「active region」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

At the PNP transistor part, the single crystal silicon layer is included as a part of an emitter region, and at the NPN transistor part, the single crystal silicon layer is included as an active base region.例文帳に追加

ＰＮＰトランジスタ部では、該単結晶シリコン層をエミッタ領域の一部とし、ＮＰＮトランジスタ部では、該単結晶シリコン層を活性ベース領域とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method that can reliably suppress the occurrence of a shaping failure in an element isolation region around the end of an active region.例文帳に追加

活性領域の端部周辺における素子分離領域の形状不良の発生を確実に抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The dummy interconnect line 13 is arranged not to overlap a region 15 obtained by projecting the active region 5 to the first interlayer insulating film 10.例文帳に追加

このとき、ダミー配線１３は、活性領域５を第１層間絶縁膜１０に投影して得られる領域１５と重ならないように配置する。 - 特許庁

The active layer has a first region 26 positioned right under the ridge part and second regions 27 and 28 adjacent to both sides of the first region 26.例文帳に追加

活性層は、リッジ部の直下に位置する第１の領域２６と、第１領域２６の両側方に隣接する第２の領域２７、２８を有する。 - 特許庁

In a semiconductor laser element, an active layer is divided into two of an optical amplifying region 3 and a saturable absorption region 4 in the resonator direction.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、共振器方向において活性層が光増幅領域３と可飽和吸収領域４との２つに分割されている。 - 特許庁

The light generated in an active layer 24 is subjected to regular reflection by the two-dimensional photonic crystalline region 60, and a part thereof exits to the defective region 70.例文帳に追加

活性層２４で発生した光は二次元フォトニック結晶領域６０による正反射の作用を受け、その一部は欠陥領域７０にしみ出す。 - 特許庁

A memory cell has a structure that four word lines 2 are provided on one active region 1 and two word lines 2 are provided in a region 8 corresponding to one bit.例文帳に追加

メモリセルで、一つの活性領域１上に四本のワード線２を設け、一ビット対応領域８で、二本のワード線２を有した構造である。 - 特許庁

Both the ends of a gate electrode traversing the above part of a transistor active region 155b through the intermediary of a gate insulating film 159 are arranged on the partial isolation region.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１５９を介してトランジスタ活性領域１５５ｂの上部を横切るゲート電極の両端は部分分離領域上に配置される。 - 特許庁

A protective diffusion region is formed preferably in a non-active cell so as to form a diode to be connected in parallel to a channel region in each MOSFET.例文帳に追加

各ＭＯＳＦＥＴ内のチャネル領域に並列に接続されるダイオードを形成するように、保護拡散部が、好ましくは非アクティブセル内に生成される。 - 特許庁

In this element, an active region 54 is defined by arranging a plurality of isolation films 52 and 53 in parallel at a constant interval in a specified region of a semiconductor substrate.例文帳に追加

この素子は、半導体基板の所定領域に複数の素子分離膜５２，５３が一定間隔に平行に配置されて活性領域５４を画定する。 - 特許庁

As a result, respective signals corresponding to an active region and a reference region on the sensor surface 13a can be compared, whereby measurement accuracy is improved.例文帳に追加

これにより、センサ面１３ａ上のａｃｔ領域とｒｅｆ領域とに対応する各信号の比較が可能になり、測定精度が高まる。 - 特許庁

A trench element isolation oxide film 11 is formed on the surface of a silicon substrate 10, and a transistor 3 is formed in an active region other then an element isolation region.例文帳に追加

シリコン基板１０の表面にトレンチ素子分離酸化膜１１が形成され、素子分離領域以外の活性領域にトランジスタ３が形成されている。 - 特許庁

(2) A first FP electrode 17a is provided on the (n) drift region 12d of the parallel pn layer outside the active region via an insulation film 19.例文帳に追加

（２）活性領域の外側の並列ｐｎ層のｎドリフト領域１２ｄ上に絶縁膜１９を介して第一ＦＰ電極１７ａを設ける。 - 特許庁

The first conductivity type semiconductor region 3 and the second conductivity type semiconductor region 7 constitute a pn junction mutually in a periphery of the active layer 5.例文帳に追加

