意味 | 例文 (999件) |
active regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2411件
To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of contriving the microfabrication of an active region, and capable of connecting between neighbored active regions through self-alignment.例文帳に追加
活性領域の微細化が図れ、且つ、隣接する活性領域間を自己整合的に接続できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
For a component corresponding to a gate resistance of a gate drive circuit, an active element such as bipolar transistor is used to control a gate current through its active region.例文帳に追加
ゲート駆動回路のゲート抵抗に相当する部分をバイポーラトランジスタ等の能動素子とし、その能動領域を使ってゲート電流を制御する。 - 特許庁
The positive electrode 21 has a double-side active material region 21D having an outer positive active material layer 21B and an inner positive active material layer 21C on a positive collector 21A, and the inner positive active material layer 21C is thinner than the outer positive active material layer 21B.例文帳に追加
正極21は、正極集電体21Aに外面正極活物質層21Bと内面正極活物質層21Cとが設けられた両面活物質領域21Dを有し、内面正極活物質層21Cの厚みは外面正極活物質層21Bの厚みよりも薄くなっている。 - 特許庁
A byte memory cell which constitutes a memory cell array is a semiconductor memory device, which forms a 1-byte memory transistor, arranged long in one direction and of which each junction region and channel region are formed in an active region, and a byte-selecting transistor which is formed in the active region and of which each junction region is directly connected to each junction region of the 1-byte memory transistor.例文帳に追加
メモリセルアレイを構成するバイトメモリセルは、一方向に長く配列されて活性領域にそれぞれの接合領域及びチャンネル領域が形成されている1バイトメモリトランジスタと、活性領域に形成されており、接合領域が1バイトメモリトランジスタにそれぞれの接合領域と直接連結されているバイト選択トランジスタとを含む半導体メモリ装置である。 - 特許庁
The first MIS transistor Trl includes: a first pocket region 9A of a second conductivity type formed below a first extension region 8A of a first conductivity type in a first active region 1a; and a first diffusion suppression region 7A containing a diffusion suppression impurity and formed below the first pocket region 9A in the first active region 1a.例文帳に追加
第1のMISトランジスタTrlは、第1の活性領域1aにおける第1導電型の第1のエクステンション領域8Aの下に形成された第2導電型の第1のポケット領域9Aと、第1の活性領域1aにおける第1のポケット領域9Aの下に形成された拡散抑制不純物を含む第1の拡散抑制領域7Aとを備えている。 - 特許庁
An IGBT 100 includes a body region 4 formed on the surface layer of a drift layer 16 in an active region, a guard ring 10 formed on the surface layer of the drift layer 16 in the peripheral region to encircle the body region 4, and a collector layer 20 on a backside of the drift layer 16 ranging over the active region and the peripheral region.例文帳に追加
IGBT100は、活性領域におけるドリフト層16の表層に形成されているボディ領域4と、周辺領域におけるドリフト層16の表層に形成されており、ボディ領域4を囲んでいるガードリング10と、ドリフト層16の裏面側に形成されており、活性領域と周辺領域に拡がっているコレクタ層20を備えている。 - 特許庁
The semiconductor element comprises: the recessed channel region formed in a semiconductor substrate while containing the vertical type SOI channel structure which is formed in an active region and the element isolation structure defining the active region and is positioned at the side walls of the element isolation structure on both the sides in the longitudinal direction of the gate region; and a gate structure formed at the upper part of the recessed channel region of the gate region.例文帳に追加
半導体基板内に形成され、活性領域を画成する素子分離構造と活性領域内に形成され、ゲート領域の長手方向で両側の素子分離構造の側壁に位置した垂直型SOIチャンネル構造を含むリセスチャンネル領域と、ゲート領域のリセスチャンネル領域の上部に形成されるゲート構造物を含む半導体素子及びその製造方法。 - 特許庁
A region MISFET among the active layer where the first layer is not allocated is also formed.例文帳に追加
活性領域のうち第1の層の配置されていない領域MISFETが形成されている。 - 特許庁
To provide a method to make an impurity layer by ion implantation of an impurity into an edge part in side part and of an active region to prevent generation of a parasitic transistor phenomenon or an edge transistor phenomenon along the edge part in the side part of the active region even when the active region is refined to the limit.例文帳に追加
アクティブ領域を極限にまで微細化しても、前記アクティブ領域側部のエッジ部分に不純物をイオン注入して、不純物層を形成でき、前記アクティブ領域側部のエッジ部分に沿っての寄生トランジスタ現象又はエッジトランジスタ現象の発生を防止することができるようにする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor light-emitting element capable of reducing damage that an active region receives.例文帳に追加
