「oxidation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, a heat insulating unit 32 is arranged between the selective oxidation catalyst layer A8 and the water evaporation flow path 31.例文帳に追加

また、選択酸化触媒層Ａ８と水蒸発流路３１との間に断熱部３２が配置されている。 - 特許庁

Anisotropic stress corresponding to the nonuniform distribution of the oxidation layers 31A and 32A is generated in the active layer 16.例文帳に追加

酸化層３１Ａ，３２Ａの不均一な分布に対応した異方的な応力が活性層１６に発生する。 - 特許庁

To obtain a MOS transistor, having a poly-metal gate which prevents oxidation of a metal layer to contrive to lower resistance.例文帳に追加

金属層の酸化が防止されて低抵抗化が図られたポリメタルゲートを有するＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁

Thus, at least a surface layer of the thermal oxide film 4 is made further rigid and uniform in oxidation state.例文帳に追加

この加熱処理により、熱酸化膜４の少なくとも表層が更に強固で均一な酸化状態となる。 - 特許庁

In the SOI wafer 10, a BOX layer 2 formed by thermal oxidation is formed on the upper side of a supporting substrate 1.例文帳に追加

ＳＯＩウェーハ１０において、支持基板１の上部に熱酸化によるＢＯＸ層２が形成されている。 - 特許庁

To inexpensively manufacture a hydrogen-absorbing alloy having an Ni-containing layer on the surface and having excellent durability and oxidation resistance.例文帳に追加

表面にNiを含む層を有する、耐久性と耐酸化性に優れた水素吸蔵合金を、安価に製造する。 - 特許庁

To provide a carbon monoxide selective oxidation reactor adapted so that the entire catalyst layer may be effectively utilized.例文帳に追加

触媒層全体を有効に利用できるようにした一酸化炭素選択酸化反応装置を提供する。 - 特許庁

After forming the interlayer dielectric film 4 on the lower-layer electrode 3a, an oxidation preventing film 5 is formed on the whole surface.例文帳に追加

下層電極３ａ上に層間絶縁膜４を形成した後、酸化防止膜５を全面に形成する。 - 特許庁

Further in this connecting structure of the electrode mentioned above, the hard core bites into an oxidation layer of the electrode surface.例文帳に追加

また、上記において、硬質核が電極表面の酸化層に食い込んでなる電極の接続構造。 - 特許庁

The catalyst for nitrogen oxide removal is a catalyst produced by forming a catalyst layer (2) on the surface of the oxidation resistant and corrosion resistant metal substrate (1).例文帳に追加

（２）前記耐酸化性耐腐食性金属基板の表面に触媒層を形成した脱硝用触媒。 - 特許庁

The metallic oxide layer may be aluminum oxide formed by applying oxidation treatment to the base material.例文帳に追加

金属酸化物層は、基材に酸化処理を施すことによって形成されたアルミニウム酸化物であってもよい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses elution and oxidation of a wiring layer, and to provide a method of designing the same.例文帳に追加

配線層の溶出、および酸化を抑制する半導体装置、およびその設計方法を提供する。 - 特許庁

White rice has had the outer layer removed during the polishing process, so it deteriorates more easily due to oxidation as days go by. 例文帳に追加

精米後の白米は、皮をはがれた状態であり、日数の経過と共に酸化等により劣化していく。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This configuration enables advanced control over the oxidation speed in an XY plane of the selectively oxidized layer 108 and the thickness of the oxidized layer in oxidizing the selectively oxidized layer 108.例文帳に追加

これにより、被選択酸化層１０８が選択酸化される際に、被選択酸化層１０８のＸＹ面内の酸化速度、及び酸化層の厚さの制御性を向上させることができる。 - 特許庁

The metal oxide layer (5) is formed by immersion plating of metal such as Sn or Zn on the Cu wiring layer (4) and then conducting heat treatment on the plated layer under the oxidation atmosphere.例文帳に追加

金属酸化物層（５）は、Ｃｕ配線層（４）上にＳｎまたはＺｎなどの金属を浸漬メッキし、その後このメッキ層を酸化性雰囲気中で加熱処理して形成する。 - 特許庁

In this case, the planarity of the active layer is increased with the lower cladding layer 111 as InAlGaAs, and reliability is improved by preventing surface oxidation (deterioration) with the upper cladding layer 113 as InGaP.例文帳に追加

