「region」に関連した英語例文の一覧と使い方(72ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device comprises a protective element region 13 and a memory cell region 12 which are formed separately across an element separation region 14 on a first conductive region 1, a MONOS memory cell formed on the memory cell region 12, a MOS transistor formed on the protective element region 13, and a first conductive diffusion layer 5 formed in the protective element region 13.例文帳に追加

第１導電型領域１上に素子分離領域１４で分離形成された保護素子領域１３およびメモリセル領域１２と、メモリセル領域上に形成されたＭＯＮＯＳ型メモリセルと、保護素子領域上に形成されたＭＯＳ型トランジスタと、保護素子領域に形成された第１導電型拡散層５とを備える。 - 特許庁

The resistance portion 220 has a first resistance region 90 connected to the capacitor portion 210, a peripheral resistance region 91 arranged in parallel to the first resistance region 90, and a resistance separation region 92 having a resistance value equal to or larger than the resistance value of the first resistance region 90 between the first resistance region 90 and peripheral resistance region 91.例文帳に追加

抵抗部２２０が、キャパシタ部２１０に接続された第１抵抗領域９０、第１抵抗領域９０に並列に配置された周辺抵抗領域９１、第１抵抗領域９０及び周辺抵抗領域９１の間に第１抵抗領域９０の抵抗値以上の抵抗値を有する抵抗分離領域９２を有する。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with: a semiconductor substrate; an active region formed in a tap region 40 of the semiconductor substrate; a transistor region 36; and a silicide wiring region 38; a gate electrode 21 formed on the silicide wiring region 38 down to the transistor region 36; and a metal silicide layer 44a provided on the active region.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板のタップ領域４０、トランジスタ領域３６、及びシリサイド配線領域３８に形成された活性領域と、シリサイド配線領域３８上からトランジスタ領域３６上に亘って形成されたゲート電極２１と、活性領域上に設けられた金属シリサイド層４４ａとを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has, on an N^--type silicon substrate 2 (the drain region), a field clamp diode structure formed by forming an active region 4 as a functional element formation region provided in an inner region and a P^+-type low-resistance region 5 formed at the outermost peripheral portion of the active region 4 that continuously surrounds the active region 4.例文帳に追加

この半導体装置１は、Ｎ^-型のシリコン基板２（ドレイン領域）の上に、内方の領域に設けられた機能素子形成領域であるアクティブ領域４と、アクティブ領域４の最外周部に、アクティブ領域４を取り囲むように連続して形成されたＰ^+型の低抵抗領域５とが形成されてなるフィールドクランプダイオード構造を有している。 - 特許庁

The core 1 of the fast breeder reactor includes, in a radial direction, an inner core fuel region 3 located in a central section; an outer core fuel region 4 surrounding the inner core fuel region 3; a radial blanket region 5 surrounding the outer core fuel region 4; and a shield region 6 surrounding the radial blanket region 5.例文帳に追加

高速増殖炉の炉心１は、半径方向において、中央部に位置する内側炉心燃料領域３、内側炉心燃料領域３を取り囲む外側炉心燃料領域４、外側炉心燃料領域４を取り囲む半径方向ブランケット領域５、及び、半径方向ブランケット領域５を取り囲む遮蔽体領域６を有する。 - 特許庁

The transparent conductive film 4 has a low oxygen concentration region 4a disposed on the region corresponding to the region formed at least with the collector electrode 5, and a high oxygen concentration region 4b disposed on the region corresponding to the region in which the collector electrode 5 is not formed and having a lower light absorption coefficient than the low oxygen concentration region 4a.例文帳に追加

そして、透明導電膜４は、少なくとも集電極５が形成されている領域に対応する領域に位置する低酸素濃度領域４ａと、集電極５が形成されていない領域に対応する領域に位置し、低酸素濃度領域４ａよりも光吸収係数が低い高酸素濃度領域４ｂとを含む。 - 特許庁

The interconnection structure for the semiconductor device, which has: a region arranged so as to comprise at least an interior region; an intermediate region located in at least one side of the interior region; an exterior region arranged in at least one side of the intermediate region so as to face the interior region, comprises one or more pairs of first and second signal lines.例文帳に追加

