「passivation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of forming a passivation layer of a semiconductor device which can prevent junction leakage current caused by plasma while forming a high-quality film with no void between metal wiring.例文帳に追加

金属配線の間にボイドのない優れた膜を形成しながらプラズマによる接合漏洩電流を防止することが可能な半導体素子のパッシベーション層形成方法を提供する。 - 特許庁

Passivation layer 17 is formed of an insulator that has an electron emission portion formed on upper bus electrodes 15 and 16 and an opening portion formed on contact portion between upper electrodes and upper bus electrodes.例文帳に追加

上部バス電極１５、１６上に、電子放出部と、上部電極１３と上部バス電極との接触部に開口部を有する絶縁体からなるパシベーション膜１７を形成する。 - 特許庁

In the passivation film 2 and the polyimide resin 3, a pad opening 12 is formed above the pad of the uppermost layer metal 1 and a mark opening 22 serving as an alignment mark is formed.例文帳に追加

パッシベーション膜２およびポリイミド樹脂３には、最上層メタル１のパッド部上にパッド開口１２が形成されると共に、アライメントマークとして機能するマーク開口２２が形成される。 - 特許庁

The top surface of these pads 6 and test pads 8 is selectively covered with passivation film 12, and bumps 10 are formed on the pads 6 via barrier layer 9.例文帳に追加

これらバンプ用パッド６および検査用パッド８の直上は、選択的にパッシベーション膜１２が開口され、そのバンプ用パッド６上にバリア層９を介してバンプ１０が形成される。 - 特許庁

This coloring combined with the roughness of a surface passivation layer makes the tone change unnoticeable between the openings or portions of the electrode patterns resulting from the integrating processing.例文帳に追加

また前記の着色は、表面パッシベーション層の凹凸と相俟って、集積化加工に伴う開孔や電極パターンの部分間での色調変化を目立たなくすることができる。 - 特許庁

The resin layer 30 is formed such that an end part 34 forming the second opening 32 in the surface on the passivation film 20 side is arranged on the inner side face 24 of the first opening 22.例文帳に追加

樹脂層３０は、パッシベーション膜２０側の面における第２の開口３２を形成する端部３４が第１の開口３２の内側面２４上に配置されるように形成されてなる。 - 特許庁

The etching liquid 15 passivates the surface of the layer 10 and contains a passivation material which serves as a material that prevents the layer 10 from being etched by an etchant or an etching material prior to the irradiation of the layer 10 with light rays.例文帳に追加

チタン酸ストロンチウム層が酸とHFとを含む被不動態化エッチング液に浸漬され、集束光がエッチングされる部分のチタン酸ストロンチウム層の表面に当てられ、被不動態化面のパッシベーションを打ち消して、視準光を受ける表面においてのみチタン酸ストロンチウム層をエッチングする。 - 特許庁

A passivation film 14 formed between a pixel electrode formed in each of a plurality of pixel areas and a TFT 2 driving the pixel electrode has a laminated structure of an SiN layers 14a and 14b and an SiO layer 14c, and includes the SiO layer 14c as its top layer.例文帳に追加

複数の画素領域にそれぞれ形成された画素電極とその画素電極を駆動するＴＦＴ２との間に形成されるパッシベーション膜１４を、ＳｉＮ層１４ａ，１４ｂ、ＳｉＯ層１４ｃの積層構造とし、その最上層をＳｉＯ層１４ｃとする。 - 特許庁

To provide an organic EL display capable of preventing the occurrence of display defects caused by diffusion of residual gas and moisture to an organic EL layer, because coverage failure of a passivation layer is improved by reducing protrusions on the surface of an overcoat layer, and also provide its manufacturing method.例文帳に追加

オーバーコート層の表面上の突起などを低減することで、パッシベーション層のカバレッジ不良が改善され、有機ＥＬ層への残留ガスや水分の拡散に起因する表示欠陥などの発生を防ぐことができる有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

After a passivation film 13, a protection film 14, wiring 15, a columnar electrode 16, and an encapsulation layer 17 are formed on a top face of a semiconductor wafer 21, a guide layer 19 provided with an opening 19h on which a top face of the columnar electrode 16 is exposed is formed on a top face of the encapsulation layer 17.例文帳に追加

半導体ウエハ２１の上面にパッシベーション膜１３、保護膜１４、配線１５、柱状電極１６及び封止層１７を形成した後、封止層１７上面に、柱状電極１６の上面が露出する開口部１９ｈが設けられたガイド層１９を形成する。 - 特許庁

