意味 | 例文 (999件) |
active regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2411件
An active layer 17 is formed on the GaN-based based semiconductor epitaxial region 15.例文帳に追加
GaN系半導体エピタキシャル領域15上には、活性層17が設けられる。 - 特許庁
The semiconductor light emitting device includes an in-plane active region that emits the linearly-polarized light.例文帳に追加
半導体発光素子は、直線偏光を放出する面内活性領域を含む。 - 特許庁
A polysilicon layer 102 is formed on the silicon layer so as to cover the active region.例文帳に追加
ポリシリコン層102は、シリコン層上に設けられ、活性領域を覆うように設けられる。 - 特許庁
The floating diffusion layer is formed in the active region between the transfer gate and the reset gate.例文帳に追加
トランスファゲート及びリセットゲートの間の活性領域内に浮遊拡散層を形成する。 - 特許庁
With the resist pattern as a mask, impurities are subjected to ion implantation to the surface layer of the active region.例文帳に追加
レジストパターンをマスクとして活性領域の表層部に不純物をイオン注入する。 - 特許庁
In addition, the individual electrode 136 is formed larger than an active region part 100A.例文帳に追加
また、個別電極136を能動領域部100Aよりも大きく形成している。 - 特許庁
An active region 2a, surrounded by an element separation film 3, is provided on a silicon substrate 1.例文帳に追加
シリコン基板1に、素子分離膜3に囲まれた活性領域2aが設けられる。 - 特許庁
According to the semiconductor device, an active region 2a encircled with an element isolating film 3 is formed on a silicon board 1.例文帳に追加
シリコン基板1に、素子分離膜3に囲まれた活性領域2aが設けられる。 - 特許庁
The transistor can further include a base window opening in an active region.例文帳に追加
さらにこのトランジスタは、トランジスタの活性領域内にベース窓開口を含むことができる。 - 特許庁
A memory element capable of storing 2 bits is formed in each active region 1102.例文帳に追加
各活性領域1102には、2ビット記憶が可能なメモリ素子が形成されている。 - 特許庁
A cell electric node is arranged on the cell active region in the periphery of the cell gate pattern.例文帳に追加
前記セルゲートパターン周辺のセル活性領域上にセル電気ノードが配置される。 - 特許庁
Moreover, an active region is formed on a crystalline silicon film, in which the catalyst element runs out.例文帳に追加
そして、触媒元素が無くなった結晶性シリコン膜に活性領域を形成する。 - 特許庁
To provide a bonded pad structure that can utilize a region below a bonded pad for an active device.例文帳に追加
ボンドパッドの下の領域を能動デバイスのために利用することができるボンドパッド構造。 - 特許庁
METHOD OF GROWING ACTIVE REGION IN SEMICONDUCTOR DEVICE USING MOLECULAR BEAM EPITAXY例文帳に追加
分子線エピタキシーを用いて半導体デバイス内に活性領域を成長させる方法 - 特許庁
A plurality of drain regions are formed in a part of the active region adjacent to the gate fingers.例文帳に追加
ドレイン領域は、ゲートフィンガーに隣接するアクティブ領域の一部に複数形成される。 - 特許庁
The switching layer 4 is formed of an organic high polymer having an oxidation-reduction active region.例文帳に追加
スイッチング層4は酸化還元活性部位を有する有機高分子から形成した。 - 特許庁
An active layer 17 is provided on the GaN-based semiconductor epitaxial region 15.例文帳に追加
GaN系半導体エピタキシャル領域15上には、活性層17が設けられている。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING EFFECTIVE WIDTH OF EXPANDED ACTIVE REGION AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
拡張された活性領域の有効幅を有する半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
The active region generates light of wavelength λ through the recombination of holes and electrons.例文帳に追加
活性領域は、正孔および電子の再結合を介して波長λの光を生成する。 - 特許庁
The source and drain region 36 is formed in the active layer 34 on both sides of the control gate 22.例文帳に追加
制御ゲート22の両側の活性層34には、ソース・ドレイン36が形成されている。 - 特許庁
The trench 220 is formed from a boundary of an active region to the end of a semiconductor substrate.例文帳に追加
トレンチは、活性領域の境界から半導体基板の端部に亘って形成される。 - 特許庁
The active region includes a plurality of scan lines SL and a plurality of data lines DL.例文帳に追加
活性領域は、複数の走査線SL及び複数のデータ線DLを有する。 - 特許庁
At actual recording, a page data region I is sequentially assigned as an active region, and each time of moving the active region, angle-multiplexed recording is carried out, by changing a relative angle between reference light and the recording medium (S3).例文帳に追加