少なくとも内側領域、内側領域の少なくとも一側に位置された中間領域、及び内側領域と向き合うように中間領域の少なくとも一側に配置された外側領域を含むように配置された領域を有する半導体装置のための相互連結構造は第１及び第２信号ラインの一つ以上の対を含む。 - 特許庁

The first conductive semiconductor region between two pieces of source drain regions comprises the first region 2ch whose channel is formed of the conversion layer of a small number of carriers, and a second region 7 formed between the first region 2ch and the source drain region 3A at one side of the first region 2ch and higher in density than that of the first region 2ch.例文帳に追加

２つのソース・ドレイン領域間の第１導電型半導体領域が、少数キャリアの反転層によりチャネルが形成される第１の領域２ｃｈと、第１の領域２ｃｈの一方の側で第１の領域２ｃｈとソース・ドレイン領域３Ａとの間に形成され、第１の領域２ｃｈより濃度が高い第２の領域７と、を含む。 - 特許庁

A ratio of magnitude of the alignment pitch of the first dummy pixel region out of the dummy pixel regions adjacent to the pixel region to that of the pixel region is larger than a ratio of magnitude of the alignment pitch of the second dummy pixel region, adjacent to the first dummy pixel region from the side opposite to the pixel region, to that of the first dummy pixel region.例文帳に追加

ダミー画素領域のうち画素領域に隣接する第１ダミー画素領域の配列ピッチの画素領域の配列ピッチに対する大きさの比率は、第１ダミー画素領域に対して画素領域とは反対側に隣接する第２ダミー画素領域の配列ピッチの第１ダミー画素領域の配列ピッチに対する大きさの比率よりも大きい。 - 特許庁

In a second object region (enlarged or reduced first object region at the second point of time), objects are classified based on the shape of a region (third object region) including the second local region identical with the first local region arranged in the first object region at the first point of time.例文帳に追加

また、第２対象物領域（＝拡大または縮小された第２時点における第１対象物領域）において、第１時点における第１対象物領域に配置された第１局所領域と同一性を有する第２局所領域を包含する領域（＝第３対象物領域）の形状に基づいて対象物が分類される。 - 特許庁

A gradation reproduction processing part 28 selects a density conversion table according to a character region, a photographic region and a drawing region or a background region, based on the decision signal inputted from a region recognition processing part 23 and performs density conversion processing for lowering the density to the background region or to a drawing region among CMYK signals inputted.例文帳に追加

階調再現処理部２８は、領域認識処理部２３から入力される判定信号に基づいて、文字領域、写真領域、図画領域あるいは下地領域に応じた濃度変換テーブルを選択し、入力されたＣＭＹＫ信号のうち下地領域又は図画領域に対して低濃度化の濃度変換処理を行う。 - 特許庁

The IDF contains a core region 21, a cladding region 27, a first trench region 22 existing between them and having a negative refractive index, a first barrier region 23 adjacent to the first trench region 22 and having a positive refractive index and a second barrier region 24 adjacent to the first barrier region 23 and having a negative refractive index.例文帳に追加

ＩＤＦは、コア領域２１とクラッド領域２７と、それらの中間にあって、負の比屈折率を有する第１の溝領域２２と、第１の溝領域２２に隣接する正の比屈折率を有する第１の障壁領域２３と、第１の障壁領域２３に隣接する負の比屈折率を有する第２の障壁領域２４とを含む。 - 特許庁

An image processor is provided with: a face region detection part for detecting a face region as an image region corresponding to the image of the face in an object image shown by object image data; and an organ region detection part for detecting an organ region as an image region corresponding to the image of the organ of the face in the detected face region.例文帳に追加

画像処理装置は、対象画像データの表す対象画像における顔の画像に対応する画像領域である顔領域の検出を行う顔領域検出部と、検出された顔領域における顔の器官の画像に対応する画像領域である器官領域の検出を行う器官領域検出部と、を備える。 - 特許庁

The gate electrode 15 comprises a first portion, which is arranged on the active region 11a via the gate insulating film 13, consisting of a silicide region on the limited entire region in the thickness direction; and a second portion which is prepared on the element isolation region 12, consisting of silicon region and the silicide region, formed so that it covers the silicon region.例文帳に追加

