「active region」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Quality is made different in a film of a trench-type element separation region 12 surrounding the side of an active region 11 of a p-channel type MIS transistor PTr, and that of trench-type element separation region 22 surrounding the side of an active region 21 of an n-channel type MIS transistor NTr.例文帳に追加

Ｐチャネル型ＭＩＳトランジスタＰＴｒの活性領域１１の側方を囲むトレンチ型素子分離１２と、Ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタＮＴｒの活性領域２１の側方を囲むトレンチ型素子分離２２との膜質を異なるものとする。 - 特許庁

An N+-type semiconductor region 6, where the lower electrode 49 of the capacitor element Cn is connected, is formed in an active region which is wider in area than an active region, where the source and drain (N--type semiconductor region 11) of a memory cell selection MISFET Qs are provided.例文帳に追加

容量素子Ｃn の下部電極４９が接続されるｎ^+ 型半導体領域６は、メモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴＱs のソース、ドレイン（ｎ^- 型半導体領域１１）が形成された活性領域より広い面積の活性領域に形成される。 - 特許庁

The active matrix substrate 15 is provided with a counter region opposite to the counter substrate and an extended region 140 extended from the counter region with the terminal part 81 formed thereon.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１５は、対向基板に対向する対向領域と、対向領域から延在し端子部８１が形成された張り出し領域１４０とを備えている。 - 特許庁

An active region 17 is formed between a group III-V compound semiconductor region 13 of a first conductivity type and a group III-V compound semiconductor region 15 of a second conductivity type.例文帳に追加

活性領域１７は、第１導電型III−V化合物半導体領域１３と第２導電型III−V化合物半導体領域１５との間に設けられている。 - 特許庁

Besides, in case of forming the passive region 110 by a dielectric, absorption of the light generated from the active region 120 into the passive region 110 can be reduced at its maximum.例文帳に追加

また、受動領域110を誘電体で形成する場合には活性領域120から生成された光が受動領域110で吸収されることを最大限減らしうる。 - 特許庁

Such a device is reducible in layout size of a region where the active region 1 and well region 2 are arranged, and consequently the chip size is reduced.例文帳に追加

このような装置は、活性領域１とウェル領域２とが配置される領域のレイアウトサイズを小さくすることができ、その結果、チップサイズを縮小化することができる。 - 特許庁

Then the surface layer of the recessed part 12 is formed into an active region and a source region 14 and a drain region 15 are formed on the polycrystalline silicon films 13 on both the sides of the recessed part 12.例文帳に追加

そして、凹部１２の表層を能動領域とし、凹部１２の両側の多結晶珪素膜１３にソース領域１４とドレイン領域１５を形成する。 - 特許庁

In a semiconductor region 19, an active layer 25 in a light-emitting layer 13, and a first cladding region 21 and a second cladding region 23 are provided above a primary surface 17a.例文帳に追加

半導体領域１９では、発光層１３の活性層２５、第１のクラッド領域２１及び第２のクラッド領域２３は主面１７ａ上に設けられる。 - 特許庁

In a space between the first and the second mirrors 14, 16, a cavity region 12, which has an active light generation region 19 and a cavity extension region 26, is formed.例文帳に追加

第１及び第２のミラー〔１４、１６〕間には、活性光生成領域〔１９〕及び空洞延長領域〔２６〕を有する空洞領域〔１２〕が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of avoiding characteristic fluctuation due to presence of a contact region between a device-isolation region and an active region, and to provide a method for fabricating the same.例文帳に追加

素子分離領域とアクティブ領域との接触領域の存在による特性変動を回避可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent flicker and burning from occurring in an active matrix liquid crystal display device having a main display region and a sub-display region differing in the size of pixel region from each other.例文帳に追加

互いに画素領域の大きさが異なる主表示エリアと副表示エリアを有するアクティブマトリクス液晶表示装置において、フリッカや焼き付きの発生を防止する。 - 特許庁

For this, an active area ratio in this region 12 is set almost equal to that in a circuit forming region 16 of a chip main body region 10.例文帳に追加

