「thermal diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a light diffusion reflective window reducing an air-conditioning loss in a building or the like to attain energy saving without storing thermal energy of light and suppressing glare around the window to reduce a harmful effect on surrounding environment.例文帳に追加

光の熱エネルギーを蓄えることなく、建物等の空調ロスを低減させて省エネルギー化を図ることができるとともに、窓周辺における眩しさを抑えて周辺環境に与える悪影響を低減させることができる光拡散反射型窓を提供することを目的としている。 - 特許庁

The apparatus also includes a dead layer (86) coupled to the light-illumination side of the bulk semiconductor material, the dead layer having a thickness configured to substantially match a predetermined thickness value and wherein an absolute value of a thermal coefficient of gain due to the minority carrier diffusion length property of the bulk semiconductor material is configured to substantially match an absolute value of a thermal coefficient of gain due to the thickness of the dead layer (86).例文帳に追加

装置はまた、バルク半導体材料の光照射面に結合されており予め決められた厚み値に実質的に一致するように構成されている厚みを有する不感層（８６）を含んでおり、バルク半導体材料の少数担体拡散距離特性による熱利得係数の絶対値が、不感層（８６）の厚みによる熱利得係数の絶対値に実質的に一致するように構成されている。 - 特許庁

To provide a method for an element separation formation and an element used for the method hardly generating defects such as misalignment wherein the capacity of a diffusion layer does not increase, and takes place even if a complex mask is employed while well ion implantation and thermal process can be omitted after formation of STI.例文帳に追加

拡散層容量が増加することがなく、複雑なマスクの使用による目ずれの発生する虞がなく、しかもＳＴＩ形成後にウェルイオン注入＋熱処理省略可能とした、転位等の欠陥が生じることの少ない素子分離形成方法および該方法に使用される素子の提供。 - 特許庁

To reduce damage to an Si substrate by uniforming thermal diffusion of boron during boron doping in a vertical furnace and to realize formation of an insulating film with high insulation withstand pressure on a surface of the Si substrate, when an ink-jet head is formed with use of anisotropic etching and a high-density boron etching stop to the Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板の異方性エッチングおよび高濃度ボロンエッチングストップを利用して形成されるインクジェットヘッドにおいて、縦型炉にてボロンドープを行う場合、ボロンの熱拡散を均一することでＳｉ基板へのダメージを軽減し、Ｓｉ基板表面に高絶縁耐圧の絶縁膜を形成することを可能とする。 - 特許庁

To provide a ceramic heater that has high heat conductivity and which can have surface temperature of a heater board follow the temperature change of a heating element quickly, control the temperature of a heating surface well, and prevent thermal diffusion of the impurities (such as Y) from the ceramic heater to a semiconductor wafer.例文帳に追加

熱伝導率が高く、ヒータ板の表面温度を発熱体の温度変化に迅速に追従させることができ、加熱面の温度を良好に制御することができるとともに、セラミックヒータから半導体ウエハへの不純物（Ｙ等）の熱拡散を防止することができるセラミックヒータを提供すること。 - 特許庁

This method for producing the synthesis gas is characterized by composing a pair of apparatus walls so as to have a temperature difference in which either one thereof is a higher temperature and the other is a lower temperature, oppositely arranging the apparatus walls, forming a reactional space between the apparatus walls, using the resultant thermal diffusion reactional tube, reacting the methane with the carbon dioxide and obtaining the synthesis gas.例文帳に追加

一対の器壁を、その一方が高温に他方が低温となる温度差を有するように構成して対向させて配置し、その器壁間に反応空間を形成させてなる熱拡散反応管を用いて、メタンと二酸化炭素を反応させて合成ガスを得ることを特徴とする合成ガスの製造方法。 - 特許庁

To enable uniformity of characteristics of a driving elements forming each of pixels and productivity improvement thereof without sacrificing efficiency of laser annealing, even if a member consisting of a material having low thermal resistance or a material having diffusion characteristic is previously formed in a unit region corresponding to each of the unit pixels in a display device.例文帳に追加