第１導電型半導体領域３と第２導電型半導体領域７とは、活性層５の周囲において互いにｐｎ接合を構成している。 - 特許庁

An n-type MIS transistor Q_1 or p-type MIS transistor Q_2 is formed on an active region separated by the element separation region 2 of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の素子分離領域２で分離された活性領域上にｎ型ＭＩＳトランジスタＱ_1またはｐ型ＭＩＳトランジスタＱ_2を形成する。 - 特許庁

A region 14 which is crystal grown nearly in one direction by melt solidification due to such an irradiation of light is used as an active region 17 of a semiconductor device.例文帳に追加

このような光照射による溶融固化により概略一方向に結晶成長された領域１４を、半導体装置の活性領域１７とする。 - 特許庁

The semiconductor optical element 1 has a first conductivity type semiconductor region 3, an active layer 5, a potential control layer 2, and a second conductivity type semiconductor region 7.例文帳に追加

半導体光素子１は、第１導電型半導体領域３と、活性層５と、電位制御層２と、第２導電型半導体領域７とを備える。 - 特許庁

Only the regions of the active layer 5 that are to be the source region 12 and the drain region 13 are doped by ion-doping an impurity at a high concentration with a low acceleration voltage.例文帳に追加

不純物を低い加速電圧で高濃度にイオンドーピングして、活性層５のソース領域12およびドレイン領域13となる部分のみをドーピングする。 - 特許庁

Thereafter, when a gate oxide film 23 and a gate electrode 23 are formed, the gate electrode 23 is never sneaked to the side of an active region (channel region).例文帳に追加

その後、ゲート酸化膜２２やゲート電極２３を形成しても、ゲート電極２３が活性領域（チャネル領域）の側方に回り込むことがない。 - 特許庁

The active layer 5 and the potential control layer 2 are provided between the first conductivity type semiconductor region 3 and the second conductivity type semiconductor region 7.例文帳に追加

活性層５及び電位制御層２は、第１導電型半導体領域３と第２導電型半導体領域７との間に設けられる。 - 特許庁

An active beam transmitted through a light catalyst film 43 is irradiated on a region surrounding a range in which a surrounding region 19 and the pixel electrode 13 are aligned.例文帳に追加

光触媒膜４３を透過した活性光線を囲繞領域１９及び画素電極１３の配列された範囲を囲繞する領域に照射する。 - 特許庁

The PMOS type floating gate transistor 52 uses the p-diffused region 68 below a p+ active region 70 which forms a drain, to provide a high breakdown voltage.例文帳に追加

このPMOSフローティングゲートトランジスタ５２は、高い破壊電圧を設けるために、ドレインを形成するｐ+アクティブ領域７０の下にｐ-型拡散領域６８を用いる。 - 特許庁

In the element termination region 200, a trench 700 is formed in a closed-loop shape enclosing the device active region 100 substantially perpendicularly to a substrate surface.例文帳に追加

素子終端領域２００には、基板表面に略垂直に、素子活性領域１００を取り囲む閉ループ状にトレンチ７００が形成されている。 - 特許庁

A channel ion implantation region is formed by ion-implanting a dopant of a first conductivity type in the active region of the semiconductor substrate using the mask pattern.例文帳に追加

前記マスクパターンを前記半導体基板の活性領域に第１導電型のドープ剤をイオン注入してチャンネルイオン注入領域を形成する。 - 特許庁

A gate region 9b is formed by diffusing p-type impurities in the surface layer of the active region 1ac between the source electrode 7s and the drain electrode 7d.例文帳に追加

ソース電極７ｓ−ドレイン電極７ｄ間における活性領域１acの表面層にｐ型不純物を拡散させてゲート領域９ｂを形成する。 - 特許庁

On the surface of the p-side electrode 22, a protecting section 24 is provided, in correspondence with other region than the current injection region of the active layer 14.例文帳に追加

