「passivation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The device includes a relatively thick passivation layer 20 to reduce traps caused by device processing, and thin passivation layers 16, 18 below a gate terminal 38 to reduce the gate current leakage.例文帳に追加

該デバイスは、デバイスの加工に起因するトラップを減少させるため比較的厚い不動態化層２０と、ゲート電流の漏れを減少させるためゲート端子３８の下方の薄い不動態化層１６、１８とを含む。 - 特許庁

The semiconductor chip 1 further includes an interlayer insulating film 90 and a passivation film 2, and respective side surfaces of the interlayer insulating film 90 and the passivation film 2 are covered with the sealing resin layer 5 that gets into the trench 11.例文帳に追加

また、半導体チップ１は、層間絶縁膜９０やパッシベーション膜２をさらに含んでおり、層間絶縁膜９０やパッシベーション膜２の各側面は、溝１１に入り込んだ封止樹脂層５に被覆されている。 - 特許庁

Next, a first resist layer 27 opening on the fuse layer 18T is used as a mask to etch the second passivation film 26 to a midpoint in the thickness direction of a third insulating film on the fuse layer 18T.例文帳に追加

次に、ヒューズ層１８Ｔ上で開口する第１のレジスト層２７をマスクとして、ヒューズ層１８Ｔ上で第２のパッシベーション膜２６から第３の絶縁膜の厚さ方向の途中までをエッチングする。 - 特許庁

The layer of pillar metal is reduced in diameter, the barrier layer is selectively removed from the surface of the layer of passivation, and thereafter the reflow of the solder metal is performed, thus completing the formation of the solder bump.例文帳に追加

ピラー金属層の直径を減少させ、パシベーション層の表面からバリヤー層を選択的に除去し、その後にはんだ金属のリフロー処理を行って、本発明のはんだバンプを完成させる。 - 特許庁

The organic EL display panel contains a transparent substrate; one or more color conversion filter layers; a flattening layer covering the color conversion filter layers; a first electrode comprising a plurality of portions; a passivation layer; an organic EL layer; and a second electrode comprising a plurality of portions, and the fattening layer is covered with the first electrode and the passivation layer.例文帳に追加

透明基板と、１つまたは複数の色変換フィルタ層と、前記色変換フィルタ層を覆う平坦化層と、複数の部分からなる第１電極と、パッシベーション層と、有機ＥＬ層と、複数の部分からなる第２電極とを含み、前記第１電極および前記パッシベーション層により前記平坦化層が覆われていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネル。 - 特許庁

A bonding layer is applied to bond a substrate and a metallic sheet structure with a central aperture in face-to-face orientation, and then a passivation layer is applied to partially cover the exposed surface of the metallic sheet structure and to divide the surface not covered with the passivation layer in the metallic sheet structure into two electrode zones.例文帳に追加

結合層により基材と中央に開口を有する金属片とを対向接合させ、保護層を該金属片の一部の表面に被覆することで、該金属片の表面が該保護層に被覆されていない部分を２つの電極領域に区画する開口定抵抗型のチップ抵抗器およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A source electrode 7 formed with a source pad 7A is formed on a gate insulating film 3, first-third contact holes 20, 30, 40 are appropriately formed on a passivation layer 9 which is formed on the source electrode 7 and on the gate insulating film 3, and a pixel electrode 6 is formed from a transparent electrode layer which is provided on the passivation layer 9.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３の上にソースパッド７Ａが形成されたソース電極７を形成し、ソース電極７の上に形成したパッシベーション層９とゲート絶縁膜３に第１〜第３コンタクトホール２０、３０、４０を適宜形成し、パッシベーション層９上に設けた透明電極層にて画素電極６を形成する。 - 特許庁

The second, third and fourth mask films are removed and the first mask film remains as a passivation layer for the dielectric material.例文帳に追加

第２、第３および第４のマスク・フィルムは取り除かれ、第１のマスク・フィルムは、誘電体材料のためのパッシベーション層として残る。 - 特許庁

At the upper part of the terminal electrode 2, the passivation layer 4 and the protecting film 5 are removed, and a recess 45 is formed on the terminal electrode 2.例文帳に追加

