「process ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

By the irradiation of laser light, the implanted ion impurities and the crystal damaged at the time of implantation are subjected to the activation and the restoration process, respectively.例文帳に追加

レーザ光を照射してイオン注入した不純物の活性化と注入時に損傷を受けた結晶の回復処理を行う。 - 特許庁

In the ion implantation process, the ions are implanted to the silicon carbide substrate where the implantation inhibition layer is formed with the implantation inhibition layer as the mask.例文帳に追加

イオン注入工程では、注入阻止層が形成された炭化珪素基板に注入阻止層をマスクとしてイオンを注入する。 - 特許庁

A silicon oxide film of ≤5 μm thickness is formed by a sol-gel process on a nitride film formed by cathode arc type ion plating.例文帳に追加

また、カソードアーク式イオンプレーティング法で形成した窒化膜上に、ゾル・ゲル法で５μｍ以下の酸化珪素膜を形成した膜構造。 - 特許庁

The forming method is provided with a film-forming process forming a transparent conductive film 12 on the substrate 5, a crystallization process to crystallize the transparent conductive film 12 by irradiating assist gas ionized from an ion gun 11 towards the transparent conductive film 12 after the film-forming process is completed, and a repetition process repeating the film-forming process and the crystallization process alternatively after the crystallization process is completed.例文帳に追加

基板５上に透明導電膜１２を成膜する成膜工程と、前記成膜工程が終了した後に、イオンガン１１からイオン化したアシストガスを透明導電膜１２に向かって照射することにより、透明導電膜１２を結晶化させる結晶化工程と、前記結晶化工程が終了した後に、前記成膜工程と前記結晶化工程を交互に繰り返す繰り返し工程と、を備えたこと。 - 特許庁

The ion attachment mass spectroscopy is a method of producing attached ions through a process in which metal ions bearing positive electric charges generated in a metal ion generation region 1 are attached to molecules of the gas to be measured in an attachment region 2 and then the mass spectrometric process is conducted for the attached ions in a mass spectroscopic region 3.例文帳に追加

このイオン付着質量分析方法は、金属イオン発生領域１で発生させた正電荷の金属イオンを付着領域２で被測定ガスの分子に付着させて付着イオンを生成し、その後、質量分析領域３で付着イオンの質量分析を行う方法である。 - 特許庁

This method for producing an iron oxide for the raw material of ferrite, having a process for preliminarily treating the amount of ferrous ion to 70 to 95 wt.% based on the total iron amount of an etching waste liquid and a process for spraying and roasting the etching liquid in which the amount of the ferrous ion is adjusted, and a device for producing the iron oxide.例文帳に追加

エッチング廃液の全鉄量に対する第一鉄イオン量を７０〜９５重量％に調整する前処理工程と、第一鉄イオン量が調整されたエッチング廃液を噴霧焙焼する工程とを有するフェライト原料用酸化鉄の製造方法および装置。 - 特許庁

In a Monte Carlo simulation calculating process of an ion implantation process, when scattering of a cluster-type molecular ion consisting of ten or more atoms is calculated by the Monte Carlo method, a travelling direction of decomposed individual atom is defined in a uniform random direction spatially at decomposition processing of the cluster-type molecule.例文帳に追加

イオン注入プロセスのモンテカルロシミュレーション計算過程において、１０個以上の原子からなるクラスター型分子イオンのモンテカルロ法による散乱を計算する場合に、クラスター型分子の分解処理の時に、分解した個々の原子の進行方向を空間的に一様ランダムな方向に決定する。 - 特許庁

In a pre-amorphous process, an amorphous region is formed in a semiconductor region by performing the ion implantation of a IV group element, or an ion implantation of at least any one of arsenic (As), phosphorous (P), halogen, and inert gas elements, or an ion implantation under the conditions of a low temperature lower than -10°C.例文帳に追加

半導体領域内に、プレアモルファス工程では、IV族元素のイオン注入、又はヒ素（Ａｓ），リン（Ｐ），ハロゲン元素及び不活性ガス元素のうち少なくともいずれか１つのイオン注入、又は−１０℃よりも低い低温条件でイオン注入を行なってアモルファス領域を形成する。 - 特許庁

