「active region」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface of an active layer 2 in a region for forming a via hole is removed partially by etching and ions are implanted in the region for forming a via hole up to a substantially constant depth from the surface of the active layer.例文帳に追加

バイアホール形成予定領域の能動層２表面の一部をエッチング除去し、バイアホール形成予定領域に能動層表面からほぼ一定の深さに不純物イオンを注入する。 - 特許庁

A power module 1 includes the semiconductor element 2 having a first active region R1 where an IGBT element 53a is formed and a second active region R2 where a transistor element 54a is formed.例文帳に追加

パワーモジュール１は、ＩＧＢＴ素子５３ａを形成する第１活性領域Ｒ１と、トランジスタ素子５４ａを形成する第２活性領域Ｒ２と、を有する半導体素子２を備えている。 - 特許庁

An element isolation insulating film 15 is formed on a surface layer of the non-defect layer 13, a p- or n-type active region 16 is formed, and an element is formed on a surface side of the active region 16.例文帳に追加

無欠陥層１３の表面層に、素子分離絶縁膜１５を形成すると共にｐ型やｎ型の活性領域１６を形成し、活性領域１６の表面側に素子を形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a flash memory element, an element separation film 304 is formed so as to have a protruding portion higher than the surface of an active region 302, supplying a groove on the active region 302.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の製造方法は、素子分離膜３０４は活性領域３０２の表面よりも高い突出部を有するように形成されて活性領域３０２上にグルーブを供給する。 - 特許庁

A first region 17a of the first semiconductor spacer layer 17 is located on the first area 15b of the active layer 15, and a second region 17b is located on a second area 15c of the active layer 15.例文帳に追加

第１の半導体スペーサ層１７の第１の領域１７ａは、活性層１５の第１のエリア１５ｂ上に位置し、また第２の領域１７ｂは活性層１５の第２のエリア１５ｃ上に位置する。 - 特許庁

The central top surfaces 9t and the inclined edge surfaces 9e of the first active region 9a and the second active region 9b are covered with a first semiconductor pattern 15a and a second semiconductor pattern 15b.例文帳に追加

第１活性領域９ａ及び第２活性領域９ｂの中心上面９ｔ及び傾斜エッジ面９ｅは第１半導体パターン１５ａ及び第２半導体パターン１５ｂで覆われる。 - 特許庁

An embedded dielectric stressor element has an upper surface extending horizontally at a first depth below the main surface of a part of the active semiconductor region, such as an east edge portion of the active semiconductor region.例文帳に追加

埋込み誘電体ストレッサ要素は、活性半導体領域の東部部分のような、該活性半導体領域の一部の主面より下方の第１の深さで水平方向に延びる上面を有する。 - 特許庁

A combination of the active material A whose region of potential change due to charging and discharging is small and the active material B whose region is large makes it possible to detect a charge state by a potential.例文帳に追加

充放電に伴う電位変化が小さい領域をもつ活物質Ａと、大きい領域をもつ活物質Ｂとを組み合わせることで電位による充電状態検出を可能になる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving reverse recovery capability of a diode while securing an active region of an insulated gate bipolar transistor (IGBT) region.例文帳に追加

ＩＧＢＴ領域の活性領域を確保しつつ、ダイオード逆回復耐量を向上することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

An N-type lateral current blocking region 18 is formed between the outer peripheral side and the inner peripheral side of the P-type active guard region 16.例文帳に追加

また、ｐ型アクティブガード領域１６の外周側と内周側との間には、ｎ型横電流抑止領域１８が形成されている。 - 特許庁

Moreover, an active region is formed on a silicon region with no residual catalyst element to manufacture a semiconductor device, wherein impurities do not exist in the interface between the gate insulating film and the semiconductor layer.例文帳に追加

また、残留触媒元素の無いシリコン領域に活性領域を形成して不純物の無い半導体装置を作成する。 - 特許庁

Difference in the refractive index between the material of active region and that the material of blocking region is set smaller than about 0.029 at the fundamental frequency.例文帳に追加