ゲート電極１５は、活性領域１１ａ上にゲート絶縁膜１３を介して設けられ、厚さ方向における全領域がシリサイド領域からなる第１の部分と、素子分離領域１２の上に設けられ、シリコン領域及び該シリコン領域を覆うように形成されたシリサイド領域からなる第２の部分とを有している。 - 特許庁

A laminate structure of a first insulating film 17 and a second insulating film 18 is provided on the center region of light emitting regions of the surface of the layer 15, and a third insulating region 19 is provided on a region (peripheral region) surrounding the center region, and the reflectivity of the peripheral region is lower than the reflectivity of the center region.例文帳に追加

上部ＤＢＲミラー層１５の表面の光出射領域のうち、中央領域には第１絶縁膜１７および第２絶縁膜１８の積層構造、中央領域を囲む領域（周辺領域）には第３の絶縁膜１９が設けられており、周辺領域の反射率は中央領域の反射率よりも低くなっている。 - 特許庁

The flash memory includes a region 11 for storing an interruption vector; a region 12 that is a region for storing an adjustment parameter; a region 13 that is a region for storing a firmware updating program; a region 14 for storing a control program corresponding to a system that a device 100 uses; and a region 15 for storing an adjustment/inspection program.例文帳に追加

フラッシュメモリには、割込みベクタが記憶された領域１１と、調整パラメータが記憶されルべき領域である領域１２と、ファームウェア更新プログラムが記憶されるべき領域である領域１３と、装置１００が使用されるシステムに対する制御プログラムが記憶された領域１４と、調整・検査プログラムが記憶された領域１５とが含まれる。 - 特許庁

The transistor includes a gate semiconductor region 253 formed on an inner face of the groove 360, an N-type embedded channel region 262 formed in an epitaxial region 221 becoming an outer side of the P-type gate semiconductor region 253, and a channel region 382 formed of a P-type body semiconductor region 254 formed on an outer side of the embedded channel region 262.例文帳に追加

更に、溝３６０の内面に形成されるゲート半導体領域２５３と、該Ｐ型ゲート半導体領域２５３の外側となるエピタキシャル領域２２１に形成されるＮ型の埋込チャネル領域２６２と、この埋込チャネル領域２６２の外側に形成されるＰ型のボディ半導体領域２５４からなるチャネル領域３８２を備える。 - 特許庁

The terminal device 5 has an expanded region storage section 59 for storing the received expanded region, an image compositing section 57 for segmenting the background region so as to include the region of interest from the expanded region and compositing the region of interest to the background region, and a distortion correcting section 61 for correcting distortion generated due to image capturing using the super-wide angle lens 31.例文帳に追加

端末装置５は、受信した拡張領域を記憶する拡張領域記憶部５９と、拡張領域から注目領域を含むように背景領域を切り出し、注目領域と背景領域を合成する画像合成部５７と、超広角レンズ３１を用いた撮影により生じた歪みを補正する歪み補正部６１とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device according to the present invention comprises: an active region 1 of a first conductivity type including a transistor structure comprised of a drain region 9, a source region 34, and a gate electrode 4; and a ring-shaped region 20 of the first conductivity type, wherein the ring-shaped region extends from a surface of the active region into the active region and substantially surrounds the transistor structure.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ドレイン領域９，ソース領域３４，ゲート電極４のトランジスタ構造を含む、第１伝導型の活性領域１と、第１伝導型の環形領域２０とを備え、上記環形領域が、上記活性領域の表面から活性領域内へ広がり、トランジスタ構造をほぼ取り囲んでいる。 - 特許庁

A thick-film region where mask thickness is thicker than other regions, is formed just under a region as at least an emitter region in regions forming a buried region to the semiconductor substrate, and the buried region with a partially low impurity concentration is formed in the lower region of the thick-film region by diffusing impurities.例文帳に追加

半導体基板に埋め込み領域を形成する領域のうち、少なくともエミッタ領域となる領域の直下に他領域よりもマスク厚を厚くした厚膜領域を形成し、その後、不純物を拡散することにより、前記厚膜領域の下方域に不純物濃度が局所的に低濃度化された埋め込み領域を形成する。 - 特許庁