また、ｐ側電極２２の表面には活性層１４の電流注入領域以外の領域に対応して保護部２４が設けられている。 - 特許庁

To improve the driving capability of a transistor by improving the mobility of a carrier in an active region of the transistor surrounded by an element separation region.例文帳に追加

素子分離領域により囲まれたトランジスタの活性領域においてキャリアの移動度を向上させ、それによってトランジスタの駆動能力を向上させる。 - 特許庁

While future growth of the region is expected and the economic ties in the region will likely to improve, we would like to see more Japanese companies to launch active business operations.例文帳に追加

今後の成長と域内経済交流の深まりが期待されるなか、我が国企業による事業活動の積極的な展開が望まれる。 - 経済産業省

To prevent an insulating film buried in a trench separation region from being dug down, and to prevent a substrate leak accompanied by the silicide formation of an active region edge sidewall.例文帳に追加

トレンチ分離領域内に埋め込まれた絶縁膜の掘れ下がりを防止し、活性領域端部側壁のシリサイド形成に伴う基板リークを防止する。 - 特許庁

A thermal spacer, in other words a electrical inactive region 40 divides at least one unit cell into a first active portion and a second active portion 50, and the second active portion is separated from the first active portion by the thermal spacer.例文帳に追加

熱スペーサ（すなわち、電気的に不活性な領域）４０が、これらのユニットセルのうち少なくとも１つを第１の活性部分及び第２の活性部分５０に分割し、第２の活性部分は、この熱スペーサにより第１の部分から離隔される。 - 特許庁

In this way, the film depositable gas fed to the reaction inactive region 48 moves from the reaction inactive region 48 to a reaction active region 44 continued to the reaction inactive region 48 in the reaction vessel 12.例文帳に追加

このため、反応不活性領域４８に供給された成膜性ガスは、反応容器１２内において反応不活性領域４８から反応不活性領域４８に連続する反応活性領域４４に移動する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming a p-type well region 2 and an element isolation region 3 in a p-type silicon substrate 1 in a transistor forming region for the memory, and then a step of forming a gate insulating film 4 and a gate electrode 5 on an active region.例文帳に追加

メモリ用トランジスタ形成領域におけるＰ型シリコン基板１にＰ型ウェル領域２及び素子分離領域３を形成した後、活性領域上にゲート絶縁膜４及びゲート電極５を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device having the field effect transistor having an SOI structure, the ion-implanted region 11 of the body contact 6 is separated from the active region 2 of the field effect transistor to suppress the diffusion of implanted ions to the active region 2 side.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の電界効果トランジスタを有する半導体装置において、前記電界効果トランジスタの活性領域２に対してボディコンタクト部６のイオン注入領域１１を離間させて、注入イオンの活性領域２側への拡散を抑制する。 - 特許庁

A gate electrode is made through a gate insulating film consisting of a ferroelectric film is made between the first active region 17S and the second active region 17D on the well region 11, and a word line 13 is connected to that gate electrode.例文帳に追加

ウェル領域１１の上における第１の活性領域１７Ｓと第２の活性領域１７Ｄとの間には、強誘電体薄膜からなるゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されており、該ゲート電極にはワード線１３が接続されている。 - 特許庁

The light having a wavelength coinciding with the resonant wavelength of the defective region 70 among the wavelengths exited to the defective region 70 is emitted in the outward direction from the surface of the active layer 24, and is reflected by the reflecting film 80 and fed back to the active layer 24 via the defective region 70.例文帳に追加

欠陥領域７０にしみ出た波長成分のうち欠陥領域７０の共振波長に合致した光は活性層２４の面外方向に出射し、反射膜８０で反射されて欠陥領域７０を経由して活性層２４にフィードバックされる。 - 特許庁

The surface of an active region L surrounded with an element isolation groove 2 on a substrate is flat and horizontal at the center of the region L, but the shoulder of the active region is a slope that declines downward to the side wall of the element isolation groove 2.例文帳に追加