基本周波数における、活性領域の材料とブロッキング領域の材料との間の屈折率の差を約０．０２９よりも小さくする。 - 特許庁

Each of the first and the second portions 13a and 13b has the active layer 23, an n-type clad region 25 and a p-type clad region 27.例文帳に追加

第１および第２の部分１３ａ、１３ｂの各々は、活性層２３、ｎ型クラッド領域２５およびｐ型クラッド領域２７を含む。 - 特許庁

An ONO film exists only on a semiconductor substrate at a part where a gate line intersects an active region and does not exist in an isolation region.例文帳に追加

ＯＮＯ膜がゲートラインと活性領域が交差する部分の半導体基板上にのみ存在して素子分離領域には存在しない。 - 特許庁

The gate line has a first width on the active region, and has a second width larger than the first width on the field region.例文帳に追加

前記ゲートラインは、前記アクティブ領域上では第１幅を有し、前記フィールド領域上では前記第１幅より広い第２幅を有する。 - 特許庁

On the semiconductor substrate under the first metal layer, a first semiconductor region and a first active region including a first gate electrode are formed.例文帳に追加

第１金属層の下の半導体基板には第１半導体領域と第１ゲート電極を含む第１アクティブ領域が形成されている。 - 特許庁

A first recessed portion 2a is formed on an upper portion of the element isolation region 2 of a portion adjacent to a first active region 1a.例文帳に追加

第１の活性領域１ａに隣接する部分の素子分離領域２の上部には第１の切り欠き部２ａが形成されている。 - 特許庁

The source metal is brought into contact with a polysilicon region of a TMBS portion, by extending the polysilicon outside an active region of the TMBS portion.例文帳に追加

（ＴＭＢＳ）部のポリシリコン領域に対するソース金属のコンタクトは、（ＴＭＢＳ）部の活性領域外へのポリシリコンの延長よって行なわれる。 - 特許庁

Thereafter, the surface of the first active region (LV region) I is exposed, and a second thermal oxide film (thin gate oxide film) is formed in the surface exposed part.例文帳に追加

その後、第１アクティブ領域(LV領域)Iの表面を露出させ、その表面露出部に第２熱酸化膜（薄いゲート酸化膜）を形成する。 - 特許庁

A single crystal silicon film 15 is formed only in the active region of the silicon substrate 11 while a polysilicon film is formed in the region other than that.例文帳に追加

さらに、シリコン基板１１の活性領域にのみに単結晶シリコン膜１５を形成し、それ以外の領域にはポリシリコン膜を形成する。 - 特許庁

A gate electrode is formed in a trench of the active region through a gate insulating film, and a p^+region 6 is formed on a bottom portion thereof.例文帳に追加

活性領域のトレンチには、ゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されるとともに、底部にｐ^+領域６が形成されている。 - 特許庁

To obtain a high breakdown voltage semiconductor device that reduces an electric field relaxation region and increases the ratio of an active region even in a high breakdown voltage element.例文帳に追加

電界緩和領域を低減して、高耐圧素子においても活性領域の割合を高くした高耐圧半導体装置を得る。 - 特許庁

The peripheral buried part is provided at the outer side of at least one of a formation region of the active layer and a formation region of the first electrode.例文帳に追加

周縁埋設部は、活性層の形成領域または第一電極の形成領域の少なくとも一方の外側に設けられている。 - 特許庁

The surface of the substrate at the shoulder of the active region L is rounded as a whole, and an angular region is not present.例文帳に追加

また、上記活性領域Ｌの肩部における基板１の表面は、全体的に丸みが付けられており、角張った領域が存在しない。 - 特許庁

The multiple stages of the substrate 11 are taken over to the buffer layer 12, the n-type semiconductor region 13, the active layer 14, and the p-type semiconductor region 15.例文帳に追加

