「passivation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

An amorphous layer 42_2is formed by making globular particles impinge at a high speed on a surface treated with lead-free tin plating and a passivation coat 42_3 resulting from oxidization is formed on a surface of the amorphous layer 42_2.例文帳に追加

鉛フリーの錫めっきの表面に球状微粒子を高速で衝突させてアモルファス層４２_２を形成し、そのアモルファス層４２_２の表面に酸化による不動態被膜４２_３を形成する。 - 特許庁

A resist region 20 covering the gate terminal and the lead wiring of a gate electrode line 12 and provided between a passivation layer 22 and a gate insulating layer 14 is used so as to protect the gate terminal and the lead wiring.例文帳に追加

ゲート電極線１２のゲート端子とリード線を被覆し、かつ不動態化層２２とゲート絶縁層１４との間に設けられるレジスト領域２０が、ゲート端子とリード線を保護するために使用される。 - 特許庁

By forming the fluorescent substance layer 2 for protecting the electrode lead out part 104 by the light sensitive resin protection layer forming the passivation film 1, the static breakage of the sensor panel 100 is prevented.例文帳に追加

パッシベーション膜１を成す感光性樹脂保護層によって電極取り出し部１０４を保護して蛍光体層２を形成することによりセンサーパネル１００の静電破壊の発生を防止する。 - 特許庁

When manufacturing the TFT substrate 1, as processing for reducing the resistance of the auxiliary capacitor semiconductor layer 17, plasma processing is performed after forming a passivation layer 20 and before forming a pixel electrode 21.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１を製造するときには、補助容量半導体層１７を低抵抗化する処理として、パシベーション層２０を形成した後で絵素電極２１を形成する前にプラズマ処理を行う。 - 特許庁

In this method, at least one chemosensitive electrode is covered with a glass layer or glass ceramic layer applied for passivation of any semiconductor structural element having the above one chemosensitive electrode.例文帳に追加

少なくとも１つの化学的感受性の電極を有する半導体構成素子の不動態化のために、少なくとも、該化学的感受性の電極を、ガラス層もしくはガラスセラミック層の施与によって覆い隠す。 - 特許庁

In this bipolar junction transistor, an epitaxial silicon carbide passivation layer 350 of the first conductivity type is provided on at least a portion of the epitaxial silicon carbide base layer 320 outside the silicon carbide emitter mesa.例文帳に追加

本発明に係るバイポーラ接合トランジスタでは、第１の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素保護層が、炭化ケイ素エミッタメサの外側にあるエピタキシャル炭化ケイ素ベース層の少なくとも一部に設けられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor photodetector for which a surface current flowing to the boundary with a passivation film of the side wall of a depletion layer is reduced and long-term reliability is improved by making the outer periphery of the layer of the second conductivity and the layer of the first conductivity holding the depletion layer of the semiconductor photodetector there between narrower than the depletion layer.例文帳に追加

半導体受光素子の空乏層を挟む第二の導電型の層および第一の導電型の層を空乏層より外周を狭めることにより、空乏層の側壁のパッシベーション膜との界面に流れる表面電流を減らし、長期信頼性を改善した半導体受光素子を提供する。 - 特許庁

The thermal infrared detection part 3 includes: on a heat insulating layer 33 of the silicon substrate 1, a temperature detection part 36 consisting of an n-type polysilicon layer (silicon layer) 34, a p-type polysilicon layer (silicon layer) 35 and an electrode 37; and an interlayer insulating film (protective film) 49 and a passivation film (protective film) 60 protecting the temperature detection part 36.例文帳に追加

熱型赤外線検出部３は、シリコン基板１の熱絶縁層３３上にｎ形ポリシリコン層（シリコン層）３４、ｐ形ポリシリコン層（シリコン層）３５および電極３７からなる温度検出部３６と、温度検出部３６を保護する層間絶縁膜（保護膜）４９およびパッシベーション膜（保護膜）６０とを備える。 - 特許庁

The electronic device has advantages that a water-soluble organic compound can be used as the conductive layer, the conductive layer can be formed by a wet process, a biodegradable material can be used for the substrate, etc. by protecting the top and bottom of the conductive layer by the passivation layer.例文帳に追加

