「process ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The ion implantation method of implanting ion by irradiating ion beams IB on a semiconductor substrate W through a deflector consists of a process of slanting a beam irradiation face 14a of the deflector 14 against the semiconductor substrate in a stationary state, and a process of irradiating the ion beams IB from the slanted beam irradiation face 14a and implanting ion into the semiconductor substrate W.例文帳に追加

イオンビームＩＢを偏向器１４を介して半導体基板Ｗに照射しイオンを注入するイオン注入方法において、静止させた半導体基板Ｗに対して偏向器１４のビーム出射面１４ａを傾斜させる工程と、傾斜させたビーム出射面１４ａからイオンビームＩＢを照射し、半導体基板Ｗへイオンを注入する工程とを有する。 - 特許庁

Moreover, the method may include an oxidation process in which an oxidizing agent is added into a solution obtained in the dissolving process, and thereby which oxidizes an iron (II) ion contained in the solution to an iron (III) ion.例文帳に追加

また、本発明の方法は、前記溶解工程において得られた溶液中に酸化剤を加えることによって、当該溶液中に含まれる鉄（II）イオンを鉄（III）イオンに酸化させる酸化工程を含んでもよい。 - 特許庁

To provide a process and an apparatus for drawing an oxygen negative ion which reduce the oxygen negative ion (O^-) generated from a side wall of an oxygen negative ion-generating substrate and increase an yield of a current value of the oxygen negative ion (O^-) which is to be drawn toward a Wehnert electrode.例文帳に追加

酸素負イオン発生基材の側壁から発生する酸素負イオン（Ｏ^−）を低減し、引出電極に向かって引出されるべき酸素負イオン（Ｏ^−）の電流値の収量を増加させる酸素負イオン引出方法及び引出装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an ion implantation simulation device for computing an ion concentration distribution accurately at a high speed by incorporating a beam dispersion phenomenon of an ion implantation process imparting an important affection to characteristics of an advanced semiconductor device.例文帳に追加

先端半導体デバイスの特性に重要な影響を与えるイオン注入工程のビーム分散現象を取り入れてイオン濃度分布を高速、かつ精度良く計算するイオン注入シミュレーション装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a stencil mask which reduces flexure of a membrane resulting from ion beam heat generation, and has excellent heat resistance, durability, and ion implantation accuracy, in an ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入工程において、イオンビーム発熱に起因したメンブレンのたわみを低減し、優れた耐熱性や耐久性およびイオン注入精度を有するステンシルマスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This ion beam processing apparatus comprises an ion source 1 having a pulling-out electrode 20 for generating a plasma 50 and pulling out an ion beam from the plasma 50, and a processing room 7 for applying an ion beam process to the substrate 40 by irradiating the ion beam pulled out by the pulling-out electrode 20 to the substrate 40 sustaining the substrate 40.例文帳に追加

イオンビーム処理装置は、プラズマ５０を生成して、プラズマ５０からイオンビームを引出す引出し電極２０を有するイオン源１と、基板４０を保持し、引出し電極２０によって引出されたイオンビームを基板４０に照射して、基板４０に対してイオンビーム処理を行う処理室７とを備えている。 - 特許庁

The hard film is formed by repeating a stage where a film is formed by a cathode discharge type arc ion plating process and a stage where a film is formed by a sputtering process.例文帳に追加

カソード放電型アークイオンプレーティング法で皮膜を形成する工程とスパッタリング法で皮膜を形成する工程を繰り返して形成する。 - 特許庁

The method for producing the antimicrobial agent includes a process for mixing silver or a silver salt and the chloride for supplying chloride ion with water and a process for removing water.例文帳に追加

抗菌剤の製造方法は、銀または銀塩と、塩化物イオンを供給する塩化物と、水とを混合する工程と水を除去する工程とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the piezoelectric composite substrate including the single-crystal thin film of the piezoelectric material includes an ion implantation process (S1) and a separation process (S2).例文帳に追加

圧電体の単結晶薄膜を備える圧電性複合基板の製造方法であって、イオン注入工程（Ｓ１）と剥離工程（Ｓ２）とを含む。 - 特許庁

A method of machining a nano tube includes a process of radiating ion 2 on the nano tube and a process of oxidizing the nano tube.例文帳に追加

本発明のナノチューブの加工方法は、ナノチューブ１にイオン２を照射する工程と、前記ナノチューブ１を酸化する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

Therefore, a process covering the conductive carbon particles with the hydrogen ion conductive polymer electrolyte and a process carrying a catalyst are continuously conducted.例文帳に追加