Then, the region RN-1, Where ion is implanted under the condition, is shielded with a mask, and related to the remaining CN, with a mask for exposure in-between, an ion-implantation process is performed with a region 44 under conditions which compensates for the ion-implantation conditions to the remaining region.例文帳に追加

以後、前記適合した条件でイオン注入された領域ＲＮ−１はマスクで遮断して、残り領域ＣＮは露出させるためのマスクを介在して前記残り領域に対するイオン注入条件を補償する条件で領域４４にイオン注入工程を遂行する。 - 特許庁

To solve the problem that a process for decreasing a leak current caused by an influence of defect in an implantation of a fluorine ion is required for a p-channel MOS transistor which suppresses diffusion of a boron ion to channel regions in a lateral direction by the fluorine ion to prevent an occurrence of a short channel effect.例文帳に追加

フッ素イオンによりボロンイオンのチャネル領域への横方向拡散を抑制して短チャネル効果の発生を防止するｐチャネル型ＭＯＳトランジスタには、フッ素イオン注入時の欠陥による影響起因のるリーク電流を減らすプロセスが必要となっている。 - 特許庁

In one embodiment, a tandem (MS/MS) mass spectrometric analytical method includes selection for a collision induction dissociation (CID) voltage amplitude and a q parameter value as to a quadrupole ion trap, so as to optimize a daughter ion fragmentation process with respect to a prescribed parent ion mass-to-charge (m/z) ratio.例文帳に追加

ある実施形態において、タンデム（ＭＳ／ＭＳ）質量分析方法は、所与の親イオン質量対電荷（ｍ／ｚ）比に対して娘イオン断片化プロセスを最適化するように、四重極イオントラップに関する衝突誘発解離（ＣＩＤ）電圧振幅およびｑパラメータ値を選択することを含む。 - 特許庁

The transmittance for light of an optical material is suppressed by laser irradiation at a time of ion irradiation without melting or softening the optical material for a crystal or amorphous transparent optical material in a damaging environment by an ion injection process or ion irradiation.例文帳に追加

イオン注入プロセスもしくはイオン照射損傷環境下における結晶質あるいは非晶質の透明性光学材料に対し、これら光学材料の溶融あるいは軟化を行うことなく、イオン照射と同時にレーザーを照射して光学材料の光透過率の低下を抑える。 - 特許庁

To provide a metal ion sensor comprising a simple material and device which easily detects saturation of an adsorbent visually, in a process for recovering a metal ion contained in water, a soil or the like, by the absorbent, to be solidified, and allows for reusing easily a detecting material by photo-irradiation, and a metal ion absorber provided with the ion sensor.例文帳に追加

水や土壌等の中に含まれる金属イオンを吸着材によって回収、固定化する工程において、材料および装置が簡易的で、目視にて容易に吸着材の飽和を検出することができ、かつ、光照射により容易に検知材料を再利用できる金属イオンセンサー、及び該センサーを備えた金属イオン吸着装置を提供する。 - 特許庁

The surface processing method has a third step to introduce an ion source 31 of a gaseous carbon cluster into a vacuum chamber 12 in which the workpiece 32 is contained without using a carrier gas, subsequently to apply a high frequency voltage to the ion source and making it into plasma to generate a carbon cluster ion 33, and to apply a negative voltage to the workpiece 32 and to ion process it by making its surface irradiated with the carbon cluster ion 33.例文帳に追加

被加工物３２が収容された真空槽１２中に、キャリアガスを用いずに気体状の炭素クラスターイオン源３１を導入後、高周波電圧を印加してプラズマ化して炭素クラスターイオン３３を生成させ、被加工物３２に負電圧を印加して表面に炭素クラスターイオン３３を照射することによりイオン加工する第３工程とを有することを特徴とする表面加工方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an active material for a lithium ion secondary battery positive electrode where generation of a corrosive gas can be controlled in the process of manufacturing lithium manganate as the active material for the lithium ion secondary battery positive electrode.例文帳に追加