活性領域が受けるダメージを低減できる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The EQR electrode 8 is buried in the interlayer insulating film 7 to surround the active region 21.例文帳に追加
EQR電極8は、層間絶縁膜7中にアクティブ領域21を囲んで埋設されている。 - 特許庁
The form interpretation part correctly finds out the active region of a scanning form image and reads the presence or absence of the mark.例文帳に追加
フォーム解釈部は走査フォーム画像のアクティブ領域を正確に見出し、マークの有無を読み取る。 - 特許庁
A method for manufacturing a nonvolatile semiconductor storage device comprises a step of forming a gate of the memory transistor on a first active region 4 of a P-type silicon substrate 1.例文帳に追加
P型シリコン基板1の第1活性領域4上に、メモリトランジスタのゲートを形成する。 - 特許庁
The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a buried insulating film 2 formed on the semiconductor substrate 1, an active region 30 formed on the buried insulating film 2, a partial separation insulating film 4 buried selectively in the surface layer part in the active region 30, and a diode element formed in the active region 30.例文帳に追加
半導体装置は、半導体基板1と、半導体基板1上に形成された埋込み絶縁膜2と、埋込み絶縁膜2上に形成された活性領域30と、活性領域30の表層部分に選択的に埋込まれた部分分離絶縁膜4と、活性領域30に形成されたダイオード素子とを備える。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of fixing potential voltages of the entire region of a semiconductor layer (active layer) and stabilizing the potential voltage.例文帳に追加
半導体装置において、半導体層(活性層)全域の電位を固定し、電位を安定させる。 - 特許庁
The gap is not formed under the semiconductor in the active region.例文帳に追加
そして、前記空隙部は前記アクティブ領域の半導体層下部には形成されないことを特徴とする。 - 特許庁
In an STI 2 for separating the active region 3, an insulation film 4 for separating elements is embedded inside.例文帳に追加
活性領域3を分離するSTI2は、内部に素子間分離絶縁膜4が埋め込まれている。 - 特許庁
Here, λ_n is the wavelength of light at the layer between an active region and a reflective contact.例文帳に追加
ここで、λ_nは、活性領域と反射性を有するコンタクトとの間の層における光の波長である。 - 特許庁
An N-type active region 106 in the bipolar transistor is connected to the electrode 116 of a programmed element.例文帳に追加
バイポーラトランジスタにおけるN型活性領域106を、プログラム素子の電極116と接続する。 - 特許庁
Element active regions are formed on both sides of a field shield separation region including a field shield gate 44.例文帳に追加
フィールドシールドゲート44を含むフィールドシールド分離領域の両側に素子活性領域が形成される。 - 特許庁
A peripheral electric node is formed on the peripheral active region at the periphery of the peripheral gate pattern.例文帳に追加
前記周辺ゲートパターン周辺の周辺活性領域上に周辺電気ノードが形成される。 - 特許庁
To maximize the output of light generated in an active region by improving light extraction efficiency.例文帳に追加
導出効率を改善して活性領域で生成される光が最大数出力されるようにする。 - 特許庁
The HDP oxide film 108 which is formed on a small area isolating active region 105, the large area active region 106 and the small area crowding active region 107 is polished and eliminated, and an insulating film 108a for isolation whose surface is flattened is formed only in the element isolation trench 104.例文帳に追加
その後、小面積孤立活性領域105、大面積活性領域106及び小面積密集活性領域107上に形成されているHDP酸化膜108を研磨除去して、素子分離溝104内のみに表面の平坦化された分離用絶縁膜108aを形成する。 - 特許庁
The semiconductor optical amplifier element is provided with an optical amplifier wave guiding layer having: a passive core region formed of a semiconductor, active cladding regions positioned on both sides of the passive core region and each made of a semiconductor active layer which has a refractive index lower than that of the passive core region, wherein a light is wave-guided while being amplified in the active wave guiding layer.例文帳に追加
半導体からなる受動コア領域と、前記受動コア領域の両側に位置し、前記受動コア領域よりも屈折率が低い半導体活性層からなる能動クラッド領域と、を有する光増幅導波層を備え、前記光増幅導波層において光を増幅しながら導波する。 - 特許庁
A MISFET is formed in a part of the active region where the first layer is not arranged.例文帳に追加
活性領域のうち第1の層の配置されていない領域にMISFETが形成されている。 - 特許庁
An element isolation insulating film for demarcating an active region is formed on a surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板の表面に、活性領域を画定する素子分離絶縁膜が形成されている。 - 特許庁
In some embodiments, both the quantum well layer and the barrier layer in the active region are of p-types.例文帳に追加
いくつかの実施形態では、活性領域の量子井戸層及びバリア層の両方ともp型である。 - 特許庁
The electrode is formed on the surface of the active regions and on a surface of the STI region.例文帳に追加
上記電極は、上記アクティブ領域の表面及び上記STI領域の表面に形成される。 - 特許庁
