例文 (999件) |
oxidation layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1426件
To provide a pneumatic tire improved in durability by preventing deterioration of a belt layer due to oxidation.例文帳に追加
ベルト層の酸化劣化を防止して耐久性の向上を可能にした空気入りタイヤを提供する。 - 特許庁
For example, by changing a flow rate of O_2 and a value of a gas pressure, a layer where oxidation of Pd is suppressed is formed.例文帳に追加
例えばO_2流量やガス圧の値を変化させて、Pdの酸化を抑えた層を形成する。 - 特許庁
To form at a high speed an anodic oxidation film as an insulating layer on one side of a metal substrate.例文帳に追加
金属基板の絶縁層として陽極酸化被膜を金属基板の片面に高速に製膜する。 - 特許庁
First annealing processing is implemented in ammonia gas atmosphere to form a first oxidation prevention layer 9N.例文帳に追加
そして、アンモニアガス雰囲気中で第1のアニール処理を行い、第1の酸化防止層9Nを形成する。 - 特許庁
Subsequently, by performing sacrificial oxidation, the polysilicon layer 11a on the bottom face of the trench 4 becomes a silicon oxide film 11b.例文帳に追加
次に、犠牲酸化を行いトレンチ4の底面のポリシリコン層11aをシリコン酸化膜11bにする。 - 特許庁
A LOCOS oxide film 6 is formed on the front surface of the silicon layer 5 by a LOCOS method (thermal oxidation method).例文帳に追加
LOCOS法(熱酸化法)により、シリコン層5の表面にLOCOS酸化膜6が形成される。 - 特許庁
An oxidation stabilizing layer (2c) is formed on the surface of the metal silicide compound (2b) on the surface side.例文帳に追加
そして、表面側の金属シリサイド化合物(2b)表面には酸化安定化層(2c)が形成されている。 - 特許庁
INTERMEDIATE LAYER OF COATING FOR IMPROVING ADHESIVILY BETWEEN HR-120 AND OXIDATION RESISTANT METALLIC COATING CONTAINING ALUMINUM例文帳に追加
HR−120と含アルミニウム耐酸化性金属コーティングとの適合性を改善するコーティング中間層 - 特許庁
The pressure drop plate 43 is arranged in the downstream side 42A of the selective oxidation catalyst layer 42 to be in close contact.例文帳に追加
この圧損板43は、選択酸化触媒層42の下流端42Aに密接して配置する。 - 特許庁
To provide a semiconductor light emitting element capable of improving reproducibility of a current constriction layer by oxidation.例文帳に追加
酸化による電流狭窄層の再現性を高めることができる半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
As water is not included in the gel layer, the oxidation of vitamin C is suppressed and the adhesive power is retained without change.例文帳に追加
ゲル層には水が含まれないのでビタミンCの酸化等が抑えられ、粘着力も変化しない。 - 特許庁
Dummy oxidation layer is made thick, after forming trenches to make impurities concentrate in trench sides by piling up.例文帳に追加
トレンチ形成後のダミー酸化を厚くすることで、パイルアップによりトレンチ側に不純物を集中させる。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD FOR MAGNETORESISTANCE SENSOR HAVING SPACER LAYER MANUFACTURED BY MULTIPLE DEPOSITION AND OXIDATION STEPS例文帳に追加
堆積と酸化の複数ステップにより製造されるスペーサ層を有する磁気抵抗センサの製造方法 - 特許庁
To prevent oxidation of the W plug under the capacitor of a COP type FeRAM cell with a thin barrier layer.例文帳に追加
COP型FeRAMセルのキャパシタ下のWプラグの酸化を薄いバリア層で防止すること。 - 特許庁
The optical recording layer 3 contains tellurium oxide (TeOx) and the degree of oxidation X thereof ranges from 1.3 to 1.7.例文帳に追加
光記録層3はテルル酸化物(TeOx)を含み、その酸化度xは1.3〜1.7の範囲にある。 - 特許庁
The inner wall of the through hole 12 is subjected to oxidation to form an oxide film 21 as an insulating layer.例文帳に追加
この貫通孔12の内壁を酸化処理して絶縁層としての酸化膜21を形成する。 - 特許庁
The organic photoreceptor has a photosensitive layer and a protection layer over the photosensitive layer, on a conductive support, and the protection layer contains a composition obtained by reaction between a curable compound having an oxidation prevention structure and a curable compound having no oxidation prevention structures.例文帳に追加
導電性支持体上に感光層、その上に保護層を有する有機感光体において、該保護層が、酸化防止構造を有する硬化性化合物と、酸化防止構造を有さない硬化性化合物とを反応させて得られる組成物を含有することを特徴とする有機感光体。 - 特許庁
The membrane-electrode assembly includes an oxidation electrode having a first main catalyst layer, a second main catalyst layer, and an auxiliary catalyst layer positioned between the main catalyst layers, a reduction electrode, and a polymer electrolyte membrane formed between the second main catalyst layer of the oxidation electrode and the reduction electrode.例文帳に追加
