「process ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a CMOS image sensor in which the dead zone and the dark current characteristics can be enhanced simultaneously by forming an impurity ion region in a semiconductor substrate and forming a path capable of transmitting optical charges, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

半導体基板内に不純物イオン領域を形成し、光電荷を伝送できる通路を形成することで、デッドゾーンと暗電流の特性とを同時に向上させることのできるＣＭＯＳイメージセンサとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for obtaining the electrode of a battery in which a thick active material layer can be formed with high aspect ratio by simple process and device configuration, and with which a battery such as a lithium ion secondary battery having excellent charge/discharge capacity can be obtained.例文帳に追加

簡易な工程及び装置構成で、高アスペクト比で厚膜の活物質層を形成することができ、充放電容量に優れるリチウムイオン二次電池等の電池を実現するための電池用電極を得るための技術を提供する。 - 特許庁

In this production process, a clay mineral that is organized with an organic onium ion, rubber, a clay mineral dispersant a vulcanizing agent are kneaded together and vulcanized to give a clay-rubber composite material in which the clay mineral is uniformly dispersed in the rubber.例文帳に追加

有機オニウムイオンにより有機化した粘土鉱物と，ゴムと，粘土鉱物分散剤と，加硫剤とを，混練した後加硫することにより，粘土鉱物が上記ゴム中に均一に分散してなる粘土ゴム複合材料を製造する方法である。 - 特許庁

In the manufacturing process of an MOSFET formed of silicon carbide, silicon ions are implanted in an epitaxial layer 16 formed on a semiconductor layer 10, a portion of a silicon ion implanted region is thermally oxidized to form the gate oxide film 17.例文帳に追加

炭化珪素からなるＭＯＳＦＥＴの製造工程において、半導体層１０上に形成されたエピタキシャル層１６に対してシリコンイオン注入を行い、シリコンイオン注入領域の一部を熱酸化してゲート酸化膜１７を形成する。 - 特許庁

To enhance positional accuracy of impurity implanted regions to contrive a high integration of the regions and also to reduce the number of processes in the manufacturing method of a semiconductor device to contrive reduction of the cost of manufacturing of the device by forming regions of different ion implantation depths in one process.例文帳に追加

イオン注入の深さが異なる不純物注入領域を１回の工程で行うことのよって、不純物注入領域間の位置精度を高めて高集積化を図るとともに、工程数を削減して製造コストの低減を図る。 - 特許庁

The Ti/Au film 36 and the Au layer 38 on an SiN film 32 is etched back over its entirety by means of ion milling process, and a gate electrode 40 is formed as shown in Fig. (f) only on the gateopening 34 except for the metal layers 36, 38.例文帳に追加

続いて、ＳｉＮ膜３２上のＴｉ／Ａｕ積層膜３６及びＡｕ層３８をイオンミリング法で全面エッチバッグし、図２（ｆ）に示すように、ゲート開口３４のみに金属層３６／３８を残してゲート電極４０を形成する。 - 特許庁

To provide a complex that is synthesized from a copper ion and trimesic acid, a process for producing the complex advantageously in a practical scale, and an adsorbent as one of the uses of this complex.例文帳に追加

銅イオンとトリメシン酸類とから合成される新規な錯体を提供すること、およびその錯体を工業的に有利に製造する方法を提供すること、さらにはその錯体の用途の一例である吸着剤を提供することを目的とする。 - 特許庁

When two or more metal parts 4 and 5, where ion migration can occur, are located in an electromigration process, they are set at the same potential, by electrically interconnecting them or electrically connecting them to an auxiliary cathode 23 to connecting wires 24a and 24b.例文帳に追加

電気泳動工程においてイオンマイグレーションが生じ得る金属部分４，５が２カ所以上存在する場合に、それらを相互もしくは補助陰極２３に電気的に結線２４ａ、２４ｂしておくことにより同電位となるようにする。 - 特許庁

The lithium ion battery electrode is created by the manufacturing method which is skipped or simplified the rolling process using electric conduction agent fine particles for positive electrodes and negative electrode active material fine particles in which high molecular compound components are carried out chemical covalent bonding on grain surfaces.例文帳に追加