次に、実際の記録の際に、ページデータ領域Iを順次アクティブ領域とし、アクティブ領域が移動するたびに、参照光と記録媒体との相対角度を変化させながら角度多重記録する(S3)。 - 特許庁
Therefore, a region of bending deformation of a piezoelectric body 100 becomes a dimension of a common electrode 137 on one face of the active region part 100A, namely, the active region part 100A formed by a channel part 102.例文帳に追加
したがって、圧電体100が撓み変形する領域は、能動領域部100Aの一方の面の共通電極137の大きさ、すなわち、溝部102によって形成される能動領域部100Aとなる。 - 特許庁
An IGBT active region AR 1 in which the IGBT 102 is formed is separated from a MOSFET active region AR 2 in which the MOSFET 104 is formed by a gate finger F as an inactive region.例文帳に追加
IGBT102が形成されたIGBT活性領域AR(1)と、MOSFET104が形成されたMOSFET活性領域AR(2)とは、不活性領域としてのゲートフィンガーFにより分離されている。 - 特許庁
In the region of a diode 100 below a guard ring 14 being the rear side of a substrate 10, a raised part 18 which encloses an active region and is higher than the rear side of the active region in height is formed.例文帳に追加
ダイオード100は、基板10の裏面であってガードリング14の下方の領域に、活性領域を囲んでいるとともに活性領域の裏面よりも盛り上がっている隆起部18が形成されている。 - 特許庁
To improve the performance of a semiconductor device so that stress is controlled by treating an active region and an element isolation region as discrete objectives.例文帳に追加
活性領域と素子分離領域を別個の対象として応力を制御し,半導体装置の性能を向上する。 - 特許庁
An active region 7a is encircled with a fixed potential diffused layer 16, and channel regions 15 are formed in the region 7a.例文帳に追加
固定電位拡散層16で能動領域7aを取り囲み、能動領域7a内にチャネル領域15を形成する。 - 特許庁
An active layer 17 and a first electrode 27 are located on the boundary line B, the first region 13c, and a second region 13d.例文帳に追加
活性層17及び第1の電極27は、境界線B、第1及び第2のエリア13c、13d上に位置する。 - 特許庁
A memory cell region of a NAND flash memory is formed isolated from an active region 3 in a silicon substrate 1 by an STI 2.例文帳に追加
NANDフラッシュメモリのメモリセル領域は、シリコン基板1がSTI2により活性領域3に分離形成されている。 - 特許庁
An active region (18) vertically over a portion of the lateral growth (40) of the base region (16) has a nitride semiconductor material.例文帳に追加
活性領域(18)は、ベース領域(16)の横方向成長部(40)の一部の上にあり、窒化物半導体材料を有する。 - 特許庁
The pattern is arranged in a predetermined region on the insulating film between the planarizing layers in upper position of the active region and the element isolation film.例文帳に追加
それは、活性領域及び素子分離膜の上部位置の平坦化層間絶縁膜上の所定領域に配置される。 - 特許庁
A capacitor 102 employs an impurity region, formed below the capacitor 102 in an active region 7 as lower electrode.例文帳に追加
キャパシタ102は、活性領域7においてキャパシタ102の下方に形成された不純物領域を下部電極としている。 - 特許庁
To suppress characteristic variations in a gate oxide film region while forming a bonding pad to a semiconductor active region.例文帳に追加
半導体の能動領域にボンディングパッドを形成しながら、ゲート酸化膜領域の特性変動を抑制することを目的とする。 - 特許庁
A semiconductor device includes a silicon layer 101 which has a transistor active region including a source and drain region in a transistor.例文帳に追加
半導体装置は、トランジスタのソースおよびドレイン領域を含んだトランジスタ活性領域を含んだシリコン層101を含む。 - 特許庁
(3) There is provided an (n) stopper region which reaches a low resistance layer outside the active region in a vertical direction of the parallel pn layer.例文帳に追加
(3)活性領域の外側に並列pn層に垂直方向に、低抵抗層まで達するnストッパ領域 を設ける。 - 特許庁
It is achieved, by reducing the difference of refractive index between the active region 102 and the blocking region 104 of a laser.例文帳に追加
これを、レーザの活性領域102及びブロッキング領域104間の屈折率の差を小さくすることにより達成する。 - 特許庁
While the company makes active use of the resources of the region and widens its area of trade, it is also contributing to the revitalization of the region.例文帳に追加
同社は、こうした地域資源を積極的に活用し、商圏を広げながら、地域の活性化にも貢献している。 - 経済産業省
