「passivation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The silicon nitride film as the first layer is made to contain the Si-H group more to make it harder to desorb H_2 from the silicon nitride film and the CAP effect that the film density of the silicon nitride film as the second layer is increased to prevent H_2 from being discharged to the outside is increased to enhance H_2 passivation of the antireflection film of the silicon nitride films.例文帳に追加

第１の層の窒化シリコン膜のＳｉ−Ｈ基の含有の程度を高めることによってＨ_２が窒化シリコン膜から脱離し難くし、また、第２の層の窒化シリコン膜の膜密度を高くすることによってＨ_２の外部への放出を防ぐＣＡＰ効果を高めることによって、窒化シリコン膜の反射防止膜のＨ_２パッシベーションを高める。 - 特許庁

To realize a more efficient solar cell by contriving a forming state of silicon nitride film formed as a rear-surface passivation film, by taking into consideration the interference between reflecting light at a rear-surface metallic electrode layer surface and reflecting light at a boundary of silicon single-crystal substrate/silicon nitride film.例文帳に追加

裏面パッシベーション膜として形成する窒化シリコン膜の形成形態を、裏面金属電極層表面での反射光とシリコン単結晶基板／窒化シリコン膜境界での反射光との干渉を考慮に入れて工夫することにより、より高効率の太陽電池を具現する。 - 特許庁

By using a Γ-shaped electrode having an extension part extending in a drain direction as a gate electrode, each thickness of a passivation film and a cap layer is set up so that an equipotential plane under the gate electrode near the edge of the drain is deformed corresponding to the extension part.例文帳に追加

ゲート電極としてドレイン方向に延在する延在部を有するガンマ型電極を使い、前記電極延在部直下のパッシベーション膜およびキャップ層の厚さを、前記ゲート電極のドレイン端近傍の等ポテンシャル面が、前記延在部に対応して変形するように設定する。 - 特許庁

To realize an efficient solar battery by devising the formation form of a silicon nitride film that is formed as a rear surface passivation film by considering the interference between reflection light on the surface of a rear surface metal electrode layer and reflection light at the boundary of a silicon single-crystal substrate and the silicon nitride film.例文帳に追加

裏面パッシベーション膜として形成する窒化シリコン膜の形成形態を、裏面金属電極層表面での反射光とシリコン単結晶基板／窒化シリコン膜境界での反射光との干渉を考慮に入れて工夫することにより、より高効率の太陽電池を具現する。 - 特許庁

To provide a radiation detection panel preventing precisely generation of a crack or the like in a wire or a passivation layer provided on an element substrate, and also to provide a radiation image detector, a method for manufacturing the radiation detection panel, and a method for manufacturing the radiation image detector.例文帳に追加

素子基板に備えられた配線やパッシベーション層に割れ等が生じることを的確に防止することが可能な放射線検出パネル、放射線画像検出器、放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of passivating an electronic component, passivated glass being lead-free, not tending to devitrify, and avoiding the further disadvantages known from the prior art which moreover allows to apply a passivation layer onto the electronic component via simple method steps.例文帳に追加

電子部品を不動態化する方法であり、不動態化ガラスが鉛を含まず、失透を生じる傾向が無く、且つ従来知られている付随的不利益を回避する方法であって、更に簡単な工程を通して不動態化層の電子部への塗布を許容する方法を提供する。 - 特許庁

An optoelectronic device includes a passivation layer of a dielectric material having a graded composition that varies with depth, whether continuous or stepwise, to provide a first index of refraction proximate to a semiconductor or conductor material and provide a second index of refraction adjacent to a surrounding material, such as an encapsulant.例文帳に追加

光電子デバイスは、深さと共に連続的または段階的に変化し、半導体または導体材料に近い第１の屈折率を備えるとともに、封入剤などの周囲材料に隣接する第２の屈折率を備える、傾斜組成を有する誘電体材料のパッシベーション層を含む。 - 特許庁

To form a passivation layer made of an organic insulating material, thereby to minimize a parasitic capacity generated due to overlapping of a pixel electrode on a gate line and a data line, to smoothly carry out a repair process when disconnection defect occurs, and to improve the production yield of the final product.例文帳に追加

