process ionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1107件
After the end of water supply in a final rinsing process, the ion exchange means 29 is regenerated.例文帳に追加
また、最終すすぎ工程の給水終了後、イオン交換手段29の再生を行う。 - 特許庁
By the ion implantation process via the insulating layer 26, extension regions 28 and 30 are formed.例文帳に追加
絶縁層26を介してのイオン注入処理によりエクステンション領域28,30を形成する。 - 特許庁
In the ion implantation process (S1), He^+ ions are implanted into a single-crystal base material 1 of the piezoelectric material.例文帳に追加
イオン注入工程(S1)では、圧電体の単結晶基材1へHe^+イオンを注入する。 - 特許庁
To provide a process for adsorbing and removing ammonium ion from an aqueous stream by using a crystalline molecular sieve.例文帳に追加
水性ストリームから、アンモニウム・イオンを結晶性分子ふるいを用いて吸着除去する方法。 - 特許庁
Then, ions can be implanted up to a depth different from that in the ion implantation performed previously (process (b)).例文帳に追加
すると、先に行ったイオン注入と異なる深さまでイオンを注入することができる(b)。 - 特許庁
By this constitution, the charge up of the substrate W formed in an ion implanting process can be suppressed.例文帳に追加
この構成により、イオン注入過程で生じる基板Wのチャージアップを抑制できる。 - 特許庁
After the drying by a hot blast, an argon ion bombardment process is preferably carried out to the surface of the undercoat.例文帳に追加
前記熱風乾燥の後に、アンダーコートの表面に、アルゴンイオンボンバードを行うことが好ましい。 - 特許庁
To provide a means for detecting alignment accuracy with high accuracy, in an ion implantation process.例文帳に追加
イオン注入工程におけるアライメント精度を、高精度に検出する手段を提供すること。 - 特許庁
To check the damage rate of a photosensitive film and the infiltration of ion impurities during an etching process.例文帳に追加
エッチング工程時の感光膜の損傷率及びイオン不純物の浸透を防止すること。 - 特許庁
The ferromagnetic storage domains may be formed in the multiferroic thin film by an ion implantation process.例文帳に追加
強磁性記憶ドメインは、イオン注入プロセスによってマルチフェロイック薄膜中に形成される。 - 特許庁
A process for forming the intermediate film, the lower electrode or the piezoelectric film is provided with a process for forming a first layer by an ion beam assist method, and a process for forming a second layer by stopping an ion beam assist and succeeding deposition.例文帳に追加
前記中間膜、下部電極又は圧電体膜を形成する工程は、イオンビームアシスト法で第1層を形成する工程と、イオンビームアシストを止めて堆積を継続して第2層を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁
The process for forming the breaking layer comprises (1) a process for forming an ion implanted layer by implanting ions or (2) a process for forming a porous layer by anodic oxidation.例文帳に追加
破断層を形成する工程は、(1)イオン注入をしてイオン注入層を形成する工程、(2)陽極酸化により多孔質層を形成する工程、をとることができる。 - 特許庁
The gas pressure regulating method comprises a decomposing process of decomposing the gas into the ion by the first pole, a conduction process of conducting the decomposed ion to the second pole side via the ion conductor sandwiched between the first pole and the second pole, and a converting process of converting the conducted ion again into the gas by the second pole.例文帳に追加
第1極でガスをイオンに分解する分解工程と、分解された前記イオンを、前記第1極と第2極との間に挟持されたイオン伝導体を通して前記第2極側に伝導する伝導工程と、伝導された前記イオンを前記第2極にて再びガスに転化する転化工程とを有するガス圧調整方法。 - 特許庁
A condensation process and a deposition process are controlled based on the lithium ion concentration calculated from the electrical conductivity, thus manufacturing lithium salts.例文帳に追加
この電気伝導度から算出したリチウムイオン濃度に基づき濃縮工程および析出工程を制御してリチウム塩を製造する。 - 特許庁