端子電極２の上部はパッシベーション４と保護膜５とが除去されており、端子電極２上に凹部４５が形成されている。 - 特許庁

Cathodes 106, 107, a luminous layer 108, an anode 109 and a passivation film 110 are formed on picture element electrodes 104, 105.例文帳に追加

画素電極１０４、１０５の上に陰極１０６、１０７、発光層１０８、陽極１０９、パッシベーション膜１１０を形成する。 - 特許庁

This organic EL display has the second passivation layer comprising an inorganic material prepared by the above method.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬディスプレイは、上記方法により作成された無機材料からなる第２パッシベーション層を有することを特徴とする。 - 特許庁

An interconnect 18 and the intermediate metal layer 12 are connected through the contact hole, and the interconnect 18 is covered with a passivation film 40 finally.例文帳に追加

コンタクトホールを介して配線１８と中間金属層１２を接続し、最終的にパッシベーション膜４０で配線１８を覆う。 - 特許庁

The passivation layer 3 protects the sensitive structure of platinum measuring resistor effectively against noxious matters in the ambient atmosphere.例文帳に追加

ガラス不動態層のため、白金測定用抵抗の感受性のある構造は、周囲の大気有毒物に対して有効に保護される。 - 特許庁

The second, the third and the fourth mask films are removed while the first mask film remains as a passivation layer for the dielectric material.例文帳に追加

第２、第３および第４のマスク・フィルムは取り除かれ、第１のマスク・フィルムは、誘電体材料のためのパッシベーション層として残る。 - 特許庁

A photo-IC 1 is constituted of a substrate 2, an epitaxial laminate 3, a diffusion layer 4, a passivation film 5, and two electrodes 6 and 7.例文帳に追加

フォトＩＣ１は、基体２、エピタキシャル積層体３、拡散層４、パッシベーション膜５、及び２つの電極６，７から構成されている。 - 特許庁

Wiring 30 is formed so that it passes an area on the second resin layer 22 at the upper portion of the passivation film 16 from an area on the electrode 14 and reaches an area on the second resin layer 22 at the upper portion of the first resin layer 20.例文帳に追加

電極１４上から、パッシベーション膜１６の上方であって第２の樹脂層２２上を通って、第１の樹脂層２０の上方であって第２の樹脂層２２上に至るように配線３０を形成する。 - 特許庁

The passivation film 109 of an upper portion of the multi-layer structure of the inter layer insulating films 105 to 109 has an opening on the seal ring 104 and a cap layer 125 connecting with the seal ring 104 is formed on the opening.例文帳に追加

層間絶縁膜１０５〜１０９の積層構造上のパッシベーション膜１０９はシールリング１０４上に開口部を有すると共に該開口部にはシールリング１０４と接続するキャップ層１２５が形成されている。 - 特許庁

The diode comprises a Group III nitride heterojunction diode with a p-type Group III nitride contact layer 14, and ohmic contact 16 to the p-type contact layer, and a passivation layer 17 on the ohmic contact.例文帳に追加

ｐ型第ＩＩＩ族窒化物接触層１４を有する第ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合ダイオード、前記ｐ型接触層に対するオーミック接触１６、及び前記オーミック接触上のパシベーション層１７を含む。 - 特許庁

A liquid crystal material layer 52 is formed on the passivation layer, and it is held between the lower base material and second semiconductor base material 56, thereby manufacture of a liquid crystal display integrated circuit device is finished.例文帳に追加

液晶材料層５２をパシベーション層上に形成し、下基材と第２半導体基材５６との間に挟み、液晶ディスプレー集積回路装置の製造を完了する。 - 特許庁

The first dielectric layer may be omitted so as to form a wide and thick interconnection network on the surface of the passivation layer attached onto the surface of the substrate.例文帳に追加

第１の誘電体層はまた、基体の表面上に付着されたパシベーション層の表面上に幅広くて厚い相互接続ネットワークを形成するように、省略することができる。 - 特許庁

In one chip LSI with a logic region and a memory region, a passivation film of a chip surface has a two-layer structure (64, 65) in the memory region and a one-layer structure (65) in the logic region.例文帳に追加