高分子化合物成分が、粒子表面に化学共有結合した負極活物質粉体や正極用導電剤粉体を用い、圧延工程を省略もしくは簡略化した製造方法により、リチウムイオン電池電極を作成する。 - 特許庁

To provide a focusing ion beam device that is capable of working precisely perpendicularly without difficulty, the pattern face capable of taking all directions in the remody process case of the defects of patterns having a penetration structure in the electron beam exposure mask.例文帳に追加

本発明の課題は、電子ビーム露光用マスクにおける貫通構造のパターン欠陥を修正加工する際に、あらゆる方向を取り得るパターン面を無理無く正確に垂直に加工することができる集束イオンビーム装置を提供することにある。 - 特許庁

The impurity metal ion density of a protection film of the plasma display panel, after passing through an aging process, is 400 ppm or less, and the protection film is formed so as to contain not less than 3 hydrogen atoms against total number of atoms of 100.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルが枯化工程を経て後の保護膜の不純物金属イオン濃度が各々４００ｐｐｍ以下であるとともに、全体の原子の数を１００としたとき水素原子を３原子以上含有するような保護膜を清膜する。 - 特許庁

A process for producing the HPLC grade acetonitrile (UV cut off <190), including removal of practically all impurities from acetonitrile by treatment with an acidic ion exchange resin, following after a plurality of distillation steps on reflux conditions, is provided.例文帳に追加

還流条件下での複数の蒸留工程に続いて、酸性イオン交換樹脂による処理を行い、アセトニトリルから実質的に全ての不純物を除くことを包含する、HPLCグレードのアセトニトリル（UVカットオフ＜190）を生成するプロセスが提供される。 - 特許庁

Consequently, the Gunn diode GD and the Schottky diode SD can be integrated on the same substrate by a process requiring no heat treatment (annealing) of high temperature (600°C) without utilizing a conventional ion implantation technology or the contact layer of IMPATT diode.例文帳に追加

したがって、従来のようなイオン注入技術やＩＭＰＡＴＴダイオードのコンタクト層を利用することなく、高温(６００℃)な熱処理(アニール)が不必要なプロセスで、ガンダイオードＧＤとショットキーダイオードＳＤとを同一基板上に集積できる。 - 特許庁

The crosslinked aromatic polymer is produced by a process comprising a reaction step wherein an aromatic monomer having an ion exchange group and an aromatic monomer including a polyfunctional aromatic monomer are reacted with each other in a solvent for forming a gel swollen with the solvent.例文帳に追加

イオン交換基を有する芳香族モノマーと、多官能性の芳香族モノマーと、を含む芳香族モノマーを溶媒中で反応させ、当該溶媒で膨潤したゲルを生じさせる反応工程、を備える方法で製造される、架橋芳香族ポリマー。 - 特許庁

In a regeneration method of a battery, a process that raises a potential of a negative electrode above a potential of a positive electrode of a lithium ion battery that has been deteriorated, and subsequently drops the potential of the negative electrode under the potential of the positive electrode is performed at least one cycle or more.例文帳に追加

劣化したリチウムイオン電池の負極の電位を正極の電位よりも上昇させた後、負極の電位を正極の電位よりも低下させる工程を少なくとも１サイクル以上実施する電池の再生方法にある。 - 特許庁

After the STI 4 has been formed without removing a padding oxide film 21 used in forming the STI 4, the padding oxide film 21 is used as a capping oxide film for preventing channeling, and then ion implantation is performed for forming a well 2 (a process shown in (a)).例文帳に追加

ＳＴＩ４を形成した後、ＳＴＩ４を形成の際に用いたパッド酸化膜２１を除去せず、このパッド酸化膜２１をチャネリング防止用のキャップ酸化膜として用いて、ウェル２の形成のためのイオン注入を行う（図２（ａ）に示す工程）。 - 特許庁

Subsequently, in an ion implantation process, a first doped area is formed in the effective layer covered with the shield area, and a second doped area is formed in the effective layer covered with the extension area thus fabricating a thin film transistor having a self-alignment LDD structure.例文帳に追加