表示装置において、各単位画素に対応する単位領域内に、耐熱性の低い材料や拡散特性のある材料によって構成される部材が予め形成された場合にも、各画素を構成する駆動素子の特性の均一化や生産性の向上を、レーザーアニールの効率を犠牲にすることなく可能とする。 - 特許庁

When the flexible areas 2 are heated by heating means 6 consisting of impurity diffusion resistances or the like provided on the surfaces of the flexible areas 2, the flexible areas 2 flex because of a difference in thermal expansion from thin films 4 of aluminum or nickel provided on the flexible areas 2, and the movable element 5 is displaced.例文帳に追加

可撓領域２上の表面に設けられた不純物拡散抵抗等よりなる加熱手段６により可撓領域２が加熱されると、この可撓領域２上に設けられたアルミニウム薄膜またはニッケル薄膜などからなる薄膜４との熱膨張差で可撓領域２が撓み可動エレメント５が変位する。 - 特許庁

Boron ion 5 is implanted selectively to a region for isolation region formation via a thermal silicon oxide film on a P-type semiconductor substrate 1, boron 6 is added to an epitaxial layer 2, a silicon oxide film 10 of a low temperature is formed on the semiconductor substrate 1, and an isolation region 8 is formed by drive-in diffusion.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上の熱シリコン酸化膜を介して分離領域形成用の領域に選択的にボロンイオン５を注入しエピタキシャル層２にボロン６を添加し、半導体基板１上に低温のシリコン酸化膜１０を形成し、ドライブイン拡散をして分離領域８を形成する。 - 特許庁

In this wiring board 1 equipped with a mounting part 2 on which an IC chip is mounted by thermo-compression bonding and a plurality of wirings 3 to 6 pulled out of the mounting part 2, each of ground wiring 4 having wide power source wiring 3 and a wide section 4P is formed with a plurality of openings 9 for suppressing thermal diffusion.例文帳に追加

熱圧着によってＩＣチップが実装される実装部２と、実装部２から引き出された複数の配線３〜６とを備えた配線基板１において、幅広の電源配線３および幅広部分４Ｐを有するグラウンド配線４それぞれに、熱拡散を抑制するための開口部９を複数形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.例文帳に追加

積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the composition deviation of a capacitance insulating film by suppressing the thermal diffusion of a metal element for composing the capacity insulating film into a lower electrode, when film-forming the capacity insulating film made of a ferroelectric or a high dielectric by using a method where temperature in film formation in an MOCVD method, or the like becomes approximately 300°C or higher.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法などの成膜時の温度が約３００℃以上となる方法を用いて強誘電体又は高誘電体よりなる容量絶縁膜を成膜する際に、容量絶縁膜を構成する金属元素が下部電極中へ熱拡散することを抑制して、容量絶縁膜の組成ずれを防止する。 - 特許庁

As the cooling system 80, cooling air is ejected from an air supply pump to the radiator 70, or the heat in the radiator 70 is discharged outside by vacuum suction, the radiator 70 is cooled by heat diffusion, etc., by heat radiating fins 73 to eliminate the thermal damage on the surface side of the product.例文帳に追加

冷却系８０としては、エア供給ポンプから冷却用エアをアルミ放熱体７０に吹き付けるか、また、アルミ放熱体内部の熱を真空吸引により外部に排除させるか、放熱用フィン７３による熱拡散等によりアルミ放熱体７０を冷却することにより、製品表面側の熱的ダメージを解消する。 - 特許庁

The method for manufacturing the coated article comprises: applying an aluminum-containing first layer to a substrate 20; applying a platinum-containing second layer atop the first layer; causing diffusion of aluminum from the first layer into the second layer so as to produce a PtAl_2 alloy 24, and applying a thermal barrier layer 22 atop the PtAl_2 alloy 24.例文帳に追加

方法は、アルミニウム含有の第一の層を基体２０に付与し、白金含有の第二の層を第一の層の上に付与し、ＰｔＡｌ_2合金２４を生成するように第一の層から第二の層中へのアルミニウムの拡散を生じさせ、熱障壁層２２をＰｔＡｌ_2合金２４上に付与する、ことを含む。 - 特許庁

