳に追加

インバータ３への入力電圧値Ｖとモータ回転数ｎ、およびモータ２へのトルク指令値Ｔから、式（１）：Ｉ（Ａ）＝２π×Ｔ（Ｎｍ）×ｎ（ｒｐｍ）×Ｋｍ÷｛６０（ｓ）×Ｖ（Ｖ）｝により電流値Ｉを算出する。 - 特許庁

In the step S24, the voltage vector V(n+1) of one control period forward is decided by an evaluation function J using the prediction currents ide(n+2), iqe(n+2) as an input.例文帳に追加

そして、ステップＳ２４において、これら予測電流ｉｄｅ（ｎ＋２），ｉｑｅ（ｎ＋２）を入力とする評価関数Ｊによって、１制御周期先の電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）を決定する。 - 特許庁

In the equation, W denotes a horizontal width of a filter range and n denotes threads per inch (a number of V-shape) of the double-pleat type filter member.例文帳に追加

式中 Ｗ：フィルタ枠の横巾ｎ：ダブルプリーツ型濾材の山数（Ｖ字型の数） - 特許庁

Based on the signal, an operation signal generation unit 22 sets an operation signal g*# (*=u, v, w; #=n, p) for an inverter.例文帳に追加

操作信号生成部２２では、これに基づきインバータの操作信号ｇ＊＃（＊＝ｕ，ｖ，ｗ；＃＝ｎ，ｐ）を設定する。 - 特許庁

The spacer is selected from among the types d, N, U and V.例文帳に追加

スペーサーの形状が、ｄ型、Ｎ型、Ｕ型、Ｖ型から選ばれるスペーサーであることを特徴とする。 - 特許庁

A function value 13 according to an input rotational frequency N and vehicle speed V is outputted.例文帳に追加

そして、入力された回転速度Ｎと車速Ｖに応じた関数値１３を出力する。 - 特許庁

A number N of the reciprocation of the piston axial member is determined by the quantity Q and quantity V.例文帳に追加

これら量Ｑと量Ｖに基づいてピストン軸部材の往復動の回数Ｎが定められる。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W can be cited.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF n-InGaAs SEMICONDUCTOR AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ｎ−ＩｎＧａＡｓ半導体及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法 - 特許庁

An amount of Al, N, Mo, B, Nb, V having an effect fine dispersing the carbide is specified.例文帳に追加

また、炭化物を微細に分散させる効果があるＡｌ、Ｎ、Ｍｏ、Ｂ、Ｎｂ、Ｖの量を規定する。 - 特許庁

The n-type layer 11 of a light-emitting element 1 has a structure in which a first n-type layer 111, a second n-type layer 112, and a third n-type layer 113 are sequentially laminated on a sapphire substrate 10, and the n-electrode 16 composed of V/Al is formed on the second n-type layer 112.例文帳に追加

発光素子１のｎ型層１１は、サファイア基板１０上に第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２、第３ｎ型層１１３の順に積層された構造であり、Ｖ／Ａｌからなるｎ電極１６は第２ｎ型層１１２上に形成されている。 - 特許庁

By using these values, an encryption key generating section 117 generates, as an encryption key of a homomorphic encryption scheme, a matrix of n×n determined to a circulant matrix rot (v) of n×n when n elements corresponding to the result of discrete Fourier transform of the n arbitrary values λ_i (i=0, ..., n-1) is set to be v_i (i=0, ..., n-1).例文帳に追加

暗号鍵生成部１１７は、これらを用いて、ｎ個の任意値λ_ｉ（ｉ＝０，．．，ｎ−１）の離散フーリエ変換結果に対応するｎ個の要素をｖ_ｉ（ｉ＝０，．．，ｎ−１）とした場合における、ｎ×ｎの巡回行列ｒｏｔ（ｖ）に対して定まるｎ×ｎの行列を、準同型暗号方式の暗号鍵として生成する。 - 特許庁

The speed of the vessel sent out from the standby part 30 is at least n×V, where n is the number of rows on the inlet side transport path 10, and V is the vessel transporting speed on the inlet side transport path 10.例文帳に追加

