「passivation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface of the first base film contacting the insulating layer is oxidized by the moisture emitted from the insulating layer to form a passivation film 13a.例文帳に追加

絶縁層から放出された水分により、絶縁層と接する第１の下地膜の表面が酸化されてパッシベーション膜１３ａが形成される。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises a first nitride film 4, a copper interconnection 5, a second nitride film 6, a passivation 7, a barrier layer 8, an adhesive layer 9, and a wire 10.例文帳に追加

半導体装置１は、第１窒化膜４と、銅配線５と、第２窒化膜６と、保護膜７と、バリア層８と、接着層９と、ワイヤ１０とを備えている。 - 特許庁

A plurality of openings penetrate the passivation layer and extend to expose a region of the upper surface of the contact pads.例文帳に追加

複数個の開口が該パッシベーション層を貫通して延在しており該コンタクトパッドの上表面の区域を露出させている。 - 特許庁

The semi-transmission type LCD device is characterized in that a passivation layer is formed on a lower substrate in a reflection region.例文帳に追加

半透過型ＬＣＤ装置は、パッシベーション層が反射領域の下基板に形成されることを特徴としている。 - 特許庁

The organic EL element 13 is coated with a passivation film 18 that blocks contact of the organic EL layer 16 with outside air.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１３は有機ＥＬ層１６が外気と接しないようにパッシベーション膜１８で被覆されている。 - 特許庁

PHOTOVOLTAIC DEVICE WITH SPATTER-ACCUMULATED PASSIVATION LAYER, AND METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SUCH DEVICE例文帳に追加

スパッタ堆積されたパッシベーション層を備えた光起電力素子並びにこのような素子を製造するための方法及び装置 - 特許庁

On the passivation film 15 in the light shielding slit 16 and the pixel area 11, a coating layer 17 is formed.例文帳に追加

遮光層スリット１６内及び画素エリア１１内のパッシベーション膜１５上には、コーティング層１７が形成されている。 - 特許庁

A relatively wide contact region of an ITO layer 35 exists on a passivation film 33 around a contact window 8.例文帳に追加

コンタクト窓８の周囲のパッシベーション膜３３上にＩＴＯ層３５の比較的広い接触領域が存在している。 - 特許庁

A portion of th cap metal layer 32 which is exposed from a pad opening 34 of the passivation film 33 is a first pad 6.例文帳に追加

このキャップメタル層３２におけるパッシベーション膜３３のパッド開口３４から露出した部分が第１パッド６である。 - 特許庁

To provide a barrier layer used for metallization of a semiconductor device element and passivation of a dielectric material.例文帳に追加

本発明は、半導体デバイス要素のメタライゼーション及び誘電体材料の不活性化に使用される障壁層に関する。 - 特許庁

The solution selectively removes the barrier metal for a passivation layer such as silicon nitride (16) and an oxide/FSG (12).例文帳に追加

この溶液が、パッシベーション層（例えば、窒化珪素）(16)と酸化物／ＦＳＧ(12)に対して、バリヤー金属を選択的に除去する。 - 特許庁

An aperture 5 that allows a part of wiring 3 disposed beneath a lower layer thereof to be exposed is formed in the passivation film 4.例文帳に追加

パッシベーション膜４には、その下層に設けられた配線３の一部を露出させる開口５が形成されている。 - 特許庁

METHOD FOR PASSIVATION OF SURFACE OF COATED METAL BAND AND DEVICE FOR APPLICATION OF PASSIVE LAYER ON METAL COATED STEEL BAND例文帳に追加

メッキを施された金属帯の不動態化方法およびメッキを施された帯鋼に不動態化層を塗布する装置 - 特許庁

In another preferred embodiment, there are deposited a shallow trench isolation (STI) structure, a sidewall spacer and a gate passivation layer.例文帳に追加

他の実施形態において、シャロートレンチ分離（ＳＴＩ）構造、側壁スペーサーおよびゲート不動態化層が堆積される。 - 特許庁

The semiconductor optical element comprises, on a substrate 101, an active layer 102, a clad layer 103, a contact layer 104, a passivation film 105, an upper part electrode 106, and a lower part electrode 107.例文帳に追加

