process ionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1107件
Its manufacturing method makes an incident angle time-controlled evaporation and an energy time-controlled evaporation to the object to process in an ion evaporation machine by using the ion flow drawn out from the ion source through the duct to a film forming chamber.例文帳に追加
また、その製造方法は、イオン蒸着装置において、イオン源からダクトを介して成膜室に引き出されるイオン流の被処理基板への入射角時間制御蒸着、エネルギー時間制御蒸着を特徴とする。 - 特許庁
In the ion implantation apparatus which is used in the impurity introducing process executed between the film forming process and activating annealing process, ion current density distribution, movement of substrate or beam progressing angle are controlled so that the substrate has the desired impurity density distribution on the basis of the control data to which the data of the film forming process and activating annealing process are added.例文帳に追加
成膜工程と活性化アニール工程の間で行われる不純物導入工程で使用されるイオン注入機において、前記成膜工程のデータと前記活性化アニール工程のデータを加えた制御用データに基づいて、前記基板が所望の不純物密度分布を持つように、イオン電流密度分布及び基板の移動、又は、ビーム進行角を制御する。 - 特許庁
In a method for processing a solid surface to make it even by using a gas cluster ion beam, at least during part of a period of a gas cluster ion beam radiation process, a radiation angle made by the normal line of a solid surface and the gas cluster ion beam is made larger than 70°, and the gas cluster ion beam is focused using a lens mechanism without separating the monomer ion, thus radiating it.例文帳に追加
ガスクラスターイオンビームを用い、固体表面を平坦に加工する方法において、ガスクラスターイオンビームの照射過程の少なくとも一部の期間において固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす照射角度を70度より大きくし、かつモノマーイオンを分離せずにガスクラスターイオンビームをレンズ機構によってフォーカスさせて照射する。 - 特許庁
The method for manufacturing a semiconductor device has a process to heat a substrate composed of SiC to be 400°C or lower, and to perform ion implantation to the substrate.例文帳に追加
SiCからなる基板を400℃以下に加熱して、当該基板にイオン注入を行う工程を有する。 - 特許庁
To reduce the frequency of replacement of a peripheral member which is consumed by ion irradiation of a plasma, and to stabilize the process characteristics.例文帳に追加
プラズマのイオン照射により消耗した周辺部材の交換頻度を減らし、プロセス特性の安定化を図る。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor element for suppressing a decrease in a degree of vacuum in an ion implantation process.例文帳に追加
イオン注入工程における真空度の低下を抑制することができる半導体素子の製造方法を得る。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for satisfactorily determining the finish of a cleaning process of an ion exchange resin.例文帳に追加
イオン交換樹脂の洗浄工程の終了を良好に判定することができる方法及び装置を提供する。 - 特許庁
To provide a fluorescent substance that has excellent sputtering resistance so as to prevent the degradation by ion sputtering and to provide a process for producing the fluorescent substance.例文帳に追加
イオンスパッタによる劣化を防ぐスパッタ耐性に優れた蛍光体及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
The method comprises an analysis process by a TOP-SIMS (Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometer).例文帳に追加
TOF−SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析装置)による分析工程を有するトナーの製造方法。 - 特許庁
The durability to the wire hardness and the wire contamination is improved by adopting the ion implantation process in manufacturing the wire.例文帳に追加
ワイヤの硬度とワイヤ汚染に対する耐性は、ワイヤ製造においてイオン注入法を採用することで改善される。 - 特許庁
In the following cooling process, the GaN thick film 15 is stripped from the sapphire substrate 11 in the ion implantation region 14.例文帳に追加
その後の冷却過程でGaN厚膜15をイオン注入領域14においてサファイア基板11から剥離する。 - 特許庁