The method comprises a step of forming a passivation film on a semiconductor substrate surface having desired element regions and a wiring layer, a step of etching the passivation film to expose pad regions for external connections, and a step of etching the wiring layer surface with a liquid containing ammonium fluoride after that etching step.例文帳に追加

所望の素子領域および配線層の形成された半導体基板表面にパッシベーション膜を形成する工程と、外部接続を行うべきパッド領域を露呈せしめるべく、前記パッシベーション膜をエッチングするエッチング加工工程と、前記エッチング加工工程後、弗化アンモニウム含有液を用いて配線層表面をエッチングする工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a fuse element 130 formed on a second insulating film 10, an alignment mark 140 for detecting the position of the fuse element 130, a passivation film 120 formed on the upper layer than the alignment mark 140, and an opening unit 122 on the alignment mark 140 formed on the passivation film 120.例文帳に追加

第２の絶縁膜１０上に形成されたヒューズ素子１３０と、ヒューズ素子１３０の位置を検出するためのアライメントマーク１４０と、アライメントマーク１４０より上層に形成されたパッシベーション膜１２０と、アライメントマーク１４０上に位置し、パッシベーション膜１２０に形成された開口部１２２とを具備する。 - 特許庁

The conductive route may include patterned holes formed in a dielectric passivation layer 202B, a conductive anti-reflection coating, or a layer of conductive material formed on the surface or the rear surface of the anti-reflection coating.例文帳に追加

前記導電性経路は、例えば、誘電性パッシベーション層202B内のパターン形成された正孔か、導電性反射防止コーティングか、或いは反射防止コーティングの表面上か又は裏面上に形成された導電性材料の層を含むことができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a display device, which enables a display panel in which a protective film is formed on an electrode layer of a light-emitting element, to have an improved passivation based on the protective film while suppressing the occurrence of interlayer peeling and cracks of the electrode layer.例文帳に追加

発光素子の電極層上に保護膜が形成された表示パネルにおいて、保護膜によるパッシベーション性を向上させつつ、電極層の層間剥離やクラックの発生を抑制することができる表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, since the plated layer 5 covering the pad electrode 4 has no portion which extremely becomes thin, the pad electrode 4 is protected by the plated layer 5, even if substances permeate from the passivation film 9 as a generation source such as water, chemical and the like leading to erosion.例文帳に追加

また、パッド電極４を被覆するメッキ層５が極端に薄くなる部位がないので、腐食の原因となる水、薬液等の物質がパッシベーション膜９から浸入したとしても、パッド電極４はメッキ層５によって保護される。 - 特許庁

The electrode pad PAD is essentially an aluminum layer 11 connected to an inside conductive region, is formed on an interlayer insulation film 10 such as an SiO_2 film, and is so structured as to be exposed in an opening of a passivation film 12 formed in the most upper layer.例文帳に追加

電極パッドＰＡＤは、内部の導電領域と接続される実質的なアルミニウム層１１で、ＳｉＯ_2膜などの層間絶縁膜１０上に形成され、最上層のパッシベーション膜１２の開口部に露出するように構成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of effectively relaxing stress by the heat-shrinking of a package applied to a wiring layer of multi-layer structure and preventing the occurrence of a crack of a passivation film which is a film to protect a chip, or the like.例文帳に追加

本発明の課題は、多層構造の配線層に加わるパッケージの熱収縮による応力を効果的に緩和し、チップの保護膜であるパッシベーション膜のクラックの発生などを防止できる半導体装置を提供することである。 - 特許庁

This invention relates to an electroluminescence electrooptical device having a structure in which a light emitting layer is sandwiched between a cathode and an anode, wherein the light emitting layer is provided on the cathode, the anode is provided on the light emitting layer, and a passivation film is provided on the anode, the light emitting layer nearby an interface between the light emitting layer and anode containing a halogen element.例文帳に追加

陰極及び陽極で発光層を挟んだ構造を有するエレクトロルミネッセンス電気光学装置であって、陰極上に前記発光層が設けられ、発光層の上に前記陽極が設けられ、陽極の上にはパッシベーション膜が設けられ、発光層と陽極との界面近傍の発光層にはハロゲン元素が含まれている電気光学装置を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing the solar cell element 10 has a substrate preparation step for preparing a semiconductor substrate 1 having a p-type semiconductor layer, a surface treatment step for exposing the surface of the p-type semiconductor layer to plasma which is formed by using gas containing nitrogen atoms, and a layer formation step for forming a passivation layer 7 on the p-type semiconductor layer exposed to the plasma.例文帳に追加