これにより、導電性炭素粒子への水素イオン伝導性高分子電解質の被覆工程および触媒の担持工程を連続的に行える。 - 特許庁

In the implantation inhibition layer removing process, the implantation inhibition layer is removed from the silicon carbide substrate to which the ions are implanted in the ion implantation process.例文帳に追加

注入阻止層除去工程では、イオン注入工程においてイオンが注入された炭化珪素基板から注入阻止層を除去する。 - 特許庁

The first getter layer 16 is formed on all the surface of the substrate 19 through an ion implantation process which is carried out before an epitaxial growth process.例文帳に追加

第１のゲッタ層１６は、基板１９の全面に形成されており、エピタキシャル成長工程の前のイオン注入工程によって形成される。 - 特許庁

The very shallow impurity diffusion layer is formed by conducting an annealing process using RLSA plasma, after performing carrying out ion implantation process at low energy.例文帳に追加

極浅の不純物拡散層は、低エネルギーでのイオン打ち込み工程の後、ＲＬＳＡプラズマを用いたアニール工程を行うことにより形成される。 - 特許庁

A method of producing the silicon-based material layer comprises: a process of forming an amorphous layer having a specified thickness on a silicon-based substrate; a process of doping the amorphous layer with a specified metal ion; and a process of annealing the amorphous layer doped with the metal ion.例文帳に追加

また、Ｓｉベースの基板に所定厚さの非晶質層を形成する工程と、非晶質層に所定の金属イオンをドーピングする工程と、金属イオンがドーピングされた非晶質層をアニーリングする工程とを含むＳｉベースの物質層の製造方法である。 - 特許庁

The method includes a process of forming ion associated products to allow boric acid ions (BO_3^3-) to react with organic alcohols to produce ion associated products and a process of forming precipitates to allow the ion associated products formed by the above process to react with alkaline earth metals to produce precipitates so as to fixing boron in the precipitates formed in the above process of forming precipitates.例文帳に追加

ホウ酸イオン（ＢＯ_3^3-）と有機アルコールとを反応させてイオン会合体を形成するイオン会合体形成工程と、前記工程により形成されたイオン会合体とアルカリ土類金属とを反応させることにより沈殿物を形成する沈殿物形成工程とを行うことにより、前記沈殿物形成工程において形成される沈殿物中にホウ素を固定化するようにする。 - 特許庁

To evaluate with higher accuracy the influence on atoms forming a substrate due to irradiation of ion in regard to ion radiation effect evaluation method, process simulator, and device simulator.例文帳に追加

イオン照射効果評価方法、プロセスシミュレータ及びデバイスシミュレータに関し、イオン照射にともなって基板を構成する原子が受ける影響を精度良く評価する。 - 特許庁

In this impurity ion implanting process, the impurity ions are implanted into the semiconductor wafer, as a pulse-like ion beam 1 intermittently repeating on and off.例文帳に追加

この不純物イオン注入工程において、不純物イオンを断続的にオン及びオフを繰り返すパルス状のイオンビーム１として半導体ウェーハに注入する。 - 特許庁

The sample ion moved into the reaction chamber 2 is practically protected from an effect of an electric field generated at the corona discharge chamber 1 being as a part of the reagent ion generating process.例文帳に追加

反応室２へ入った被検イオンは、実質的に、試薬イオン発生工程の一部としてコロナ放電室１で発生した電場の影響から保護される。 - 特許庁

A first ion implanting process (a1) implants a bond wafer 1 with ions below a critical dose at the side facing an insulation film 2 to form a peel-expected ion implanted layer 3.例文帳に追加

第１のイオン注入工程（ａ１）で、ボンドウェーハ１の絶縁膜２側から臨界ドーズ量未満のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層３を形成する。 - 特許庁

A first process for adsorbing ammoniacal nitrogen in waste water by an ion exchanger, a second process for desorbing anmoniacal nitrogen adsorbed on the ion exchanger by a bromide solution and third process for removing ammoniacal nitrogen from the regenerated waste liquid obtained in the second process by ozone are provided.例文帳に追加

排水中のアンモニア性窒素をイオン交換体に吸着させる第１工程と、前記イオン交換体に吸着したアンモニア性窒素を臭化物塩溶液によって脱着させる第２工程と、第２工程で得られる再生排液から、オゾンによりアンモニア性窒素を除去する第３工程とからなる。 - 特許庁

To provide wiring structure that can prevent charging damages in a plasma process such as reactive ion etching(RIE), etc.例文帳に追加