In the ion implantation process (S12), ions are implanted in a pattern region 1A exposed from the opening 2A of the resist mask 2.例文帳に追加
イオン注入工程(S12)は、レジストマスク2の開口2Aから露出するパターン領域1Aにイオンを注入する。 - 特許庁
Dissolved copper ions are removed by making decontamination agent liquid flow to a cation exchange resin column 3 (a metal ion removal process).例文帳に追加
溶解した銅イオンは除染剤液をカチオン交換樹脂塔3に通水して除去する(金属イオン除去工程)。 - 特許庁
PROCESS FOR PRODUCING POLYMER MICROSPHERE IN FORM OF SURFACE IMPRINTED CORE-SHELL STRUCTURE FOR SELECTIVELY SEPARATING HEAVY METAL ION例文帳に追加
重金属イオンの選択的分離のための表面刻印入りコア−シェル形態のポリマー微小球体の製造方法 - 特許庁
The concentration of chromium ion in the alkaline solution of the alkaline immersion process is controlled to be 50 ppm or less.例文帳に追加
そして、アルカリ浸漬工程におけるアルカリ溶液中のクロムイオン濃度を50ppm以下に規制するようにしている。 - 特許庁
This process ensures the manufacture of a highly crystalline graphite powder having a small specific surface area and many Li ion- invasion sites.例文帳に追加
高結晶性で、比表面積が小さく、Liイオンの侵入サイトを多く持つ黒鉛粉末が確実に製造できる。 - 特許庁
METHOD FOR IMPROVING CHLORIDE ION PERMEATION RESISTANCE OF HIGH-BELITE CEMENT CONCRETE, PRODUCTION PROCESS OF THE SAME CONCRETE, AND CEMENT COMPOSITION例文帳に追加
高ビーライトセメントコンクリートの塩化物イオン浸透抵抗性の改善方法、コンクリートの製造方法およびセメント組成物 - 特許庁
Either alkali fusion by a strongly basic salt or reduction treatment is used as the ion-exchange group disabling process.例文帳に追加
このイオン交換基不能化処理工程としては、強塩基性塩によるアルカリ融解、還元処理のいずれかを用いる。 - 特許庁
To provide an ion-sensitive organic-inorganic composite which is excellent in film forming ability and from which an easy-to-process self-supporting film is available and its manufacturing process.例文帳に追加
製膜性に優れ、加工性良好な自立膜の形成も可能なイオン感応性を有する有機−無機複合体およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
After a process of forming a first i-type semiconductor layer or a process of forming a second i-type semiconductor layer, hydrogen radical treatment without using ion is performed.例文帳に追加
第1のi型半導体層を形成する工程または第2のi型半導体層を形成する工程の後に、イオンを用いない水素ラジカル処理を施す。 - 特許庁
To provide a remote plasma CVD device eliminating an etching product from a member for shielding an ion seed generated at a CNT growth process and to provide the CNT growth process.例文帳に追加
CNT成長プロセスにおいて発生するイオン種を遮蔽する部材からのエッチング生成物をなくしたリモートプラズマCVD装置及びCNT成長方法の提供。 - 特許庁
To provide an electromagnetic induction accelerator capable of easily adjusting the velocity of plasma ion and excellent in anisotropy, selectivity, film homogeneity and process reproducibility, and usable for an etching process.例文帳に追加
プラズマイオンの速度を容易に調節でき、異方性、選択性、膜均質度及び工程再現性に優れるエッチング工程に利用可能な電磁気誘導加速器を提供する。 - 特許庁
To provide a lithium-ion battery warning protective device capable of preventing generation of faults, such as, damages caused by cumulative cross protection, in the charging process of a lithium ion battery, and to provide a method therefor.例文帳に追加
リチウムイオンバッテリーの充電過程において累積干渉効果による焼損などの傷害の発生を防止できるリチウムイオンバッテリー警報保護装置及びその方法を提供する。 - 特許庁
After ion implantation, the padding oxide film 21 is used as the capping oxide film for preventing out-diffusion, and then impurities subsequent to the ion implantation is thermally diffused to form the well 2 (a process shown in (b)).例文帳に追加
イオン注入後、パッド酸化膜21をアウトディフュージョン抑止用のキャップ酸化膜として用いて、イオン注入後の不純物を熱拡散させ、ウエル2を形成する(図2(b)に示す工程)。 - 特許庁
To provide a method of low-energy doping for high-concentrated carrier impurity atoms with high time-efficiency compared with a conventional ion implantation process, in usual processing time of ion implantation.例文帳に追加
