「oxidation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

As a result, the upper surface edge part of the Si layer 2 can be oxidized without causing oxidation of a lower surface edge part of the Si layer 2.例文帳に追加

これにより、Ｓｉ層２の下面エッジ部の酸化を伴うことなくＳｉ層２の上面エッジ部を酸化することができる。 - 特許庁

High-pressure oxidation processing is carried out to form a block layer 13 of silicon oxide between the charge layer 12 and electrode film 4.例文帳に追加

次に、高圧酸化処理を行い、チャージ層１２と電極膜４との間に、酸化シリコンからなるブロック層１３を形成する。 - 特許庁

The result about the formation of the atomic layer deposition film is determined between an deposition process and an oxidation process, or after the oxidation process, when having the deposition process depositing a film raw material on the base to form a precursor film and the oxidation process for steam-oxidation-treating the precursor to form the atomic layer deposition film, in the formation of the atomic layer deposition film.例文帳に追加

原子層堆積膜形成が、膜原料を基体上に堆積させて前駆体膜を形成する堆積工程と、前駆体膜を水蒸気酸化処理して原子層堆積膜とする酸化工程とを有している場合、原子層堆積膜形成の成否の判定を、堆積工程と酸化工程との間、または酸化工程の後に行うようにする。 - 特許庁

At this time, oxidation of the bottom surface end of the SOI layer 4 is suppressed.例文帳に追加

このとき、窒素導入層９ａによって、ＳＯＩ層４の底面端部の酸化が抑制される。 - 特許庁

The method includes a process of modifying the amorphous silicon layer 70 into a thermal oxide film 71 through thermal oxidation.例文帳に追加

アモルファスシリコン層７０を、熱酸化により熱酸化膜７１へ変質させる工程を備える。 - 特許庁

The semiconductor layer is composed of a titanium oxide doped with impurities which can take a pentavalent oxidation state.例文帳に追加

半導体層は、５価の酸化状態を取りうる不純物がドープされた酸化チタンからなる。 - 特許庁

This Fe-Al compound layer 3 has excellent resistance to heat, oxidation and seizure.例文帳に追加

このＦｅ−Ａｌ化合物層３は、耐熱性、耐酸化性及び耐焼付き性に優れている。 - 特許庁

The surface of the light shielding layer is oxidized by performing thermal oxidation processing to form an antireflection film 5.例文帳に追加

熱酸化処理を施して遮光層表面を酸化させ反射防止膜５形成する。 - 特許庁

A catalyst layer 3 is stowed into the reaction container 2 of the carbon monoxide selective oxidation reactor 1.例文帳に追加

一酸化炭素選択酸化反応装置１の反応容器２には触媒層３を収容する。 - 特許庁

An oxidation prevention layer 9 covering at least the light shielding film is formed on the light shielding film 7.例文帳に追加

遮光膜７の上に、少なくともこの遮光膜を覆う酸化防止層９を形成する。 - 特許庁

The remaining oxidation barrier layer is removed from the trench and polysilicon which forms a storage node is charged.例文帳に追加

残りの酸化障壁層をトレンチから除去し、記憶ノードを形成するポリシリコンを充填する。 - 特許庁

Then, the metal film surface is subjected to anodic oxidation to form the dielectric layer.例文帳に追加

そしてその金属膜表面を陽極酸化することによって誘電体層の形成を行う。 - 特許庁

The barrier layer 86 comprises a polymer and an oxidation inhibitor, and may contain an inorganic particle material.例文帳に追加

バリヤー層８６は、ポリマーと、酸化防止剤とを含み、さらに無機粒子材料を含んでもよい。 - 特許庁

The oxidation prevention layer 9 is formed under such conditions that the surface of the film 7 is not oxidized.例文帳に追加

酸化防止層９は、遮光膜７の表面が酸化されないような条件下で形成する。 - 特許庁

In a state where a first metal layer coming into contact with a semiconductor is covered with an anti-oxidation second metal layer, only the first metal layer is silicided to form a silicide layer where oxygen is not mixed.例文帳に追加

半導体と接した第１の金属層を酸化防止用の第２の金属層で覆った状態で、第１の金属層のみをシリサイド化し、酸素混入のないシリサイド層を形成する。 - 特許庁

The annealed polycrystal silicon layer 3' constitutes the polycrystal semiconductor layer, a part of the polycrystal layer 3' is made porous by anodic oxidation to form the polycrystal silicon layer 4.例文帳に追加

アニール後の多結晶シリコン層３’が多結晶半導体層を構成し、陽極酸化処理にて多結晶シリコン層３’の一部を多孔質化して多孔質多結晶シリコン層４を形成する。 - 特許庁

The fuse element including a first layer formed of an oxide or a nitride and a second layer that becomes high resistant by nitridation or oxidation, in which the first layer and the second layer are in contact with each other, is manufactured.例文帳に追加

酸化物又は窒化物からなる第１の層と、窒化又は酸化することにより高抵抗化する第２の層により、第１の層と第２の層が接するヒューズ素子を作製する。 - 特許庁

Thereby, even if the insulating layer 3 and the junction layer 10 are calcined, oxidation film is not formed on the surface of the aluminum wiring layer 2 as the aluminum wiring layer 2 is not exposed to the outside.例文帳に追加