このとき、下クラッド層１１１をＩｎＡｌＧａＡｓとして活性層の平坦性を高くし、上クラッド層１１３をＩｎＧａＰとして表面酸化（劣化）せず信頼性を向上した。 - 特許庁

The metal oxide layer (5) is formed by immersion plating of metal such as Sn or Zn on the Cu wiring layer (4) and then conducting heat treatment to the plated layer under the oxidation atmosphere.例文帳に追加

金属酸化物層（５）は、Ｃｕ配線層（４）上にＳｎまたはＺｎなどの金属を浸漬メッキし、その後このメッキ層を酸化性雰囲気中で加熱処理して形成される。 - 特許庁

To control external diffusion from a semiconductor layer of impurity implanted and surface oxidation of semiconductor layer, when the impurity implanted to the semiconductor layer is activated.例文帳に追加

半導体層に注入された不純物を活性化する際に、注入された不純物の半導体層からの外方拡散と半導体層の表面酸化とを抑止できるようにする。 - 特許庁

To provide the peeling of a thermal insulation layer (the second layer) by relaxing thermal stress between metal and ceramics, and further to suppress the oxidation and corrosion of a metallic layer and to prolong the life of the film.例文帳に追加

金属とセラミックスとの間の熱応力を緩和するとともに、金属層の酸化及び腐食を抑制して、遮熱層（第２層）の剥離を防止し、皮膜の長寿命化を図る。 - 特許庁

By the above, the surface of the contact member is turned into a structure composed of a passivated layer 13b1 formed by natural oxidation, an amorphous layer 13b2 laid thereunder, and a fine crystalline layer 13b3 in which crystal size becomes gradually larger as it is headed down ward, laid on a basic material layer 13b4.例文帳に追加

自然酸化による不動態層１３ｂ１、その下にアモルファス化層１３ｂ２、その下に結晶粒が段々大きくなる結晶微細化層１３ｂ３、更にその他に母材層１３ｂ４となる。 - 特許庁

Related to a ferromagnetic tunneling effect element 10, a lower part ferromagnetic body layer 82, an oxidation-resistance layer 12, a tunnel barrier layer 84, and an upper part ferromagnetic body layer 86 are laminated in this order on a substrate 84.例文帳に追加

本発明に係る強磁性トンネル効果素子１０は、基板８８上に、下部強磁性体層８２、耐酸化層１２、トンネルバリア層８４及び上部強磁性体層８６が、この順に積層されてなるものである。 - 特許庁

The main body of the pot is made of a graphite member, and has a double-layered oxidation-resisting coating film on the surface consisting of a lower layer of SiC and an upper layer of SiO2 glass.例文帳に追加

本体が黒鉛質部材からなり、その表面にＳｉＣの下層とＳｉＯ２系ガラス上層の二重層とした耐酸化皮膜を具備する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a heat-resistant resin film with a metal base layer, etc. having excellent adhesion wherein no pin-hole is observed and oxidation of a metal base layer can be prevented.例文帳に追加

密着力に優れピンホールがなく金属ベース層の酸化が防止される金属ベース層付耐熱性樹脂フィルムの製造法等を提供する。 - 特許庁

The portion of the through-hole 9 located in the supporting substrate layer 1 is formed so that the sectional area increases as the through-hole recedes from the intermediate oxidation film layer 2.例文帳に追加

支持基板層１に位置する貫通孔９の部分は、中間酸化膜層２から離れるにつれ断面積が大きく形成されている。 - 特許庁

To prevent crack occurrence in a circuit formation region in dicing while preventing oxidation and corrosion of a seal ring including a copper layer in the uppermost layer.例文帳に追加

最上層に銅の層を有するシールリングの酸化および腐食を防止しつつ、ダイシングの際の回路形成領域におけるクラック発生を防止する。 - 特許庁

Next, oxidation is applied to the retainer to form an oxidized layer 1 consisting of a mixed phase of Fe_2O_3 and Fe_3O_4 on the outside of the nitride layer 2.例文帳に追加

次に、この保持器に酸化処理を行って、前記窒化物層の外側に、Ｆｅ_2 Ｏ_3 とＦｅ_3 Ｏ_4 との混合相からなる酸化層１を形成する。 - 特許庁

Its oxidation is prevented by the aluminum plating layer, and further, cracks upon its forming is prevented by the solid lubrication effect of the graphite incorporated into the plating layer.例文帳に追加