これまでのイオン注入処理に比べて、高い時間効率で高濃度のキャリア不純物原子を、通常のイオン注入の処理時間で低エネルギードーピングできる方法を提供する。 - 特許庁
To provide an electrolyte inclusion separator for a lithium ion secondary battery, in which the manufacturing process of the lithium ion secondary battery can be simplified and in which the electrolyte is made to be spread throughout the battery.例文帳に追加
リチウムイオン2次電池の製造工程を簡略化でき、電池内に確実に電解液を行き渡らせることができるリチウムイオン2次電池用電解液封入セパレータを提供する。 - 特許庁
To provide an apparatus and a method for ion irradiation processing capable of continuously executing the heating and the ion processing of a substrate in a film deposition process at the same position.例文帳に追加
成膜工程における基板の加熱処理とイオン処理を、同じ位置において連続的に実施することができるイオン照射処理装置及びイオン処理方法を提供する。 - 特許庁
Preferably, the manufacturing method further includes a process S103 for removing an ion layer injected into the silicon substrate in the slit portion formed in the etching mask material by the focused ion beam.例文帳に追加
好ましくは、電子部品の製造方法は、集束イオンビームでエッチングマスク材に形成したスリット部分のシリコン基板に注入されたイオン層を除去する工程S103をさらに備える。 - 特許庁
In the glass manufacturing method, after a sodium concentration decrease process is carried out for lowering the sodium concentration of a glass surface more than the sodium concentration of a glass center, and a process of chemical reinforcement treatment is carried out for immersing the glass in a molten salt containing a potassium ion to substitute a portion of the sodium ion in the glass with the potassium ion.例文帳に追加
ガラス表面のナトリウム濃度を、ガラス中心部のナトリウム濃度よりも低くするナトリウム濃度低減工程を行った後、カリウムイオンを含む溶融塩に前記ガラスを浸漬し、前記ガラス中のナトリウムイオンの一部を前記カリウムイオンと置換する化学強化処理工程を行うガラスの製造方法。 - 特許庁
The manufacturing method of the polymer electrolyte has: a process for film-forming the block copolymer having the ion-conductive block; and a process for forming an ion-conductive section arranged in the thickness direction of the electrolyte film by uniaxially orienting a cylinder-shaped domain for forming the ion-conductive block of the film-formed block copolymer.例文帳に追加
イオン伝導性ブロックを有するブロック共重合体を成膜する工程、成膜したブロック共重合体のイオン伝導性ブロックが形成するシリンダー状ドメインを一軸配向させて、電解質膜の厚さ方向に配列したイオン伝導部を形成する工程を有する高分子電解質膜の製造方法。 - 特許庁
This manufacturing method is composed of a first process for executing blast treatment, alkali cleaning, or ethanol cleaning on a valve element base material surface corresponding to the sliding surface or on the valve seat base material surface, a second process for executing surfacing, a third process for executing Cr ion bombardment treatment, and a fourth process for forming a CrN film by an ion plating method.例文帳に追加
さらに、本発明の製法は、摺動面に相当する弁体基材表面または弁座基材表面をブラスト処理、アルカリ洗浄またはエタノール洗浄する第1工程、面仕上げをする第2工程、Crイオンボンバード処理する第3工程、およびイオンプレーティング法によりCrN被膜を形成する第4工程からなる。 - 特許庁
A second ion implanting process (c1) implants the additional function layer 4 with ions at its surface as much as the total dose in the first and second planting processes exceeding the critical dose at the same deposition depth position as that in the first ion implanting process, thus making the peel-expected ion implanted layer 3 into a peeling ion implanted layer 3'.例文帳に追加
第2のイオン注入工程(c1)で、付加機能層4の表面側から第1のイオン注入工程でイオン注入されたのと同じ深さ位置となるように、第1のイオン注入工程でイオン注入されたドーズ量と合わせて臨界ドーズ量以上となるドーズ量のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層3を剥離用イオン注入層3’とする。 - 特許庁
The ion component analyzing method for analyzing the ion component eluted in wastewater by an ion chromatography method has a separation process for separating the organic acid ions and inorganic ions eluted in wastewater by the ion chromatography method and an analyzing method for qualitatively analyzing the organic acid ions and inorganic ions separated in the separation process and quantitatively analyzing them after the qualitative analysis.例文帳に追加