これにより、絶縁層３およびジャンクション層１０を焼成しても、アルミ配線層２が外部に露出していないので、アルミ配線層２の表面には酸化膜が形成されない。 - 特許庁

Since the second oxidation is completed in a short time, formation of the second oxide film 42 is completed before enhanced oxidation of the first polysilicon layer 40 proceeds.例文帳に追加

２回目の酸化は短時間で終わるので、第１ポリシリコン層４０の増速酸化が進行する前に第２酸化膜４２の形成が完了する。 - 特許庁

Next, a surfacial layer side insulating film 22 is formed on the inside wall upper part of the trench 4 on the trench surface insulating film 21 by plasma oxidation (radial oxidation).例文帳に追加

次に、トレンチ面絶縁膜２１上のトレンチ４の内側壁上部についてプラズマ酸化（ラジカル酸化）により表層側絶縁膜２２を形成する。 - 特許庁

A method includes forming an oxidation cavity partially through the VCSEL structure, oxidizing a layer in the VCSEL structure, forming a first passivation layer 80 over a surface of the oxidation cavity, and forming a second passivation layer 120 over the first passivation layer 80.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ構造を部分的に貫通する酸化空洞を形成し、ＶＣＳＥＬ構造内の層を酸化し、酸化空洞の表面上に第１のパッシベーション層８０を形成し、第１のパッシベーション層８０の上に第２のパッシベーション層１２０を形成する。 - 特許庁

A copper wiring structure is provided with a layer (CoWP layer) 15 containing cobalt and a coating layer (CoSi2 layer) 16, which coats the CoWP layer 15 and has an oxidation resistance and a hydrofluoric acid resistance, and the layer 15 is formed on the surface of a copper wiring layer 14.例文帳に追加

コバルトを含む層（ＣｏＷＰ層）１５と、ＣｏＷＰ層１５を被覆するもので耐酸化性および耐フッ酸性を有する被覆層（ＣｏＳｉ_2 層）１６とを備えたものであり、ＣｏＷＰ層１５は銅配線１４表面に形成されているものである。 - 特許庁

In this light-emitting device 1, an n clad layer 3, an active layer 4 and a first p-clad layer 5 are laminated on a substrate 2, and a second p-clad layer 6 lower in oxidation nature and lower in conductivity than the first p-clad layer 5 is further laminated.例文帳に追加

発光装置１は、基板２上に、ｎクラッド層３、活性層４、第１ｐクラッド層５を積層し、第１ｐクラッド層５より酸化性が低く、かつ導電性が低い第２ｐクラッド層６を積層する。 - 特許庁

Further, a plating pretreatment (dry etching) is carried out to expose a new film face by removing the surface oxidation layer of the resist layer, and the upper gap layer not being covered with the resist layer is removed to expose the lower gap layer.例文帳に追加

続いて、メッキ前処理（ドライエッチング）を行い、レジスト層の表面酸化層を除去して新たな膜面を露出させるとともにレジスト層で覆われていない上部ギャップ層を除去し、下部ギャップ層を露出させる。 - 特許庁

Since exhaust gas of which temperature is raised by reaction heat by the oxidation catalyst 3 directly flows in the second layer 24, PM captured by the second layer is efficiently oxidized by the oxidation catalyst 3.例文帳に追加

酸化触媒３による反応熱で温度が上昇した排ガスが第２層24に直接流入するので、第２層24に捕集されたＰＭが酸化触媒３によって効率よく酸化される。 - 特許庁

To provide an oxidation film forming method, capable of adjusting oxidation condition according to the state of the surface and/or the surface layer of a silicon wafer before oxidation film formation, thereby being capable of forming with proper precision, for example, even an ultra thin oxidation film.例文帳に追加

酸化膜形成前のシリコンウェーハの表面、及び／又は、表面層の状態によって酸化条件を調整することができ、それにより例えば極薄の酸化膜でも精度良く形成することができる酸化膜形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To form uniform quench-hardened layers of a tripod with desired depth for a short time without generating an abnormal layer (internal oxidation layer).例文帳に追加

トリポードの硬化層を所望深さでバラツキなく均一にしかも短時間で異常層（粒界酸化層）を発生させずに形成すること。 - 特許庁

The sliding parts have a layer containing oxidation resistant substances on the sliding surfaces of the formed carbon covered by a silicon carbide covering layer excepting the sliding surfaces.例文帳に追加

摺動面を除いて炭化珪素の被覆層に覆われた炭素成形体の摺動面に、耐酸化性の含有層を有ものである。 - 特許庁

The silica coating layer is formed by applying oxidation and coloration treatment to titanium and coating the treated titanium with polysilazane before the polysilazane layer is cured.例文帳に追加

シリカコーティング層はチタンの酸化発色処理を行った後に、ポリシラザンを塗装し、その後、該ポリシラザンの硬化処理を行い形成する。 - 特許庁

Here, the peeling layer 2 is made of oxidation titanium nitride, allowing only the resin layer to be peeled off from the laminated body.例文帳に追加

