例文 (446件) |
passivation layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 446件
The lateral HEMT further includes a passivation layer, and a drift region including a lateral width w_d.例文帳に追加
横型HEMTはさらに、パッシベーション層と、横幅w_dを含むドリフト領域とを有する。 - 特許庁
The magnetic resistance elements R_1, R_2 and the wiring layer 32 are covered to form a passivation insulation film 34.例文帳に追加
素子R_1,R_2及び配線層32を覆ってパッシベーション用絶縁膜34を形成する。 - 特許庁
HERMETIC PASSIVATION LAYER STRUCTURE FOR CAPACITOR WITH PEROVSKITE PHASE OR PYROCHLORE PHASE DIELECTRICS例文帳に追加
ペロブスカイト相またはパイロクロア相誘電体を有するコンデンサ用のハーメチックパッシベーション層構造 - 特許庁
By incorporating P, Si and B in the magnetic layer 3 a passivation film is formed on the surface of the protective layer side of the magnetic layer to incorporate a protective function also in the magnetic layer 3.例文帳に追加
磁性層3にP、Si、Bを含ませることにより、磁性層表面の保護層側に不動態皮膜を形成し、磁性層3にも保護機能を持たせる。 - 特許庁
A color filter layer is formed on the passivation layer and a first thickness of the color filter layer in the reflection region is smaller than a second thickness of the color filter layer in the transmission region.例文帳に追加
カラーフィルター層は、パッシベーション層上に形成され、反射領域のカラーフィルター層の第一厚さは、透過領域のカラーフィルター層の第二厚さより小さい。 - 特許庁
A transcription layer 13 for transcription object is composed of an organic material, and installed on a forming face of the passivation layer 11.例文帳に追加
転写対象となる転写層13は、有機材料からなるもので、不動態層11の形成面上に設けられている。 - 特許庁
Further, the bimetal layer 5 has its outer peripheral end 5b formed outside the step portion 3b of the passivation layer 3 in plan view.例文帳に追加
また、バリアメタル層5は、平面的に見て、外周端部5bがパッシベーション層3の段差部3bの外側に形成されている。 - 特許庁
A heat sink 30 (that is formed, for example, of Al) is mounted on the passivation layer 28 with an adhesive layer 29 interposed therebetween.例文帳に追加
パッシベーション層28上には、接着剤層29を介してヒートシンク30(例えばAlによって形成)が取り付けられている。 - 特許庁
A diffusion blocking layer, i.e., an intermediate layer 10, is provided on the side opposite to the substrate 2 while being coated with a passivation layer 3 of glass.例文帳に追加
サブストレートと反対側上に中間層10としての拡散阻止層を備えており、拡散阻止層の方は、ガラスより成る不動態層3で被覆されている。 - 特許庁
By altering thickness of a passivation layer, dielectric layer or organic layer in the two sub-pixels, the total capacitances of the two sub-pixels are different.例文帳に追加
二つのサブ画素における保護層の厚さ、誘電層の厚さおよび有機層の厚さを変えて、二つのサブ画素の合計容量値を相違させる。 - 特許庁
The photoresist layer patterned is used as an etching mask, and the passivation layer and the insulated layer are etched to expose a side wall of the drain terminal 208a.例文帳に追加
このパターン化したフォトレジスト層をエッチング・マスクとして、前記パシベーション層及び絶縁層をエッチングして、前記ドレイン端子208aの側壁を露出させる。 - 特許庁
The passivation layer has partially absorbing properties, and the transmittance to the radiation emitted from the array of the semiconductor layers during the operation of the semiconductor chip, can be adjusted during the manufacturing period of the passivation layer.例文帳に追加
パシベーション層は部分吸収性であり、ここで半導体層列から半導体チップの作動中放出される放射に対する透過度がパシベーション層の製造期間に調整設定可能である。 - 特許庁
A protective recessed part 200, 1000 formed with a sidewall passivation layer is formed through the passivation layer 118, 902 and the intermetal dielectric layer 112, and located between the metal wire 114 and the outside edge of the integrated circuit 100, 900.例文帳に追加