アルミニウムめっき層により酸化を防止し、また、めっき層中に含有されるグラファイトの固形潤滑効果により成形時の割れを防止する。 - 特許庁

A titanium compound treatment layer with the oxidation number of the predetermined composition being 4 is laminated on the surface of the surface-treated steel, and a resin-coated layer is laminated thereon.例文帳に追加

鋼材の表面に、所定の組成の酸化数４のチタン化合物処理層、その上に樹脂被覆層を積層してなる成る表面処理鋼材である。 - 特許庁

The control device 13 conveys the substrate 14 into the oxidation chamber F4 and exposes the entire surface of the tantalum layer 16 to oxygen radicals to oxidize the tantalum layer 16.例文帳に追加

また、制御装置１３が、基板１４を酸化チャンバＦ４に搬送し、タンタル層１６の表面全体を酸素ラジカルに晒してタンタル層１６を酸化する。 - 特許庁

The three layer polymetal gate layer 11 is not exposed but covered with an oxidation preventive film 7 composed of a material having an oxygen diffusion rate lower than that of silicon.例文帳に追加

そして、３層ポリメタルゲート１１が露出することなく、ポリシリコンより酸素の拡散速度の遅い材料からなる酸化防止膜７で覆われる。 - 特許庁

The p-type contact layer 26b can reduce the contact resistance with the gate electrode 15 and prevent the oxidation of the p-type layer 26a.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層２６ｂによりゲート電極１５との接触抵抗を小さくすることができると共に、ｐ型層２６ａの酸化を防止することができる。 - 特許庁

A lower second DBR mirror layer 13 inside the lower DBR mirror layer 11 includes an oxidation section 30 around a region corresponding the light emission region 16A.例文帳に追加

下部ＤＢＲミラー層１１内の下部第２ＤＢＲミラー層１３は、発光領域１６Ａと対応する領域の周辺に酸化部３０を有する。 - 特許庁

The heat-resisting insulating layer includes the oxidation-resistant ceramic particles at a ratio of 80-90%, and is arranged between at least the positive electrode and the polyolefin layer.例文帳に追加

耐熱絶縁層は、耐酸化性セラミック粒子を８０〜９０％の割合で含有し、且つ少なくとも正極とポリオレフィン層との間に配設されている。 - 特許庁

To prevent occurrence of a crack in a circuit formation region during dicing while preventing oxidation or corrosion of a seal ring having a copper layer on the uppermost layer.例文帳に追加

最上層に銅の層を有するシールリングの酸化および腐食を防止しつつ、ダイシングの際の回路形成領域におけるクラック発生を防止する。 - 特許庁

The heat-resistant insulating layer contains 60 to 90% oxidation-resistant ceramic particles, and is disposed at least between the positive electrode and the polyolefin layer.例文帳に追加

耐熱絶縁層は、耐酸化性セラミック粒子を６０〜９０％の割合で含有し、且つ少なくとも正極とポリオレフィン層との間に配設されている。 - 特許庁

Since an oxidation adsorbing layer 512 absorbs oxygen atoms which are contained in free the layer 50, the rate of the resistance change of the MTJ element 37 is improved.例文帳に追加

酸化吸着層５１２がフリー層５０に含まれる酸素原子を吸着することにより、ＭＴＪ素子３７の抵抗変化率が向上する。 - 特許庁

A gate dielectric layer 160 is formed on the side walls of the monocrystalline top portions by thermal oxidation, allowing low thickness of the gate dielectric layer.例文帳に追加

ゲート誘電体層１６０は、熱酸化により単結晶上部部分の側壁の上に形成され、薄い膜厚のゲート誘電体層を可能にする。 - 特許庁

An emission surface layer 105 provided with a function of preventing oxidation of Al contained in the upper clad layer 104 is formed on the upper clad layer 104, and an electrode contact layer 106 is formed on the emission surface layer 105.例文帳に追加

上部クラッド層１０４の上部には、上部クラッド層１０４に含まれるＡｌの酸化を防止する機能を兼ね備えた出射面層１０５が形成されており、この出射面層１０５の上部には、電極コンタクト層１０６が形成されている。 - 特許庁

The production method is for producing a hydrogen separation membrane and involves steps of forming an oxidation suppressing layer for suppressing oxidation of a hydrogen-permeable metal layer on the surface of a hydrogen-permeable metal as a substrate and depositing a catalytic metal active to dissociation or bonding reaction of hydrogen on the surface of the oxidation suppression layer in granular state.例文帳に追加