ＲＩＥ等のプラズマ工程におけるチャージングダメージを防止することが可能な配線構造を提供する。 - 特許庁

In a final impregnation (process 5), a nickel positive electrode plate is submerged in a cobalt chloride mixed solution containing ammonium ion.例文帳に追加

最終含浸（工程５）において、ニッケル正極板をアンモニウムイオンを含むコバルト塩混合溶液中に浸漬する。 - 特許庁

PROCESS FOR PREPARATION OF ACYL HETEROAROMATIC COMPOUND FROM HETEROAROMATIC COMPOUND BY USING METAL ION EXCHANGE CLAY例文帳に追加

金属イオン交換クレーを用いてヘテロ芳香族化合物からアシルヘテロ芳香族化合物を調製する方法 - 特許庁

An ion exchange process can separate the two polypeptide variant when racemization of an amino acid residue has taken place.例文帳に追加

アミノ酸残基のラセミ化が生じたときに、2つのポリペプチド変異体を分離することができるイオン交換プロセス。 - 特許庁

Then, an anti-punch through layer 13A is formed in the P-type well 11A by a second ion implantation process.例文帳に追加

そして、第２のイオン注入工程により、Ｐ型ウエル１１Ａの中に、パンチスルー防止層１３Ａを形成する。 - 特許庁

After an ion implanting process has been carried out, a group of element isolating oxide films are embedded in the trenches 51a, 52a, and 53a.例文帳に追加

イオン注入工程の後に、トレンチ５１ａ，５２ａ，５３ａに素子分離用酸化膜群が埋め込まれる。 - 特許庁

An oxygen-containing first process gas is flown along the cathode side of a first oxygen selective ion transportation film.例文帳に追加

酸素を含有する第１プロセス気体が第１酸素選択性イオン輸送膜のカソード側に沿って流される。 - 特許庁

Thereby, an ion implantation region 3 having a prescribed pattern and prescribed depths is formed in the substrate 1 (process (a)).例文帳に追加

これにより、基板１中に所定パターンで所定深さを有するイオン注入領域３が形成される（ａ）。 - 特許庁

The conductivity of the thin film on the side wall is enhanced by ion bombardment carried out periodically during the etch process.例文帳に追加

側壁上の薄膜の導電性はエッチ処理中に周期的に行うイオン衝突により増強される。 - 特許庁

To provide a negative electrode for a lithium ion secondary battery with a long charge/discharge cycle life using an inexpensive production process.例文帳に追加

充放電サイクル寿命の優れたリチウムイオン２次電池用負極を安価な製造工程で提供する。 - 特許庁

To provide a glass system which behaves advantageously in the construction of a microstructure, especially in a process comprising reactive ion etching.例文帳に追加

微細構造構築時、特に反応性イオンエッチングの方法時に有利に挙動するガラス系を提供する。 - 特許庁

To provide a method for easily manufacturing a nano-gap electrode by a new lithographic process using a converged ion beam.例文帳に追加

集束イオンビームを用いた新たなリソグラフプロセスによりナノギャップ電極を容易に製造する方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the number of manufacturing processes for a semiconductor device by eliminating resist processes before and after an ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入工程前後のレジスト工程が不要とし、半導体装置の製造工程数を削減する。 - 特許庁

The manufacturing method includes an oxide film forming process for forming an oxide film 12 which is a protective film over the entire surface of a semiconductor substrate 11, a metal thin film forming process for forming a metal thin film 13 on the oxide film 12, and an ion preventing layer forming process for forming an ion preventing layer 14 of the metal having an ion preventing function on the metal thin film 13.例文帳に追加

半導体基板１１上の全面に保護膜である酸化膜１２を形成する酸化膜形成工程と、酸化膜１２上に金属薄膜１３を形成する金属薄膜形成工程と、金属薄膜１３上にイオン阻止能を有する金属からなるイオン阻止層１４を形成するイオン阻止層形成工程と、を有する。 - 特許庁

The method includes the steps of providing a metal ion sequestration resin for removal of radioisotopes of transition metal impurities contained in plant process streams, and distributing the metal ion sequestration resin into the plant process streams such that the metal ion sequestration resin interacts with the process streams and removes the transition metal impurities.例文帳に追加

この方法は、プラントのプロセスストリームに含まれる遷移金属不純物の放射性同位体を除去するための金属イオン封鎖樹脂を提供する工程と、金属イオン封鎖樹脂をプラントのプロセスストリーム中に分配することにより、金属イオン封鎖樹脂がプロセスストリームと相互作用して遷移金属不純物を除去する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a boron nitride film which has satisfactory adhesion, comprises c-BN at a high ratio and has extremely excellent practicality even in the case a PVD process such as a sputtering process and an arc ion plating process is used.例文帳に追加