A copper component existing at a part within 20% of a thickness from the surface of the lithium metal film 2 is restricted to 5 atom% or less, by reducing a thermal load when forming the lithium metal film 2 of the negative electrode member, or by preliminarily forming a middle layer for preventing diffusion on the surface of the copper film 1 to restrain activation of the lithium.例文帳に追加

この部材のリチウム金属膜２の成膜時の熱負荷を低減するかまたは銅箔１の表面に予め拡散防止用の中間層を設けて膜２の表面からその膜２の膜厚の２０％の範囲内における銅成分を５原子％以下となし、リチウムの活性化を抑制する。 - 特許庁

In the method of forming wirings of a semiconductor element in which ultra-fine electronic circuit wirings are formed, the electronic circuits are formed by embedding conductor materials including at least Cu layer into the substrate material and only the open surface of the electronic circuits is covered with a material for preventing movement by thermal diffusion of the conductor material.例文帳に追加

微細な電気回路配線を形成する半導体素子の配線形成方法において、基材中に少なくともＣｕ層を含む導電体材料の埋め込みにより電気回路を形成し、該導電体材料の熱拡散移動を防止する材料によって、前記電気回路の開放表面のみを被覆する。 - 特許庁

The nickel monosilicide layer 15 containing iridium is formed by forming an impurity diffusion layer 12 on the surface of a silicon substrate 11, depositing an Ni-Ir alloy layer 13 after removing a natural oxide film on the surface, and applying a rapid thermal annealing (RTA) in a nitrogen gas atmosphere at temperature of 300°C to 500°C for example.例文帳に追加

シリコン基板１１の表面部に不純物拡散層１２を形成し、その表面の自然酸化膜を除去した後、Ｎｉ−Ｉｒ合金層１３を堆積させて、例えば３００℃〜５００℃の温度で窒素ガス雰囲気中の急速熱アニール（ＲＴＡ）を施し、イリジウム含有のニッケルモノシリサイド層１５を形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the fully-depleted SOI transistor, especially the NMOS transistor, there is a process for implanting impurities into an insulating film by an ion implantation method before or after a well formation process, thus restraining the diffusion of the impurities to an embedded insulating film owing to a variation in a thermal history in a manufacturing process.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法においてウエル形成工程前あるいは後に追加でイオン注入法を用いて絶縁膜に不純物注入を行う工程を有することで、製造過程における熱履歴のばらつきによる埋め込み絶縁膜への不純物の拡散を抑える。 - 特許庁

Then, heat transfer sheet materials 6 for heat transfer and thermal diffusion are arranged to adhere closely between each of the layers of module 5, a space part 7 of a tunnel shape formed to cover a sealed part 3 of each adjacent storage cells 1 is to be a fluid channel circulating fluid transmitting input and output heat coming and going to each of the cells.例文帳に追加

そして、モジュール５の各層間に、伝熱及び熱拡散用の伝熱シート材６をセル積層面に密着するように配設し、隣接する各蓄電体セル１の封止部３を覆って形成されるトンネル状の空間部７を、各セルに出入りする入出力熱を輸送する流体を流す流体通路とする。 - 特許庁

To provide a recording sheet for thermal printing which can endure a high temperature in a process of high-speed printing and enables attainment of a clear image and reduction of creases or warps of paper by reducing diffusion of heat from an image receiving layer and which is devised mainly for the high-speed printing.例文帳に追加

高速印刷する過程での高温に耐え得る感熱印刷用記録シートであって、受像層からの熱の拡散を抑制することによって鮮明な画像を得るともに、用紙のシワや反りの発生を抑制することが可能な、主として高速印刷のための感熱印刷用記録シート提供する。 - 特許庁

After introducing nitrogen ions 4 into the surface of a p-type SiC substrate 1, the nitrogen atoms present in an impurity-doped layer 6 are made to diffuse toward the rear surface of the SiC substrate 1, by increasing the number of the interstitial silicon atoms of the SiC substrate 1 by its thermal oxidation, so as to form an n-type impurity diffusion layer 7.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ基板１の表面に窒素イオン４を導入した後、熱酸化によってＳｉＣ基板１の格子間シリコン原子の数を増加させることにより、不純物ドーピング層６の窒素をＳｉＣ基板１の裏面に向かって拡散させて、ｎ型不純物拡散層７を形成する。 - 特許庁