本発明の電子デバイスは、このように導電性層の上下をパッシベーション層により保護することで、導電性層に水溶性有機化合物を使用できる、導電性層をウェットプロセスで形成できる、基板に生分解性材料を使用できる、等の利点を有する。 - 特許庁

To provide a fabrication method for a top emission type organic EL device, which endows the top emission type organic EL device with high heat dissipation from a substrate, does not cause deterioration of an organic EL layer, can form an ITO layer as a second electrode and continuously a passivation layer on it, and can form an insulator layer on a substrate surface.例文帳に追加

トップエミッション型有機ＥＬ素子の、基板からの放熱性が高く、有機ＥＬ層の変質を招かないで第２電極であるＩＴＯ膜とその上の保護膜を連続して形成でき、基板表面の絶縁層を経済的に形成できる製法を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic part built-in type multi-layer substrate having such highly reliable connection structure that cracks originated from a contact point of an edge of a transition layer and a passivation layer as a start point are not caused, also processing liquid does not enter an interface of a die pad and a resin layer through a wall surface of a bump.例文帳に追加

トランジション層のエッジとパッシベーション層との接点を起点にした亀裂を生じず、しかも、処理液がバンプの壁面を通じてダイパットと樹脂層の界面に侵入しない信頼性の高い接続構造を有する電子部品内蔵型多層基板を提供する。 - 特許庁

The assembly portion is formed with at least one metal layer disposed on the substrate about a front surface region thereof, and at least one passivation layer formed to extend over the metal layer.例文帳に追加

前記アセンブリ部は、基板の上部の表面領域に周りの基板上に配置された少なくとも１つの第１の金属層、および、前記第１の金属層上に延長されるように形成された少なくとも１つのパッシベーション層から構成される。 - 特許庁

The semiconductor device contains a semiconductor substrate, a T-type gate electrode being formed on the semiconductor substrate and having an umbrella section comprising a high melting-point metallic layer and a low-resistance metallic layer formed on the high melting-point metallic layer, and a passivation film coating the T-type gate electrode.例文帳に追加

半導体装置が、半導体基板と、半導体基板の上に設けられ、その傘部が高融点金属層とその上に形成された低抵抗金属層とを含むＴ型ゲート電極と、Ｔ型ゲート電極を覆うパッシベーション膜とを含む。 - 特許庁

The organic light-emitting device is provide at least with a substrate, an organic flattened layer for flattening unevenness of the substrate, an organic light-emitting device including a lower electrode, an organic compound layer, and an upper electrode, and a passivation layer for covering those.例文帳に追加

基板と、前記基板の凹凸を平坦化する有機平坦化層と、下部電極と有機化合物層と上部電極とを有する有機発光素子と、それらを覆うパッシベーション層とで、少なくとも構成された有機発光装置である。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with an A1 alloy pad 12 formed on a layer insulating film 11, a passivation film 13 formed on this pad 12, an opening part, which is formed on this passivation film 13, positioned on the pad 12, an under bump metal layer 14 formed inside this opening part and a bump 19 formed on this under bump metal layer 14.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、層間絶縁膜１１上に形成されたＡｌ合金パッド１２と、このパッド１２上に形成されたパッシベーション膜１３と、このパッシベーション膜１３に形成された、パッド１２上に位置する開口部と、この開口部内に形成されたアンダーバンプメタル層１４と、このアンダーバンプメタル層１４上に形成されたバンプ１９と、を具備する。 - 特許庁

A treated face of a plate board in the upper electrode forming process is retained downward, and the treated face of the plate board is retained upward in a passivation layer forming process.例文帳に追加

上部電極形成工程における基板の被処理面は下向きに保持され、パッシベーション層形成工程における前記基板の被処理面は上向きに保持される。 - 特許庁

Protection films (inter-layer insulation film 40, passivation film 60) are provided with a heat-treated part 70 melted by heat given from outside in accordance with each metal film 15.例文帳に追加

そして、金属膜１５に対応して、保護膜（層間絶縁膜４０、パッシベーション膜６０）には、外部から熱が付与されて溶融される被熱処理部７０が設けられている。 - 特許庁

The wiring 26 is formed so that it adheres to the resin section 24 for burying the projection 20 and the recess 22 in the passivation film 16 between the electrode 14 and the resin layer 18.例文帳に追加

