「active region」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

In the active region 10b, the silicon mixed crystal layer 21 having first stress is provided.例文帳に追加

活性領域１０ｂ内には、第１の応力を有するシリコン混晶層２１が設けられている。 - 特許庁

To enable layout in an active region also under contact pads of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路のコンタクト・パッドの下側にも能動的領域の配置を可能にする。 - 特許庁

At the surface layer part of an Si substrate 1, an STI 3 is formed around an active region 1a.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の表層部において、アクティブ領域１ａの周りにＳＴＩ３を形成する。 - 特許庁

Finally, the silicon oxide film 106 on the active region 105 is removed through CMP polishing.例文帳に追加

その後、活性領域１０５上の酸化シリコン膜１０６をＣＭＰ研磨によって除去する。 - 特許庁

An active region 2a surrounded by an element isolation film 3 is formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上に素子分離膜３に周囲を囲まれた活性領域２ａを設ける。 - 特許庁

At that time, a resist mask 10 having an opening 11 is formed on an active region 1.例文帳に追加

その際、活性領域１上に開口部１１を有するレジストマスク１０を形成しておく。 - 特許庁

A silicon oxide film at least on the device active region of a semiconductor wafer 1 is removed.例文帳に追加

半導体ウエハ１上の、少なくとも素子活性領域上のシリコン酸化膜を除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having an active region specifying alignment key, and its manufacturing method.例文帳に追加

活性領域限定用アラインキーを有する半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Here, the metal protrusion is formed by a pattern that is around the active region (102) of the image sensor.例文帳に追加

ここで、金属製隆起物は、イメージセンサのアクティブ領域(102)の周囲にあるパターンで形成される。 - 特許庁

To prevent collapse of a portion of an active region when forming trenches having narrow opening width.例文帳に追加

狭い開口幅のトレンチを形成する場合に活性領域部分が倒壊するのを防止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for ensuring an active region into a desired size.例文帳に追加

所望の大きさの活性領域を確保できる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED FLOATING GATE POLY IN ACTIVE REGION OF FLASH E2PROM例文帳に追加

フラッシュＥ２ＰＲＯＭセルの活性領域に自己整合型フローティングゲートポリーを形成する方法 - 特許庁

The optical device has an active region which is formed on the clad layer.例文帳に追加

本発明の光学デバイスは、活性領域を有し、この活性領域がクラッド層上に形成される。 - 特許庁

A P-type active guard region 16 is formed surrounding these P-type base regions 14.例文帳に追加

これらｐ型ベース領域１４を囲むようにｐ型アクティブガード領域１６が形成されている。 - 特許庁

The negative-electrode active material layer 21b contains amorphous region containing graphite particles and mesocarbon microbeads.例文帳に追加

負極活物質層２１ｂは、非晶質領域含有黒鉛粒子と、メソカーボンマイクロビーズとを含む。 - 特許庁

Therefore, concentration of electric field between the corner of the active region and the corner of the floating gate is suppressed.例文帳に追加

従って、活性領域の角と浮遊ゲートの角の間に電界の集中が抑制される。 - 特許庁

The active region 105 has multiple-quantum well structure and its absorption end wavelength is 1.55μm.例文帳に追加

活性領域は多重量子井戸構造を有しその吸収端波長は１．５５μｍである。 - 特許庁

The active region includes a second semiconductor layer of a quantum well layer or a barrier layer.例文帳に追加

活性領域は、量子井戸層又は障壁層のいずれかである第２半導体層を含む。 - 特許庁

The field plate also extends on the spacer layer over the active region toward the source electrode.例文帳に追加

このフィールドプレートはさらに、活性領域の上のスペーサ層上をソース電極に向かって延びる。 - 特許庁

An element region (active layer) has a lattice pattern, and a groove between the lattice patterns is embedded by an insulator.例文帳に追加

素子領域（活性層）は、格子パターンで、その間の溝は、絶縁材により埋め込まれる。 - 特許庁

A light emitting device 4 comprises a multilayer semiconductor layer 8, 10, 16 having an active region 12.例文帳に追加

発光デバイス４は、活性領域１２を有する半導体層の積層体８，１０，１６を備える。 - 特許庁

A gate insulating film 7 and a gate electrode 3 are formed on the active region 1.例文帳に追加

活性領域１の上には、ゲート絶縁膜７およびゲート電極３が形成されている。 - 特許庁

The internal electrode located on the lowermost side of the active region layer 5 is an internal common electrode 9.例文帳に追加