膜-電極接合体は、第1の主触媒層、第2の主触媒層、及び主触媒層らの間に位置する助触媒層を備える酸化電極、還元電極、及び酸化電極の第2の主触媒層と還元電極の間に形成された高分子電解質膜を備える。 - 特許庁
A non-volatile memory device including a variable resistance material has a lower electrode 20, a buffer layer 22 which is formed of an oxide on the lower electrode, an oxidation layer 24 which is formed on the buffer layer and has variable resistance characteristics, and an upper electrode 26 formed on the oxidation layer.例文帳に追加
可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子において、下部電極20と、下部電極上に酸化物で形成されたバッファ層22と、バッファ層上に形成され、可変抵抗特性を有した酸化層24と、酸化層上に形成された上部電極26と、を備える。 - 特許庁
At least, a step 20 for preparing a substrate with an insulation layer on a surface, a step 24 for applying ultraviolet rays to the surface of the insulation layer, a step 26 for performing the oxidation treatment of the surface of the insulation layer after applying ultraviolet rays, and a step 29 for providing a conductor layer on the insulation layer after the oxidation treatment, are included.例文帳に追加
少なくとも表面に絶縁層を有する基板を準備するステップ20と、絶縁層表面に紫外光を照射するステップ24と、紫外光照射後の絶縁層表面を酸化処理するステップ26と、酸化処理後の絶縁層上に導体層を設けるステップ29とを含む。 - 特許庁
The wiring is made into three-layer structure composed of: a first layer consisting of oxidation resistant metal; a second layer consisting of aluminum or mainly consisting of aluminum thereon; and a third layer consisting of the oxidation resistant metal formed thereon, and the wiring has a layer having metal oxide, which is electrically connected to the wiring.例文帳に追加
配線は、耐酸化性金属からなる第1の層と、その上に形成されたアルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする第2の層と、その上に形成された耐酸化性金属からなる第3の層からなる3層構造とし、前記配線と電気的に接続する金属酸化物を有する層を有する。 - 特許庁
The semiconductor laser device has a first current constriction layer 17 formed between a p-side electrode 19 and an active layer 14 on a substrate 11 through an oxidation process, and a second current constriction layer 22 formed between the active layer 14 and the first current constriction layer 17 not through the oxidation process.例文帳に追加
基板11上のp側電極19と活性層14との間に酸化工程を経て形成される第1の電流狭窄層17を有し、かつ、活性層14と第1の電流狭窄層17との間に酸化工程を経ることなく形成された第2の電流狭窄層22を有する。 - 特許庁
In the conductive rubber roller 10 having a conductive rubber layer 1 as its outermost layer, the surface layer of the rubber layer is an oxidation film, a dielectric dissipation facto is 0.1 to 1.5 and a friction coefficient is 0.1 to 1.5.例文帳に追加
導電性ゴム層1を最外層に備えた導電性ゴムローラ10においてゴム層の表層部分を酸化膜とし、かつ、誘電正接を0.1〜1.5、摩擦係数を0.1〜1.5としている。 - 特許庁
According to the oxidation step, the fine buried porous layer is changed into a buried oxide layer, and the coarse upper surface layer is fused into a solid Si containing over-layer due to surface migration of Si atoms.例文帳に追加
続く酸化ステップにより、この微細な埋め込み多孔質層は埋め込み酸化膜に変えられ、粗い上面層は、Si原子の表面マイグレーションによって固体のSi含有オーバ層に融合する。 - 特許庁
Between the abradable coating layer made of ceramics having the bubble structure and a base member, a bed layer made of an anticorrosion and oxidation resistant alloy and a thermal insulation layer made of a porous ceramic layer are provided from the base member side.例文帳に追加
また、気泡構造を有するセラミックスからなるアブレイダブルコーティング層と基体の間に、基体側から、耐食耐酸化合金からなる下地層、および、多孔質セラミック層からなる遮熱層を設ける。 - 特許庁
An insulator film 55 consisting of zirconium oxide is formed on an elastic layer 50 (silicon dioxide film 51) by carrying out thermal oxidation of a zirconium layer, and then annealing of the insulator film 55 is carried out at a temperature below the highest temperature when thermal oxidation of the zirconium layer is carrier out.例文帳に追加
弾性膜50(二酸化シリコン膜51)上に、ジルコニウム層を熱酸化して酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55を形成し、その後、ジルコニウム層を熱酸化する際の最高温度以下の温度で、絶縁体膜55をアニール処理する。 - 特許庁