配線２６は、電極１４と樹脂層１８の間で、パッシベーション膜１６の凸部２０及び凹部２２を埋める樹脂部２４に密着するように形成する。 - 特許庁

On the inter layer insulating film 107, a first passivation film 109 having an opening 131 is formed outside the seal ring 104 viewed from the chip area 102.例文帳に追加

層間絶縁膜１０７の上に、チップ領域１０２から見てシールリング１０４の外側に開口部１３１を有する第１のパッシベーション膜１０９が形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printing mask and a flip chip-type IC, by which the surface of a passivation layer can effectively be prevented from being damaged at the time of printing paste.例文帳に追加

ペーストの印刷時にパッシベーション層の表面に傷がつくことを有効に防止することが可能な印刷マスク及びフリップチップ型ＩＣの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The conductive layer 30 is formed so as to cover the entire resin portion 22, and to contact the passivation film 16 in an entire peripheral region of the resin portion 22.例文帳に追加

導電層３０は、樹脂部２２の全体を被覆して形成され、樹脂部２２の全周辺領域においてパッシベーション膜１６と接触して形成されている。 - 特許庁

An insulating film comprising a gate insulating film GI and a passivation film PAS is formed on an upper layer of a gate wiring GL and a wiring inspection terminal GL-P to be a wide width part.例文帳に追加

ゲート配線ＧＬと幅広部である配線検査用端子ＧＬ−Ｐの上層には、ゲート絶縁膜ＧＩと保護膜ＰＡＳからなる絶縁膜が形成される。 - 特許庁

The plurality of passivation layers are deposited on the semiconductor device layer 14, where at least two of the layers are made of different dielectric materials to provide an etch stop.例文帳に追加

複数の不動態化層が半導体デバイス層１４上に堆積され、少なくとも２つの層はエッチストップを提供し得るよう異なる誘電性材料にて出来ている。 - 特許庁

A pixel electrode is positioned on a bottom surface of the via hole and in contact with the exposed source electrode or drain electrode and extends onto the surface of the passivation insulating layer.例文帳に追加

ビアホールの底に露出されたソース電極またはドレーン電極に接する画素電極が位置するが、画素電極は、パッシベーション絶縁膜上へ延長される。 - 特許庁

The sealing resin layer 5 covers the whole of the surfaces of the passivation film 2, the stress relaxation layer 3, and the re-wiring 4, and makes a detour from the surfaces to a side face to fill the whole of the groove 11 at the semiconductor chip 1.例文帳に追加

封止樹脂層５は、パッシベーション膜２、応力緩和層３および再配線４の表面を覆い尽くし、さらに、これらの表面から側面に回り込み、半導体チップ１の溝１１を埋め尽くしている。 - 特許庁

The sealing resin layer 5 covers up surfaces of the passivation film 2, the stress relaxing layer 3, and the rewiring 4, and in addition, wraps around a side surface from the surfaces of them to fill up the groove 11 of the semiconductor chip 1.例文帳に追加

封止樹脂層５は、パッシベーション膜２、応力緩和層３および再配線４の表面を覆い尽くし、さらに、これらの表面から側面に回り込み、半導体チップ１の溝１１を埋め尽くしている。 - 特許庁

There are hardly contains crystallized grain boundaries or defects in the amorphous layer 42_2, and also hardly defects in the passivation coat 42_3 formed over the amorphous layer so that the presence of such passive coat 42_3 restrains whiskers from occurring.例文帳に追加

アモルファス層４２_２は結晶粒界や欠陥がほとんどなく、その上に形成される不動態被膜４２_３も欠陥がほとんどなく、このような不動態被膜４２_３の存在によってウイスカの発生を抑制する。 - 特許庁

An electric element (for example, inductor, capacitor, or resistor) is additionally formed on a passivation layer or a thick polymer layer.例文帳に追加

本発明は、高品質の電気素子(例えばインダクター、コンデンサ、または抵抗器)をパッシベーション層の上に又は厚いポリマー層の表面上にさらに作製することによって、本一部継続出願の特許請求の範囲を拡大している。 - 特許庁

A conductive layer 9 is formed so that it covers the end face of a semiconductor chip, namely, it is in contact with a back surface electrode 7, entirely covers the end face of an n^+-type substrate 1 and an n^--type drift layer 2, and reaches a passivation film 6.例文帳に追加