スパッタリング法やアークイオンプレーティング法等のＰＶＤ法を用いた場合でも密着性が良好でｃ−ＢＮを高い割合で有する極めて実用性に秀れた窒化ホウ素膜の提供。 - 特許庁

To provide a stencil mask for ion implantation, which is used in an ion implantation process in the manufacture of a semiconductor device, has excellent ion irradiation resistance, and stably carries out high precision and high purity ion implantation for a long period of time.例文帳に追加

半導体デバイスの作製におけるイオン注入工程で使用するイオン注入用ステンシルマスクであって、イオン照射耐性に優れ、長時間に渡って、高精度かつ高純度のイオン注入を安定して行うことができるイオン注入用ステンシルマスクを提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the ion conductor comprises a process of making uniform solution by dissolving the derivative and the matter equipped with the ion-propagating group with a solvent, and a process of removing the solvent.例文帳に追加

前記誘導体と；この誘導体とは異なりかつ前記イオン伝搬性の基を有する前記物質と；を溶媒に溶解させて均一溶液にする工程と、前記溶媒を除去する工程とを有する、イオン伝導体の製造方法。 - 特許庁

This recovery method has an ammonia stripping process in which ammonia and/or an ammonium ion is stripped from the waste water by suction under reduced pressure of the head space gas in the reactor 1 in which the waste water containing ammonia and/or an ammonium ion is introduced, and an ammonia liquefaction process in which the ammonia gas stripped in the ammonia striping process is liquefied.例文帳に追加

アンモニア及び／又はアンモニウムイオンを含有する廃水を導入した反応槽１内のヘッドスペースガスを減圧吸引して廃水中からアンモニア及び／又はアンモニウムイオンを揮散させるアンモニア揮散工程と、アンモニア揮散工程で揮散したアンモニアガスを液化するアンモニア液化工程とを備えた。 - 特許庁

An exposed portion of the insulation layer 11 corresponding to an aperture 13a of a mask layer 13 is etched with the reactive ion etching, an element remaining in the process atmosphere after this reactive ion etching process is then eliminated and thereafter further etching is conducted with the sputter etching process to form a through hole.例文帳に追加

マスク層１３の開口１３ａに対応する絶縁層１１の露出部分を反応性イオンエッチングによってエッチングし、次いでこの反応性イオンエッチング後に処理雰囲気中に残留する成分を除去した後、スパッタエッチングによってさらにエッチングして貫通させる。 - 特許庁

The bio-implant manufacturing method includes: a process 1 for manufacturing the base material having the porous layer on the front surface; and a process 2 for hydrothermally processing the base material obtained in the process 1 in a water solution containing at least calcium ion of 3.75 mM and at least phosphoric acid ion of 1.5 mM.例文帳に追加

表面に多孔質層を有する基材を製造する工程１と、工程１で得られた基材を、少なくとも３．７５ｍＭのカルシウムイオン及び少なくとも１．５ｍＭのリン酸イオンを含む水溶液中にて水熱処理する工程２と、を含む生体インプラントの製造方法。 - 特許庁

In an ion implantation process of irradiating a plurality of wafers with the ion beam while rotating a wafer disk where the plurality of wafers are loaded, the beam current of the ion beam is measured to determine whether the beam current has periodic variation.例文帳に追加

複数のウェーハを装填したウェーハディスクを回転させながら、該複数のウェーハにイオンビームを照射するイオン注入工程において、イオンビームのビーム電流が測定され、ビーム電流に周期変動が存在するかが判定される。 - 特許庁

To provide an ion generator, an air conditioner, and a method of manufacturing the ion generator, with a structure for efficiently pouring mold resin for insulation while preventing generation of air bubbles in a manufacturing process of the ion generator.例文帳に追加

イオン発生装置における製造工程で絶縁のためのモールド樹脂を気泡の発生を防いで効率よく流し込むことが可能な構成のイオン発生装置、空気調節装置およびイオン発生装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method, both K ion and Na ion are used as the second momnovalent ions in the second molten salt in the second ion-exchange process, and a ratio of the both ions is adjusted in response to the composition of the original glass substrate.例文帳に追加

製造方法としては、第２のイオン交換工程における第２の溶融塩中の第２の１価イオンとしてＫイオンとＮａイオンの両方を用い、両者の比率をガラス基板本来の組成に応じて調整する。 - 特許庁