基板１１の多段ステップをバッファ層１２、ｎ形半導体領域１３、活性層１４、ｐ形半導体領域１５に引き継がせる。 - 特許庁

By high integration, the contact margins on both sides of the gate line in the active region are increased without reducing the gate resistance on the field region.例文帳に追加

高集積化によってフィールド領域上のゲート抵抗を減少させず、アクティブ領域での前記ゲートライン両側のコンタクトマージンが増加する。 - 特許庁

In a specified region, the silicon nitride film and the semiconductor substrate are removed by etching to form an isolation groove for dividing an active region.例文帳に追加

所定領域においてシリコン窒化膜と半導体基板とをエッチングにより除去して、活性領域を区分する分離溝を形成する。 - 特許庁

To prevent the generation of a stress in a field region, and to prevent the induction of a dislocation in an active region in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、フィールド領域でのストレスの発生を防止し、アクティブ領域に転位が誘発されることを防止することにある。 - 特許庁

A first region 17a and a second region 17b of the first gallium nitride-based semiconductor layer 17 are arranged along the active layer 15.例文帳に追加

第１の窒化ガリウム系半導体層１７の第１の領域１７ａおよび第２の領域１７ｂは活性層１５に沿って配置される。 - 特許庁

A contact region (20) laterally adjacent the active region (18) comprises a nitride semiconductor material and a first conductive first dopant.例文帳に追加

コンタクト領域（２０）は、活性領域（１８）の横に隣接し、窒化物半導体材料及び第１導電性タイプの第１ドーパントを含んで成る。 - 特許庁

The semiconductor laminate 15 includes an n-type GaN semiconductor region 17, an active layer 19, and a p-type GaN semiconductor region 21.例文帳に追加

半導体積層１５は、ｎ型ＧａＮ系半導体領域１７、活性層１９及びｐ型ＧａＮ系半導体領域２１を含む。 - 特許庁

Before the trench for SJ is formed in an active region of an epitaxial substrate, a second mask oxide film thinner than a first mask oxide film for formation of the trench for SJ in the active region is formed in a scribe region to form an alignment marker.例文帳に追加

エピ基板の活性領域にＳＪ用トレンチを形成する前に、スクライブ領域に、活性領域へのＳＪ用トレンチ形成のための第一マスク酸化膜の厚さよりも厚い第二マスク酸化膜を形成してアライメントマーカーを形成する。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 12 of the semiconductor device 10, formed are: a first active region 14 in which a semiconductor element is formed; a second active region 16 in which a semiconductor element is formed; and an inactive region in which a gate pad 18 is formed.例文帳に追加

半導体装置１０の半導体基板１２には、半導体素子が形成される第１活性領域１４と、半導体素子が形成される第２活性領域１６と、ゲートパッド１８が形成される非活性領域が形成されている。 - 特許庁

A region consisting of an intrinsic semiconductor which does not include impurities is made to be the active layer (channel region) of the thin film transistor and the region added with impurities is made to be the electrically conductive element of the transistor.例文帳に追加

不純物を含まない真性半導体からなる領域を薄膜トランジスタの活性層（チャネル領域）とし、不純物を添加された領域を導電要素とする。 - 特許庁

A gate insulating film 5 is formed in an active region composed of a silicon substrate 1 including an n-type MIS transistor formation region RTn and a p-type MIS transistor formation region RTp.例文帳に追加

ｎ型ＭＩＳトランジスタ形成領域ＲＴｎ及びｐ型ＭＩＳトランジスタ形成領域ＲＴｐのシリコン基板１からなる活性領域上にゲート絶縁膜５を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has on an active region 100 a gate insulating film 102, a gate electrode 103, a sidewall 105, a source/drain region 106 and a silicide region 107.例文帳に追加

半導体装置は、活性領域１００上において、ゲート絶縁膜１０２と、ゲート電極１０３と、サイドウォール１０５と、ソースドレイン領域１０６と、シリサイド領域１０７とを備える。 - 特許庁