The method further includes a step of depositing by wire-arc spray a NiCrAIY bonding coat (48) overlying a roughened surface (46) of the diffusion aluminide coating (42) and contacting the roughened surface (46), and a step of applying a ceramic thermal barrier coating (50) overlying a bond coat (48) and contacting the bond coat (48).例文帳に追加

本方法はさらに、ワイヤアーク溶射によって、拡散アルミナイド皮膜（４２）の粗面（４６）を覆いかつ該粗面（４６）に密着させてＮｉＣｒＡｌＹボンディングコート（４８）を堆積させるステップと、ボンディングコート（４８）を覆いかつ該ボンディングコート（４８）に密着させてセラミック断熱皮膜（５０）を施工するステップとを含む。 - 特許庁

In such constitution, the temperature of the external cabinet is lowered by a thermal diffusion effect by the sheet metal component 61 having the high heat conductivity and a heat insulating effect by the heat insulating sheet 62 having the low heat conductivity while achieving the miniaturized and thinned structure where the space between the lamp 28 and the external cabinet is minimized.例文帳に追加

この構成では、高熱伝導性の板金部品６１による熱拡散効果と、低熱伝導性の断熱シート６２による断熱効果により、ランプ２８と外装キャビネットとの間の空間を最小限にした小型薄型化構造を実現しながら、外装キャビネットの温度低減を達成することができる。 - 特許庁

To constitute a passive cooling heatsink having an improved thermal diffusion so that a laser diode element which uses a heatsink of this type has symmetry with respect to heat, and a compact constitution and can be used for multiple purposes, and particularly can be universally used with respect to beam guiding and electrical circuitry.例文帳に追加

熱拡散の点で改善された受動的冷却性ヒートシンクであって、この種のヒートシンクを使用するダイオードレーザー素子が熱的に対称性があり、構成がコンパクトであり、普遍的に使用でき、特に光線の案内と電気回路技術に関し普遍的に使用できるように前記ヒートシンクを構成する。 - 特許庁

This steam turbine is provided with a steam turbine wheel chamber having a double structure low pressure wheel chamber to prevent diffusion of thermal energy of high temperature steam, and having the heat insulating plate welded on an outer wall surface of the low pressure inner wheel chamber via material coated by insulating material not to produce insulation destruction at a time of welding by a stud welding gun.例文帳に追加

高温蒸気の熱エネルギーが拡散するのを防止するため、低圧車室を二重構造にし、前記低圧内部車室の外壁面に遮熱板を、スタッド溶接ガンにより溶接する際に絶縁破壊を起さないように絶緑材をコーテングした材料を介して溶接した蒸気タービン車室を備えたた蒸気タービン。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, a conductive material between the lower electrode section for composing the capacitive element and the resistive element is removed partially to form a removed part, thus breaking the thermal diffusion of impurities in the film due to heat treatment in the formation of the dielectric film of the capacitive element and preventing the concentration of impurities in the resistive element from changing.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、容量素子を構成する下部電極部と抵抗素子との間の導電性材料を部分的に除去して除去部を形成することにより、容量素子の誘電体膜形成時の熱処理による膜中の不純物の熱拡散が遮断され、抵抗素子の不純物の濃度変化を起させない。 - 特許庁

A mold for producing an optical element has at least two first and second divisible mold members 4 and 6 and the coefficient of thermal diffusion of the first cavity surface coming into contact with a molten resin of the first mold member 4 is made higher than that of the second cavity surface coming into contact with the molten resin of the second mold member 6.例文帳に追加

分割可能な少なくとも２つの第１金型部材および第２金型部材を有し、一方の第１金型部材の、溶融樹脂と接触する第１キャビティ面の熱拡散係数を、他方の第２金型部材の、溶融樹脂と接触する第２キャビティ面の熱拡散係数より高くしてある光学素子製造用金型である。 - 特許庁