このために、このスクライブライン領域１２におけるアクティブ面積率は、チップ本体領域１０の回路形成領域１６におけるアクティブ面積率と略等しくなっている。 - 特許庁

To control leak current flowing through a substrate in formation of a contact hole in a boundary region between an active region and an element isolation region in the substrate.例文帳に追加

基板の内部であって、活性領域と素子分離領域との境界領域にコンタクトホールが形成された場合に、基板に流れるリーク電流を抑制できるようにする。 - 特許庁

Then, the active (channel) region of the semiconductor device is formed by the use of the silicon film in a region other than the region where the element selected from the 5 B group is introduced.例文帳に追加

そして、その５族Ｂから選ばれた元素が導入された領域以外の領域のケイ素膜を用いて、半導体装置の能動(チャネル)領域を形成する。 - 特許庁

An active region is partly etched for the formation of a cell trench region 61, and spacer shaped floating gates 65a are formed on the sidewalls of the cell trench region 61.例文帳に追加

活性領域の一部分をエッチングしてセルトレンチ領域６１を形成し、このセルトレンチ領域６１の側壁にスペーサ形態の浮遊ゲート６５ａを形成する。 - 特許庁

Thus, the fuse element formation region is disposed at the active region corner part and then the fuse element can be disposed without forming the fuse in the core circuit formation region.例文帳に追加

活性領域角部にヒューズ素子形成領域を配置することにより、コア回路形成領域にヒューズを形成することなく、ヒューズ素子を配置することが可能となる。 - 特許庁

In this manufacturing method, first and second active regions 53a, 53b are formed on a semiconductor substrate, and the word line pattern which intersects an upper part of the fist active region 53a and the gate pattern which intersects an upper part of the second active region 53b are formed.例文帳に追加

半導体基板に第１及び第２活性領域を形成することと、第１活性領域５３ａの上部を横切るワードラインパターン及び第２活性領域５３ｂの上部を横切るゲートパターンを形成することを含む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a fin-type active region defined on a semiconductor substrate having a device isolation structure, a recess formed over the fin-type active region, and a gate electrode formed over the fin-type active region, including a silicon germanium layer for burying the recess.例文帳に追加

半導体素子は、素子分離構造を備えた半導体基板に画成されたフィン型活性領域と、フィン型活性領域の上部に形成されたリセスと、フィン型活性領域の上部に形成され、前記リセスを埋め込むシリコンゲルマニウム層を含むゲート電極とを含む。 - 特許庁

Each of a forward-distributed feedback active region 101, a center-distributed feedback active region 102, and a backward-distributed feedback active region 103 is equipped with a diffraction grating 5 buried in a p-type InP clad layer 4 in the proximity of an upper surface 3a of an optical waveguide layer 3.例文帳に追加

前方分布帰還型活性領域１０１、中央分布帰還型活性領域１０２および後方分布帰還型活性領域１０３の各々には、光導波層３の上面３ａに近接するようにｐ型ＩｎＰクラッド層４内に埋め込まれた回折格子５が設けられている。 - 特許庁

In a semiconductor apparatus, including a double gate transistor which has a fin-type active region and a pair of gate electrodes arranged to be opposed to each other so that the active region is inserted therebetween, a height of the gate electrodes is set higher than that of the active region and set equal or smaller than the height obtained, based on Formula 1.例文帳に追加

フィン型の活性領域と、活性領域を挟むように対向配置された一対のゲート電極とを有するダブルゲートトランジスタを含む半導体装置において、ゲート電極の高さを活性領域の高さよりも高くし、かつ数式１に基づき求められる高さ以下とする。 - 特許庁

Also, in the menu display mode, active button images 2b1, displayed in the active display region 441 and permitting selection, and non-active button images 2b2, displayed in the non-active display region 442 and forbidding selection, are set for every replacement of regions as menu button images for displaying content.例文帳に追加