また、ｐ型半導体層を有する半導体基体１を準備する基体準備工程と、前記ｐ型半導体層の表面を、窒素原子を含むガスを用いて形成されるプラズマに曝す表面処理工程と、前記プラズマに曝した前記ｐ型半導体層の上にパッシベーション層７を形成する層形成工程とを有する太陽電池素子１０の製造方法。 - 特許庁

The storage capacitor adapted for use in a thin film transistor array loop and having scattering effects includes a first electrode provided on a substrate and having a first conductive film, a rough layer provided above the first electrode and having a medium layer and a passivation layer and a second electrode, provided above the rough layer and having external light scattering effect.例文帳に追加

薄膜トランジスターアレイループに適用する散乱効果を有する保存コンデンサーは、基板に設けられて第一導電膜を有する第一電極と、第一電極の上方に設けられ、中間膜とパッシベーション膜を有する粗面膜と、粗面膜の上方に設けられて外部光を散乱する効果を有する第二電極とを含む。 - 特許庁

When a wiring layer for ink ejection control is formed along the inclining face 416, a passivation layer 308 is provided between the wiring layer and the substrate along the inclining face 416 in order to prevent the ink jet die from deteriorating due to dielectric breakdown through the substrate caused by applying a high voltage to the wiring layer.例文帳に追加

また、インク噴出制御用の配線層を斜面４１６に沿って形成する際に、前記配線層と基板との間に斜面４１６に沿ってパッシベーション層３０８を設けることにより、前記配線層に対して高電圧を印加した際に基板等を通じて生じる絶縁破壊によるインク噴出ダイ劣化を防止できる。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a source electrode 105, a drain electrode, and a gate electrode 107 formed on a barrier layer 104 in contact with the barrier layer 104; and a passivation film 108 formed on the barrier layer 104 so as to cover at least a part of the top surface of the respective electrodes to protect the barrier layer 104 and formed of a plurality of films.例文帳に追加

半導体装置は、障壁層１０４の上に該障壁層１０４と接して形成されたソース電極１０５、ドレイン電極及びゲート電極１０７と、障壁層１０４の上に各電極の上面の少なくとも一部を覆うように形成され、障壁層１０４を保護する、複数の膜からなるパッシべーション膜１０８とを有している。 - 特許庁

With this configuration, the side surfaces of first, second and third interlayer films 13, 15 and 17 and the passivation film 22 are each covered with a portion of the sealing resin layer 4 entering into the groove 31.例文帳に追加

これにより、第１層間膜１３、第２層間膜１５、第３層間膜１７およびパッシベーション膜２２の各側面は、封止樹脂層４の溝３１に入り込んだ部分によって被覆されている。 - 特許庁

To provide an organic light-emitting device in which a crack or the like generated at removing of a passivation layer on an external connection terminal is prevented from developing with the elapse of time and moisture resistance of a light-emitting area is not impaired.例文帳に追加

外部接続端子上のパッシベーション層を除去する際に発生するクラック等が、経時的に進行することを抑え、発光エリアの防湿性を損なわない有機発光装置を提供する。 - 特許庁

Cu metallization is treated to reduce defects and effect passivation, and to reduce leakage between lines, by removing surface defects subsequent to CMP and barrier layer removal.例文帳に追加

欠陥を減少させ、パッシベーションを行うために、またライン間の漏洩を減少させるため、Ｃｕメタライゼーションは、ＣＭＰおよび障壁層の除去に続いて表面の欠陥を除去することにより処理される。 - 特許庁

A pad via hole 3 is formed in a passivation film 2 formed on the uppermost wiring layer, a base barrier film 4 is formed on the part of this via hole 3 and a solder bump is provided on this film 4.例文帳に追加

最上層配線層１上に形成されたパッシベーション膜２にパッドビアホール３を形成し、このビアホール３の部分に下地バリア膜４を形成し、この下地バリア膜４上に、半田バンプ５を設ける。 - 特許庁

In the upper part of a memory cell region where a transistor array of the stack type gate structure including a stray gate is formed, a barrier including Ti covering the memory cell region is formed and a passivation layer is also formed at the upper part thereof.例文帳に追加