マンガン酸リチウムによるリチウムイオン二次電池正極活物質を製造する過程で、腐食性ガスの発生を抑制可能なリチウムイオン二次電池正極活物質の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To excellently circulate an electrolyte in the electrode compartment of a large-sized aqueous alkali metal salt solution electrolytic cell of the ion- exchange membrane process and to maintain the current density in long-period electrolysis and the service life of the ion-exchange membrane.例文帳に追加

大型のイオン交換膜法アルカリ金属塩水溶液電解槽の電極室内電解液の内部循環を良好にし、長期間の電解における電流効率の維持とイオン交換膜寿命の維持を図る - 特許庁

In a first process, a part of ion exchange resin 51 to fill a container 10 is mixed with water to prepare a slurry-like mixture, and the mixture is filled in the container 10 to form a hydrated ion exchange resin layer 50a.例文帳に追加

第１の工程として、容器１０内部に充填されるイオン交換樹脂５１の一部を水と混合してスラリー状にして容器１０に充填して加水イオン交換樹脂層５０ａを形成する。 - 特許庁

To provide an electrolyte composition, an electrolyte using the same, and a production process thereof, wherein corrosion of a peripheral member and degradation in ion conductivity are less apt to occur, if used as an ion conductor of various electricochemical devices.例文帳に追加

各種電気化学デバイスのイオン伝導体として用いた場合に、周辺部材の腐食やイオン伝導性の低下が生じ難い電解液組成物及びこれを用いた電解液およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lithium-ion capacitor which enables easy coating of an electrode-combining agent to an electric collector, and also enables highly effective doping of a lithium ion to a negative electrode by using a positive and the negative electrodes formed through a simple process.例文帳に追加

集電体への電極合剤の塗工が容易であって、簡便な方法により形成された正極および負極を用いて、リチウムイオンの負極への効率のよいドープが可能なリチウムイオンキャパシタを提供する。 - 特許庁

In such a production process, firing can be performed at a low temperature, and the oxygen ion conductive solid electrolyte which exhibits high oxygen ion conductivity even when it is operated at a low temperature and has high strength can be produced.例文帳に追加

このような製造方法は、低温で焼成を行うことができ、低温で動作させても高酸素イオン伝導性を備え、高強度である酸素イオン伝導性固体電解質を作製することができる。 - 特許庁

To improve the operating efficiency for an ion implantation apparatus for conducing ion implantation, in order to form an impurity dispersed layer on a semiconductor wafer, for example, the producing process of a semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、例えば、半導体装置の製造過程における、半導体ウェーハに不純物拡散層を形成するためにイオン注入を行うイオン注入装置に関し、稼働効率を向上させることが課題である。 - 特許庁

Instead of a conventional edging process of free magnetic layers, a halo ion implant process is utilized to make the exposed portion of the free magnetic layer constituting an MTJ substance layer amorphous, and the portion that is made amorphous is oxidized by the following heat process.例文帳に追加

従来の自由磁化層のエッジング工程の代わりにハロイオンインプラント工程を利用してＭＴＪ物質層を構成する自由磁化層の露出した部分を非晶質化し、後続熱工程で前記非晶質化された部分を酸化することによる。 - 特許庁

An impurity 12, which determines the etching rate on the surface of a metal film 11 which is an etched film on a wafer 10 that is formed in a film-forming process, is ion-implanted in advance, in an impurity implantation process before the etching process.例文帳に追加

成膜工程にて形成されるウェハ１０上の被エッチング膜である金属膜１１の表面に対するエッチングレートを律速するような不純物１２を、エッチング工程前の不純物注入工程にて予めイオン注入しておくようにする。 - 特許庁

This method of manufacturing the carbon nanotube-metal nanoparticle composite material includes a first process of forming a self-organized structure of an organic molecule on the surface of the carbon nanotube, a second process of bonding a metal ion to a terminal end of the organic molecule, and a third process of generating a metal nanoparticle by reducing the metal ion.例文帳に追加

本発明のカーボンナノチューブ‐金属ナノ粒子複合材料の製造方法は、カーボンナノチューブの表面に有機分子の自己組織化構造を形成させる第１工程と、該有機分子の末端に金属イオンを結合させる第２工程と、該金属イオンを還元して金属ナノ粒子を生成させる第３工程と、を有している。 - 特許庁