To provide a chip type electronic component in which solder wettability is protected against deterioration by suppressing oxidation progressing through the aging of a metal film of an outer layer electrode thereby preventing the oxidation of a surface layer of an inner layer electrode.例文帳に追加
本発明は外層電極の金属膜の経時的に進行する酸化を抑制して内層電極の表面層の酸化を防止して半田濡れ性が劣化しにくいチップ形電子部品を提供することを目的とするものである。 - 特許庁
A dielectric layer 2 is formed on the surface of an anode conductor 1 of valve metal, first solid electrolytic layers 3 and 4 are formed on the dielectric layer 2 through chemical oxidation polymerization, and then a second solid electrolytic layer 5 is formed through electrolytic oxidation polymerization.例文帳に追加
弁金属からなる陽極導体1の表面に形成された誘電体層2上に、化学酸化重合により第1の固体電解質層3、4を形成した後、電解酸化重合により第2の固体電解質層5を形成する。 - 特許庁
To provide a niobium-based alloy heat resistant member having excellent oxidation resistance by suppressing the peeling between a surface Al_2O_3 layer and an internal alloy and the progression of oxidation caused thereby.例文帳に追加
表面Al_2O_3層と内部合金とのはく離、および酸化の進行を抑制することにより、耐酸化性に優れた二オブ基合金耐熱部材を提供する。 - 特許庁
Since this reaction plate controls the amount of the oxygen fed to the catalyst layer, the reaction plate steppingly performs the oxidation of carbon monoxide to suppress the occurrence of an abrupt oxidation reaction.例文帳に追加
この反応板は、触媒層に供給する酸素量を制御するため、一酸化炭素の酸化を段階的に行い、急激な酸化反応の発生を抑止できる。 - 特許庁
The oxidation resistant film 16 is a silicon nitride film, for example, and prevents oxidation from the side of the tantalum layer 142, i.e. the substantial member of the gate electrode 14.例文帳に追加
耐酸化性膜16は例えば窒化シリコン膜であり、ゲート電極14の実質部材であるタンタル層142の側部からの酸化を防止するために設けられる。 - 特許庁
The layer 110 is installed on the hydrogen separation film 120 where the oxidation preventing part 122 is not installed and on an oxidation preventing part 122 under oxygen atmosphere.例文帳に追加
その後、酸素雰囲気下において、酸化防止部122が設けられていない水素分離膜120上、および酸化防止部122上に電解質層110を設ける。 - 特許庁
The solar cell comprises a transparent electrode film 2 successively laminated onto a transparent substrate 1, a p-layer (p-type semiconductor layer) 3, a titanium oxide layer 4 where the oxidation number is controlled, an n layer (n-type semiconductor layer) 5, and an electrode film 6.例文帳に追加
この太陽電池は、透明基板1の上に順次に積層された透明電極膜2、p層(p型半導体層)3、酸化数が制御された酸化チタン層4、n層(n型半導体層)5及び電極膜6を有する。 - 特許庁
To provide a MoSi_2 nanocomposite coating layer of a new structure which is formed on surfaces of material requiring the high-temperature oxidation resistance, improves the isothermal oxidation resistance and repeated thermal cyclic oxidation resistance at high temperature, and low-temperature oxidation resistance, and also improves the high-temperature mechanical properties, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加
高温耐酸化性を必要とする素材の表面上に形成され、高温での等温耐酸化性及び反復耐酸化性、並びに低温耐酸化性を向上し、高温機械的性質を改善できる新しい構造のMoSi_2被覆層及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In the groove surface of the track groove 25 of at least the inside joint member, a forging finished hardened layer 35 is provided whose internal oxidation layer is 1μm or less thick.例文帳に追加
少なくとも内側継手部材のトラック溝25の溝表面に、粒界酸化層が1μm以下の鍛造仕上げ硬化層35を設けた。 - 特許庁
Hereby, there formed is a first Si oxidation layer 4 above the SiC layer 2 where the rate of content of SiO_2 is about 90%.例文帳に追加
これにより、SiC層2の上部にSiO_2の含有率が90%程度存在している第1のSi酸化層4が形成される。 - 特許庁
The first oxide layer 41 and second oxide layer 42 can be formed in a single oxidation process to facilitate the manufacturing process.例文帳に追加
第1酸化層41と第2酸化層42とを一回の酸化工程で形成することが可能となり、製造工程の簡素化が可能となる。 - 特許庁
A heat oxidation film 1 and a deposition film 2 are successively formed in the n-channel type MOS transistor, and their laminated layer is a gate insulating layer 14.例文帳に追加