半導体チップの端面を覆うように、すなわち裏面電極７と接し、ｎ^+型基板１およびｎ^-型ドリフト層２の端面を全面覆い、かつ、パッシベーション膜６に至るように導体層９を形成する。 - 特許庁

The first layer 22 is formed of a material containing Ti and W and coming in contact with the electrode 14, passivation layer 16, and resin projection 18 and has a film thickness of 300 to 1,000 Å.例文帳に追加

第１の層２２は、電極１４、パッシベーション膜１６及び樹脂突起１８に接触し、Ｔｉ及びＷを含む材料から形成され、３００Å以上１０００Å以下の膜厚を有する。 - 特許庁

First, the interface layer is formed on the substrate surface for which hydrogen passivation has been carried out, and after, a high-k film is formed by depositing one or more high-k dielectric films on the interface layer.例文帳に追加

また、最初に、水素パッシベート基板の表面上に界面層を形成し、その後、１つ以上のｈｉｇｈ−ｋ誘電体膜を堆積することによって、ｈｉｇｈ−ｋ膜を形成する方法が提供される。 - 特許庁

A wiring pattern containing pads 2g is formed by patterning the metal layer 5 which has been used as a mask, at least a passivation film 6 is formed on the surface of the semiconductor substrate 1 where the empty groove 4 is formed, and an opening is provided to the passivation film 6 to make the pads 2g exposed.例文帳に追加

マスクとして用いられた金属層５をパターニングしてパッド２ｇを含む配線パターンを形成し、空堀４が形成された半導体基板１表面に少なくとも１層のパッシベーション膜６を形成し、パッシベーション膜６を開口して前記パッド２ｇを露出させる。 - 特許庁

To provide a method in which connecting terminals of an electronic component and wiring patterns are reliably electrically connected with a low cost in a method of manufacturing an electronic-component mounting structure, in which an electronic component furnished with a passivation film is mounted by embedding the electronic component in an insulating layer, wherein the passivation film is not limited to films of specific materials.例文帳に追加

パシベージョン膜を備えた電子部品を絶縁層に埋設して実装する電子部品実装構造の製造方法において、パシベーション膜が限定されることなく、電子部品の接続端子と配線パターンとを低コストで信頼性よく電気接続できる方法を提供する。 - 特許庁

In the etching method, a first step performing plasma etching of an article 12 arranged in a processing chamber 5 by supplying etching gas 1 into the processing chamber, and a second step for forming a passivation layer in the etching portion of the article by supplying passivation gas 2 into the processing chamber are repeated alternately.例文帳に追加

エッチング方法は、処理室５内にエッチングガス１を供給して該処理室内に配置された被処理物１２のプラズマエッチングを行う第１の工程と、該処理室内にパッシベーションガス２を供給して被処理物のエッチング部にパッシベーション層を生成する第２の工程とを交互に繰り返す。 - 特許庁

The diode comprises: a Group III nitride heterojunction diode with a p-type Group III nitride contact layer; an ohmic contact to the p-type contact layer; and a diode with a sputter-deposited silicon nitride composition passivation layer on the ohmic contact.例文帳に追加

前記ダイオードは、ｐ型ＩＩＩ族窒化物コンタクト層を有するＩＩＩ族ヘテロ接合ダイオード、前記ｐ型コンタクト層に対するオーミックコンタクト、及び前記オーミックコンタクト上に存在するスパッタ堆積された窒化珪素組成物パッシベーション層を有するダイオードを含む。 - 特許庁

A thin auxiliary depletion layer 24 is thereby formed directly under the passivation film 23 and since the curve of a corner portion 15 becomes gentle at the end of a main depletion layer 14 directly under a Schottky metal layer 11, the concentration of electric field is relaxed and backward breakdown voltage is enhanced.例文帳に追加

これにより、パッシベーション膜２３直下に薄い補助空乏層２４が形成され、ショットキー金属層１１直下の主空乏層１４の端部のコーナー部１５の曲がりが緩やかになるため電界集中が緩和され、逆方向耐圧が向上する。 - 特許庁

A re-wiring 8 through which a signal of ≥800MHz is transmitted is formed by a process where a metal sputter layer or a metal vapor-deposition layer 23 is formed on a passivation film 5 on a completed wafer 21 prepared through a predetermined process and a process where a metal plating layer 29 is laminated on the metal sputter layer or the metal vapor-deposition layer 23.例文帳に追加