水素分離膜の製造方法であって、基材としての水素透過性金属の表面に、水素透過性金属層の酸化を抑制するための酸化抑制層を形成する工程と、酸化抑制層の表面に水素の解離もしくは結合反応に活性のある触媒金属を粒子状に付着させる工程と、を備える。 - 特許庁

The nonvolatile memory device that provides a nonvolatile memory device comprising a lower electrode, a nano wire formed on the lower electrode from a transition metal, an oxidation layer formed on the nano wire including a transition metal oxide, and an upper electrode formed on the oxidation layer in a memory device comprising an oxidation layer formed from a resistance conversion substance.例文帳に追加

抵抗変換物質から形成された酸化層を備えるメモリ素子において、下部電極と、下部電極上に遷移金属から形成されたナノワイヤーと、ナノワイヤー上に遷移金属酸化物を含んで形成された酸化層と、酸化層上に形成された上部電極と、を備える不揮発性メモリ素子を提供する不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

In the electrochromic element having a layered film wherein a first conductive film, an oxidation coloring layer, an electrolyte layer, a reduction coloring layer and a second conductive film are layered in this order or in the reverse order on a substrate, any one, or two or more layers of the oxidation coloring layer, the electrolyte layer and the reduction coloring layer are film-deposited by a dual magnetron sputtering method in an atmosphere containing hydrogen.例文帳に追加

基板上に、第１の導電膜、酸化発色層、電解層、還元発色層、及び第２の導電膜がこの順或いは逆順で積層されてなる積層膜を有するエレクトロクロミック素子において、該酸化発色層、電解層及び還元発色層のうちのいずれか１層又は２層以上が、水素を含有する雰囲気において、デュアルマグネトロンスパッタ法により成膜される。 - 特許庁

To prevent occurrence of a problem of deterioration of the light-emission intensity of an active layer by forming a structure in which an active layer containing nitrogen is formed after forming a p-type semiconductor layer and arranging a layer for selective oxidation mainly composed of AlAs within the p-type semiconductor layer, even if a part of the arranged layer for selective oxidation is selectively oxidized to form a current confinement structure.例文帳に追加

ｐ型半導体層を形成した後に窒素を含む活性層を形成する構造とし、ｐ型半導体層中にＡｌＡｓを主成分とする被選択酸化層を配置し、配置された被選択酸化層の一部を選択的に酸化して電流狭窄構造を形成する場合にも、活性層の発光強度が劣化してしまうという問題が生じることを防止する。 - 特許庁

An RRAM memory cell includes a first oxidation resistance layer 20, a first heat resistance metal layer 22, a CMR layer 24, a second heat-resistant metal layer 26, and a second oxidation resistance layer 28; and is formed on a silicon substrate having a metal plug 16 which is connected operably in the silicon substrate, and which is formed on the silicon substrate.例文帳に追加

本発明のＲＲＡＭメモリセルは、第１の酸化耐性層２０と、第１の耐熱性金属層２２と、ＣＭＲ層２４と、第２の耐熱性金属層２６と、第２の酸化耐性層２８とを備える、シリコン基板中に動作可能な接合および該シリコン基板上に形成される金属プラグ１６を有する該シリコン基板上に形成される。 - 特許庁

In the semiconductor stack structure 20, a columnar mesa 14 is formed by part of the first conductivity type layer 11 and the light absorbing layer 12, and in the light absorbing layer 12 or between the first conductivity type layer 11 and the light absorption layer 12, an oxidation layer 19 is provided.例文帳に追加

半導体積層構造２０のうち第１導電型層１１の一部と、光吸収層１２とにより柱状のメサ部１４が構成されており、光吸収層１２の内部に、または第１導電型層１１と光吸収層１２との間に酸化層１９が設けられている。 - 特許庁

Even when a single or a plurality of conductive devices 106 is contained in the first layer 104 by forming the layer 104 as an insulating layer, the oxidation of the interfaces between the layer 104 and devices 106 is removed by continuously performing plasma treatment on the interfaces, and then, the second layer 108 is deposited on the layer 104.例文帳に追加

第１の層１０４を絶縁層として、その中に配置された単一または複数の導電性材料デバイス１０６を含む場合も、両者の間のインタフェースに連続のプラズマ処理を行って酸化を除去し、その上に第2の層１０８を堆積する。 - 特許庁