A groove functioning as a channel 201a is formed in the first flat board 201 having grids which intersect at a predetermined angle, the second flat board 202 having grids which intersect at a predetermined angle is superimposed on the first flat board 201, and then the first flat board 201 and the second flat board 202 are joined by thermal diffusion bonding.例文帳に追加

所定の角度で交差する格子が形成された第１の平板２０１に流路２０１ａとして機能する溝を形成し、更に所定の角度で交差する格子が形成された第２の平板２０２を第１の平板２０１と重ね合わせ、熱拡散接合によって第１の平板２０１と第２の平板２０２とを接合させる。 - 特許庁

Then, even if after the multilayer structure in a layer above the surface of a silicon semiconductor substrate 2 has been formed, the thermal treatment is carried out and a bond of heavy hydrogen to silicon is cut, heavy hydrogen can be continuously supplied to an interface between source/drain diffusion layers 16, 17 of the silicon semiconductor substrate 2 and a gate insulating film 18.例文帳に追加

すると、シリコン半導体基板２の表面より上層の多層構造を形成した後に熱処理が行われ重水素とシリコンの結合が切断されたとしても、シリコン半導体基板２のソース／ドレイン拡散層１６および１７とゲート絶縁膜１８との間の界面に継続的に重水素を供給できるようになる。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor light-emitting element 1 absorbs in advance Si atoms 41 obtained by thermal decomposition of SiH_4, thereby forming a diffusion protection layer 31 composed of Si-doped InP with high impurity concentration on one surface of a semiconductor substrate 11 and side surfaces of a semiconductor mesa part 12 in the initial growth of a buried layer 13.例文帳に追加

半導体レーザ素子１の製造方法では、ＳｉＨ_４を熱分解して得られるＳｉ原子４１を予め吸着させることにより、埋込層１３の初期成長において、半導体基板１１の一面及び半導体メサ部１２の側面に、高不純物濃度のＳｉドープＩｎＰによる拡散防止層３１を形成する。 - 特許庁

To provide an electrically and mechanically stable laminated ceramic electronic part by preventing variations in composition due to diffusion of constitutive elements, warping, delamination and deterioration of strength of a substrate due to difference of thermal expansion coefficient or sintering behavior among the layers when burning a laminate made of different composite layers, and its manufacturing method.例文帳に追加

異なる組成を有する材料を積層して焼成するときに起こる構成元素の拡散による組成変動と、熱膨張係数や焼結挙動の違いによる基板の反り、層間剥離、機械的強度の低下を抑制して電気的、機械的に安定な積層セラミック電子部品およびその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a strongly joined structure in which a metal containing Ni is brazed to a ceramic or another metal through a brazing material layer consisting mainly of gold, and which can prevent the diffusion of the Ni in the brazing material layer to prevent the increase in the hardness of the brazing material layer, and can thereby prevent the peeling of the brazing layer and the breakage of the ceramic due to thermal stresses.例文帳に追加

Ｎｉを含む金属と、セラミックスや他の金属とを金を主体とするロウ材層を介してロウ付けする接合構造体において、ロウ材層へのＮｉの拡散を防止し、ロウ材層の硬度上昇を防ぐことで熱応力によるロウ材層の剥離やセラミックスの破損を防止し、強固に接合された接合構造体を提供する。 - 特許庁

The carbon-based composite material 2 is composed of a carbon-based base material 4, a first coating layer 8 which is formed in the base material 4 side and capable of suppressing diffusion of corrosion species, and a second coating layer 10 which is formed on the surface of the first coating layer 8 and includes crystal grains having anisotropy in thermal expansion and a glass phase being filled between the crystal grains.例文帳に追加

炭素系複合材料２を、炭素系基体４と、当該基体４側に形成され腐食種拡散抑制可能な第１の被覆層８と、この第１の被覆層８の表面に形成され、熱膨張の異方性を有する結晶粒子と当該粒子間を充填するガラス相とを有する第２の被覆層１０とする。 - 特許庁