８００ＭＨｚ以上の信号を伝送する再配線８の形成を、所定のプロセスを経て作製された完成ウエハ２１のパッシベーション膜５上に金属スパッタ層又は金属蒸着層２３を形成する工程と、当該金属スパッタ層又は金属蒸着層２３上に金属めっき層２９を積層する工程とを含んで行う。 - 特許庁

Passive films are formed on a surface of chrome plated layer on the opening side end of a piston and inside a micro crack formed by a passivation process in which an anodic oxidation coating layer is formed on the surface of a piston base body made of aluminum alloy and a chrome plated layer is formed on the anodic oxidation coating layer to be immersed in nitric acid solution.例文帳に追加

アルミニウム合金製のピストン基体の表面に陽極酸化皮膜層を形成し、該陽極酸化皮膜層上にクロムめっき層を形成した後、硝酸溶液に浸漬する、不動態化処理によりピストンの開口側端面のクロムめっき層の表面およびマイクロクラックの内部に不動態皮膜を形成する。 - 特許庁

A gate insulating film 22, a channel protective layer 24 and a passivation film 26 each have a laminate structure consisting of a first layer 31 made of aluminum oxide and a second layer 32 made of insulating materials including silicon (Si) and the first layers 31 and the second layers 32 are stacked while arranging the first layers 31 on the side of the oxide semiconductor layer 23.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２２，チャネル保護層２４およびパッシベーション膜２６を、それぞれ、酸化アルミニウムよりなる第１層３１とシリコン（Ｓｉ）を含む絶縁材料よりなる第２層３２との積層構造とし、第１層３１および第２層３２を、第１層３１を酸化物半導体層２３側にして積層する。 - 特許庁

Subsequently, a second resist layer 30 opening on the pad electrode 23 is used as a mask to etch the first and second passivation films 25 and 26 and the cap metal layer 24 on the pad electrode 23, thereby exposing the surface of the pad electrode 23.例文帳に追加

その後、パッド電極２３上で開口する第２のレジスト層３０をマスクとして、パッド電極２３上で第１及び第２のパッシベーション膜２５，２６及びキャップメタル層２４をエッチングしてパッド電極２３の表面を露出する。 - 特許庁

Electric elements of high quality (e.g. inductor, capacitor or resistor) are formed on a passivation layer 18 or a surface of a thick polymer layer 20.例文帳に追加

本発明は、高品質の電気素子（例えばインダクター、コンデンサ、または抵抗器）をパッシベーション層１８の上にまたは厚いポリマー層２０の表面上にさらに作製することによって、本一部継続出願の特許請求の範囲を拡大している。 - 特許庁

Subsequently, when a film layer is deposited on a substrate by subjecting the substrate to the one or the plurality kinds of precursors, at least one of which has a low vapor pressure, uniformity and reproducibility is improved by the passivation layer.例文帳に追加

続いて、基板を少なくとも１種が低蒸気圧を有する１種または複数種の前駆物質にさらすことによって膜層が基板上に堆積される場合、パッシベーション層によって均一性と再現性が改良される。 - 特許庁

In the organic flattened layer, a recessed or protruded discontinuous portion for dividing a region including a light-emitting area and a region including an external connection terminal is formed, and the discontinuous portion is covered with the passivation layer.例文帳に追加

前記有機平坦化層には、発光エリアを含む領域と外部接続端子を含む領域とを区画する凹部又は凸部の不連続部が形成されており、前記不連続部はパッシベーション層で覆われていることを特徴とする。 - 特許庁

The resin layer 30 is formed such that an end part 34 forming the second opening 32 on the surface on the passivation film 20 side avoids the inner side face 24 of the first opening 22.例文帳に追加

樹脂層３０は、パッシベーション膜２０側の面における第２の開口３２を形成する端部３４が第１の開口３２の内側面２４を避けるように形成されてなる。 - 特許庁

The metal pattern 54a-n has a secured part and a free part 60a-n bent outward formed on the surface of the substrate 40 by removing a part of a passivation/release layer 48.例文帳に追加

メタルパターン５４ａ〜ｎは、パッシベーション／リリース層４８の一部を除去することで、基板４０の表面に固定された固定部と基板面に外に曲がったフリー部６０ａ〜ｎが形成される。 - 特許庁