次にイオン注入工程により、遮蔽エリアに覆われた有効層内に第１ドープエリアを形成し、延伸エリアに覆われた有効層内に第２ドープエリアを形成し、セルフアライメントＬＤＤ構造を備えた薄膜トランジスタを製造する。 - 特許庁

A collector necessary to a conventional method using the ion beam for covering the substrate 8 and an electrode becomes unnecessary, whereby its measuring system can be made simple, and a measurement of the secondary electrons can be carried out in the deposition system, and a deposition process can be made stable.例文帳に追加

イオンビームを用いる従来法に必要であった基板８と電極とを覆うコレコタは不要なので、測定系をシンプルにすることができ、成膜装置内での２次電子の測定が可能となり、成膜工程の安定化を実現できる。 - 特許庁

Consequently, when impurity ions are implanted to the selective epitaxial layers 2 in a post-process, the quantity of impurity ions implanted at a desired angle is increased, the profile of an impurity-ion region can be set at a desired value, and the characteristics of a transistor are improved.例文帳に追加

このため、後工程で選択エピタキシャル層２に不純物イオンを注入したときに、所望の角度で注入される不純物イオン量が多くなり、不純物イオン領域のプロファイルを所望の値に設定でき、トランジスタの特性がよくなる。 - 特許庁

The iron alloy after the pre-process which is placed inside of the wet etching tank 111 is taken out and placed in a film forming chamber 330, and after the oxidized coating film is further removed by ion beam etching, a carbon film is formed on the surface by arc discharge etc.例文帳に追加

ウェットエッチング槽１１１の内部に置かれた前処理後の鉄合金は、取り出されて成膜チャンバー３３０に置かれ、イオンビームエッチングにより酸化被膜をさらに除去された後、アーク放電などにより表面に炭素膜を形成される。 - 特許庁

A wafer W is equipped with a resist cured film 79 formed through an ion implantation process, and the wafer W is subjected to processing so as to expose the resist cured film 79 to water vapor kept at a prescribed temperature, whereby the the resist cured film 79 is popped out (step 4).例文帳に追加

イオン注入処理等によって形成されたレジスト硬化膜７９を備えたウエハＷを、このレジスト硬化膜７９が所定温度の水蒸気に曝されるように処理することによってレジスト硬化膜７９にポッピングを生じさせる（ステップ４）。 - 特許庁

In a vacuum vessel, metal fluoride such as magnesium fluoride (MgF_2) is heated and evaporated, further, fluorine-based gas such as carbon tetrafluoride (CF_4) is introduced therein, and a fluorine-based polymerized coating is formed on the surface of a base material by a composite ion plating process using plasma polymerization.例文帳に追加

真空容器内で、フッ化マグネシウム(MgF_2)等の金属フッ化物を加熱蒸発させるとともに、四フッ化炭素（CF_4）等のフッ素系ガスを導入し、プラズマ重合を用いた複合式イオンプレーティング法により基材の表面にフッ素系重合膜を形成する。 - 特許庁

The minute sample processing observation device includes a focused ion beam optical system 31 and an electron beam optical system 41 in an identical vacuum device, and a probe 72 that separates a minute sample containing a desired area of the wafer 21 by a charged particle beam type molding process and takes out the separated minute sample.例文帳に追加

同一真空装置に集束イオンビーム光学系３１と電子ビーム光学系４１を備え、ウェーハ２１の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブ７２を備えた。 - 特許庁

The invention relates to the method for obtaining oligosaccharide by purifying a crude liquid containing the oligosaccharide obtained from the arboreal vegetations as raw material, characterized by including a process A purifying the crude liquid with an ion exchanging resin and then purifying with activated charcoal.例文帳に追加

木本類を原料として得られるオリゴ糖を含む粗液を精製してオリゴ糖を得る方法であって、前記粗液を、イオン交換樹脂を使用して精製した後に活性炭を使用して精製する工程Ａを含むことを特徴とするオリゴ糖の製造方法。 - 特許庁

A P type impurity concentration distribution having a steep slope in the depth direction is formed by forming a P type substrate region 3 becoming a channel region by ion implantation after a process for forming a gate insulating film 4 on the wall face of a trench T.例文帳に追加