To provide a light-emitting element, in which transparent semiconductors functioning as current diffusing layers can be formed efficiently on both main surface sides of an AlGaInP light-emitting layer section and the variation of the serial resistance, in which the forward current of the element hardly occurs, and which can suppress the deterioration of the light-emitting layer section caused by the thermal diffusion of a dopant profile.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ発光層部の両主表面側に電流拡散層として機能する透明半導体を効率よく形成でき、また、発光層部のドーパントプロファイルの熱拡散による劣化も抑制でき、さらに、素子の直列抵抗ひいては順方向電流のばらつきも生じにくい発光素子を提供する。 - 特許庁

Transparent plastic constituting members (4) are preheated for reducing the temperature gradient between the plastic constituting members during the bonding, which helps to melt the transparent plastic constituting member (4) faster caused by the thermal transfer in bonding to restrict the heat diffusion in the direction to the quality surface in an absorbing plastic constituting members (1).例文帳に追加

接合時のプラスチック構成部材間の温度勾配を減少するために透明プラスチック構成部材（４）が予め加熱され、それにより、接合中の熱伝導によって引き起こされる透明プラスチック構成部材（４）のより迅速な溶解が行われ、吸収プラスチック構成部材（１）内における品質表面の方向への熱拡散が制限されること。 - 特許庁

To provide an organic polymer composition which can match the thermal characteristics and birefringence of the core portion of an optical waveguide with those of its clad portion, can reduce the diffusion of light, can easily control refractive index, and can more simply form the optical waveguide at a lower cost in high accuracy, and to provide a method for producing an optical waveguide.例文帳に追加

光導波路のコア部とクラッド部の熱的特性及び複屈折性を一致させるとともに、光の散乱損失が低く、屈折率の制御が容易であり、さらには、より簡便かつより低コストで高精度に光導波路を形成することが可能な有機高分子組成物及び光導波路並びに光導波路の製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon nitride(SiN) regions 40 filling the role of the barriers for obstructing the thermal diffusion of substrate impurities of a MOSFET in STI region formed by ion implantation of nitrogen(N) are held by Si substrate 31 near the interface between STI structured buried-in oxide films 34 and the Si substrate 31.例文帳に追加

ＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４とＳｉ基板３１との界面近傍のＳｉ基板３１中に、窒素（Ｎ）のイオン注入によって形成され、ＭＯＳＦＥＴの基板不純物がＳＴＩ領域中へ熱拡散するのを阻止するためのバリアとして働く窒化シリコン（ＳｉＮ）領域４０を介在させたことを特徴としている。 - 特許庁

To provide an electrode tip for a spark plug which is suppressed in high temperature volatilization wear than an inclination functional material layer formed by a thermal diffusion method, improved in durability with respect to spark wear by improving high temperature strength of the electrode tip, and realizes low cost, by suppressing the amount of precious metal used by further realizing thin diameter.例文帳に追加

本発明の目的は、熱拡散法によって形成した傾斜機能材層よりも高温揮発減耗を抑制し、電極チップの高温強度を向上させることで火花減耗に対する耐久性を向上させること及び更なる細径化を図り貴金属使用量を抑えて安価であることを実現するスパークプラグ用電極チップを提供することである。 - 特許庁

The display device 1000 includes a thermal diffusion sheet 210 stuck to a part including a high temperature part, which corresponds to an area where the light emitting pixel part 111 is not formed in the first face 121 in a second face 122 which is the back of the substrate 120, and which reaches a higher temperature than the light emitting pixel part 111 when the display panel 100 is driven.例文帳に追加

また、表示装置１０００は、基板１２０の裏面である第２の面１２２のうち、第１の面１２１において発光画素部１１１が形成されていない領域に対応する部分であって、かつ、表示パネル１００の駆動時において発光画素部１１１より高い温度になる部分である高温部を含む部分に貼り付けられる熱拡散シート２１０を備える。 - 特許庁

Such a structure can prevent the material powder from moving in the material chamber 26a due to the flow of a carrier medium into the chamber 26a and the deformation of the material powder by heating it during the irradiation with an ion beam and can maintain the temperature of the material powder at which the thermal diffusion of generated radioactive nuclides is easily carried out to improve the recovery ratio.例文帳に追加