活性領域層５の最下側に位置する内部電極は、内部コモン電極９である。 - 特許庁

A well layer in an active region of the multiple quantum well is formed by a GaInNas layer.例文帳に追加

多重量子井戸の活性領域の井戸層はＧａＩｎＮＡｓ層で形成されている。 - 特許庁

An interlayer insulating film 7 is formed on the active region 21 and the semiconductor substrate 30.例文帳に追加

アクティブ領域２１及び半導体基板３０上には、層間絶縁膜７が形成される。 - 特許庁

To provide a method of making an (Al, Ga, In)N semiconductor device having a substrate and an active region.例文帳に追加

基板および活性領域を有する（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ半導体デバイスの作製方法が提供される。 - 特許庁

The trench is formed in the surface layer of a semiconductor substrate so as to surround an active region.例文帳に追加

半導体基板の表層部に、活性領域を取り囲むようにトレンチが形成されている。 - 特許庁

In the active layer (activate layer) 105, a first oxidized region comprising an oxidized layer is formed.例文帳に追加

能動層（活性層）１０５には、酸化層よりなる第１の酸化領域が形成されている。 - 特許庁

A lamination gate composed of the first conductive layer and second conductive layer is formed on the active region.例文帳に追加

アクティブ領域の上部に第１導電層と第２導電層との積層ゲートを形成する。 - 特許庁

In recent years, mutual exchange within the region with respect to labor force movements has become increasingly active (Table 3.4.19).例文帳に追加

近年、労働力移動の面でも域内の相互交流が活発化してきている（第3-4-19表）。 - 経済産業省

The semiconductor device according to the present invention, which comprises a semiconductor substrate 1 having an active region and an isolation region, a gate electrode 9 formed on the active region via an oxide film 8, and a pair of impurity ranges formed on either side of the gate electrode 9, is characterized in that the surface of the active region has a round shape over the whole and slants downward as an isolation region approaches.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、活性領域と分離領域とを有する半導体基板１と、活性領域上に酸化膜８を介して形成されたゲート電極９と、ゲート電極９の両側に形成された１組の不純物領域とを備え、活性領域表面が、全体にわたってラウンド形状を有し、分離領域に近づくにつれて下方に傾斜する。 - 特許庁

The gain medium has multiple active regions 140 and 160 for generating an electromagnetic wave, and a connecting region 150 sandwiched between the active regions.例文帳に追加

そして、前記利得媒質は、電磁波を発生するための複数の活性領域140，160と該活性領域間に挟まれ接続領域150とを有する。 - 特許庁

Alternatively, the parallel pn layers 23, arranged at a pitch smaller than that of the parallel pn layers 20 of an active region 50 are provided to a region at the outside of the active region 50, or a lifetime control region 24 with a reduced carrier lifetime is provided to the parallel pn layers 23 of breakdown voltage structural part 60.例文帳に追加

或いは、活性領域５０の外側の領域に活性部５０の並列ｐｎ層２０よりピッチの小さい並列ｐｎ層２３を設け、若しくは、耐圧構造部６０の並列ｐｎ層２３にキャリアライフタイムを短くしたライフタイム制御領域２４を設ける。 - 特許庁

The thickness of an insulating resin 6 is uniform in a region, in which a semiconductor film 3 is formed on an active matrix substrate 2, shown by a region Y1, and a region, in which a semiconductor film 3 is not formed on an active matrix substrate 2, shown by a region X1.例文帳に追加

領域Ｙ１で示すアクティブマトリクス基板２上において半導体膜３が形成されている領域と、領域Ｘ１で示すアクティブマトリクス基板２上において半導体膜３が形成されていない領域とにおいて、絶縁性樹脂６の厚さが等しくなっている。 - 特許庁

The resonator region 104 includes an oxide region 104A formed on the lower DBR 102 and an n-type conductive region 104B formed on the oxide region 104A and adjoining the active region 106, a refractive index of the oxide region 104A being smaller than that of the conductive region 104B.例文帳に追加

共振器領域１０４は、下部ＤＢＲ１０２上に形成された酸化物領域１０４Ａと、酸化物領域１０４Ａ上に形成され、活性領域１０６に隣接するｎ型の導電領域１０４Ｂとを有し、酸化物領域１０４Ａの屈折率は、導電領域１０４Ｂの屈折率よりも小さい。 - 特許庁

To provide a structure for adding an effective stress without influencing the arrangement of an element separation region to improve characteristics of a field effect transistor having a channel region, a source region, and a drain region which are arranged in an active semiconductor region.例文帳に追加