nチャネル型MOSトランジスタでは、熱酸化膜1と堆積膜2が順に形成され、これらの積層膜がゲート絶縁層14となる。 - 特許庁
To provide a means for preventing oxidation of a compound layer due to high-frequency hardening, the compound layer being formed on the surface of a steel material by nitriding.例文帳に追加
鉄鋼材料の表面に窒化処理によって形成された化合物層の高周波焼入れによる酸化を防止する手段の提供。 - 特許庁
A first isolation layer 112 is formed on the substrate, after an oxidation liner layer 110 has been formed in the trench to partially embed the trench.例文帳に追加
トレンチ内に酸化ライナー層110を形成した後基板上に第1のアイソレーション層112を形成しトレンチを部分的に埋め込む。 - 特許庁
The surface light emitting laser element comprises reflection layers 103 and 107, resonator spacer layers 104 and 106, an active layer 105, and a selective oxidation layer 108.例文帳に追加
面発光レーザ素子は、反射層103,107、共振器スペーサー層104,106、活性層105および選択酸化層108を備える。 - 特許庁
A high K dielectric 108 comprising oxygen is formed on the silicon oxide/nitride layer 106 without the addition oxidation at the layer 106.例文帳に追加
酸素を含有する高K誘電体(108)は、層(106)の酸化を付加することなく、シリコン酸化窒化物層(106)上に形成される。 - 特許庁
The layer 38 prevents oxygen from intruding from the side of the mesa post 30, thereby preventing oxidation and deterioration of an active layer 18.例文帳に追加
半導体再成長層38は、メサポスト30の側面から酸素が侵入して、活性層18を酸化させ劣化させることを防止する。 - 特許庁
In the ink jet recording medium wherein an ink absorbing layer is provided on a support, at least two kinds of oxidation inhibitors are added to the ink absorbing layer and the difference between the oxidation potentials (Eox) of two kinds of the oxidation inhibitors is set to 0.2-3.0 V.例文帳に追加
支持体上に、インク吸収層を有するインクジェット記録媒体において、該インク吸収層に、少なくとも二種の酸化防止剤を含有し、かつ該二種の酸化防止剤の酸化電位(Eox)が、0.2〜3.0Vの差がある事を特徴とするインクジェット記録媒体。 - 特許庁
The modification system comprises a selective oxidation reactor (30) with a catalytic layer performing selective oxidation reaction by a catalyst and set with a heat exchanger (32) recovering reaction heat by selective oxidation reaction with a refrigerant flowing through a refrigerant layer.例文帳に追加
触媒による選択酸化反応を行う触媒層を有する選択酸化反応器(30)であって、選択酸化反応による反応熱を冷媒層を流れる冷媒により回収する熱交換器(32)が設置される選択酸化反応器を含む改質システムを提供する。 - 特許庁
When a liquid sample is passed through the flow passage 3 under the condition where the photo-oxidation catalyst layer 6 is activated, the organic substance in the liquid sample is decomposed by contact with the photo-oxidation catalyst layer 6 to be converted into the carbon dioxide.例文帳に追加
光酸化触媒層6が活性化している状態で流路3中を液体試料が通過すると、液体試料中の有機物が光酸化触媒6と接触して分解し、二酸化炭素になる。 - 特許庁
Since the ions 15 are ion species of an element having enhanced oxidation action, the implantation of the ions 15 causes conversion from the polycrystalline silicon layer 3 to the ion-implanted polycrystalline silicon layer 16 having a higher oxidation rate.例文帳に追加
イオン15は増速酸化作用のある元素のイオン種であるため、イオン15の注入によって多結晶シリコン層3から、より酸化レートが高い性質のイオン注入多結晶シリコン層16に変換される。 - 特許庁
This method includes at least a local reduction and/or oxidation of the thin layer (9) of semiconductive ferrous oxide to change the degree of oxidation of iron atoms of a part of the thin layer (9) of semiconductive ferrous oxide.例文帳に追加
この方法は、半導体性酸化鉄の薄層(9)の一部の鉄原子の酸化の程度を変更するために半導体性酸化鉄の薄層(9)の局所還元及び/又は酸化の工程を少なくとも含む。 - 特許庁
An MTJ element 31 comprises an antiferromagnetic layer 26, an AP2 layer, a SyAF pinned layer 27 composed of a coupling layer and an AP1 layer, a tunnel barrier layer 28 composed of an AlOx, a free layer 29, and a capping layer 30 including NiFeM (M is a metal atom the oxidation potential of which is higher than that of nickel atom and iron atom), in this order.例文帳に追加
このMTJ素子31は、反強磁性層26と、AP2層、結合層およびAP1層からなるSyAFピンド層27と、AlOxからなるトンネルバリア層28と、フリー層29と、NiFeM(Mは、ニッケル原子および鉄原子よりも高い酸化電位の金属原子)を含むキャップ層30とを順に備える。 - 特許庁
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