画素電極がゲート配線及びデータ配線と重なることによって発生する寄生容量を最小化するために有機絶縁物質で構成された保護層を形成すると共に、断線不良発生時の修理工程を円滑に進行させ、最終製品の生産収率を向上させる。 - 特許庁

An embodiment of the present invention provides a solar cell module including: a solar cell including an electrode pattern on at least one surface; and a parylene coating layer forming a light-transmitting passivation film on at least a front surface of the solar cell.例文帳に追加

本発明の一実施形態によると、少なくとも一面に電極パターンが形成された太陽電池セルと、太陽電池セルの少なくとも前面上に光透過性パッシベーション膜を形成するパリレン（ｐａｒｙｌｅｎｅ）コーティング層と、を含んでなる太陽電池モジュールが提案される。 - 特許庁

A first and a second magnetic shielding layers 60a, 60b are respectively formed beneath a transistor part 20 on the device-packaging side of an MRAM device 10 and on a bit line 50 of the opposite side of the device-packaging side, and a passivation film 70 is formed on the second magnetic shield layer 60b.例文帳に追加

ＭＲＡＭ素子１０の素子実装面側のトランジスタ部２０下面および素子実装面側と反対側のビット線５０上面に、軟磁性金属を用いて第１，第２の磁気シールド層６０ａ，６０ｂをそれぞれ形成し、第２の磁気シールド層６０ｂ上にはパシベーション膜７０を形成する。 - 特許庁

A passivation film is formed on the single crystal semiconductor strip, thereafter the dummy substrate is divided to form the single-crystal semiconductor strip, the single-crystal semiconductor strip is bonded to a support substrate using an adhesive agent, and then the single-crystal semiconductor strip is separated from the dummy substrate at the isolation layer as a boundary.例文帳に追加

単結晶半導体片上に保護膜を形成した後、ダミー基板を分断して単結晶半導体片を形成し、接着剤を用いて支持基板に単結晶半導体片を接着し、分離層を境としてダミー基板より単結晶半導体片を分離する。 - 特許庁

This is a method used to deposit a passivation layer of a first material on the interior surface of a cold wall reactor or a warm wall reactor, in which the first material inside is nonreactive with one or a plurality kinds of precursors used to form a second material.例文帳に追加

中にある第１の物質が、第２の物質を形成するために用いる１種または複数種の前駆物質との反応性を持たないコールド・ウォール反応器またはウォーム・ウォール反応器の反応器内面上に第１の材料のパッシベーション層を堆積させる方法。 - 特許庁

After the defect has been relieved by having the fuse irradiated with a laser beam, an organic passiation film (photosensitive polyimide resin film) 5 is filled inside a fuse opening hole part 11 and thereafter, the re-wiring 2, a bump land 2A, a top layer protective film 12 and a solder bump 14 are formed on the upper part of the organic passivation film 5.例文帳に追加

ヒューズにレーザビームを照射して欠陥救済を行った後、ヒューズ開孔部１１の内部に有機パッシベーション膜（感光性ポリイミド樹脂膜）５を充填し、その後、有機パッシベーション膜５の上部に再配線２、バンプランド２Ａ、最上層保護膜１２、半田バンプ１４を形成する。 - 特許庁

A passivation layer 10 having a gas barrier property and formed of an inorganic material is so composed as to function as both contact holes 100 for electrically connecting first bus electrodes 20 to transparent conductive films 50, and an insulation film for electrically insulating the first bus electrodes 20 from the second bus electrode 20.例文帳に追加

ガスバリア性を有し無機材料からなるパッシベーション層１０を、第１バス電極２０を透明導電膜５０と電気的に接続するためのコンタクトホール１００と、第１バス電極２０を第２バス電極２０と電気的に絶縁するための絶縁膜とを兼ねて構成した。 - 特許庁

The slurry compositions include one or more non-ionic polymeric surfactants that will selectively form a passivation layer on an exposed polysilicon surface in order to suppress the polysilicon removal rate relative to silicon oxide and silicon nitride and improve the planarity of the polished substrate.例文帳に追加

シリコン酸化物及びシリコン窒化物に対してポリシリコン除去速度を低め、研磨された表面の平坦度を改善するために露出されたポリシリコン表面上にパッシベーション層を選択的に形成できる一つまたはそれ以上の非イオン性ポリマー界面活性剤を含むスラリー組成物。 - 特許庁