Before the lamination of the ion-exchange membrane disposed on the biological interface with a medicine solution holding layer in a production process of the iontophoresis apparatus, a counter ion of an ion exchange radical of the ion-exchange membrane is substituted by a medicine ion by the impregnation beforehand with the medicine solution, or the like.例文帳に追加
イオントフォレーシス装置の製造工程において、生体界面上に配されるイオン交換膜を薬剤溶液保持層と積層するに先立ち、予め薬剤溶液に含浸させるなどして、該イオン交換膜の有するイオン交換基の対イオンを薬剤イオンと置換しておく。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a stencil mask for ion implantation, having thermal resistance and durability which improves the fault, where a membrane is bent as a result of generation of heat, caused by a collision of an ion beam and improves the ion implantation accuracy, in an ion implantation process which uses the stencil mask for ion implantation.例文帳に追加
イオン注入用ステンシルマスクを用いたイオン注入工程において、イオンビームの衝突による発熱に起因してメンブレンが撓むという欠点を改善し、イオン注入精度を向上させた耐熱性及び耐久性を有するイオン注入用ステンシルマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁
This annealing process can be applied mainly to a polishing process for manufacturing the wafer, or an ion implantation process, a dry etching process or a chemical mechanical polishing process for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加
本発明のアニーリングが主として適用される段階としては、ウェーハを製作するためのポリシング段階、半導体素子を製造するための各種のイオン注入段階、ドライエッチング段階、化学的及び機械的ポリシング段階がある。 - 特許庁
To simplify a process for ion-exchanging by an ion-exchange aqueous solution in a process for manufacturing an artificial zeolite, and to reduce a facility cost and a running cost and to shorten a treating time, while enabling to carry out the sufficiently satisfactory ion-exchange.例文帳に追加
人工ゼオライトを製造する工程におけるイオン交換水溶液によるイオン変換の工程を簡素化し、充分に満足できるイオン変換を行うことができながら、設備コスト及びにランニングコストの低減と処理時間の短縮を図ること。 - 特許庁
The treatment method for the brewing waste liquid includes a process for subjecting the brewing waste liquid to solid-liquid separation treatment, a process for filtering the solution separated in the solid-liquid separation process, a process for electrodialyzing the filtered solution to separate an ion component and a process for treating the solution, from which the ion component is separated, with activated sludge.例文帳に追加
醸造廃液を固液分離する工程、該固液分離工程により分離された溶液を濾過する工程、濾過後の溶液を電気透析しイオン成分を分離する工程、イオン成分が分離された溶液を活性汚泥処理する工程を含むことを特徴とする醸造廃液の処理方法。 - 特許庁
Since the etching rate increases in the ion implantation region 3, etching is performed to a larger degree and, therefore, the substrate 1 having a shape in accordance with the ion implantation depths is completed (process(d)).例文帳に追加
イオン注入領域3では、エッチングレートが大きくなるので、大きくエッチングされ、イオン注入深さに応じた形状の基板1が完成する(d)。 - 特許庁
To provide a negative electrode material for a lithium ion battery, capable of being produced in a simple process and consequently suppressing production costs, and a method for producing the negative electrode material for a lithium ion battery.例文帳に追加
簡単な工程で与えられ、結果として製品コストを抑制し得るリチウムイオン電池用負極材料及びその製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a metal ion removing device for removing metal ions in a fuel and improving efficiency of a metal ion removing process.例文帳に追加
燃料に含まれる金属イオンを除去する金属イオン除去装置において、金属イオンの除去工程を効率化する金属イオン除去装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor ion sensor that prevents covering an ion sensitive section when covering a semiconductor substrate, and can make a covering process simple.例文帳に追加
半導体基板を被覆する際、イオン感応部を被覆する事が無く、かつ被覆の工程を簡略化することのできる半導体イオンセンサを提供する。 - 特許庁