イオンクロマトグラフィー法によって排水中に溶出するイオン成分を分析するイオン成分分析方法であって、前記排水中に溶出する有機酸イオン及び無機イオンをイオンクロマトグラフィー法によって分離する分離工程と、 前記分離工程で分離された有機酸イオン及び無機イオンを定性分析し、前記定性分析後に定量分析する分析工程とを有する。 - 特許庁
To provide an ion implantation apparatus which may reduce shift of ion implantation quantity without calculating the beam neutralization (beam ionization) even when ion species, beam current, implantation energy, and resist material, etc., are different by ion implanting under a pressure within a chamber of more than 1×10-4 Torr so as to prevent shift of ion implantation amount in ion implantation process during manufacture of semiconductor device.例文帳に追加
半導体装置の製造工程におけるイオン注入において、注入量のシフトを防ぐためにチャンバ内の圧力を1×10^−4Torr以上の状態にしてイオン注入することにより、イオン種、ビーム電流、注入エネルギー、レジスト材料などが異なる場合でも、ビーム中性化(又はイオン化)の計算を行うことなく、イオン注入量のシフトを少なく抑えたイオン注入装置を提供する。 - 特許庁
This manufacturing method includes: a coating process for coating a nucleus material surface gasified by heating with a film containing a powder-like lithium ion storage member; and a heating process for gasifying the nucleus material after the coating process.例文帳に追加
また、製造方法は、加熱によりガス化する核材表面に、粉状のリチウムイオン吸蔵部材を含有する膜を被覆する被覆工程と、被覆工程の後に核材をガス化させる加熱工程とを有する。 - 特許庁
In this way, an implantation process for heavy ion and a heat treatment process for recovery of crystallinity for each of the implantation process are repeated for several times, thereby forming a P type channel diffusion layer 12 on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加
このように、重イオンの注入工程及び該注入工程ごとの結晶性回復の熱処理工程を複数回繰り返すことにより、半導体基板11の上部にP型チャネル拡散層12を形成する。 - 特許庁
To provide a nitrate transport protein which is originated from a plant belonging to the genus Nicotiana and participates in a process that a plant absorbs nitrate ion from the outside and further in a process for the intercellular transport of the absorbed nitrate ion in the plant, and to provide a gene encoding the protein.例文帳に追加
植物が外界から硝酸イオンを吸収する過程、更に吸収した硝酸イオンの植物内での細胞間輸送に関与しているニコチアナ属由来の硝酸輸送タンパク質と、それをコードする遺伝子を提供すること。 - 特許庁
To provide a resin composition for an ion implantation process which is high in the uniformity of resist pattern dimension in a step part of a substrate and is excellent in an embedding property in the step part, and to provide a method of forming a pattern using the resin composition for the ion implantation process.例文帳に追加
基板の段差部におけるレジストパターン寸法の均一性が高く、段差部の埋込性が良好である、イオン注入工程用の樹脂組成物及び該イオン注入工程用の樹脂組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
The manufacturing method includes a process of forming a second insulation film on the wiring layer formed on the first insulation film after the defect is irradiated with the converged ion beam when irradiation of the converged ion beam is selected in the selection process.例文帳に追加
そして、選択工程において集束イオンビームを照射すると選択された場合には、欠陥に集束イオンビームを照射した後、第1の絶縁膜上に形成された配線層上に第2の絶縁膜を形成する工程を有する。 - 特許庁
The manufacturing method includes a process of forming a second insulation film on the wiring layer formed on the first insulation film without irradiating the defect with the converged ion beam when the irradiation of the converged ion beam is not selected in the selection process.例文帳に追加
また、選択工程において集束イオンビームを照射しないと選択された場合には、欠陥に集束イオンビームを照射せずに第1の絶縁膜上に形成された配線層上に第2の絶縁膜を形成する工程を有する。 - 特許庁