The EL element body 13 is covered by a passivation film 18 having light transmissivity so that the EL layer 14 is not brought into contact with the open air, with the electrode extracting side end part 16a of the second electrode 16 and the connecting terminal 17a of the conductive film 17 exposed.例文帳に追加

ＥＬ素子本体１３は第２電極１６の電極取り出し側端部１６ａと、導電性膜１７の接続用端子１７ａを露出させた状態で、ＥＬ層１４が外気と接しないように、光透過性を有するパッシベーション膜１８で覆われている。 - 特許庁

This solar cell has a P-N junction on the light receiving face side of a semiconductor substrate 10 and a passivation film 18 on the rear surface thereof wherein a P type impurity diffusion layer 11 and a P electrode 12 connected therewith, and an N type impurity diffusion layer 13 and an N electrode 14 connected therewith are provided on the surface of the light receiving face.例文帳に追加

半導体基板１０の受光面側にＰＮ接合を有し、裏面上にパッシベーション膜１８を有する太陽電池であって、受光面の表面にＰ型不純物拡散層１１とＰ型不純物拡散層１１に接続されたＰ電極１２、Ｎ型不純物拡散層１３とＮ型不純物拡散層１３に接続されたＮ電極１４とを有している太陽電池。 - 特許庁

To provide a light-emitting semiconductor chip 1 which comprises an array 3 of semiconductor layers containing an activity layer 2 which forms electromagnetic radiation, and a passivation layer 12, disposed in the exit side of the array of the layers and which enables radiation emission to be adjusted and set to a target range during the manufacturing period to be more simple and lower cost than in the conventional technology.例文帳に追加

電磁放射を生成する活性層２を含んでいる半導体層列３と、この層列の出射側に配置されているパシベーション層１２とを備えている発光半導体チップ１において、発光が製造期間中従来技術の場合よりも一層簡単かつコスト面で有利に目標領域に調整設定可能である半導体ストラクチャを提供する。 - 特許庁

The inspection system is specifically intended and designed for second optical wafer inspection for such defects as metallization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad region defects.例文帳に追加

この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 - 特許庁

The inspection system is specifically intended and designed for a second optical wafer inspection for such defects as metalization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad area defects.例文帳に追加

この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 - 特許庁

The inspection system is specifically intended and designed for a second optical wafer inspection for such defects as metalization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad area defects.例文帳に追加

この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 - 特許庁

The upper layer 101 is equipped with a second conductivity-type well region 102 opposite to the first conductivity, and an edge passivation zone equipped with a junction terminal expansion(JTE) depletion region 403, where the depletion region 403 is provided with an extension 406 which is separate from the well region 102 and extends under it.例文帳に追加

上側層１０１は、第１の導電型とは逆の第２の導電型のウェル領域１０２と、接合終端拡張（ＪＴＥ）空乏領域４０３を具えるエッジパシベーションゾーンを具え、空乏領域４０３は、ウェル領域１０２から離れ、かつその下に延在する部分４０６を具える。 - 特許庁

In the semiconductor device of a multilayer wiring structure including wires formed with the damascene method, a first conductive layer 5 having a region for electrical connection with the external side of at least a part of electrodes is formed on a passivation film 4 that is essentially required for the region over semiconductor substrate 1 in the multilayer wiring structure.例文帳に追加

ダマシン工法で形成された配線を有する多層配線構造の半導体装置において、少なくとも一部の電極パッドは、外部との電気的接続をとるための領域を有する第１導電層５を、多層配線構造において半導体基板１上に必要不可欠なパッシベーション膜４上に形成する。 - 特許庁

In this solid-state image pickup element, the intra-layer lens 21 is formed in the passivation film 20.例文帳に追加

半導体基板上に形成された光電変換部と前記光電変換部で生成された電荷を転送する電荷転送部とを備えた撮像部と、前記撮像部上に、平坦化膜を介して形成されたパッシベーション膜と、層内レンズとを具備した固体撮像素子であって、前記層内レンズ２１が、前記パッシベーション膜２０中に形成されたことを特徴とする。 - 特許庁