The regeneration treatment of an ion exchange resin 37 is performed in the middle of a washing process, whereby water is supplied while recovering ion removing ability.例文帳に追加
洗濯工程の途中でイオン交換樹脂37を再生する処理を行うことにより、イオン除去能力を回復させながら給水するようにする。 - 特許庁
When the amount of noise is within a specified range, the ion implantation process is started (S4), and normal measurement of an ion beam current using the Faraday cage is carried out (S5).例文帳に追加
ノイズ量が規格範囲内であればイオン注入処理が開始され(S4)、ファラデーを利用した通常のイオンビーム電流の測定が行われる(S5)。 - 特許庁
In Step S43, the sequencer holds a measured ion implantation time in an implantation time memory 11m and terminates an ion implantation time count process.例文帳に追加
ステップS43において、注入時間メモリ11m内の測定イオン注入時間をホールドするとともに、イオン注入時間カウント処理を終了する。 - 特許庁
In a process of forming a second ion implanting layer, ion implantation is carried out so that temperatures of the plurality of wafers reach within a target temperature ±5°C.例文帳に追加
第2イオン注入層を形成する工程において、前記複数のウェーハの温度が目標温度±5℃以内に到達するようにイオン注入を行う。 - 特許庁
In a second process, the remainder of the ion exchange resin 51 is filled in the container 10 without being mixed with water to form an unhydrated ion exchange resin layer 50b.例文帳に追加
次に、第2の工程で残部のイオン交換樹脂51を水と混合せずに容器10内に充填して無加水イオン交換樹脂層50bを形成する。 - 特許庁
In a process of forming a first ion implanting layer, ion implantation is carried out so that temperatures of the plurality of wafers reach within a target temperature ±5°C.例文帳に追加
第1イオン注入層を形成する工程において、複数のウェーハの温度が目標温度±5℃以内に到達するようにイオン注入を行う。 - 特許庁
The chemical conversion solution is prepared by executing the ion-exchange process to an acid aqueous solution, the chelate agent may be added in the chemical conversion solution, or a chemical conversion process may be executed in a state contacting the ion-exchange resin.例文帳に追加
また、酸水溶液にイオン交換処理を行って化成液を調製し、化成液にキレート剤を添加してもよいし、イオン交換樹脂と接触した状態で化成処理を行ってもよい。 - 特許庁
Furthermore, because the optical microscope 15 is out of a vacuum chamber, when an ion etching process of the sample 6 is carried out, no stain caused by particles dispersed from the sample in the ion etching process is formed on a lens of the optical microscope 15.例文帳に追加
また、試料6のイオンエッチングの際には光学顕微鏡15が真空チャンバ外にあるので、イオンエッチングによって試料から飛散した粒子で光学顕微鏡15のレンズが汚れることはない。 - 特許庁
To form a dose region of a plurality of species on one wafer in a one time ion implantation process without masking, etc., in an ion implanter and an ion implanting method.例文帳に追加
イオン注入装置及びイオン注入方法において、マスキング等を行うことなしに、1回のイオン注入プロセスで1枚のウェハ上に複数種類のドーズ量領域を形成することができるようにする。 - 特許庁
In an ion beam processing method for irradiating gas cluster ion beams to process works, the processing is performed by stepwise or continuously decreasing a value of an acceleration voltage which accelerates the gas cluster ion beams.例文帳に追加
ガスクラスターイオンビームを照射してワークを加工するイオンビーム加工方法であって、ガスクラスターイオンビームを加速する加速電圧の値を段階的に又は連続的に減少させながら加工を行う。 - 特許庁
An accelerated voltage is generated between an ion source and a sample P, and ion beam B released from the ion source are focused and irradiated on a given processing position P3 to process the surface of the sample P.例文帳に追加
イオン源と試料Pとの間に加速電圧を生じさせ、イオン源から放出されるイオンビームBを集束し所定の加工位置P3に照射させて、試料Pの表面を加工する。 - 特許庁