待機部３０が送り出す容器の速度は、入口側搬送路１０の列数をｎ、入口側搬送路１０における容器の搬送速度をＶとすると、少なくともｎ×Ｖである。 - 特許庁

A speed extrapolation/computation section 127 computes the speed v^n of the moving object 800 in the inertial coordinate system, based on the increment Δv^n of the speed.例文帳に追加

速度外挿計算部１２７は、速度の増分Δｖ^ｎに基づいて、慣性座標系における移動体８００の速度ｖ^ｎを計算する。 - 特許庁

A boundary determining part 50 compares a reference vector V with each normal vector N, specifies the normal vector N decided to point to the same side as the reference vector V, and a polygon corresponding to the normal vector N is determined to be a non-display boundary.例文帳に追加

境界判定部５０は、基準ベクトルＶと各法線ベクトルＮを比較し、基準ベクトルＶと同じ側を向いていると判断される法線ベクトルＮを特定し、その法線ベクトルＮに対応したポリゴンを非表示境界と判定する。 - 特許庁

The EA modulator device 37b has an n-type III-V compound semiconductor clad layer 17b, a III-V compound semiconductor SCH layer 19b, a III-V compound semiconductor active layer 21b, a III-V compound semiconductor SCH layer 23b, and a p-type III-V compound semiconductor clad layer 25b.例文帳に追加

ＥＡ型変調器デバイス部４７ｂは、ｎ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層１７ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層１９ｂ、III-Ｖ族化合物半導体活性層層２１ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層２３ｂ、ｐ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層２５ｂを有する。 - 特許庁

The DC device 47a has an n-type III-V compound semiconductor clad layer 3b, a III-V compound semiconductor SCH layer 5b, a III-V compound semiconductor active layer 7b, a III-V compound semiconductor SCH layer 9b, and a p-type III-V compound semiconductor clad layer 11b.例文帳に追加

ＬＤデバイス部４７ａは、ｎ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層３ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層５ｂ、III-Ｖ族化合物半導体活性層層７ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層９ｂ、およびｐ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層１１ｂを有する。 - 特許庁

In the formula (1), M is a transition metal or a group III, IV or V element in the periodic table; and (b), (m), (n) and (q) are 1 to 3, 1 to 4, 0 to 8, and 0 or 1, respectively.例文帳に追加

（但し、Ｍは、遷移金属、周期律表のIII族、IV族、又はV族元素、ｂは、１〜３、ｍは１〜４、ｎは０〜８、ｑは０又は１をそれぞれ表す） - 特許庁

Here, M in formula (1) is transition metal as an element in III group, IV group, or V group in the periodic table, b expresses 1-3, m expresses 1-4, n expresses 0-8, and q expresses 0 or 1.例文帳に追加

（Ｍは、遷移金属、周期律表のIII族、IV族、又はV族元素、ｂは１〜３、ｍは１〜４、ｎは０〜８、ｑは０又は１をそれぞれ表す） - 特許庁

In formula (1), M is a transition metal or a group III, IV or V element in the periodic table; and (b), (m), (n) and (q) are 1 to 3, 1 to 4, 0 to 8, and 0 or 1, respectively.例文帳に追加

（但し、Ｍは、遷移金属、周期律表のIII族、IV族、又はV族元素、ｂは、１〜３、ｍは１〜４、ｎは０〜８、ｑは０又は１をそれぞれ表す） - 特許庁

A tunnel junction TJ is formed with the p-type III-V group compound semiconductor layer 18 and the n-type III-V group compound semiconductor 20.例文帳に追加

ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層１８とｎ型III−Ｖ族化合物半導体層２０とによってトンネル接合ＴＪが形成されている。 - 特許庁

An operation signal generation unit 32 sets the operation signal g*#(*=u,v,w;#=n,p) of an inverter based on the high frequency voltage command signal.例文帳に追加