The electron emitting materials 702 is coated on a mesh-like electron emitting material arrangement and installment part 303 of the respective cathode electrodes 302, and the non-evaporation type getter 402 containing Zr is coated on a broad part 401 of a connection part 304 mutually connecting the respective electron emitting material arrangement and installment part 303 via a passivation layer 703.例文帳に追加

各カソード電極３０２のメッシュ状の電子放出材料配設部３０３には電子放出材料７０２が被着され、各電子放出材料配設部３０３を相互接続する接続部３０４の幅広部４０１にはパッシベーション層７０３を介して、Ｚｒを含む非蒸発型ゲッタ４０２が被着されている。 - 特許庁

The ZnO thin film transistor includes: a semiconductor channel made of ZnO; a gate by a conductive ZnO that forms an electric field in the semiconductor channel; a gate insulating layer by an insulating ZnO interposed between the gate and the semiconductor channel; and a passivation layer by an insulating ZnO provided on a lamination structure by elements so as to protect the elements.例文帳に追加

ＺｎＯで形成された半導体チャンネルと、半導体チャンネルに電界を形成するものであって、導電性ＺｎＯによるゲートと、ゲートと半導体チャンネルとの間に介在するものであって、絶縁性ＺｎＯによるゲート絶縁層と、要素を保護するように要素による積層構造上に設けられるものであって、絶縁性ＺｎＯによるパッシベーション層とを備えるＺｎＯ薄膜トランジスタである。 - 特許庁

One or more of the passivation layers 18, 20 can be removed using interfaces between the layers as the etch stop so that a distance between a gate terminal 38 and the semiconductor device layer 14 can be tightly controlled, where the distance can be made very small to improve device performance and reduce the gate current leakage.例文帳に追加

層の間の境界面をエッチストップとして使用することにより１つ又はより多くの不動態化層１８、２０を除去し、ゲート端子３８と半導体デバイス層１４間の距離を正確に制御することができるようにし、この距離はデバイスの性能を向上させ且つゲート電流の漏れを減少させるよう極めて短くすることができる。 - 特許庁

A semiconductor device 1 is equipped with a semiconductor substrate 11 which has an integrated circuit on the side of a principal surface 11a, wiring 23 and an electrode 25 which are formed on an insulator film 14 covering a passivation film 13, a light-shielding sealing layer 26 covering other than the electrode 25, and a heat spreader 30 which is disposed on a rear surface 11b of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体装置１が、集積回路を主面１１ａ側に有した半導体基板１１と、パッシベーション膜１３上の被覆した絶縁膜１４上に形成された配線２３、及び電極２５と、電極２５以外を覆う遮光性の封止層２６と、半導体基板１１の裏面１１ｂに設けられたヒートスプレッダ３０と、を備える。 - 特許庁

Lower layer portions 72, 71 among SD wiring lines 71, 72, 73, 74 consisting of multilayers formed on the interlayer insulating film 6 are determined as the lower electrodes of the organic EL layers 9 and a passivation film 8 covering the TFT and SD wiring line is provided with a role of a bank to separate pixels.例文帳に追加

ＴＦＴを覆って層間絶縁膜６を形成し、層間絶縁膜６上に形成された多層膜からなるＳＤ配線７１、７２、７３、７４のうちの下層部分７２、７１を有機ＥＬ層９の下部電極とし、前記ＴＦＴと前記ＳＤ配線を覆うパッシベーション膜８に画素を分離するバンクの役割を持たせる。 - 特許庁

In the process for fabricating a semiconductor device where the shape of skin surface is detected by detecting the capacitance of the skin surface and a conductive film through a silicon nitride and polyimide film of passivation film, a polyimide film having a thickness of 400-700 nm is formed on the uppermost layer of the semiconductor device at a temperature of 350-380°C.例文帳に追加

パシベーション膜である窒化シリコン及びポリイミド膜を介して皮膚表面と導電膜との容量を検出し、皮膚表面の形状を検出する半導体装置の製造方法において、その半導体装置の最上層に膜厚が４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下のポリイミド膜を硬化温度を３５０℃以上３８０℃以下で形成する。 - 特許庁