When the oxygen ions 16 are implanted, divided into a plurality of number of times, the periphery of the mask oxide film 23 is removed by etching or, is padded for enlargement between the previous oxygen ion implantation process and the subsequent oxygen ion implantation process.例文帳に追加
酸素イオン16の注入が複数回に分けて行われる場合には、先の酸素イオン注入工程と後の酸素イオン注入工程との間にマスク酸化膜23の周縁をエッチング除去するか或いは肉盛りをして拡大させても良い。 - 特許庁
The ion-exchangeable layered silicate particles are prepared by a method of manufacturing ion-exchangeable layered silicate particles characterized by including a first granulation process for manufacturing granules having a surface area of 40 m^2/g or more by granulating the ion-exchangeable layered silicate, and a second granulation process for pulverizing the granules prepared in the first granulation process and re-granulating them, to manufacture granules.例文帳に追加
イオン交換性層状珪酸塩を造粒して表面積が40m^2/g以上である造粒体を製造する第1の造粒工程と、第1の造粒工程で得られた造粒体を粉砕してから再度造粒して造粒体を製造する第2の造粒工程と含むことを特徴とするイオン交換性層状珪酸塩粒子の製造方法による。 - 特許庁
The measuring method of biogenic components comprises a process to extract the tissue fluid from a living organism into an extraction medium and accumulate the intended component to be measured and inorganic ion in the extracted tissue fluid, a process to acquire ion information on the content of the above accumulated inorganic ion, and a process to acquire component information on the amount of the above accumulated component to be measured.例文帳に追加
生体から組織液を抽出媒体中へ抽出し、抽出された組織液中の測定対象成分および無機イオンを蓄積する工程と、蓄積された前記無機イオンの量に関するイオン情報を取得する工程と、蓄積された前記測定対象成分の量に関する成分情報を取得する工程とを含む生体内成分測定方法。 - 特許庁
The method comprises a process for forming a gradient concentration type SiGe film having concentration inclination of Ge on a substrate whose surface is formed of silicon, a process for forming a cap semiconductor film on the gradient concentration type SiGe film, a process for performing ion implantation for the substrate and a process for annealing the substrate.例文帳に追加
表面がシリコンからなる基板上にGeの濃度勾配をもつ傾斜濃度型SiGe膜を形成する工程と、傾斜濃度型SiGe膜上にキャップ半導体膜を形成する工程と、基板にイオン注入する工程と、基板をアニールする工程を備える。 - 特許庁
When the method is applied to the salt water generated in a gas treatment system upon gasification reforming of waste under a reductive atmosphere, an Fe removal process, a Zn removal process, a salt water concentration process and a salt crystallization/separation process are provided prior to the ion exchange treatment.例文帳に追加
この発明を廃棄物を還元性雰囲気下でガス化改質処理した際にガス処理系で発生する塩水に適用する場合には、イオン交換処理の前に、Fe除去工程、Zn除去工程、塩水濃縮工程、塩晶析・分離工程を設ける。 - 特許庁
The spin torque generator having a self-matching structure may be formed using the same ion milling process for demarcating the track width.例文帳に追加
トラック幅を画定する同じイオンミリング工程を用いて、自己整合構造を有するスピントルク発振器を形成してもよい。 - 特許庁
To provide an ion generating device capable of destaticizing and removal of an organic substance in a manufacturing process of a semiconductor or liquid crystal or the like.例文帳に追加
半導体や液晶等の製造プロセスにおける除電及び有機物除去が可能なイオン発生装置を提供する。 - 特許庁
This method for producing the yeast extract includes extracting an extract from yeast using alkali ion water, and adjusting pH using acid water in the following process.例文帳に追加
酵母菌体より、アルカリイオン水を用いてエキスを抽出し、その後の工程で酸性水を用いてpH調整を行う。 - 特許庁
(a): The process in which a coating liquid layer is formed by application of a coating liquid containing catalyst and ion-exchange resin on a base material.例文帳に追加
(a)基材の上に、触媒およびイオン交換樹脂を含む塗工液を塗工して塗工液層を形成する工程。 - 特許庁
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