The bipolar transistor 20 includes a bipolar transistor formed of a third collector region 22, a second base region 23 and an emitter region 25 in the direction of the lamination, and a bipolar transistor formed of a first collector region 21, a second base region 23, a first base region 24 and the emitter region 25 in a direction that crosses the direction of the lamination (a lateral direction).例文帳に追加

バイポーラトランジスタ２０は、第３コレクタ領域２２、第２ベース領域２３およびエミッタ領域２５によって積層方向に形成されたバイポーラトランジスタと、第１コレクタ領域２１、第２ベース領域２３、第１ベース領域２４およびエミッタ領域２５によって積層方向と交差する方向（横方向）に形成されたバイポーラトランジスタとを有する。 - 特許庁

Then the optical semiconductor device has a third semiconductor region provided on a region of a semiconductor layer isolated from the first semiconductor region and second semiconductor region by an element isolation region, and having the first conductivity type, and a fourth semiconductor region provided between a semiconductor substrate and the third semiconductor region and having the first conductivity type.例文帳に追加

そして、素子分離領域により前記第１半導体領域および前記第２半導体領域と分離された半導体層の領域に設けられ、第１導電型を有する第３半導体領域と、前記半導体基板と前記第３半導体領域の間に設けられ、第１導電型を有する第４半導体領域とを備える。 - 特許庁

A contact region C1-2 on a fin region to which the contact material is connected resides in both a fin region disposed extending along the channel length of the channel region and a fin region disposed curvedly to a direction different from the channel length direction.例文帳に追加

コンタクト材が接続されたフィン領域上のコンタクト領域Ｃ１−２は、チャネル領域のチャネル長方向に延伸して配置されたフィン領域と、チャネル長方向と異なる方向に曲がって配置されたフィン領域とに跨っている。 - 特許庁

The region where the pixel electrode 55 is formed has the transmission region 50A and the reflection region 50B and the scanning line 10 is made of a light shielding conductive material and provided along the boundary between the transmission region 50A and the reflection region 50B.例文帳に追加

画素電極５５が形成される領域は、透過領域５０Ａと反射領域５０Ｂとを有し、走査線１０は、遮光性の導電材料からなり、透過領域５０Ａと反射領域５０Ｂとの境界に沿って設けられる。 - 特許庁

To provide a structure for adding an effective stress without influencing the arrangement of an element separation region to improve characteristics of a field effect transistor having a channel region, a source region, and a drain region which are arranged in an active semiconductor region.例文帳に追加

活性半導体領域の中に配置されたチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を有する電界効果トランジスタの特性向上のため、素子分離領域の配置に影響を与えずに効果的な応力を付加する構造の提供。 - 特許庁

A processing pixel extracting section 14 makes a decision whether a color image region exists in a specified region or not for the pixels in black image region based on the logical operation results of ternary 2 bits and extracts pixels in a region adjacent to the color image region.例文帳に追加

要処理画素抽出部１４は、３値２ビットの論理和演算結果から黒画像領域の画素について、所定範囲内にカラー画像領域が存在するか否かを判別してカラー画像領域との隣接領域の画素を抽出する。 - 特許庁

A bonding region α between a support member 7 and the flow channel forming member and a projection region β of the sensor substrate 5 onto a facing surface 17 do not include an overlapping region with respect to an axis a (namely, a region La and a region Ma do not overlap with each other).例文帳に追加

支持部材７と流路形成部材との間の接着領域αと、センサ基板５の対向面１７への投影領域βとは、軸ａに関して重複する範囲を有さない（つまり、範囲Ｌａと範囲Ｍａとは重複しない）。 - 特許庁

In the method for manufacturing the microstructure of forming the desired pattern (for example, a pixel region 1), the boundary of the pixel region 1 is provided with a parent liquid region 12 and the interior of the parent liquid region 12 is provided with a repellent liquid region 11b.例文帳に追加

所望のパターン（例えば、画素領域１）を形成する微細構造物の製造方法において、画素領域１の境界部に親液領域１２を設け、親液領域１２の中に撥液領域１１ｂを設けることを特徴とする。 - 特許庁