A grid 17 is interposed between a plasma and a substrate 15 when a passivation layer is formed on the substrate 15 by exposing the substrate 15 in a vacuum to a flow of particles which were generated by plasmaenhanced chemical vapor deposition, thereby reducing the flow of charged particles towards the substrate 15 while conserving the flow of neutral particles.例文帳に追加

プラズマ強化化学的気相成長のプラズマによって発生した粒子の流れに真空状態で基板１５を曝露させることによって、基板１５上に不活性化層を形成する際にプラズマと基板１５との間に格子１７が挿入され、これによって中性粒子の流れを保持しながら基板１５に向かう帯電した粒子の流れを低減する。 - 特許庁

The transparent conductive film TCF is electrically connected to the wiring inspection terminal GL-P through the dent DNT and extended to the upper layer of the gate insulating film GI and the passivation film PAS on the side opposite to the scanning line GL of the wiring inspection terminal GL-P and disconnection inspection is performed using the extended part as a contact part of the inspection probe PB.例文帳に追加

透明導電膜ＴＣＦは凹部ＤＮＴで配線検査用端子ＧＬ−Ｐと電気的に接続し、配線検査用端子ＧＬ−Ｐの前記走査配線ＧＬとは反対側で前記ゲート絶縁膜ＧＩと保護膜ＰＡＳの上層にまで延在して形成され、延在した部分を検査プローブＰＢの接触部として断線検査を行う。 - 特許庁

This polyimide film 4 is formed over the entire surface of a substrate including a metal layer (pad electrode) 1 made of an aluminum film, which is exposed from a passivation film 3 and has a cap metal 2, made of a titanium nitride film, stacked on the top surface, and a resist film formed on the polyimide film 4 is used as a mask to remove the polyimide film 3 on the pad electrode 1.例文帳に追加

パッシベーション膜３から露出し、その上面にチタンナイトライド膜から成るキャップメタル２が積層されたアルミニウム膜から成る金属層（パッド電極）１を含む基板全面にポリイミド膜４を形成し、前記ポリイミド膜４上に形成したレジスト膜をマスクにして前記パッド電極１上のポリイミド膜３を除去する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 10 on which an integrated circuit 12 is formed and a passivation film 16 is formed to expose at least a part of an electrode 14 connected electrically with the integrated circuit 12, a resin layer 24 formed on the passvation film 16 of the semiconductor substrate 10, and an interconnect 28 formed on the resin layer 24 from above the electrode 14 to be connected electrically therewith.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、集積回路１２が形成され、集積回路１２に電気的に接続された電極１４を有し、電極１４の少なくとも一部が露出するようにパッシベーション膜１６が形成されている半導体基板１０と、半導体基板１０のパッシベーション膜１６上に形成された樹脂層２４と、電極１４に電気的に接続されるように、電極１４上から樹脂層２４上に形成された配線２８と、を有する。 - 特許庁

In an SBD element including an active region of an SBD formed on a principal surface of a semiconductor substrate and a PSG film coating region formed from an end thereof to an outer peripheral part thereof, a boundary part between an organic final passivation film complementarily formed on an aluminum-based metal film constituting an anode electrode and a UBM layer is formed in the PSG film coating region.例文帳に追加

本願発明は、半導体基板の主面に設けられたＳＢＤの活性領域および、その端部から外側の周辺部に設けられたＰＳＧ膜被覆領域を有するＳＢＤ素子において、アノード電極を構成するアルミニウム系メタル膜上に相補的に設けられた有機系ファイナル・パッシベーション膜とＵＢＭ層の境界部分をＰＳＧ膜被覆領域に設けたものである。 - 特許庁

The nanowire solar cell 1 includes: a semiconductor substrate 2; a plurality of nanowire semiconductors 4 and 5 forming p-n junctions; a transparent insulating material 6 with which the gap between the semiconductors 4 and 5 is filled; an electrode 7 covering the end of the semiconductors 4 and 5; and a passivation layer 10 provided between the semiconductor 5 and the transparent insulating material 6, and between the semiconductor 5 and the electrode 7.例文帳に追加