素子分離溝２に囲まれた活性領域Ｌの基板１の表面は、活性領域Ｌの中央部では平坦な水平面となっているが、活性領域Ｌの肩部では、素子分離溝２の側壁に向かって下降する傾斜面となっている。 - 特許庁

The first contact C1 is provided in the active region SDG, having a width wider than that of the wiring M2 farther inside by a margin Z of the first contact and the active region, and a contact plug 6 is buried at an opening part.例文帳に追加

第１のコンタクトＣ１は、配線Ｍ２よりも幅の広い活性領域ＳＤＧ内に、第１のコンタクトと活性領域との余裕Ｚだけ内側に設けられ、開口部にコンタクトプラグ６が埋設されている。 - 特許庁

Based on the length and width of the active region of an MOS (metal oxide semiconductor) transistor for calculating the drain current and the model formula of stress, mobility is calculated when a stress acts in the active region.例文帳に追加

そして、ドレイン電流の計算対象となるＭＯＳトランジスタの活性領域の長さおよび幅並びに前記応力のモデル式に基づいて、当該活性領域に応力が働いた場合の移動度を計算する。 - 特許庁

An integrated circuit has at least, an inductive element and an active region capable of containing a resistive element, a capacitive element and a semiconductor element, and the inductive element overlaps with a part of an active region 5.例文帳に追加

本発明は、少なくとも一つの誘導素子と、抵抗性、容量性及び半導体の素子を含み得る活性領域とを有する誘導素子及び活性領域（５）の一部が重なり合う集積回路に係わる。 - 特許庁

A first active region 9a and a second active region 9b include central top surfaces 9t of a (100) crystal plane and inclined edge surfaces 9e extending from the central top surfaces 9t to the device isolation layer 14.例文帳に追加

第１活性領域９ａ及び第２活性領域９ｂは（１００）面の中心上面９ｔ及び中心上面９ｔから素子分離膜１４に向けて延びる傾斜エッジ面９ｅを有する。 - 特許庁

An active layer 19 is positioned between a p-type GaN semiconductor region 15 and a positive hole block layer 17, and positive holes H are supplied to the active layer 19 from the p-type GaN semiconductor region 15.例文帳に追加

活性層１９は、ｐ型ＧａＮ系半導体領域１５と正孔ブロック層１７との間に位置するので、正孔Ｈはｐ型ＧａＮ系半導体領域１５から活性層１９に供給される。 - 特許庁

A gate electrode 9a of the MISFET (Q1)is formed on a substrate 1 of an active region L whose periphery is regulated by an element isolating trench 2 and stretches from one end to the other end of the active region L intersecting it.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴ（Ｑ_1）のゲート電極９ａは、素子分離溝２によって周囲を規定されたアクティブ領域Ｌの基板１上に形成され、アクティブ領域Ｌを横切ってその一端から他端に延在している。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1 formed with an active region 1ac on a surface side, a source electrode 7s and a drain electrode 7d composed of a refractory metal are formed in a state of being in ohmic contact with the active region 1ac.例文帳に追加

表面側に活性領域１acを備えた半導体基板１上に、活性領域１acに対してオーミック接続させた状態で高融点金属からなるソース電極７ｓおよびドレイン電極７ｄを形成する。 - 特許庁

A second optical reflector (22) over the active region (18) forms with the first optical reflector (14) a vertical optical cavity (28) overlapping a portion of a quantum well (44, 46, 48) of the active region (18).例文帳に追加

第２光学反射体（２２）は、活性領域（１８）上にあり、第１光学反射体（１４）と共に、活性領域（１８）の量子井戸（４４、４６、４８）の一部に重なる垂直光学キャビティ（２８）を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon wafer suppressing a reduction in oxygen concentration in a device active region and greatly reducing the defect density of the device active region without performing again mirror polishing.例文帳に追加

再度、鏡面研磨等を行う必要がなく、デバイス活性領域における酸素濃度の低下を抑制し、かつ、デバイス活性領域の欠陥密度を大きく低減することができるシリコンウェーハの製造方法の提供。 - 特許庁