At one part of a region of a joining member, by irradiation of laser beam, the region which is easier to raise its temperature than the region neighboring that region, and capable of melting the neighboring region is arranged, and irradiation of the laser beam is started by making this a starting point.例文帳に追加

接合部材の一部の領域に、レーザ光の照射により、その領域に隣接する領域よりも昇温し易く、隣接する領域を溶融せしめることのできる領域を設け、ここを起点としてレーザ光の照射を開始する。 - 特許庁

A soldered land region is specified from the image obtained, by photographing the component by a data processor and a region, where a lead region where the effect of the lead appears is removed from the land region, is set to an inspection region used in the inspection of the substrate.例文帳に追加

情報処理装置が、部品を撮像して得られた画像から、半田が付与されるランド領域を特定し、前記ランド領域から、リードの影響が現れるリード領域を除外した領域を、基板検査で用いる検査領域に設定する。 - 特許庁

The PTC element assembly L5 has a first PTC region 6 and a second PTC region 8 containing a resin and conductive particles, and an intermediate region 10 sandwiched between the first PTC region 6 and the second PTC region 8.例文帳に追加

ＰＴＣ素体Ｌ５は、樹脂と導電性粒子とを含む第１のＰＴＣ領域６及び第２のＰＴＣ領域８と、第１のＰＴＣ領域６と第２のＰＴＣ領域８とに挟まれる中間領域１０とを有している。 - 特許庁

In a pretreatment region 10, a gradation pretreatment region 11 including a high-intensity pretreatment region 11a and a low-intensity pretreatment region 11b is formed so that the intensity is changed in accordance with a change in color intensity in the gradation dyeing region 4.例文帳に追加

前処理領域１０では、グラデーション染色領域４での色濃度の変化に応じて濃度が変化するように、高濃度前処理領域１１ａと低濃度前処理領域１１ｂとを含むグラデーション前処理領域１１を形成する。 - 特許庁

The guide part 7 has: a vertical region 7A for guiding the moving part 6 to the vertical direction; a horizontal region 7C for guiding the moving part 6 to a horizontal direction; and a bent region 7B provided between the vertical region 7A and the horizontal region 7C.例文帳に追加

ガイド部７は、移動部６を鉛直方向にガイドする鉛直領域７Ａと、水平方向にガイドする水平領域７Ｃと、鉛直領域７Ａと水平領域７Ｃとの間に設けられた屈曲領域７Ｂとを有している。 - 特許庁

In the region directly below an upper surface of the semiconductor layer 3 between the source region 5 and the drain region 6, the position 9a where an impurity concentration takes a peak value in the impurity region 9 is established below a lowest end 5a of the source region 5.例文帳に追加

ソース領域５とドレイン領域６との間の半導体層３における上面の直下では、不純物領域９における不純物濃度のピーク位置９ａは、ソース領域５の最下端５ａよりも下方に設定されている。 - 特許庁

A coverage rate representing the area of a region that is the sum of an impurity diffusion layer forming region and a gate electrode forming region per given area is determined to be different between the first region A1 and the second region A2 of the semiconductor substrate.例文帳に追加

ここで、所定面積あたりの不純物拡散層の形成領域とゲート電極の形成領域の和で示される領域の面積である被覆率が、半導体基板の第１の領域と第２の領域間で異なるようにする。 - 特許庁

A scroll display means defines a scrolling region 24 within a region (display element including region 23) where display position indicating information (information for indicating a display position) exists, in the region where contents to be displayed occupy (a region 22 in a virtual screen).例文帳に追加

スクロール表示手段が、表示すべきコンテンツが占める領域（仮想画面の範囲２２）のうち、表示位置指定情報（表示位置を指定する情報）が存在する領域（表示要素含有範囲２３）に、スクロールする範囲２４を限定する。 - 特許庁

An original region 111, a shadow region 112 for storing a partially edited scene in accordance with the region 111, an undo region 113 for storing the last scene and the current region 114 used to edit a scene are included.例文帳に追加