ナノワイヤ太陽電池１は、半導体基板２と、ｐｎ接合を構成する複数のナノワイヤ状の半導体４，５と、半導体４，５の間隙に充填された透明絶縁性材料６と、半導体４，５の端部を被覆する電極７と、半導体５と透明絶縁性材料６及び電極７との間に設けられたパッシベーション層１０とを備える。 - 特許庁

A thin layer of the first electrolyte humidifies or covers at least a part of the surfaces of active material particles, protects the covered surface from a passivation or deterioration reaction induced by the second electrolyte, maintains the quality of an ion exchange or electron exchange between the active material of the electrode and other components of the complex, and the first electrolyte is impermeable to the components of the second electrolyte.例文帳に追加

第１電解質の薄層は、活物質粒子の表面の少なくとも一部を湿潤および被覆し、第２電解質によって誘発される不動態化または劣化反応から被覆表面を保護し、電極の活物質と複合体のその他の成分との間でイオン交換および電子交換の質を維持し、第１電解質は、第２電解質の成分に対して不透過性である。 - 特許庁

The metal separator used in the fuel cell using a solid polymer electrolyte is constructed of aluminum or aluminum alloy having a prescribed thickness or more for a part of a face opposed to the electrolyte, and the aluminum or aluminum alloy is exposed, and the separator has a film growth suppression layer to suppress growth of a passivation film in an electric contact region of the separator.例文帳に追加

固体高分子電解質を用いた燃料電池に用いられる本発明の金属セパレータは、前記電解質に対面する面の一部が所定の厚さ以上の厚さを有するアルミニウムあるいはアルミニウム合金で構成され、かつ前記アルミニウムあるいはアルミニウム合金が露出しており、かつ前記セパレータの電気的接点領域に不動態皮膜の成長を抑える皮膜成長抑制層を有する。 - 特許庁

The semiconductor package 100 may include: a core part having a semiconductor chip 120 mounted within a receiving space therein; an insulation part 114 formed on one surface of the core part; and a via part 116 formed by filling a same hole-processed surface of a passivation layer 140 for protecting an electrode pattern part 130 on the semiconductor chip 120 and the insulation part 114, for electrically connecting with the semiconductor chip 120.例文帳に追加

半導体パッケージ１００は、内側の収容空間に半導体チップ１２０が装着されるコア部と、前記コア部の一面に形成される絶縁部１１４と、前記半導体チップ１２０の電極パターン部１３０を保護するためのパッシベーション層１４０と前記絶縁部１１４の同一のホール加工面に充填されて形成され、前記半導体チップ１２０と電気的に連結するためのビア部１１６と、を含むことができる。 - 特許庁

Thermal conductivity of about 0.4-2.5 W/mK is imparted to the composite material by substantially uniformly dispersing a plurality of passivated aluminum nitride particles 120 in a polyimide resin 110 having thermal conductivity, wherein each of the plurality of passivated aluminum nitride particles can include a passivation layer disposed over an aluminum nitride particle core to inhibit oxidation and thermal degradation of a surface of the aluminum nitride particle core.例文帳に追加

熱伝導性を有するポリイミド樹脂１１０中に複数の不動態化された窒化アルミニウム粒子１２０を実質的に均一に分散させることにより、該複合材料に約０．４Ｗ／ｍＫ〜約２．５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を付与するとともに、該複数の不動態化された窒化アルミニウム粒子の各々は窒化アルミニウム粒子コア上に配設した不動態化層を含んで窒化アルミニウム粒子コアの表面の酸化および熱劣化を阻止する。 - 特許庁

A photovoltaic device having at least one semiconductor unit is manufactured by using a continuous operation type production line which includes a step for washing at least one surface of the semiconductor unit by etching, a step for drying at least the one surface of the semiconductor unit in an environment in which oxygen does not exist or the oxygen is lacked substantially, and a step for accumulating the passivation layer on at least the one surface.例文帳に追加

エッチングにより半導体ユニットの少なくとも１つの表面を洗浄する工程と、実質的に無酸素である又は酸素が欠乏した環境内で半導体ユニットの少なくとも１つの表面を乾燥させる工程と、少なくとも１つの表面上にパッシベーション層を堆積する工程とを含む、連続作業方生産ラインを用いて、少なくとも１つの半導体ユニットを有する光起電力素子を製造する。 - 特許庁