The method for separating the metallic elements includes an adsorption process for allowing impregnated ion exchangers made by impregnating an extractant into a carrier to adsorb metallic elements in a liquid solution and an eluting process for eluting the metallic elements adsorbed by the impregnated ion exchangers in the adsorption process in an extractant saturation elution liquid which is prepared so that the saturation concentration of the extractant can be reached.例文帳に追加

この金属元素の分離方法は、溶液中の金属元素を、抽出剤を担体に含浸してなる含浸イオン交換体に吸着させる吸着工程と、該吸着工程で前記含浸イオン交換体に吸着された前記金属元素を、抽出剤飽和濃度に調製した抽出剤飽和溶離液に溶離させる溶離工程とを含む。 - 特許庁

The negative electrode for the lithium ion secondary battery is manufactured by a method of manufacturing the negative electrode for the lithium ion secondary battery comprising a kneading process of preparing slurry by kneading the negative electrode active material, conductive assistant and the binder, a coating process of coating the slurry on the collector, and a drying process of drying the collector coated with the slurry.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池用の負極は、負極活物質と導電助剤と結着剤とを混練してスラリーを調製する混練工程と、前記スラリーを集電体に塗布する塗布工程と、前記スラリーを塗布した前記集電体を乾燥する乾燥工程とからなるリチウムイオン二次電池用の負極の製造方法により製造される。 - 特許庁

The manufacturing method of the SiC semiconductor device includes a process in which a dopant is ion-implanted on at least a part of the surface of SiC monocrystal, a process in which an Si film is formed on the surface of the SiC monocrystal after ion implantation, and a process in which the SiC monocrystal on which the Si film is formed is heated at the melting temperature of the Si film or higher.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶の表面の少なくとも一部にドーパントをイオン注入する工程と、イオン注入後のＳｉＣ単結晶の表面上にＳｉ膜を形成する工程と、Ｓｉ膜が形成されたＳｉＣ単結晶をＳｉ膜の溶融温度以上の温度に加熱する工程と、を含む、ＳｉＣ半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

A process for diffusing the plasma generated in the plasma generation chamber 202 between the two electrodes 206, 208, and ion extraction process for returning electrons in the diffused plasma toward the direction of the plasma generation chamber 202 and extract ions in the plasma in a direction opposite to the direction thereof, an ion flow forming process to direct the ions to the processed object are performed sequentially.例文帳に追加

該プラズマ発生室内で発生されたプラズマを上記二つの電極間に拡散させる工程と，拡散された該プラズマ中の電子はプラズマ発生室の方向に戻し，該プラズマ中のイオンはその逆の方向に引き出すイオン引き出し工程と，及び該イオンを被処理物に向けるイオン流形成工程とが順次実施される。 - 特許庁

To provide a method for producing carbon monoxide in which a process for purifying obtained gaseous carbon monoxide and a process for regenerating an ion exchange resin are not necessary when carbon monoxide is produced by decomposing methyl formate in the presence of the ion exchange resin, advantages are ensured in terms of a process and heat energy and high purity carbon monoxide is stably produced over a long period of time.例文帳に追加

イオン交換樹脂の存在下でギ酸メチルを分解して一酸化炭素を製造する際に、得られた一酸化炭素ガスの精製プロセスおよびイオン交換樹脂の再生プロセスが不要であり、プロセス面および熱エネルギー面で優位で、且つ、長期間に渡り、安定して高純度一酸化炭素を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Also, after the above fifth process, a new Gemini type fluorine-based surfactant can be obtained by even performing a sixth process of ion-exchanging the obtained Gemini type fluorine-based surfactant.例文帳に追加

また、前記第５工程の後、得られたＧｅｍｉｎｉ型フッ素系界面活性剤をイオン交換する第６工程を施しても、新規なＧｅｍｉｎｉ型フッ素系界面活性剤を得ることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method remarkably improving cost performance of the semiconductor device by applying an oxygen ion injection process and an annealing process to the manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