活性半導体領域の中に配置されたチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を有する電界効果トランジスタの特性向上のため、素子分離領域の配置に影響を与えずに効果的な応力を付加する構造の提供。 - 特許庁

The active elements are arranged in a region on the substrate except for the region where the movable face of the micro structural body overlaps with the substrate and in the region extended from the above region along the direction where the angle of the movable face varies with respect to the substrate.例文帳に追加

アクティブ素子は、マイクロ構造体の可動面と基板面とが重なる領域と、該可動面が基板に対して角度を変える方向に該領域を延長した領域と以外の基板上に配置される。 - 特許庁

The silicon wafer has the gettering capability to provide the gettering region having a groove in a portion other than a region designated for a device active region on a surface of the silicon wafer having the designated region.例文帳に追加

シリコンウェーハのデバイス活性領域となる領域を有する表面のデバイス活性領域となる領域以外の部分に、溝を設けたゲッタリング領域を有することを特徴とするゲッタリング能力を有するシリコンウェーハ。 - 特許庁

In an active region 102 sandwiched by a source region 101 and a drain region 103 constituted of a crystalline semiconductor, an Si_xGe_1-x region 105 is formed by locally adding germanium.例文帳に追加

結晶性半導体で構成されるソース領域１０１、ドレイン領域１０３に挟まれた活性領域１０２において、局所的にゲルマニウムを添加することでＳｉ_ｘＧｅ_１−ｘ領域１０５を形成する。 - 特許庁

An element isolating region 2 and a well layer 3 are formed on a silicon substrate 1, and then a silicon layer 6 of low-impurity concentration is deposited on a region including the element isolating region 2 and an active region 5 through a CVD method.例文帳に追加

シリコン基板１に素子分離領域２及びウェル層３を形成した後、素子分離領域２及びアクティブ領域４を含む領域にＣＶＤ法を用いて低不純物濃度のシリコン層６を堆積させる。 - 特許庁

In particular, the semiconductor region includes two portions located at both ends of the active region of the diode or TFT, a first portion at one end of the active region is connected to the row conductor 15 and a second portion on the other end of the active region is at least twice and preferably ten times as large as the size of the first portion.例文帳に追加

特に、その半導体領域は、前記ダイオードまたはＴＦＴのアクティブ領域の両端に配置された２つの部分を有しており、アクティブ領域の一端における第１の部分が行導体１５に接続され、アクティブ領域の他端における第２の部分が、第１の部分の少なくとも２倍の大きさ、好ましくは10倍の大きさであるようにする。 - 特許庁

The semiconductor device of one embodiment comprises a substrate having an element isolation region, a plurality of quadrangle active regions on the substrate, which are isolated by the element isolation region and each having an impurity diffusion region, and a large active region which is an assembly of the plurality of active regions having a contour shape including stepped portions.例文帳に追加

一実施の形態による半導体装置は、素子分離領域を有する基板と、前記素子分離領域に分離された、不純物拡散領域を有する前記基板上の複数の四角形の活性領域と、前記複数の活性領域の集合からなり、段差を含む輪郭形状を有する大活性領域とを有する。 - 特許庁

In the IGBT 10, a crystal defect layer 25 is formed in an n-type layer 102 in an active region 20 and a crystal defect layer 25 is formed in a p-type substrate 101 in a non-active region 40.例文帳に追加

このＩＧＢＴ１０においては、結晶欠陥層２５が、活性領域２０においてはｎ層１０２中に、非活性領域４０においてはｐ型基板１０１中に形成されている。 - 特許庁

The light emission wavelength of the active layer 103 in the end-face window region 121 on the rear end-face is longer than that of the active layer 103 in the end-face window region 130 on the front end-face.例文帳に追加

後端面の端面窓領域１２１における活性層１０３の発光波長は、前端面の端面窓領域１３０における活性層１０３の発光波長よりも長波長である - 特許庁

Each memory cell 10 has a p-type active region 13 and an n-type active region 14, two pieces of word lines 21a and 21b (WL1 and WL2), and a common gate line (GL1) and a common gate line 22b (GL2).例文帳に追加

各メモリセル１０は、ｐ型能動領域１３およびｎ型能動領域１４、２本のワード線２１ａ，２１ｂ（ＷＬ１，ＷＬ２）、共通ゲート線２２ａ（ＧＬ１），および共通ゲート線２２ｂ（ＧＬ２）を備えている。 - 特許庁