オリジナル領域１１１と、該領域１１１に対応して一部編集したシーンを保存するシャドウ領域１１２と、一つ前のシーンを保存するアンドゥ領域１１３と、シーンを編集する際に使用するカレント領域１１４とを備える。 - 特許庁

Due to this configuration, when the data region is vacant, data are written in the data region without change, and when the data region is completely filled with data, the same data are written in both of the allowance region and a transfer destination region and update is performed.例文帳に追加

かかる構成により、データ領域が空いている場合はそのままデータ領域にデータを書き込むが、データ領域が全て埋め尽くされている場合は、余裕領域と転送先領域の両方に同一のデータを書き込み、更新を行なう。 - 特許庁

The first channel region (11a) includes a first floating gate side channel region (13a) and a first control gate side channel region (12a), and the first control gate side channel region (12a) includes a high concentration pocket region (10) having high impurity concentration.例文帳に追加

ここにおいて、第１チャネル領域（１１ａ）は、第１フローティングゲート側チャネル領域（１３ａ）と、第１コントロールゲート側チャネル領域（１２ａ）とを備え、第１コントロールゲート側チャネル領域（１２ａ）は不純物濃度が濃い高濃度ポケット領域（１０）を備える。 - 特許庁

A mask signal generating part 132 generates a mask signal mask_A indicating an A region (region being larger than a synthesized region of the artificial image), and a mask signal mask_B (region being the same as a synthesized region of the artificial image) on the basis of a control of CPU121.例文帳に追加

マスク信号生成部１３２は、ＣＰＵ１２１の制御のもと、Ａ領域（人工画像の合成領域より広い領域）を示すマスク信号mask_Aと、Ｂ領域（人工画像の合成領域と同じ領域）を示すマスク信号mask_Bを生成する。 - 特許庁

In the interlayer insulating film 16, the diameters of the holes included in a lower surface region and in an upper surface region are smaller than those of the holes included in the center region between the upper region and lower region.例文帳に追加

層間絶縁膜１６における、下面領域に含まれる空孔の空孔径及び上面領域に含まれる空孔の空孔径は、上面領域と下面領域との間に介在する中央領域に含まれる空孔の空孔径よりも小さい。 - 特許庁

A low-concentration p-type impurity region having a concentration approximately identical to that of a low-concentration n-type impurity region to be a channel region of a depression type n-channel MOS transistor is formed under the low concentration n-type impurity region to suppress variations in the depth of the low-concentration n-type imputiry region.例文帳に追加

デプレッション型ＮチャネルＭＯＳトランジスタの、チャネル領域となる低濃度Ｎ型不純物領域の下に、同程度の濃度の低濃度Ｐ型不純物領域を形成し、低濃度Ｎ型不純物領域の深さばらつきを抑制する。 - 特許庁

The display apparatus has a region where a plurality of grooves are provided so as to extend in a direction of crossing the outer circumference of the display region along the outer circumference of the display region of the display apparatus, and a region where the grooves are not provided on the circumference of the region where the grooves are provided.例文帳に追加

表示装置の表示領域の外周に沿って、前記表示領域の外周と交差する方向に、複数の溝が設けられた領域と、前記溝が設けられた領域の外周に溝の設けられていない領域とを設ける。 - 特許庁

The n^+ region 107 is so formed on the main surface 12 as to face the n type source region 103, with the p type base region 105 in between, to adjoin the p type base region 105, having an impurity concentration higher than the n^- region 101.例文帳に追加

ｎ^+領域１０７は、ｐ型ベース領域１０５と隣接するように、ｐ型ベース領域１０５を挟んでｎ型ソース領域１０３と向かい合うように主表面１２に形成され、ｎ^-領域１０１よりも高い不純物濃度を有する。 - 特許庁

The channel region 107 includes: a central region 107a connecting the source region 105 and the drain region 106 and having an approximately rectangular shape; and protruded regions 107b and 107c protruding from one side end of the central region in a gate width direction.例文帳に追加

チャネル領域１０７は、ソース領域１０５とドレイン領域１０６とを繋ぐ略矩形状の中央領域１０７ａと、ゲート幅方向において中央領域の側端から突出する凸状領域１０７ｂ，１０７ｃとを含む。 - 特許庁