操作信号生成部３２では、これに基づきインバータの操作信号ｇ＊＃（＊＝ｕ，ｖ，ｗ；＃＝ｎ，ｐ）を設定する。 - 特許庁

A constant value V(KX) and knocking intensity N are compared to retard or advance ignition timing.例文帳に追加

定値Ｖ（ＫＸ）とノック強度Ｎとが比較されて、点火時期が遅角されたり進角されたりする。 - 特許庁

An operation signal g*# (*=u, v, w; #=n, p) of an inverter is then set in an operation signal generation unit 42 on the basis of the high frequency voltage signals.例文帳に追加

操作信号生成部４２では、これに基づきインバータの操作信号ｇ＊＃（＊＝ｕ，ｖ，ｗ；＃＝ｎ，ｐ）を設定する。 - 特許庁

When the knock strength N is larger than a determining value V(KX), a determination is made that knocking is caused.例文帳に追加

ノック強度Ｎが判定値Ｖ（ＫＸ）よりも大きい場合、ノッキングが発生したと判定される。 - 特許庁

In the step 605, an ideal clock frequency after correcting magnitude is calculated by V=N0/N×F.例文帳に追加

ステップ６０５では、Ｖ＝Ｎ０／Ｎ×Ｆによって倍率補正後の理想画素クロック周波数が算出される。 - 特許庁

A normal N orthogonal to the prescribed crystal lattice plane of the crystal grain is inclined from the vertical direction V.例文帳に追加

結晶粒の所定の結晶格子面に直交する法線Ｎは垂直方向Ｖから傾斜する。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W are given.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

Tensile force to be required to extend the urethan V-ribbed belt 1 by 5% is 20-50 N/rib.例文帳に追加

またウレタンＶリブドベルト１を５％伸張させるのに必要な引張力が２０〜５０Ｎ／リブである。 - 特許庁

The resistor 24 has its resistance value set so that a voltage drop of 0.7 V is generated, when a specific current flows to the conversion parts 30-1 to 30-n.例文帳に追加

抵抗器２４は、変換部３０-1〜３０-nに所定の電流が流れたときに、０．７Ｖの電圧降下を生じるような抵抗値に設定されている。 - 特許庁

In an epitaxial structure 1, a lower n-type semiconductor layer 19, a group III-V compound semiconductor layer 21, and an upper n-type semiconductor layer 23 are laminated in this order.例文帳に追加

エピ構造１では、下部ｎ型半導体層１９、III−Ｖ族化合物半導体層２１、上部ｎ型半導体層２３の順に積層されている。 - 特許庁

The rotation number n [rpm] of the crucible 5 and the pulling speed V [mm/h] of the pulling shaft 3 are controlled to satisfy 28≥n≥5.89e^0.07V.例文帳に追加

このとき、ルツボ５の回転数ｎ〔ｒｐｍ〕と引上軸３の引上速度Ｖ〔ｍｍ／ｈ〕とが、２８≧ｎ≧５．８９ｅ^０．０７Ｖを満足するようにする。 - 特許庁

A part of a private key vector v is set as a noise component, G is defined as an u-row×n-column matrix (n>u), and G"^-1 is defined as a u-row×u-column matrix.例文帳に追加

秘密鍵ベクトルｖの一部をノイズ成分とし、Ｇをｕ行ｎ列(ｎ＞ｕ)の行列とし、Ｇ''^−１をｕ行ｕ列の行列とする。 - 特許庁

"A (short-circuited) I-V characteristic (c) of the cell other than the cells to be analyzed from the module" is approximated by characteristics of (n-1)/n times a voltage value of the characteristic (a).例文帳に追加

「モジュールから当該被解析対象セルを除いた（短絡した）Ｉ−Ｖ特性ｃ」を、特性ａの電圧値を（ｎ−１）／ｎ倍した特性で近似する。 - 特許庁

Power-source side nodes N2 of conversion parts 30-1 to 30-n are connected in common to a power supply terminal 22 for inputting a source voltage VSS1(=-4.5 V).例文帳に追加