浮遊ゲートを持つスタック型ゲート構造のトランジスタアレイが形成されたメモリセル領域の上方に、メモリセル領域を覆うＴｉ含有バリアを形成し、その上方にパッシベーション層を形成する。 - 特許庁

In a functional element region 2, an upper wiring 29 connected to a lower wiring 25 and a cap metal layer 32 are formed between the surface of a third interlayer insulating film 27 and a passivation film 33.例文帳に追加

機能素子領域２においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続される上配線２９およびキャップメタル層３２が形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a metal separator enabling grinding of a surface rolling influence layer of a base material and at the same time applying a passivation treatment on a newborn face obtained.例文帳に追加

母材の表面圧延影響層の研削と同時に、ここで得られた新生面に対して不動態化処理を施すことを可能とした燃料電池用金属製セパレータの製造方法を提供する。 - 特許庁

A third passivation film 45 is provided beneath an EL element 203 made up of a pixel electrode (positive electrode) 46, an EL layer 47, and a negative electrode 48, thereby radiating the heat generated in the EL element 203.例文帳に追加

画素電極（陽極）４６、ＥＬ層４７及び陰極４８でなるＥＬ素子２０３の下には第３パッシベーション膜４５が設けられ、ＥＬ素子２０３で発生した熱を逃がす構造となっている。 - 特許庁

The interlayer insulation film between the electric field impressing fuse Fa and the laser fuse Fb incorporates the layout of a passivation film 24b to prevent laser damage due to pattern formation from the first layer metal wiring.例文帳に追加

電界印加フューズＦａとレーザフューズＦｂの間の層間絶縁膜中には第１層メタル配線層を用いてパターン形成されたレーザダメージを防止するための保護膜２４ｂが配置される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL element capable of achieving excellent color reproducibility of the organic EL element by virtue of excellent transparency of a passivation layer.例文帳に追加

本発明の目的は、パッシベーション層の透明性が良好であることに起因して、有機ＥＬ素子の優れた色再現性が実現可能な、有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

In the polyimide layer 6, a via hole 7 that penetrates in a thickness direction thereof is formed at a position opposite to a part exposed from the passivation film 4 through the aperture 5 in the wiring 3.例文帳に追加

ポリイミド層６には、配線３における開口５を介してパッシベーション膜４から露出する部分と対向する位置に、それを厚さ方向に貫通する貫通孔７が形成されている。 - 特許庁

The organic EL element 24 is covered with a passivation film 28 having light-transmitting property in a state covering the whole surface on the side of the first electrode 26 in such a manner that the organic EL layer 25 does not contact with the outside air.例文帳に追加

有機ＥＬ素子２４は、第１電極２６側の全面が覆われる状態で、有機ＥＬ層２５が外気と接しないように、光透過性を有するパッシベーション膜２８で被覆されている。 - 特許庁

The conductive path 212 connects a conductive layer prepared by forming a hole pattern in a dielectric passivation layer 202, or by making an anti-reflective coating 201 conductive, or by forming a conductive material layer on the front or back surface of the anti-reflective coating 201, to a frame 211, with a resistor.例文帳に追加

導電性経路２１２は、誘電性パッシベーション層２０２内に正孔パターンを形成するか、反射防止コーティング２０１を導電性にするか、反射防止コーティング２０１の表面かまたは裏面に導電性材料の層を形成することにより形成した導電性の層とフレーム２１１間を抵抗器により接続する。 - 特許庁

Lead-out wiring is provided using lower layer wiring 103 and 106 excepting uppermost layer wiring 107 in the electrode wiring having a multilayer wiring structure of a resin sealed semiconductor becoming a major cause of cracking a passivation film 108 in order to minimize level difference incident to the uppermost layer wiring.例文帳に追加

パッシベーション膜１０８のクラック発生の主要な原因となる樹脂封止型半導体の多層配線構造の電極配線内の最上層配線１０７を除いた下層配線１０３、１０６を用いて引出配線を設けることで最上層配線を用いて配線することから発生する段差を最小限にする。 - 特許庁

To provide an organic EL display in which poor coverage of a passivation layer is eliminated by reducing fine unevenness, such as foreign substance, projection or the like on the surface of an overcoat layer, thereby preventing an occurrence of display defect etc. due to residual gas and moisture diffused to an organic EL layer, its manufacturing method and its manufacturing apparatus.例文帳に追加