また、メニュー表示モードにおいては、アクティブ表示領域４４１に表示して選択許可するアクティブボタン画像２ｂ１と、非アクティブ表示領域４４２に表示して選択禁止をする非アクティブボタン画像２ｂ２とを、コンテンツ表示のためのメニューボタン画像として領域入り替え毎に設定する。 - 特許庁

An active region 6 for specifying a transistor formation region is formed on the upper part of an Si substrate 1, and trenches 2 are formed in the part of the substrate 1 so as to split the region 6 into a plurality of active regions 6a to 6f.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の上部に、トランジスタの形成領域を規定する活性領域６を形成し、活性領域６を複数の活性領域６ａ〜６ｆに分割するように、Ｓｉ基板１の部分にトレンチ２を形成する。 - 特許庁

The gate electrode 9a whose gate length in a boundary region between the active region L and element isolating trench 2 is greater than that in the central part of the active region L is constituted of an H-shaped plane pattern as a whole.例文帳に追加

このゲート電極９ａは、アクティブ領域Ｌと素子分離溝２との境界領域におけるゲート長がアクティブ領域Ｌの中央部におけるゲート長よりも大きく、全体としてＨ形の平面パターンで構成されている。 - 特許庁

A recess 2A is formed on one side of a region positioned at both sides of a gate electrode 4ab among grooved element separating regions 2 formed between a first active region R10 and a second active region R20.例文帳に追加

第１の活性領域Ｒ１０と第２の活性領域Ｒ２０との間に形成されている溝型素子分離領域２のうち、ゲート電極４ａｂの両側に位置する領域の一方側に凹部２Ａが形成されている。 - 特許庁

The extensions of the p-type region into the active region may provide uniform filling of carriers in the individual quantum wells of the active region by providing direct current paths into individual quantum wells.例文帳に追加

前記活性領域の中への前記ｐ型領域の伸長部は、個々の量子井戸の中への直接的な電流経路を提供することによって、活性領域の個々の量子井戸におけるキャリアの均一な充填を与える。 - 特許庁

The gate electrode 9a is composed of an H-shaped plane pattern as a whole, whose gate length in the border region of the active region L and element isolation groove 2 is larger than that in the center section of the active region L.例文帳に追加

このゲート電極９ａは、アクティブ領域Ｌと素子分離溝２との境界領域におけるゲート長がアクティブ領域Ｌの中央部におけるゲート長よりも大きく、全体としてＨ形の平面パターンで構成されている。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit according to this invention, a portion is lapped and arranged on an active element forming region on a surface of a semiconductor substrate wherein the active element is formed, and there is provided the connection pad having a bonding region and a probing region.例文帳に追加

本発明の半導体集積回路は、半導体基板表面の、活性素子が形成される活性素子形成領域上に一部を重ねて配置され、ボンディング領域とプロービング領域とを有する接続パッドを備えている。 - 特許庁

A negative electrode active material layer 23 is formed in the covered region 22A, and a negative electrode lead 21 is connected to the exposed region 22S.例文帳に追加

被覆領域２２Ａには負極活物質層２３が形成されており、露出領域２２Ｓには負極リード２１が接続される。 - 特許庁

Then, the films 12, 13 left by the selective etching are used as the an element separating region, and the films 15, 16 are as the active region.例文帳に追加

そして、選択エッチングで残ったシリコン酸化膜１２，１３を素子分離領域とし、シリコンゲルマニウム膜１５，１６をアクティブ領域とする。 - 特許庁

An active region is formed to provide the region 20 of intersection with a generally conical taper 29 to the opening 22.例文帳に追加

活性な領域は、開口２２に対して概して円錐形のテーパ２９を有する交差部の領域２０をもたらすように形作られる。 - 特許庁

In the semiconductor laser element 100, a region of the vicinity of an active layer 5 above a ridge portion Ri acts as an optical waveguide region LP.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００においては、リッジ部Ｒｉの上方の活性層５周辺の領域が光導波領域ＬＰとなる。 - 特許庁