トレンチＴの壁面上にゲート絶縁膜４を形成する工程よりも後に、チャネル領域となるＰ型基板領域３をイオン注入法により形成することによって、深さ方向に急峻な勾配を有するＰ型不純物濃度分布を形成する。 - 特許庁

A mixture slurry of fly ash and a sodium hydroxide aqueous solution with addition of an oxidizing agent such as hydrogen peroxide or the like is subjected to hydrothermal treatment and then cleaned with a cleaning liquid mixed with FeCl2 or the like in a cleaning process to impart Fe2+ ion.例文帳に追加

フライアッシュと水酸化ナトリウム水溶液の混合スラリーに過酸化水素等の酸化剤を添加した状態で水熱処理を施し、その後、洗浄工程においてＦｅＣｌ_２等を混合した洗浄液で洗浄することによりＦｅ^２＋イオンを付与する。 - 特許庁

In discharging process, the base substrate 7a is applied with a minus potential from a power source part 11, so that plus charges 15 induced near the surface of the base substrate 7a is canceled, and in which condition, the surface of the insulating film 7b is exposed to the gas 5 from the ion generating part 3 (refer to (B)).例文帳に追加

除電処理時には電源部１１によりベース基板７ａにマイナス電位を与え、ベース基板７ａ表面近傍に誘起されているプラス電荷１５を打ち消した状態でイオン発生部３からのガス５に絶縁膜７ｂ表面を暴露する（（Ｂ）参照）。 - 特許庁

To provide a conductive coupling structure of a conductive handle for a lithium-ion secondary battery capable of coupling each conductive handle and a conductive terminal without relying on a welding work, with a manufacturing process more simplified, an assembly work made more easy, and with capital investment reduced.例文帳に追加

溶接作業を実施しなく各導電柄と導電端子とを電気的に連結することができ、製造プロセスが簡単化になり、組付作業が容易になり、設備投資が降下になるリチウムイオン二次電池用導電柄の導電連結構造を提供する。 - 特許庁

To provide a concentration measuring device for an electrolyte solution capable of measuring salt water with high electrical conductivity with a simple and inexpensive circuit configuration, and a water softening system capable of regenerating an ion-exchange resin process efficiently with a compact configuration.例文帳に追加

簡単かつ安価な回路構成で電気伝導度の高い塩水の濃度測定ができる電解液の濃度測定装置を提供するとともに、コンパクトな構成でイオン交換樹脂の再生処理を効率よく行うことができる軟水化システムを提供する。 - 特許庁

The microstructure regarding a junction part of a tunnel magneto-resistance film 12 is formed by a lithography process using focused ion beam(FIB) drawing to prevent the problems of deterioration in shape caused by reflected electrons and electrostatic breakdown due to charging-up.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗膜１２の接合部に関わる微細構造を集束イオンビーム（ＦＩＢ）描画を用いたリソグラフィプロセスにより形成することにより、反射電子による形状の劣化や、チャージアップによる静電破壊という問題を防ぐことが可能となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing zirconia sol, by which hydrolysis reaction can be safely and efficiently advanced and preferably next washing process can also be simplified by removal of chlorine ion, and to provide a method for producing zirconia fine powder using the method for producing the zirconia sol.例文帳に追加

安全にかつ効率良く加水分解反応を進めることができ、好ましくは塩素イオンの除去により後の洗浄工程も簡略化できるジルコニアゾルの製造方法、及びその方法を用いたジルコニア微粉末の製造方法を提供する。 - 特許庁

The hydrophobic solvent is separated from water to collect the hydrophobic solvent from the mixture comprising water, the hydrophilic solvent and the hydrophobic solvent, which is generated in the washing process, by specific gravity difference using water containing inorganic ion component of 10^-4 mol/litter or more.例文帳に追加

洗浄工程で発生する水、親水性溶剤、疎水性溶剤からなる３成分系の混合物より、１０^−４ｍｏｌ／リットル以上の無機イオン成分を含む水を用いた比重差によって疎水性溶剤と水とを分離して疎水性溶剤を分取する。 - 特許庁