このような構成により、イオンビーム照射中に、キャリア媒体の原料室への流入および加熱による原料粉末の変形により、原料室内で原料粉末が移動することを防止でき、原料粉末の温度を生成された放射性核種が熱拡散しやすい温度に維持でき、生成された放射性核種の回収率を向上できる。 - 特許庁

The semiconductor memory is composed of a transistor TRA for selection (A) and a memory cell MCAM composed of a first electrode 21, a capacitor layer 22 and a second electrode 23 (B), the first electrode 21 is connected, via the transistor TRA for selection, to a bit line BLA and a thermal diffusion layer 25 is formed on or above the memory cell MCAM or under or below the memory cell.例文帳に追加

半導体メモリは、（Ａ）選択用トランジスタＴＲ_Aと、（Ｂ）第１の電極２１とキャパシタ層２２と第２の電極２３とから成るメモリセルＭＣ_AMから構成され、第１の電極２１は選択用トランジスタＴＲ_Aを介してビット線ＢＬ_Aに接続され、メモリセルＭＣ_AMの上若しくは上方、あるいは又、メモリセルの下若しくは下方には、熱拡散層２５が形成されている。 - 特許庁

The method of manufacturing a resistance change type element X like this includes: a step of forming a laminate structure including electrodes 1 and 2, an oxide layer 3, and a non-oxidizer layer 4; and an oxidizing step of making a portion of oxygen in the oxide layer 3 reach the electrode 2 through thermal diffusion to partially oxidize an end surface of the electrode 2 on the side of the oxide layer 3.例文帳に追加

このような抵抗変化型素子Ｘの製造方法は、電極１，２、酸化物層３、および非酸化性物質層４を含む積層構造を形成する工程と、酸化物層３内の酸素の一部を熱拡散によって電極２に至らしめて当該電極２における酸化物層３側の端面を部分的に酸化させる酸化工程とを含む。 - 特許庁

The manufacturing method includes processes of applying slurry containing a catalytic metal precursor, a catalyst support having fine cavities, ionomers having cation exchange groups, and solvent on a gas diffusion layer to form a catalytic layer before reduction and reducing the catalytic metal precursor by means of thermal treatment under a reductive atmosphere to from catalytic metal particles in the fine cavities of the catalyst support.例文帳に追加

触媒金属前駆体、微細気孔を有する触媒担体、陽イオン交換基を有するイオノマ及び溶媒を含むスラリをガス拡散層上に塗布して未還元触媒層を形成する段階と、前記未還元触媒層を還元雰囲気にて熱処理して前記触媒金属前駆体を還元させることにより、前記触媒担体の微細気孔内に触媒金属粒子を形成する段階とを含む。 - 特許庁

To provide a sealing composition (especially for making a conductive porous body to be a gas diffusion layer member) which has a sealability for sealing an end surface of the conductive porous body and moldability for molding integrally with the conductive porous body and moreover has suitable mechanical properties (hardness, strength, elongation or the like) and has an excellent chemical resistance (especially an acid resistance) and a thermal resistance.例文帳に追加

導電性多孔質体の端面を封止し得るシール性及び導電性多孔質体に一体成形できる成形性を有し、かつ、得られる成形物が適度な機械的物性（硬さ、強度、伸び等）と、優れた耐薬品性（特に耐酸性）及び耐熱性を示すシール組成物（特に、導電性多孔質体を燃料電池のガス拡散層用部材にするためのシール組成物）を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a base layer 9 formed on a silicon substrate 1, an emitter layer 12 formed in the base layer 9, and an emitter wiring layer 22 contacting to the emitter 12, where an emitter electrode layer 14 of a silicon layer is between the emitter layer 12 and the emitter wiring layer 22, and the emitter layer 12 is formed out of impurities by thermal- diffusion from the emitter electrode layer 14.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成されたベース層９と、このベース層９内に形成されたエミッタ層１２と、このエミッタ層１２にコンタクトするエミッタ配線層２２とを有する半導体装置において、前記エミッタ層１２上とエミッタ配線層２２との間にシリコン層から成るエミッタ電極層１４を介在させ、エミッタ層１２はエミッタ電極層１４から熱拡散された不純物から成る。 - 特許庁