半導体光素子は、基板１０１上に活性層１０２、クラッド層１０３、コンタクト層１０４、パッシベーション膜１０５、上部電極１０６、及び下部電極１０７から構成される。 - 特許庁

A device forming layer 18 is formed on the upper surface of a semiconductor element 14 of a semiconductor device 50, and a passivation layer 26 is laminated on the surface of the layer 18.例文帳に追加

半導体装置５０は、半導体素子１４の上面にデバイス形成層１８が形成されており、デバイス形成層１８の表面にはパッシベーション層２６が積層されている。 - 特許庁

Etching is performed from the epitaxy structure through the light-emitting layer by forming a ridge waveguide that has a large reflective index difference between the light-emitting layer and the dielectric passivation layer.例文帳に追加

エッチングはエピタキシー構造体から発光層を貫くように行われ、発光層と誘電性のパッシベーション層の間の大きな反射性傾向の相違を有するリッジ導光路を成形する。 - 特許庁

The metal strap layer is formed, by etching a passivation layer covering the upper sides of the bus, and the like, to form a longitudinal groove, and by plating the thick metal layer in the groove.例文帳に追加

金属ストラップ層は、バスなどの上部を覆うパッシベーション層をエッチングして縦方向の溝を形成し、この溝内に於いて厚い金属層をめっきすることにより形成される。 - 特許庁

A second passivation film 9 covering the first passivation film 8 is formed on the lower portion of each side wall of the ridge portion 5A and the top face of the second p-type cladding layer 5 in the vicinity of each side wall of the ridge portion 5A.例文帳に追加

また、リッジ部５Ａの側壁下部、およびリッジ部５Ａの側壁近傍のｐ型第２クラッド層５の上面には、第１パッシベーション膜８を覆うように第２パッシベーション膜９が形成されている。 - 特許庁

A TFT layer including a semiconductor layer, a gate insulation film 104, a gate electrode, an insulation film 106 between layers, a drain electrode, a source electrode, an inorganic passivation film 109 and an organic passivation film 110 is formed on a glass substrate, and transfers the TFT layer and an etching stop layer 101 on a plastic substrate 10 through an adhesive 11.例文帳に追加

半導体層、ゲート絶縁膜１０４、ゲート電極、層間絶縁膜１０６、ドレイン電極、ソース電極、無機パッシベーション膜１０９、有機パッシベーション膜１１０を含むＴＦＴ層をガラス基板上に形成し、ＴＦＴ層およびエッチング停止層１０１を、接着材１１を介してプラスチック基板１０上に転写する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent panel capable of forming a film patterning in such a way that a passivation layer covers an organic electroluminescece layer avoiding an electrode connection part on an organic electroluminescent substrate without degradation of original performance of the passivation layer, and to provide a mask used for the same.例文帳に追加

パッシベーション層本来の性能を低下させることなく、有機エレクトロルミネッセンス基板上の電極接続部にのみパッシベーション層が被覆しないようにパターニング成膜することのできる有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法とそれに用いるマスクを提供する。 - 特許庁

A thermic welding layer is applied to bond a substrate and a resistor in face-to-face orientation, and a passivation layer is applied to partially cover the resistor, such that it consequently divides the surface not covered with the passivation layer in the resistor into two electrode zones.例文帳に追加

熱溶融接合層により基材と抵抗体とを対向接合させ、保護層を該抵抗体の一部の表面に被覆することで、該抵抗体の表面が該保護層に被覆されていない部分を２つの電極領域に区画する抵抗器およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A thermo-conductive bonding layer is applied to bond a substrate with a fixed resistor in face-to-face orientation, and a passivation layer is applied to partially cover the fixed resistor, such that it divides the surface not covered with the passivation layer in the fixed resistor into two electrode zones.例文帳に追加