側壁パッシベーション層を備えた保護凹部[200][1000]は、パッシベーション層[118][902]および金属間誘電層[112]を通して形成され、金属ワイヤ[114]と集積回路[100][900]の外側のエッジとの間にある。 - 特許庁
A liquid crystal layer thickness adjusting layer 65 is formed on the passivation film 64 in the reflection region 50B and the pixel electrode 55 is formed on the passivation film 64 of the transmission region 50A and on the liquid crystal layer thickness adjusting layer 65 of the reflection region 50B.例文帳に追加
反射領域50Bのパッシベーション膜64上には、液晶層厚調整層65が形成され、透過領域50Aのパッシベーション膜64上、および反射領域50Bの液晶層厚調整層65上に、画素電極55が形成される。 - 特許庁
To provide a photoelectric conversion member including a passivation layer that is suitable for a structure provided with a heat dissipation mechanism.例文帳に追加
放熱機構を設けた構造に適したパッシベーション層を有する光電変換部材を提供する。 - 特許庁
In addition, the epitaxial silicon carbide passivation layer can be configured to deplete fully at zero device bias.例文帳に追加
また、エピタキシャル炭化ケイ素保護層が、0デバイスバイアスで完全空乏状態になるように構成される。 - 特許庁
Finally, microlens layers 48 are formed on the second passivation layer 44 so as to exist on the respective color filters.例文帳に追加
最終的に各カラーフィルタ上に位置するように第2パシベーション層上にミクロレンズ層が形成される。 - 特許庁
A passivation film 22 and an organic protective film 23 form a closed-loop opening on a cap layer 47.例文帳に追加
また、パッシベーション膜22および有機保護膜23がキャップ層47上に閉環状開口部を形成する。 - 特許庁
The sealing film 17 is composed of a passivation film 18 and a moisture absorbing layer 19 formed on the inside thereof.例文帳に追加
封止膜17はパッシベーション膜18と、その内側に形成された吸湿層19とにより構成されている。 - 特許庁
To provide a photovoltaic the efficiency of which is improved by increasing a hydrogen content of a passivation layer.例文帳に追加
パッシベーション層の水素含有量を増加させることで、効率を改善した太陽電池を提供する。 - 特許庁
A passivation layer is formed on a thin film transistor, on the gate line, and on the data line, and the pixel electrode is exposed.例文帳に追加
パッシベーション層が薄膜トランジスタと、ゲートラインと、データラインに形成され、画素電極を露出させる。 - 特許庁
Subsequently, wiring electrodes Dh, Sh of drain and source are formed on the passivation film 22 by etching thus forming electrodes of two layer structure for the drain and source.例文帳に追加
その一部25aは孔24に入り込んで電極D、電極Sと夫々接続する。 - 特許庁
The passivation structure is used for a semiconductor device, having a high-ultraviolet permeable silicon (UV-SiN) layer.例文帳に追加
高紫外線透過性珪素(UV−SiN)層を有する半導体装置のためのパッシベーション構造である。 - 特許庁
Furthermore, the semiconductor element is provided with a passivation layer (3) arranged on the metal/insulator structure (2).例文帳に追加
さらに、半導体素子は、金属/絶縁体構造(2)上に配置されたパッシベーション層(3)を備えている。 - 特許庁
SILICON CARBIDE BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR HAVING SILICON CARBIDE PASSIVATION LAYER ON BASE REGION AND METHOD OF FABRICATING THEREOF例文帳に追加
ベース領域上に炭化ケイ素保護層を有する炭化ケイ素バイポーラ接合トランジスタとその製造方法 - 特許庁
The photovoltaic cell includes a substrate, a passivation layer formed on one surface of the substrate, a back electrode formed on the opposite side from the surface of the substrate where the passivation layer is formed, and a carbon nanotube structure formed on the opposite side from the surface of the passivation layer connected to the substrate.例文帳に追加
本発明の太陽電池は、基板と、前記基板の一つの表面に設置されたパッシベーション層と、前記基板の、前記パッシベーション層が設置された表面と反対側に設置された背面電極と、前記パッシベーション層の、前記基板に接続された表面と反対側に設置されたカーボンナノチューブ構造体と、を含む。 - 特許庁