The negative electrode active material layer 24 has: a low density region 242 where a density of the particles constituting the negative electrode active material layer 24 is relatively low; and a high density region 244 where a density of the particles constituting the negative electrode active material layer 24 is relatively high, the high density region being adjacent to the low density region 242 in an extending face direction of the layer.例文帳に追加
負極活物質層24は、負極活物質層24を構成する粒子の密度が相対的に低い低密度領域242と、当該低密度領域242と層の延在面方向に隣接し、負極活物質層24を構成する粒子の密度が相対的に高い高密度領域244とを有する。 - 特許庁
This device is provided with an active region 5 formed on a wafer 1, an isolation region 2 formed on the wafer 1 for isolating the active region 5, and gates 6A and 6B formed in the active region 5 through gate oxide films 7A and 7B, The gate oxide films 7A and 7B are operated as electric fuse.例文帳に追加
半導体基板1に形成された活性領域5と、半導体基板1に形成され、活性領域5を分離する分離領域2と、活性領域5にゲート酸化膜7A、7Bを介して形成されたゲート6A、6Bとを備え、ゲート酸化膜7A、7Bを電気ヒューズとして作用させるようにした。 - 特許庁
Moreover, the active layer 3 includes a P-type base region 6 which is formed away from the N-type buffer region 4 and an N-type emitter region 7 formed on the surface of the P-type base region 6.例文帳に追加
また、活性層3は、N型バッファ領域4から離間して形成されたP型ベース領域6と、P型ベース領域6の表面部に形成されたN型エミッタ領域7を備える。 - 特許庁
The active region is composed of a source region 2, a drain region 3, and a channel region under a gate oxide film 5, and is formed on the semiconductor substrate 1 directly below the electrode pad 12.例文帳に追加
活性領域は、ソース領域2、ドレイン領域3、及びゲート酸化膜5下のチャネル領域から構成され、活性領域は、電極パッド12のほぼ直下の半導体基板1に形成されている。 - 特許庁
In a manufacturing step of a backside illumination type CMOS image sensor, a silicide film used in a gate electrode and an active region of a MOS transistor is remained in a photodiode region (opposite region of light reception region).例文帳に追加
裏面照射型CMOSイメージセンサの製造工程において、MOSトランジスタのゲート電極や活性領域に用いるシリサイド膜をフォトダイオード領域(受光領域の反対領域)にも残す。 - 特許庁
Consequently, the ultraviolet rays irradiated to the active region of the substrate 10 are intercepted to protect the active region A, and the encapsulant S distributed on the metal line is completely cured.例文帳に追加
これにより、基板10の活性領域に照射される紫外線を遮断して活性領域Aを保護することができ、金属ライン上に分配された封止剤Sをも完全に硬化させる。 - 特許庁
Beams L1, projected from the active region 13 to the first reflector 31 and reflected by the first reflector 31, are projected to the second reflector 32, after the active region 13 is wave-guided.例文帳に追加
活性領域13から第1反射部31に入射して第1反射部31で反射された光L1は、活性領域13を導波した後に第2反射部32に入射する。 - 特許庁
The refractive index in a region of the p-type cladding layer 8 closer to the active layer 5 is lower than the refractive index in another region of the p-type cladding layer 8 opposite to the active layer 5.例文帳に追加
そして、p型クラッド層8内の活性層5側の領域の屈折率がp型クラッド層8内の活性層5側とは反対側の領域の屈折率よりも低くなっている。 - 特許庁
A gate insulator is provided at an interface part between an active region and the gate groove part, and also, at an interface part between the active region and each plate-like part.例文帳に追加
ゲート絶縁体は、能動領域と上記ゲート用溝部との間の界面部、および、上記能動領域と上記の各プレート状部との間の界面部において設けられる。 - 特許庁
Before an active region 10a formed between LOCOS oxide films 11, 11 for separating elements is oxidized, a predetermined amount of silicon in the active region is etched.例文帳に追加
素子分離領域であるLocos酸化膜11,11間に形成されているアクティブ領域10aを酸化する前に、そのアクティブ領域のシリコンを所要量食刻することである。 - 特許庁
Therefore, since breakdown occurs in an active region, causing an breakdown current to flow through the active region having a large area, current concentration does not occur, and a breakdown resistance of an element is increased.例文帳に追加
従って、ブレークダウンは活性領域で起こり、ブレークダウン電流は大面積の活性領域内を流れるので、電流集中が生じず、素子の破壊耐量が高くなっている。 - 特許庁
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