熱伝導接合層により基材と定抵抗体とを対向貼り合わせ、保護層を該定抵抗体の一部の表面に被覆することで、該定抵抗体の表面が該保護層に被覆されていない部分を２つの電極領域に区画する抵抗器およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The passivation film is provided below the uppermost layer wiring having unevenness and the closest to a mold resin, to prevent a thermal stress generated by thermal load from being concentrated in the uppermost layer wiring having the unevenness, and peeling of the passivation film and cracks thereon are thereby suppressed.例文帳に追加

モールド樹脂と最も近く、凹凸のある最上層配線よりも下層にパッシベーション膜を設け、熱負荷を受けて生じる熱応力が凹凸のある最上層配線に集中することを防ぎ、パッシベーション膜の剥離やクラックを抑制する。 - 特許庁

Subsequently, a passivation layer 18 is formed and a contact hole is formed on the passivation layer 18 by etching, then, the contact hole is filled with transparent conductive material A whereby the connection of the source region 16, the drain region 17 and the data line 15 is finished.例文帳に追加

そしてパッシベーション層１８を形成し、エッチングによりパッシベーション層１８にコンタクトホールを形成し、コンタクトホールに透明導電性材料Ａを充填することにより、ソース領域１６とドレーン領域１７とデータライン１５との接続を完成する。 - 特許庁

A transistor using a wide bandgap semiconductor layer as a semiconductor layer comprises a structure in which the wide bandgap semiconductor layer is split like islands by an insulation layer having a passivation property in which moisture and atmospheric components less permeate.例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体層を半導体層に用いたトランジスタにおいて、水分・大気成分を透過しにくいパッシベーション性を有する絶縁層でワイドバンドギャップ半導体層を島状に分離する構造とする。 - 特許庁

The level difference or the discontinuous part is canceled by the passivation layer so that cracks may be prevented by alleviating adverse effect on the resistance thin film.例文帳に追加

パッシベーション層によって、段差又は不連続部を解消して、抵抗薄膜への影響を押さえ込み、クラックを防止する。 - 特許庁

The insulating layer 30 is formed on the passivation film so that a through-hole 32 that overlaps the opening 18 is formed.例文帳に追加

絶縁層３０には、パッシベーション膜１８上に設けられてなり、開口１８とオーバーラップする貫通穴３２が形成されてなる。 - 特許庁

Further, the passivation layer 3 has a step portion 3b formed by overlapping with the peripheral edge portion of the electrode pad portion 2.例文帳に追加

また、パッシベーション層３は、電極パッド部２の周縁部と重なることによって形成された段差部３ｂを有している。 - 特許庁

Next, a thin composite passivation layer is deposited on a plurality of the metal pixels and the antireflective coating material.例文帳に追加

次に、本実施形態は、複数の金属画素および反射防止コーティング材料の上に薄い複合パッシベーション層を析出させる。 - 特許庁

By this way, as the level difference is not formed by the passivation layer, the adverse effect is reduced on the resistance thin film.例文帳に追加

これによって、パッシベーション層によって段差を形成しないようにして、抵抗薄膜への影響を押さえ込むようにする。 - 特許庁

Part of the protective film (inter-layer insulating film 40 and passivation film 60) is removed by etching and an opening 61 is formed.例文帳に追加

保護膜（層間絶縁膜４０、パッシベーション膜６０）の一部がエッチングにより除去されて開口部６１が形成されている。 - 特許庁

A passivation film 15 is formed on the light shielding layers 14a, 14b and in the light shielding layer slit 16 in the pixel area 11.例文帳に追加

画素エリア１１内、遮光層１４ａ，１４ｂ上及び遮光層スリット１６内には、パッシベーション膜１５が形成されている。 - 特許庁

A passivation capping layer 42 overlies the ohmic contact and has an oxidation rate which is less than the oxidation rate of the ohmic contact.例文帳に追加

パッシベーションキャップ層４２は、オーミック接触の上に重なり、オーミック接触の酸化速度よりも小さい酸化速度を有する。 - 特許庁

An insulating resin layer 4 is formed on the passivation film 3 and an opening 6 is made above the electrode 2.例文帳に追加