The method includes the steps of: providing a silicon substrate 2; depositing a surface passivation layer 3 at a rear side of the silicon substrate 2; forming delaminated regions or bubbles 1 at an interface between the surface passivation layer 3 and the silicon substrate 2; depositing a metal layer 4 on the surface passivation layer 3; and performing a metal firing.例文帳に追加
シリコン基板2を提供する工程と、シリコン基板2の裏側に表面パッシベーション層3を堆積する工程と、表面パッシベーション層3とシリコン基板2との間の界面に薄い層に裂けた領域または泡1を形成する工程と、表面パッシベーション層3の上に金属層4を堆積する工程と、金属の焼成を行う工程とを含む。 - 特許庁
Level differences corresponding to an insulating layer 30 and the wiring layer 31 are formed in a fourth insulating layer 33 covering the third wiring layer 31 and a passivation film 35.例文帳に追加
3層目の配線層31上を被覆する第4の絶縁層33及びパッシベーション膜35にも、第3の絶縁層30及び配線層31に対応する段差が形成される。 - 特許庁
A region of the contact layer 5 having neither the source electrode layer 6 nor the drain electrode layer 7 formed thereon and the high resistance layer 2 are coated with passivation layers 9a, 9b.例文帳に追加
コンタクト層5のうちソース電極層6およびドレイン電極層7が形成されていない領域の上と高抵抗層2の上とは、パッシベーション層9a,9bにより覆われている。 - 特許庁
The outer circumferential end 5b of the barrier metal layer 5 is formed inside the first opening 3a of the passivation layer 3 in a planar view.例文帳に追加
また、バリアメタル層5は、平面的に見て、外周端部5bがパッシベーション層3の第1開口部3aの内側に形成されている。 - 特許庁
The thermal head comprises a plurality of heating resistor layers formed in rows on a substrate, and electrodes provided on respective heating resistor layers in connected therewith wherein a passivation layer is provided beneath each heating resistor layer, an opening is provided in the passivation layer at a position corresponding to the heating resistor part, and a space layer is formed by removing a dummy layer formed beneath the passivation layer from that opening by etching.例文帳に追加
基板上に複数の発熱抵抗体層を列状に形成し、各発熱抵抗体層上に電極をそれぞれ接続してなるサーマルヘッドにおいて、前記各発熱抵抗体層の下部にはパシベーション層を具備し、このパシベーション層の発熱体部に位置する部分に開口部を設け、この開口部からパシベーション層の下部に配したダミー層をエッチング除去して空間層を形成した。 - 特許庁
A first passivation layer 22 is applied on a semiconductor device 12 and a base dielectric laminate 42, which has a thickness greater than that of the first passivation layer, is affixed to a first surface 18 of the semiconductor device.例文帳に追加
半導体デバイス12上に第1のパッシベーション層22が施工され、ベース誘電体積層体42が、半導体デバイスの第1の表面18に付加され、第1のパッシベーション層よりも大きな厚みを有する。 - 特許庁
A region in the AlGaAs emitter layer 5, which is not covered with the GaAs emitter layer 6, is a passivation region 10, and a base electrode 11 in contact with the base layer 4 is formed inside the opening part of the AlGaAs emitter layer 5 so as to extend to the passivation region.例文帳に追加
AlGaAsエミッタ層5において、GaAsエミッタ層6に覆われていない領域はパッシベーション領域10となっており、AlGaAsエミッタ層5の開口部内には、ベース層4に接触するベース電極11がパッシベーション領域上まで延出するように形成されている。 - 特許庁
When an organic EL element having a passivation layer is manufactured, a gas composition ratio is set constant in forming the passivation layer by a CVD method, and a layer of which the internal stress is compression stress and a layer of which the internal stress is tensile stress are stacked on each other by modulating gas pressure.例文帳に追加
パッシベーション層を備える有機EL素子を製造するにあたり、パッシベーション層をCVD法によって形成するに際し、ガス組成比を一定とするとともに、ガス圧力を変調させて、内部応力が圧縮応力である層と内部応力が引張応力である層とを積層する。 - 特許庁