Also, in another method, the optical waveguide grating is manufactured through a first stage ion exchange process wherein the ion exchange is performed for a specified time while applying the electric field in fused salt after the dope film forming process and the optical waveguide is formed, a process for removing residual dope films on the grass substrate and a second stage ion exchange process for further embedding the optical waveguide into the glass substrate.例文帳に追加
ドープ膜形成工程後に、溶融塩中で電界印加しながら所定時間イオン交換を行い光導波路を形成する第1段階のイオン交換工程、ガラス基板上の残存ドープ膜除去工程、光導波路を更にガラス基板中に埋め込む第2段階のイオン交換工程を経る方法もある。 - 特許庁
Scale development is suppressed by performing a metal ion inactivation process of inactivating metal ion by pouring a chelating agent into the fluid containing calcium and silica and circulating through a flow passage on the side downstream of a production well outlet, and an alkaline agent pouring process of pouring the alkaline agent into the fluid at the same time as the metal ion inactivation process or after the metal ion inactivation process.例文帳に追加
生産井出口より下流側の流路を通流するカルシウム及びシリカを含有した流体にキレート剤を注入することにより金属イオンを不活性化する金属イオン不活性化工程と、前記金属イオン不活性化工程と同時あるいは前記金属イオン不活性化工程より後に前記流体へアルカリ剤を注入するアルカリ剤注入工程とを行うことによりスケール発生を抑制する。 - 特許庁
PRODUCTION PROCESS OF CARBON FOR LITHIUM ION SECONDARY CELL NEGATIVE ELECTRODE, USING HYDROCARBON DECOMPOSITION REACTION AND HYDROCARBON DECOMPOSITION CATALYST USED FOR THE SAME PROCESS例文帳に追加
炭化水素分解反応によるリチウムイオン二次電池負極用炭素の製造方法及びこれに用いる炭化水素分解反応触媒 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device can form an ohmic electrode by a low-temperature process without using an ion implantation process.例文帳に追加
イオン注入工程を用いることなく、低温プロセスでオーミック電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
A large number of small holes a diameter of which is about 0.1-10 μm are formed, for example, by laser beam process and convergent ion beam process on the mesh member 2.例文帳に追加
メッシュ部材2には、径が0.1〜10μm程度の微小孔、を例えばレーザービーム加工、集束イオンビーム加工によって、多数形成しておく。 - 特許庁
To provide an effective structure for a movement through connection in a vacuum process as an ion injection or the like.例文帳に追加
イオン注入等の真空プロセスへの動作貫通接続に特に有効である構造体の提供。 - 特許庁
A plasma having an ion density of at least 10^11 ions/cm^3 is formed from the process gas.例文帳に追加
少なくとも10^11イオン/cm^3のイオン密度を有するプラズマがプロセスガスから形成される。 - 特許庁
The first method makes impressed electric field intensity in the second ion exchange process lowered with the lapse of time.例文帳に追加
第1の方法は、第2のイオン交換工程における印加電界強度を、時間と共に低下させる。 - 特許庁
Using a simple process requiring no ion doping, a very highly integrated nonvolatile memory device can be embodied.例文帳に追加
イオンドーピングの必要ない単純な工程を通じて超高集積の不揮発性メモリ素子が具現できる。 - 特許庁
Another process includes using low energy beams for ion beam lithography to make the nanopores.例文帳に追加
別のプロセスは、ナノ孔を作るためイオンビームリソグラフィーのための低エネルギーイオンビームを使用する工程を備える。 - 特許庁
In general, a method and equipment control ion dose in real time during plasma process.例文帳に追加
本発明は、一般に、プラズマ処理中に実時間にてイオンドーズを制御する方法及び装置を提供する。 - 特許庁
A p-side electrode 18 is used as a mask for ion implantation to further simplify the process.例文帳に追加
また、イオン注入のマスクとしてp側電極18を用いて、工程を更に簡略化することができる。 - 特許庁
Ion implantation process for implanting heavily impurities which are low in diffusion coefficient within a substrate is carried out.例文帳に追加
重くて基板内の拡散係数が低い不純物を注入するイオン注入工程が実施される。 - 特許庁
the temporary or reversible process in which a molecule or ion is broken down into smaller molecules or ions 例文帳に追加
分子またはイオンがより小さな分子またはイオンに分解される一時的なまたは可逆的な段階 - 日本語WordNet
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