In this process, it is preferable that: the molar ratio A/B: the functional groups (A) in the ion- exchange resin/the sodium (B) in the black liquor is ≥1; the pH after the desalting treatment is 1-4; and the concentration of lignin in the black liquor is ≥16 mass% based on the whole amount of the black liquor.例文帳に追加

このとき、イオン交換樹脂中の官能基（Ａ）と黒液中のナトリウム（Ｂ）のモル比率（Ａ／Ｂ）は１以上で、かつ脱塩処理後のｐＨは１〜４であり、黒液中のリグニンの濃度が、黒液総量に対して１６質量％以下であるのがよい。 - 特許庁

This manufacturing method for the solid electrolyte containing lithium, titanium, phosphorus, and oxygen and having the lithium ion conductivity heats precursor solution including nonhydrolyzable organic titanium compounds as a titanium supply source and incinerates it without any gelation process.例文帳に追加

リチウムと、チタンと、リンと、酸素とを含んでリチウムイオン伝導性を有する固体電解質の製造方法において、チタン供給源として非加水分解性の有機チタン化合物を含む前駆体溶液を加熱して、ゲル化工程を経ずに焼成することとする。 - 特許庁

This production method for the composition for forming the liquid immersion upper layer film includes a process for bringing a monomer for a liquid immersion upper layer polymer or a polymerization solution obtained by polymerizing the monomer, into contact with an ion exchange resin having a cation exchange group.例文帳に追加

液浸上層膜用重合体の単量体または前記単量体を重合して得られた重合溶液を、カチオン交換基を有するイオン交換樹脂に接触させる工程を含む液浸上層膜形成用組成物の製造方法である。 - 特許庁

Therefore, when the impurity region 132 is subjected to heat treatment process after ion implantation, the occurrence of potential decline in the readout gate section 140 is suppressed, and the blooming of the section 140 can be prevented so that the thermal diffusion in the impurity region 132 does not effect the gate section 140.例文帳に追加

したがって、Ｎ^- 型不純物領域１３２をイオン注入して熱工程にかける際に、熱拡散の影響が読み出しゲート部１４０に及ばないようにし、読み出しゲート部１４０のポテンシャル低下を抑制し、この部分のブルーミングを防止する。 - 特許庁

The method of a manufacturing method of an ion conductive polymer film for a fuel cell includes a process in which at least two identical or different polymerizable monomers, each including at least one polymerizable group and at least one precursor group of an ion conductive functional group selected from groups formed by phosphonyl ester, acyl ester, sulfonyl ester, halogenated carbonyl or halogenated thionyl, undergo a plasma chemical deposition.例文帳に追加

それぞれが、少なくとも１つの重合可能な基と、ホスホニルエステル、アシルエステル、スルホニルエステル、ハロゲン化カルボニル、またはハロゲン化チオニルによって形成される基から選択されるイオン伝導性官能基の少なくとも１つの前駆体基とを含む少なくとも２つの同一または異なる重合可能なモノマーをプラズマ化学蒸着させることによって燃料電池のイオン伝導性高分子膜を製造する。 - 特許庁

In a semiconductor device in which an ion implantation process for ROM writing is performed after an interlayer insulating film is formed in order to shorten a TAT(turn around time), an etching stopper film consisting of a polysilicon film 12 acting as the bottom part of a through hole 20 for ion implantation lies at least at a desired position of the interlayer insulating film formed on a transistor 6 region where ROM writing is performed.例文帳に追加

ＴＡＴ短縮を図るために層間絶縁膜を形成した後にＲＯＭ書き込み用のイオン注入工程が施される半導体装置において、前記イオン注入用のスルーホール２０の底部となるポリシリコン膜１２から成るエッチングストッパ膜が、少なくともＲＯＭ書き込みが行われるトランジスタ６領域上に形成された層間絶縁膜の所望位置に介在されていることを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing a metal nanowire comprises a process where a two phase structure of a water phase in which a metal complex or a metal hydroxide ion exhibiting electron affinity higher than that of a halide ion in a photoexcitation state and an organic phase obtained by dissolving a fat-soluble organic salt (such as a tetraalkylammonium salt) into an organic solvent (such as chloroform) is irradiated with ultraviolet radiation or visible radiation.例文帳に追加