The tight adhesion strength of the ITO layer 35 and the passivation film 33 is higher than the tight adhesion strength of the contact part S1 of the intervening metallic layer 40 and the ITO layer 35.例文帳に追加
ITO層35とパッシベーション膜33との接触部S2の密着強度は仲介金属層40とITO層35の接触部S1の密着強度より強い。 - 特許庁
The organic EL element has a passivation layer in which a layer including at least one selected from a nitride, an oxide, and an oxide-nitride and a layer including a fluoride are laminated.例文帳に追加
パッシベーション層が、窒化物、酸化物及び酸窒化物から選ばれる少なくとも1つを含む層と、フッ化物を含む層とを積層したものである有機EL素子とする。 - 特許庁
Each magnetoresistive element 31 to 34 is covered with a protective film (inter-layer insulating film 40 and passivation film 60).例文帳に追加
磁気抵抗素子31〜34の各々は、保護膜(層間絶縁膜40、パッシベーション膜60)により覆われている。 - 特許庁
A first passivation stack 149 is formed on conductive runners 132 and 134 and a dielectric layer 162.例文帳に追加
第1のパッシベーション・スタック149を、導電性ランナ132、134および誘電体層162の上に形成する。 - 特許庁
After the surface treatment of the outer pad 144, a metal passivation layer 190 is formed on the outer pad 144.例文帳に追加
外側パッド144の表面処理後に、外側パッド144上に金属不動態化層190を形成する。 - 特許庁
The metal layer 3 and the passivation 2, at least on the irradiating side, are provided after irradiation with particles.例文帳に追加
少なくとも照射側の金属層(3)及びパッシベーション(2)は、粒子の照射(P)の後まで設けられない。 - 特許庁
PASSIVATION METHOD FOR IMPROVING UNIFORMITY AND REPRODUCIBILITY OF ATOMIC LAYER DEPOSITION AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION例文帳に追加
原子層堆積法および化学気相成長法の均一性および再現性を向上するパッシベーション方法 - 特許庁
To prevent a passivation film of a semiconductor chip and an interlayer insulating film of the lower layer of the same from being exfoliated and cracked.例文帳に追加
半導体チップのパッシベーション膜やその下層の層間絶縁膜の剥がれやひび割れを防止すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which cracking of a passivation layer can be suppressed, and to provide its fabricating process.例文帳に追加
パッシベーション膜にクラックが発生することを抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A metal layer is formed on the passivation film 336 and on a part in the through-hole 342 of the wiring 330.例文帳に追加
パッシベーション膜336上及び配線330のスルーホール342内の部分上に金属層を形成する。 - 特許庁
Consequently, the taps are also exposed when the passivation film is removed uniformly for exposing the upper-layer wiring.例文帳に追加
このことにより、上層配線を露出させるために一律にパッシベーション膜を除去すれば、タップも露出する。 - 特許庁
A ridge waveguide part formed at a center comprises not the passivation film 105 but the contact layer 104.例文帳に追加
ここで、中央に形成されたリッジ導波路部はコンタクト層104を備えるがパッシベーション膜105を備えない。 - 特許庁
A waveguide side part formed on both sides comprises not the contact layer 104 but the passivation film 105.例文帳に追加
また、両側に形成された導波路側部はパッシベーション膜105を備えるがコンタクト層104を備えない。 - 特許庁
To provide a semiconductor device, of which the passivation layer is not damaged by the probe needle of an inspection device.例文帳に追加
検査装置のプローブ針がパッシベーション層を傷つけることのない半導体素子を提供することにある。 - 特許庁
The coated pigment includes an inorganic substrate 12 with surface-anchoring groups, optionally coated with a passivation layer 15, and a manganese oxide nanoparticles layer 18 coating the substrate.例文帳に追加
場合によっては不動態化層15で被覆された、表面固定基を有する無機基材12を、酸化マンガンナノ粒子層18で被覆する。 - 特許庁
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