The method comprises a step of limiting an active region by forming an element separating film on a semiconductor substrate.例文帳に追加
本方法は半導体基板に素子分離膜を形成して活性領域を限定する段階を備える。 - 特許庁
In some embodiments, both of the quantum well layer and the barrier layer in the active region are p type.例文帳に追加
いくつかの実施形態では、活性領域の量子井戸層及びバリア層の両方ともp型である。 - 特許庁
The active region 5 is composed of a first aluminum-containing layer 12 serving as the lowest layer of the active region, a second aluminum-containing layer 14 serving as the highest layer of the active region, and at least an InGaN quantum well layer 13 interposed between the aluminum-containing layers 12 and 14.例文帳に追加
この活性領域(5)は、活性領域の最下部層を形成する第1アルミニウム含有層(12)、活性領域の最下部層を形成する第2アルミニウム含有層(14)、および第1アルミニウム含有層(12)と第2アルミニウム含有層(14)との間に配置された少なくとも1つのInGaN量子井戸層(13)を備える。 - 特許庁
At least one active region is formed at least in one of the semiconductor regions.例文帳に追加
そして、少なくとも一つのアクティブ領域は、前記少なくとも一つの半導体領域内に形成される。 - 特許庁
He was active mainly in the southern part of the Shinshu region and continued to make haiku whose subjects were wandering and roaming. 例文帳に追加
信州南信地方を中心に活動し、放浪と漂泊を主題とした俳句を詠み続けた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
He moved to the north Kanto region after the surrender of Edo Castle in March and played an active part in the Battle of Utsunomiya Castle in the end of April. 例文帳に追加
3月の江戸開城後は北関東に転戦し、4月下旬に宇都宮城の戦いで活躍。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The conductive layer 38 is formed so as to overlap the whole active element region in the semiconductor substrate.例文帳に追加
導電層38を、半導体基板における能動素子領域の全体にオーバーラップさせて形成する。 - 特許庁
A light-emitting diode 11a has a semiconductor region 13, an InGaN layer 15, and an active layer 17.例文帳に追加
発光ダイオード11aは、半導体領域13と、InGaN層15と、活性層17とを備える。 - 特許庁
To reduce a possibility that a photon emitted from an active region is absorbed by a wire bonding pad.例文帳に追加
活性領域から放出された光子がワイヤボンディングパッドで吸収される可能性を低減すること。 - 特許庁
The active region 5 is provided on the group III nitride substrate 3, and is made of a III-V compound semiconductor.例文帳に追加
活性領域5は、III族窒化物基板3上に設けられており、III−V化合物半導体から成る。 - 特許庁
An active layer 5 is provided on a second semiconductor 3b in a first conductive semiconductor region 3.例文帳に追加
活性層5は、第1導電型半導体領域3の第2の半導体部3b上に設けられている。 - 特許庁
The reflectivity of the specific wavelength of the active region can be controlled by adjusting the filter.例文帳に追加
フイルタを調整することにより、能動領域の特定波長の反射率を制御することができる。 - 特許庁
TRANSISTOR HAVING STRESS-PRODUCING DIELECTRIC ELEMENT UNDERLYING ENTIRE UNDERSURFACE OF ACTIVE SEMICONDUCTOR REGION例文帳に追加
活性半導体領域の下全面に存在し、応力を発生する誘電体エレメントを有するトランジスタ - 特許庁
The MOSFET 15 and voltage detector 21 use a polycrystalline silicon semiconductor layer as an active region.例文帳に追加
MOSFET15及び電圧ディテクタ21は、多結晶シリコン半導体層を活性領域として用いる。 - 特許庁
This can greatly reduce the amount of the catalyst element left in the active region of the semiconductor device.例文帳に追加
このことで、半導体装置の能動領域における残留触媒元素量を大きく低減できる。 - 特許庁
To provide a light-emitting diode including indium nitride where strain generated in an active region is relaxed.例文帳に追加
活性領域に発生するストレインを緩和させたインジウム窒化物を有する発光ダイオードを提供する。 - 特許庁
An active element has a first electrode 210 (gate electrode) and a second electrode 220 (diffusion layer region).例文帳に追加
能動素子は、第1電極210(ゲート電極)及び第2電極220(拡散層領域)を有している。 - 特許庁
They are active particularly in Tokyo and the Kyushu region, and approximately 10 performers from this school are registered with the Nohgaku Performers' Association. 例文帳に追加
東京及び九州が主要な地盤で、能楽協会に登録された役者は10名程度。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The third conducting layer 16c is electrically connected to an active region 12d of the load transistor Q6.例文帳に追加
第3の導電層16cは負荷トランジスタQ_6の活性領域12dと電気的に接続されている。 - 特許庁
By this setup, the active (channel) region of the semiconductor device can be much reduced in residual catalytic element content.例文帳に追加
このことで、半導体装置の能動領域における残留触媒元素量を大きく低減できる。 - 特許庁
The concentration distribution of p-type impurity remaining active in the p^+ region 12 is almost fixed.例文帳に追加
ただし、P+領域12におけるP型不純物のうち活性なものの濃度分布がほぼ一定である。 - 特許庁
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