酸素イオン注入工程とアニール工程を半導体装置の製造方法に応用し、半導体装置のコストパフォーマンスを著しく向上させた半導体装置とその製造方法の提供。 - 特許庁

To reduce processing time of an ion milling process of a magnetoresistance effect film for use in a magnetoresistance effect element, thereby improve resolution of a lead element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子に使用する磁気抵抗効果膜のイオンミリング工程の加工時間を短縮し、リード素子の分解能を向上させる。 - 特許庁

In the new production method, an ammonium salt by-product is separated from hydroxylamine with low-temperature filtration and an ion exchange process.例文帳に追加

新規な製造方法は、低温ろ過およびイオン交換方法によって、アンモニウム塩副生成物をヒドロキシルアミンから分離することにより行われる。 - 特許庁

Due to the effect of a part 24 where BCB was nitrided by Ti ion, no peeling of the Cu film 25 takes place during polishing or that of the Cu wiring 26 in a post process.例文帳に追加

TiイオンでBCBが窒化された部分２４の効果により、研磨中のCu膜２５の剥離や、後工程でのCu配線２６の剥離は発生しない。 - 特許庁

In an NMOS forming region 10A, a channel stopper layer 14A is formed in a P-type well 11A by a first ion implantation process.例文帳に追加

ＮＭＯＳ形成領域１０Ａにおいて、第１イオン注入工程により、Ｐ型ウエル１１Ａの中に、チャネルストッパ層１４Ａを形成する。 - 特許庁

To prevent a sealing resin from covering an ion sensitive part to impair a sensor function, and to simplify the mounting work process for it.例文帳に追加

封止樹脂がイオン感応部に覆い被さってセンサ機能が損なわれることを防止し、且つそれに伴う実装作業工程を簡略化する。 - 特許庁

To provide electric insulation between optical components, without executing conventional ion implanting or etching process, in the manufacture of an integrated optical device.例文帳に追加

集積光学装置の製造につき、従前のイオン注入工程やエッチング工程を行うことなく、光素子間の電気的絶縁を実現する。 - 特許庁

The defective part inspection and the ion conductivity inspection can be selected by turning the connection of the electric circuit on or off, and can be conducted in a continuous process.例文帳に追加

欠陥部検査とイオン伝導性検査は、電気回路の接続をオフまたはオンすることで選択でき、また連続する工程で検査できる。 - 特許庁

To provide a lithium-ion battery, along with a heat-seal manufacturing method, capable of preventing entry of water into a battery, and being manufactured by a simple process.例文帳に追加

電池内への水分の侵入を防ぎ、簡易な工程によって製造されるリチウムイオン電池及びヒートシール作成方法を提供する。 - 特許庁

To diagnose a performance degradation factor of a module battery of a lithium ion secondary battery by splitting the factor into a usage environment and a manufacturing process.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池のモジュール電池の性能劣化要因を使用環境と製造工程とに切り分けて診断することができるようにする。 - 特許庁

To provide a negative ion generator which generates negative ions from a surface prepared using aluminum or its alloy as a parent material, and its manufacturing process.例文帳に追加

アルミニウム又はその合金を母材とする表面からマイナスイオンを発生させるマイナスイオン発生体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its production process being a gate electrode type and capable of suppressing ion resistance by a simple structure.例文帳に追加

ゲート電極型であって、かつ簡素な構造によりオン抵抗を抑制することができる半導体装置、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the sample S is put under etching process, an ion beam is irradiated, in a state of the shielding material M being intercalated near the processing surface SA.例文帳に追加

試料Ｓのエッチング加工時には、遮蔽材Ｍが加工面ＳＡの近傍に介在された状態でイオンビームが照射されて行われる。 - 特許庁

To supply high purity deionized water equal to theoretically pure water without the regenerating operation of an ion exchange body in a pure water production process.例文帳に追加

純水製造プロセスにおいて、イオン交換体の再生処理操作なしで、理論純水に匹敵する高純度の脱イオン水を供給する。 - 特許庁

To provide an arc ion plating apparatus where over temperature rise or abnormal discharge is hardly caused in the substrate upon bombardment, and process controllability is enhanced.例文帳に追加

ボンバードの際に、基材に過昇温や異常放電が生じ難く、ひいてはプロセス制御性の良好なアークイオンプレーティング装置を提供する。 - 特許庁