光励起状態において、ハロゲン化物イオンより高い電子親和性を示す金属錯体または金属水酸化物イオンを溶解させた水相と、脂溶性有機塩（例えば、テトラアルキルアンモニウム塩）を有機溶媒（例えば、クロロホルム）に溶解させた有機相とから成る水相−有機相の二相構造に紫外光または可視光を照射する工程を含む、金属ナノワイヤーの製造方法による。 - 特許庁

To provide a direct recovery of an aiming valuable metal from waste water including the metal ion, by an electrolysis process without generating Cl, an electric energy saving in the recovery process by electrolysis, and a method for regenerating an etching solution at the same time when recovering the valuable metal from waste water by electrolysis.例文帳に追加

本発明の課題は、塩素の発生を伴わずに電気分解プロセスによって、金属イオンを含む廃液から目的とする有価金属を直接電解回収すること、および電解回収に際して電気エネルギーの省力化を提案すること、ならびに廃液から有価金属を電解回収することで同時にエッチング液を再生する方法を提案することにある。 - 特許庁

The method for producing the two-layer film includes a process for forming the first metal film containing nickel of 60-100 wt.% by a vacuum evaporation method, an ion plating method or a sputtering method under an atmosphere containing nitrogen gas on the polymer film; and a process for forming the second metal film having copper as the main component on the first metal film.例文帳に追加

高分子フィルム上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含む第１の金属膜を形成する工程と、第１の金属膜上に、銅を主成分とする第２の金属膜を形成する工程とを備える２層フィルムの製造方法。 - 特許庁

This is the method of manufacturing the electrode for lithium secondary battery in which a thin film containing an active material is formed on a current collector, and is provided with an interfacial layer forming process of forming an interfacial layer on the current collector by an ion plating method and an active material layer forming process of forming an active material layer on the interfacial layer by a vapor deposition method.例文帳に追加

本発明方法は、活物質を含む薄膜を集電体上に形成するリチウム二次電池用電極の製造方法であって、集電体上にイオンプレーティング法により界面層を形成する界面層形成工程と、界面層上に蒸着法により活物質層を形成する活物質層形成工程とを具えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of forming metal wiring in a semiconductor device capable of preventing a loss of the metal wiring by forming a capping film on the metal wiring to address an issue that, because a sputtering process is employed to make inter-metal wiring insulation in a process of forming an insulating film, ion bombardment accelerated by a high energy causes a loss of a part of the metal wiring.例文帳に追加

金属配線の間を絶縁させるために、絶縁膜形成工程の際にスパッタリング方法を用いるため、高いエネルギーで加速されたイオン衝撃によって金属配線が一部損失してしまうが、金属配線の上部にキャッピング膜を形成することにより、金属配線の損失を防止することが可能な半導体素子の金属配線形成方法を提供。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device, which can cope with micronization by enabling a thin oxide film to be formed on the surface of a silicon substrate by the same thermal oxidation process before ion implantation process for formation of source and drain diffused layers, and enabling an oxide film of sufficient thickness to secure reliability to be formed at the sidewall of a gate electrode, and the end of a gate.例文帳に追加

ソース、ドレイン拡散層形成のためのイオン注入工程前に、同一の熱酸化工程によりシリコン基板表面に薄膜の酸化膜を形成できると共に、ゲート電極側壁及びゲートエッジ端に信頼性を確保するのに十分な膜厚の酸化膜を形成できることより、微細化に対応可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The production method includes a process of forming a film consisting of any of an oxide of molybdenum silicon, nitride of molybdenum silicon, oxide nitride of molybdenum-silicon, nitride of silicon and oxide nitride of silicon on a quartz substrate, and a process of forming a phase shift mask pattern by reactive ion etching to selectively etch and remove the film by using an etching gas containing gaseous chlorine.例文帳に追加

石英基板上にモリブデン−シリコンの酸化物、モリブデン−シリコンの窒化物、モリブデン−シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