パッシベーション膜３上に絶縁性樹脂層４が形成されており、電極２の上方には開口部６が形成されている。 - 特許庁

Then, the sealing resin layer 7 is formed on the passivation film 3 to have a thickness larger than the height of the post 8.例文帳に追加

次に、パッシベーション膜３上に、封止樹脂層７がポスト８の高さよりも大きい厚さを有するように形成される。 - 特許庁

A semiconductor device includes an uppermost layer metal 1, a passivation film 2 for covering the upper surface of the chip, and a polyimide resin 3.例文帳に追加

半導体装置は、最上層メタル１およびチップ上面を覆うパッシベーション膜２およびポリイミド樹脂３を有している。 - 特許庁

Formation of a passivation layer (11) which is to be left between the individual contacts on the surface of the substrate may be added optionally to the method.例文帳に追加

随意に、基板表面の個々の接点の間に残ることになるパッシベーション層（１１）を、この方法の間に加えてもよい。 - 特許庁

The Hall element comprises a GaAs substrate 101, an InAs layer 102 formed on the GaAs substrate 101, a surface layer 103 formed on the InAs layer 102, a passivation layer 104 formed on the surface layer 103, and electrodes 105 that ohmic-contact the InAs layer 102.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１と、ＧａＡｓ基板１０１の上に形成されたＩｎＡｓ層１０２と、ＩｎＡｓ層１０２の上に形成された表面層１０３と、表面層１０３の上に形成されたパッシべーション層１０４と、ＩｎＡｓ層１０２とオーミック接触する電極１０５とを備える。 - 特許庁

By oxidizing the surface layer of a polysilicon layer Sn to be an n-type layer formed on a polysilicon substrate Sp to be a p-type layer by using plasma and depositing a silicon nitride film by CVD treatment thereafter, passivation films A1 and A2 are formed on the surface layer of the polysilicon layer Sn.例文帳に追加

ｐ型層となる多結晶シリコン基板Ｓｐ上に形成されたｎ型層となる多結晶シリコン層Ｓｎの表層を、プラズマを用いて酸化処理し、その後ＣＶＤ処理によりシリコン窒化膜を堆積することにより、多結晶シリコン層Ｓｎの表層にパッシベーション膜Ａ１、Ａ２を形成する。 - 特許庁

An SiNx film 109 serving as a passivation film and an anti-reflective film for incident light is formed on the n^++ diffusion layer 107 and the n^+ diffusion layer 108.例文帳に追加

Ｎ＋＋拡散層１０７及びＮ＋拡散層１０８上に、パッシベーション膜および入射光の反射防止膜として機能するＳｉＮｘ膜１０９を形成する。 - 特許庁

The re-distributed metal layer 260 is formed of the last metal layer in an integrated circuit in the manufacturing period of the integrated circuit before final passivation is applied.例文帳に追加

再分布メタル層２６０は最終的なパッシベーションを付与する前に集積回路の製造期間中に集積回路における最後のメタル層から形成する。 - 特許庁

A second insulation film 9, a semiconductor substrate 1, a first insulation film 2, and a passivation film 4 are sequentially etched and removed by using a resist layer and a protection layer 20 as a mask.例文帳に追加

レジスト層や保護層２０をマスクとして第２の絶縁膜９，半導体基板１，第１の絶縁膜２，及びパッシベーション膜４を順にエッチングして除去する。 - 特許庁

Accompanying this, as a measure of the mechanical strength and the humidity resistance of a wiring layer 4 consisting of Al alloy, this wiring layer 4 is covered with a passivation film 5 such as SiN or the like.例文帳に追加

これに伴って、Ａｌ合金から成る配線層４の機械的強度および耐湿性対策として、この配線層４をＳｉＮなどのパッシベーション膜５で被覆する。 - 特許庁

A wide-area surface at the end of an Aluminum layer 123 is exposed to the outside, from the opening part of a protection film (passivation film) 13 at a top layer, and a bonding wire (not shown) is connected to it.例文帳に追加

アルミニウム層１２３端部の広域表面が最上層の保護膜（パッシベーション膜）１３の開口部より外部に露出し、図示しないボンディングワイヤが接続される。 - 特許庁