オーバーコート層表面上の異物や突起などの微細な凹凸を低減することで、パッシベーション層のカバレッジ不良が改善され、有機ＥＬ層への残留ガスや水分の拡散に起因する表示欠陥などの発生を防ぐことができる有機ＥＬディスプレイ並びにその製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

The nitride semiconductor device includes a semiconductor-layer laminate 102 formed on a substrate 101, a first ohmic electrode 131 and a Schottky electrode 132 formed on the semiconductor-layer laminate 102 with an interval in-between, and a passivation film 141 covering the semiconductor-layer laminate 102.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、基板１０１の上に形成された半導体層積層体１０２と、半導体層積層体１０２の上に互いに間隔をおいて形成された第１のオーミック電極１３１及びショットキー電極１３２と、半導体層積層体１０２の上を覆うパッシベーション膜１４１とを備えている。 - 特許庁

A deposited semiconductor surface layer is treated and annealed in the alkyl environment of a chemical vapor deposition chamber to passivate the surface layer of a semiconductor, by combining an adhesive alkyl termination chemical object to silicon on the semiconductor surface layer to accelerate the passivation of the surface.例文帳に追加

蒸着した半導体表面層は、表面の脱ヒドロキシル化を促進する目的で、半導体表面層上で、シリコンに付着アルキル終端化学的物体を結合することによって半導体の表面層を不動態化するために、化学蒸着チャンバのアルキル環境内で処理され、焼き鈍される。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a lower layer DL formed of a transistor element and a silicon substrate 1 including wirings or the like; and an upper-most layer UL including an input and output portion 10, a large capacity wiring 30, a capacitor 40, a signal wiring 50, and a passivation film 80.例文帳に追加

半導体装置１００は、トランジスタ素子および配線部等を含むシリコン基板１からなる下層ＤＬと、入出力部１０、大容量配線３０、キャパシタ４０、信号配線部５０およびパッシベーション膜８０を含む最上層ＵＬとを備える。 - 特許庁

A first passivation film 8 having a thickness of 100 nm or smaller is formed on both side walls of a ridge portion 5A formed on a portion of a second p-type cladding layer 5, and flat portions (the top face of the second p-type cladding layer 5) on both sides of the ridge portion 5A.例文帳に追加

ｐ型第２クラッド層５の一部に形成されたリッジ部５Ａの両側壁およびリッジ部５Ａの両側の平坦部（ｐ型第２クラッド層５の上面）には、１００ｎｍ以下の薄い膜厚を有する第１パッシベーション膜８が形成されている。 - 特許庁

To improve a method for manufacturing a solar cell for attaining an improved surface passivation and volume passivation, besides excellent optical properties of a substrate in manufacturing a semiconductor element, with respect to the process for forming a layer containing a hydrogen-containing silicon on a substrate formed of silicon or a substrate containing silicon such as a wafer or a film substrate.例文帳に追加

本発明はシリコンからなる基板はシリコンを含む基板、例えばウエハ又はフィルムの基板上に水素含有シリコンを含む層を形成して半導体素子を製造する方法に関し、良好な光学的性質のほかに基板の良好な表面不動態化も体積不動態化も可能なように太陽電池の製造方法を改良することを課題とする。 - 特許庁

To prevent an organic EL layer of a solid sealing type organic EL display device from deteriorating by preventing water from entering owing to a defect of a passivation film covering a lead wire in a peripheral sealing region.例文帳に追加

固体封止方式の有機ＥＬ表示装置において、周辺封止領域における、引き出し線を覆うパッシベーション膜の欠陥に起因する水分の浸入を防止し、有機ＥＬ層の劣化を防止する。 - 特許庁

On one surface, a passivation film 8 is formed to which an aperture 8a to expose an electrode pad 3 is formed over the relevant one surface of a wafer W on which an active layer 2 and the electrode pad 3 are formed.例文帳に追加

一方表面に、活性層２および電極パッド３が形成されたウェハＷの当該一方表面を覆い、電極パッド３を露出する開口８ａが形成されたパッシベーション膜８が形成される。 - 特許庁

By having ion implantation in a substrate having the passivation layer 112, an ROM code programming step is conducted.例文帳に追加

そして、このパッシベーション層１１２を選択的に食刻してボンディングパッドを露出する工程を実行してから、パッシベーション層１１２が形成された基板にイオン注入を実行することでＲＯＭコードプログラミング工程を行う。 - 特許庁