ここで、剥離層２は、酸化窒化チタンからなる層であり、それによって、樹脂層だけが当該積層体から剥離可能となっている。 - 特許庁

Since the ceramic layer is interposed between the seal layer and the anode wiring 152, wear of the anode wiring 152 due to oxidation can be prevented.例文帳に追加

シール層とアノード配線１５２の間にはセラミックス層が介在するため、酸化によるアノード配線１５２の消耗を防止できる。 - 特許庁

An oxidation-resistant coating layer is included which comprises one or two layers containing Cr of 50% or more on a surface layer of the steam turbine casing.例文帳に追加

蒸気タービンケーシングの表面層に50％以上のCrを含む一層又は二層からなる耐酸化性のコーティング層を有すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a storage in which surface oxidation of a memory layer can be suppressed when the memory layer is divided.例文帳に追加

記憶層を分断加工する際に記憶層の表面酸化を抑えることが可能な記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

On the insulation protective layer 5, a metal thin film 6 which has oxidation treatment parts 6a around the bump terminals 7a, 7b is formed to cover the layer 5.例文帳に追加

そして、前記絶縁保護層５上に、バンプ端子７a、7ｂの周囲が酸化処理６aを有する金属薄膜6を被覆形成した。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device that enhances its reliability by clearing defining amount of oxidation on a boundary between a semiconductor layer and a reflectance control layer.例文帳に追加

半導体レーザ装置において、半導体層と反射率制御層の界面の酸化量を明確にして、信頼性を向上させる。 - 特許庁

In a step (e), a thermally oxidized porous polysilicon layer 6 is formed by oxidizing the porous polysilicon layer 5 by a rapid thermal oxidation method.例文帳に追加

急速熱酸化法によって、多孔質ポリシリコン層５を酸化して熱酸化された多孔質ポリシリコン層６を形成する（図１（ｅ））。 - 特許庁

A cermet thin film 1 wherein Pt particles are dispersed in SiO_2 is formed as an oxidation prevention layer on the uppermost Si layer 2.例文帳に追加

最上層のＳｉ層２の上に、酸化防止層として、ＳｉＯ_２中にＰｔ微粒子を分散させたサーメット薄膜１を形成する。 - 特許庁

In the manufacturing process of the thin-film transistor, the surface of the polysilicon layer is subjected to oxidation treatment for generating a silicon film layer, and then the silicon oxide film layer is removed by offset chemicals.例文帳に追加

本発明による薄膜トランジスタの製造工程では、ポリシリコン層表面を酸化処理してシリコン酸化膜層を生成し、その後これをエッチ液によって除去する。 - 特許庁

Further an insulating layer 14 composed of an oxygen-containing organic layer formed by oxidation treatment of the surface of diamond layer 13 is arranged and installed.例文帳に追加

ダイヤモンド層１３の表面にはまた、ダイヤモンド層１３の表面に酸化処理をすることにより形成された含酸素有機層からなる絶縁層１４が配設される。 - 特許庁

To provide a master disk for manufacturing an optical information recording medium, in which the oxidation of a recording layer is prevented when an inorganic resist layer including a metal is used as the recording layer.例文帳に追加

記録層として金属を含む無機レジスト層を用いた場合における記録層の酸化防止した光学情報記録媒体製造用の原盤を提供する。 - 特許庁

By applying anodic oxidation processing to the Al layer 5 (alumite treatment), a part from a surface of the Al layer 5 to designated depth is changed to an alumite layer 6 in which pore 6a exists.例文帳に追加

Ａｌ層５の陽極酸化処理（アルマイト処理）を行うことにより、Ａｌ層５の表面から所定の深さまでを、ポア６ａが存在するアルマイト層６に変化させる。 - 特許庁

The electrochromic element comprises a transparent conductive film 2, an oxidation coloring layer, an electrolyte layer 5, a reduction coloring layer and a transparent conductive film 10 sequentially constructed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に透明導電膜２、酸化発色層、電解質層５、還元発色層、透明導電膜１０が順次構成されているエレクトロクロミック素子である。 - 特許庁

NOx in exhaust gas is removed by the catalyst having a two-layer structure composed of a low layer-side NOx oxidation catalyst and an upper layer-side NOx selective reduction catalyst.例文帳に追加

下層部分のＮＯｘ酸化触媒と上層部分のＮＯｘ選択還元触媒から成る二層構造の触媒によって排ガス中のＮＯｘを浄化処理する。 - 特許庁

The process for forming the breaking layer comprises (1) a process for forming an ion implanted layer by implanting ions or (2) a process for forming a porous layer by anodic oxidation.例文帳に追加

破断層を形成する工程は、（１）イオン注入をしてイオン注入層を形成する工程、（２）陽極酸化により多孔質層を形成する工程、をとることができる。 - 特許庁

Also, film thickness of the lower layer is 50nm or more and oxidation degree (O/Co ratio) is 85% or more to 95% or less.例文帳に追加

また、下層を膜厚５０ｎｍ以上、酸化度（Ｏ／Ｃｏ比）８５％以上９５％以下とする。 - 特許庁