A source and drain impurity region is formed in the active region on the substrate, and an insulating film side wall 6 is formed at the side of the word line 4.例文帳に追加

基板のアクティブ領域にソース／ドレイン不純物領域を形成し、ワードライン４の側面に絶縁膜側壁６を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of securing an active region of an IGBT region and improving a diode-reverse recovery withstand.例文帳に追加

ＩＧＢＴ領域の活性領域を確保しつつ、ダイオード逆回復耐量を向上することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The photonic crystal region 21 and rare earth doped region in the active layer 14 are formed adjacently in each other along one front surface.例文帳に追加

活性層１４中の、フォトニック結晶領域２１および希土類ドープ領域は、一表面沿いに、互いに近接して形成する。 - 特許庁

On the surface of a silicon substrate 1, an active region 3 as an islet-shaped element formation region is separated by an element isolation insulation film 2.例文帳に追加

シリコン基板１の表面は素子分離絶縁膜２により島状の素子形成領域である活性領域３に分離されている。 - 特許庁

A second recessed portion 2b is formed on an upper portion of the element isolation region 2 of the portion adjacent to the second active region 1b.例文帳に追加

第２の活性領域１ｂに隣接する部分の素子分離領域２の上部には第２の切り欠き部２ｂが形成されている。 - 特許庁

In the optical path 40, an active region 40a, producing optical amplification and a passive region 40b that does not produce light amplification exist.例文帳に追加

光路４０には、光増幅を生じるアクティブ領域４０ａと、光増幅を生じないパッシブ領域４０ｂとが存在する。 - 特許庁

The optical waveguide layer includes the Bragg reflection region 33 and an active region 31 which are adjacent to each other in the optical axis direction.例文帳に追加

そして、光導波路層は、光軸方向に沿って互いに隣接したブラッグ反射領域３３及び活性領域３１を含む。 - 特許庁

The semiconductor optical element 1 has a first conductivity type semiconductor region 3, an active layer 5, and a second conductivity type semiconductor region 7.例文帳に追加

半導体光素子１は、第１導電型半導体領域３と、活性層５と、第２導電型半導体領域７とを備える。 - 特許庁

These holes are formed porously at least in a region corresponding to the piezoelectric active region S in the inner electrode layer 4.例文帳に追加

これらの孔部は、内部電極層４における少なくとも圧電活性領域Ｓに対応する領域に多孔状に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes an active region (103) formed on semiconductor substrates, a trench-shaped element isolation region (104) formed on the semiconductor substrates (101, 102), and a fluorine diffusing region (116) formed on the semiconductor substrates to surround the element isolation region keeping separation from the active region.例文帳に追加

半導体素子は、半導体基板に形成された活性領域（１０３）と、前記半導体基板（１０１、１０２）に形成されたトレンチ型の素子分離領域（１０４）と、前記素子分離領域を囲み、且つ、前記活性領域に接触しないように前記半導体基板に形成されたフッ素拡散領域（１１６）とを有する。 - 特許庁

To provide a technology capable of improving the light output of active region of semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

半導体発光装置の活性領域の光出力を向上させる技術を提供する。 - 特許庁

A lower electrode 20 is formed on a semiconductor substrate 10 as electrically connected to the active region of the substrate 10.例文帳に追加

半導体基板の活性領域に電気的に連結される下部電極を形成する。 - 特許庁

A drain contact 10 and a well contact 11 are made common in the same active region.例文帳に追加

ドレインコンタクト１０とウェルコンタクト１１を同じ活性領域（アクティブ領域）で共通化している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with reduced defect of an active region.例文帳に追加

本発明は、能動領域の欠陥を低減した半導体デバイスの制作方法を提供する。 - 特許庁