ロジック領域及びメモリ領域を有する１チップＬＳＩにおいて、チップ表面のパッシベーション膜が、メモリ領域で２層構造（６４、６５）、ロジック領域で１層構造（６５）である。 - 特許庁

Screen printing is used to form on a passivation film 5, an N electrode 10 which is electrically connected to an N+ layer 4 and a P electrode contact 8 which is electrically connected to a P+ layer 3.例文帳に追加

スクリーン印刷によって、パッシベーション膜５上にＮ＋層４と電気的に接続されるＮ電極１０と、Ｐ＋層３に電気的に接続されるＰ電極コンタクト８が形成される。 - 特許庁

The photoelectric conversion element 10 includes a substrate 11, a comb-shaped cathode electrode 12 and an anode electrode 13, an organic semiconductor layer 14 having photoelectric conversion function, and a surface passivation layer 15.例文帳に追加

光電変換素子１０は、基板１１、櫛歯状の陰極電極１２及び陽極電極１３、光電変換機能を有する有機半導体層１４、表面保護層１５を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor element for preventing any function from being damaged even when any crack is generated in a passivation layer, or for minimizing the damage of the function.例文帳に追加

パッシベーション層に亀裂が生じても機能が損なわれない、または、機能が損なわれることを小さく抑える半導体素子を提供する。 - 特許庁

An opening 36 is etching- formed so as to be put through the passivation layers 32 and the insulating layers 16, and the photoresist and the conductive layer are used as a mask, in this case.例文帳に追加

該パッシベーションと絶縁層を貫通して開口をエッチング形成し、その場合にホトレジスト及び導電層がマスクとして作用する。 - 特許庁

To provide a III-V engineered substrate with which a device including a passivation layer and having improved performance is actualized, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

パッシベーション層を備え、改善した性能を持つデバイスを実現できるＩＩＩ−Ｖ族加工基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a metal resistor layer Rm in a region between a passivation film SN12 and an uppermost level aluminum interconnect M.例文帳に追加

半導体装置内のパッシベーション膜ＳＮ１２と最上層アルミ配線Ｍとの間の領域に、金属抵抗素子層Ｒｍを形成している。 - 特許庁

This flexible wiring board 1 wholly or partially has an insulating passivation layer 6 with two-layered structure as a protection film for a circuit pattern 3.例文帳に追加

このフレキジブル配線基板１は、回路パターン３の保護皮膜として、２層構造の絶縁保護層６を、全体的又は部分的に有している。 - 特許庁

A passivation layer is formed at an opening formed at such a portion on the RDL, and an upper front surface and a sidewall portion of the RDL are exposed at an opening.例文帳に追加

パッシベーション層はこれに形成される開口によりRDL上に形成され、RDLの上表面と側壁部分は、開口により露出する。 - 特許庁

A passivation insulating layer having a via hole for exposing the source electrode or the drain electrode is positioned on the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

ソース電極とドレーン電極上にソース電極またはドレーン電極を露出させるビアホールを有するパッシベーション絶縁膜が位置する。 - 特許庁

A second passivation layer 44 which is plane on the front surface is formed on the color filters 43 from the material contg. the silicon nitride or the silicon oxide.例文帳に追加

その後、上面が平面である第２パシベーション層がカラーフィルタ上に窒化珪素あるいは酸化珪素を含む材料から形成される。 - 特許庁

To provide a process for uniformly keeping a gap between a passivation layer of lower base material and upper base material of an LCD integrated circuit device.例文帳に追加

ＬＣＤ集積回路装置の下基材のパシベーション層と上基材との間の隙間を均等に維持するためのプロセスを提供する。 - 特許庁

Under cut of a passivation insulating layer generated, for to remove the aluminum layer in an opening part on a drain electrode, is dissolved by the addition of a manufacturing process widening the opening part, by adopting the source-drain wiring comprising lamination of a heat-resistant metal layer and the aluminum layer.例文帳に追加