The ratio of an area 2 of a region where the gate electrode 7 covers the insulating film 16 to an area 1 of a region where the gate electrode 7 covers an active region is set to 0.1-0.4.例文帳に追加

ゲート電極７が活性領域を覆う面積１に対する、面積１のうちのゲート電極７が絶縁膜１６を覆う面積２の占める割合を、０．１以上０．４以下とする。 - 特許庁

The minimum energy level 21 of the mini band 18 is equal to or greater than the energy level of a guiding region 3 between the active region 2 and the superlattice region 13.例文帳に追加

ミニバンド１８の最小エネルギー準位２１は、活性領域２と超格子領域１３との間のガイド領域３のエネルギー準位に等しいかまたはこれより大きい。 - 特許庁

To provide a designing method of photomask which can lighten the memory load of a computer when a photomask having a dummy region of an active region arranged in a field region is manufactured.例文帳に追加

フィールド領域にアクティブ領域のダミー領域が配置されたフォトマスクを作製する際にコンピュータのメモリ負荷を軽減するすることができるフォトマスクの設計方法を提供する。 - 特許庁

An active region arranged with the photodiode and the transistor includes a first region arranged with the photodiode, and a second region having a part elongated in a first direction.例文帳に追加

フォトダイオード及びトランジスタの配置された活性領域活性領域は、フォトダイオードの配置された第１の領域、及び第１の方向に長い部分を有する第２の領域を含む。 - 特許庁

The laser diode device comprises a laser diode body 10 having an active region 2 on a main surface of a structure 1, groove regions 3, 4 arranged on both sides of the active region, and side regions 5, 6 arranged at opposite active region sides of both the groove regions; and an electrode 7A connected to the active region and extended to both the side regions over both the groove regions.例文帳に追加

構造部１の主面に活性領域２と、この活性領域の両側にそれぞれ配設された溝領域３、４と、両溝領域の反活性領域側にそれぞれ配設された側部領域５、６とを有するレーザダイオード本体１０及び上記活性領域に接続され上記両溝領域を越えて上記両側部領域に延在する電極７Ａを備えた構成とする。 - 特許庁

The transistor includes: a gate electrode 18 formed on an active region 11; a sidewall 19 formed on the side of the gate electrode 18; a second-conductivity pocket region 13 formed at both sides of the gate electrode 18 in the active region 11; and a first-conductivity source/drain region 14 formed at both sides of the sidewall 19 in the active region 11 and positioned shallower than the pocket region 13.例文帳に追加

トランジスタは、活性領域１１の上に形成されたゲート電極１８と、ゲート電極１８の側面上に形成されたサイドウォール１９と、活性領域１１におけるゲート電極１８の両側方に形成された第２導電型のポケット領域１３と、活性領域１１におけるサイドウォール１９の両側方で且つポケット領域１３よりも浅い位置に形成された第１導電型のソースドレイン領域１４とを有している。 - 特許庁

The element 12 is formed in an active region α, in which each wiring layer 83, an active element, such as the transistor, diode, etc., are formed.例文帳に追加

薄膜抵抗素子１２は、各配線層８３やトランジスタやダイオードなどの能動素子などが形成されているアクティブ領域αに形成されている。 - 特許庁

The first active dummy patterns 11a disposed adjacent to an active device region 9 and along a first direction and a second direction other than the first direction.例文帳に追加

第１アクティブダミーパターン１１ａは、アクティブデバイス領域９と隣接するように、第１方向および第１方向と異なる第２方向に沿って配置される。 - 特許庁

The resin layer is irradiated with the active energy rays through the first mold to form a region where the active energy ray curing resin is cured in the resin layer.例文帳に追加

次に、第一のモールドを介して、樹脂層に活性エネルギー線を照射して、樹脂層に活性エネルギー線硬化性樹脂が硬化した領域を形成する。 - 特許庁