変換部３０-1〜３０-nの電源側のノードＮ２は、電源電圧ＶＳＳ１（＝−４．５Ｖ）を入力するための電源端子２２に共通に接続されている。 - 特許庁

Multiple mounting plates (50) for lower arm and one connecting plate (60) for lower arm are used as wirings for electrically connecting the lower arm-side switching elements (140) to a negative node (N) or the output terminals (U, V, W).例文帳に追加

また、負側ノード（N）又は出力端子（U,V,W）に下アーム側スイッチング素子（140）を電気的に接続するための配線として、複数の下アーム用搭載板（50）及び１つの下アーム用接続板（60）が用いられている。 - 特許庁

To prevent the development of crack at the time of applying the width reduction, even in the case of containing Nb, Ti, V, N in a cast slab by applying the reduction having ≥3% draft in the thickness direction of a steel plate, prior to the reduction of the cast slab in the width direction.例文帳に追加

鋳片を幅方向に圧下するに先だって、鋼板の厚み方向に圧下率3%以上の圧下を加えることにより、鋳片内にNbやTi,V,Nを含有する場合にも、幅圧下時に割れの発生を防止する。 - 特許庁

Q≥V×n×r (1); wherein Q indicates the feed rate (liter/minute) of an organic solvent; V indicates the volume (liter) of one pocket of a rotary valve; n indicates the number of vanes of a rotor; and r indicates the rotational speed (rpm) of a rotor.例文帳に追加

Ｑ≧Ｖ×ｎ×ｒ （１）（式中、Ｑは有機溶剤の供給速度（リットル／分）、Ｖはロータリーバルブのポケット１個所の容積（リットル）、ｎはローターの羽根の数、ｒはローターの回転数（ｒｐｍ）を表す。） - 特許庁

The numerical aperture of the objective lens 6 is 0.75, and when the refractive index of glass at least in one of used wavelengths is set as (n) and an Abbe number on a d-line is set as (v), it satisfies the relation of 1.75<n and also 35<v.例文帳に追加

対物レンズ６の開口数は０．７５以上であり、使用波長の少なくとも１つにおける上記ガラスの屈折率をｎとし、ｄ線におけるアッベ数をｖとすると、１．７５＜ｎ、かつ、３５＜ｖを満足する。 - 特許庁

An N-type contact layer 21 is obtained by growing a second N-type GaN layer 212 under the condition of the V/III ratio being high, on a first N-type GaN layer 211 grown under the condition with the V/III ratio of the nitrogen material (molar ratio) to a gallium material being low.例文帳に追加

Ｎ型コンタクト層２１は、ガリウム原料に対する窒素原料の割合（モル比）であるＶ／III比が低い条件で成長した第１Ｎ型ＧａＮ層２１１上に、Ｖ／III比が高い条件で第２Ｎ型ＧａＮ層２１２を成長させて得られたものである。 - 特許庁

This controller obtains a three-phase voltage commands vu^*[V], vv^*[V], and vw^*[V], based on motor angular frequency ω[rad/s], a torque command T^*[N×m], and three-phase currents iu[A], iv[A], and iw[A].例文帳に追加

本制御装置では、モーター角周波数ω［ｒａｄ／ｓ］、トルク指令値Ｔ^＊［Ｎ・ｍ］および３相電流ｉｕ［Ａ］、ｉｖ［Ａ］、ｉｗ［Ａ］に基づいて、３相電圧指令値ｖｕ^＊［Ｖ］、ｖｖ^＊［Ｖ］、ｖｗ^＊［Ｖ］を求める。 - 特許庁

[2] In the method of manufacturing described in [1], the group III-V compound semiconductor is n-type or p-type.例文帳に追加

〔２〕３−５族化合物半導体が、ｎ型またはｐ型であることを特徴とする上記〔１〕の製造方法。 - 特許庁

That is, recording is permitted to main contents M and recording is inhibited to additional data L, J, C, N, V.例文帳に追加

すなわち、主コンテンツデータＭに対しては記録を許可し、付加コンテンツデータＬ，Ｊ，Ｃ，Ｎ，Ｖに対しては、記録を禁止する。 - 特許庁