耐熱金属層とアルミニウム層との積層よりなるソース・ドレイン配線を採用し、ドレイン電極上の開口部内のアルミニウム層を除去して生じたパシベーション絶縁層のアンダカットを、前記開口部を拡大する製造工程の追加で解消する。 - 特許庁

In a solar cell element 10 comprising a semiconductor substrate 1 having a p-type semiconductor layer, the p-type semiconductor layer has an Si-N bond internally and a passivation layer 7 is provided on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層を有する半導体基体１を備えた太陽電池素子１０であって、前記ｐ型半導体層は内部にＳｉ−Ｎ結合を有しており、前記ｐ型半導体層の上にパッシベーション層７が設けられている太陽電池素子１０とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the TFT LCD pixel unit, in addition to formation of a first insulating layer (gate insulating layer) and a passivation layer, a second insulating layer is adopted to cover a gate island and an opening part is formed such that a channel region, a source region and a drain region of the TFT are exposed on the gate island.例文帳に追加

第一の絶縁層（ゲート絶縁層）及びパッシベーション層を形成する事に加えて、第二の絶縁層でゲート・アイランドが覆われ、ゲート・アイランド上にＴＦＴのチャネル領域、ソース領域、ドレイン領域が露出されるように開口部を形成する。 - 特許庁

In other words, since the upper face of a second wiring layer 114 is completely covered with the passivation film 120, it is not exposed to the outside air.例文帳に追加

つまり、第２配線層１１４上面は、パッシベーション膜１２０により完全に覆われているので、第２配線層１１４の上面は外気に曝されない。 - 特許庁

An insulation film 116 filling space between metal patterns to flatten its top surface, and a step is executed such that a passivation layer 112 is laminated thereon and selectively etched to expose bonding pads.例文帳に追加

次いで、メタルパターン間を充填する絶縁膜１１６を積層してその上面を平坦化してから、この上にパッシベーション層１１２を積層する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing the occurrence of cracks between a passivation film, each interlayer film and lower layer of each of the films.例文帳に追加

パッシベーション膜および各層間膜とそれら各膜の下層との間でのひび割れの発生を防止することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent a passivation film from being removed from top-layer wiring composed of materials whose principal constituent is Cu.例文帳に追加

Ｃｕを主成分とする材料からなる最上層配線からのパッシベーション膜の剥離を防止することができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent the capacitance from decreasing by preventing passivation of impurities in a lower electrode thereby controlling spread of a depletion layer in the lower electrode.例文帳に追加

下部電極中の不純物の不活性化を防止することにより、下部電極における空乏層の広がりを抑制し、キャパシタ容量の低減を防止する。 - 特許庁

The passivation film 14 has a recessed portion 18 on the side fronting the corrosion resistant film 16, and a metallic layer 20 is formed on this recessed portion 18.例文帳に追加

不動態膜１４には、耐食性皮膜１６に臨む側に凹部１８が形成されており、この凹部１８には、金属層２０が形成されている。 - 特許庁

A wiring layer, not shown and regarding the memory cell, is formed in a multilayer via an interlayer insulating film, and a protective film (passivation film) 12 is formed thereon.例文帳に追加

このメモリセルに関係する図示しない配線層が層間絶縁膜を介して多層で形成され、その上に保護膜（パッシベーション膜）１２が形成されている。 - 特許庁

A pixel electrode is formed on the passivation layer, so that this pixel electrode is electrically connected with the drain terminal through the side wall of the drain terminal.例文帳に追加

前記パシベーション層上に画素電極を形成して、この画素電極と前記ドレイン端子とを、前記ドレイン端子の側壁を通して電気的に接続させる。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a germanium-on insulator substrate capable of desired passivation and desired improvement regarding electron mobility by a GeO_xN_y layer.例文帳に追加

ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層によって、所望の不動態化と電子移動度に関する所望の改善とが可能なゲルマニウムオンインシュレータ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, halogen elements are added near an interface between the luminous layer 108 and the anode 109 through the passivation film 110 and the anode 109.例文帳に追加

その後、パッシベーション膜１１０及び陽極１０９を通してハロゲン元素を発光層１０８と陽極１０９との界面近傍に添加する。 - 特許庁