意味 | 例文 (999件) |
active regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2411件
A structure is adopted for a layout of an SRAM cell which provides local wiring 3a between a gate 2a and a gate 2b, and connects an active region 1 a and an active region 1b.例文帳に追加
SRAMセルのレイアウトにおいて、ゲート2aとゲート2bとの間にローカル配線3aを設けて、活性領域1aと活性領域1bとを接続した構造とする。 - 特許庁
In the active layer 34 between the control gates 22, a source and drain region 36 is formed.例文帳に追加
制御ゲート22間の活性層34には、ソース・ドレイン36が形成されている。 - 特許庁
The device has a stack of layers including semiconductor layers having an active region.例文帳に追加
発光デバイスは活性領域を備える半導体層を含む層のスタックを有する。 - 特許庁
The pattern of dummy regions left after the removal processing and the pattern of the active region are put together to design the photomask as to the active region.例文帳に追加
そして、かかる処理の後に残ったダミー領域のパターンとアクティブ領域のパターンとを合成することによりアクティブ領域についてのフォトマスクが設計される。 - 特許庁
Hereupon, the active region 3a is formed inside the surface of an SOI layer 3.例文帳に追加
ここで、活性領域3aは、SOI層3の表面内に形成されている。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH ACTIVE REGION SPECIFYING ALIGNMENT KEY, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
活性領域限定用アラインキーを有する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁
A gate electrode 14 to be a part of a word line is formed within a groove 17, formed in the active region and over the groove and insulated from the active region.例文帳に追加
ワード線の一部としてのゲート電極14は、活性領域に形成された溝17内及び溝を跨いで形成され、活性領域と絶縁されている。 - 特許庁
An active region 34 of the semiconductor element 32 is exposed in the hollow part 38.例文帳に追加
空洞部38内に半導体素子32の能動領域34が露出している - 特許庁
A first dielectric stressor element having a horizontally extending upper surface extends below a portion of the active semiconductor region, such as a northwest portion of the active semiconductor region.例文帳に追加
水平に延びる上面を有する第1の誘電体ストレッサ要素は、活性半導体領域の北西部分など、活性半導体領域の1つの部分の下に延びる。 - 特許庁
A multiple field plate transistor includes an active region, a source, a drain, and a gate.例文帳に追加
多重フィールドプレートトランジスタが、活性領域、ならびにソース、ドレイン、およびゲートを含む。 - 特許庁
To provide neurotrophic and analgesic peptides derived from the active region of saposin C.例文帳に追加
サポシンCの活性領域に由来する神経栄養性鎮痛ペプチドを提供する。 - 特許庁
Namely, the crystal defect layer 25 in the active region 20 is formed at a shallower position from a surface than the crystal defect layer 25 in the non-active region 40.例文帳に追加
すなわち、活性領域20における結晶欠陥層25は、非活性領域40における結晶欠陥層25よりも表面からみて浅い位置に形成されている。 - 特許庁
In a cell region, a dummy trench 23 is formed adjacently to an active trench 10.例文帳に追加
セル領域には、アクティブトレンチ10に隣接してダミートレンチ23が形成されている。 - 特許庁
Electrodes injects a current to the region along the route of the active layer.例文帳に追加
電極が、活性層のうち前記経路に沿った領域に電流を注入する。 - 特許庁
A first spacer layer 26 is formed between the source and the gate above the active region, and a second spacer layer 28 is formed between the drain and the gate above the active region.例文帳に追加
第1のスペーサ層26が、活性領域の上方でソースとゲートの間にあり、第2のスペーサ層28が、活性領域の上方でドレインとゲートの間にある。 - 特許庁
A second dielectric stressor element having a horizontally extending upper surface extends below one second portion of the active semiconductor region, such as a southeast portion of the active semiconductor region.例文帳に追加
水平に延びる上面を有する第2の誘電体ストレッサ要素は、活性半導体領域の南東部分など、活性半導体領域の第2の部分の下に延びる。 - 特許庁
An STI2 is formed on a silicon substrate 1, and an active region 3 is formed as a zone.例文帳に追加
シリコン基板1にSTI2を形成し、活性領域3を区画形成する。 - 特許庁
In an IE-type trench IGBT, each linear unit cell region configuring a cell region mainly comprises a linear active cell region and a linear inactive cell region.例文帳に追加
しかし、IE型トレンチIGBTにおける伝導度変調の更なる促進およびデバイスの簡略化をしようとして、インアクティブセルの幅を広げると、急速に耐圧が低下してしまう。 - 特許庁
A breakdown voltage structure 20 provided between an active region 10 and an isolation region 30 is composed of a forward breakdown voltage structure region 40 and a reverse breakdown voltage structure region 50.例文帳に追加
活性領域10と分離領域30との間に設けられた耐圧構造部20は、順方向耐圧構造領域40と逆方向耐圧構造領域50とからなる。 - 特許庁
The semiconductor integrated circuit includes an active region 1 formed in a first region, a well region 2 formed in a second region, transistor gate electrodes 3, dummy gate electrodes 5, and contacts 8.例文帳に追加
第1領域に形成される活性領域1と第2領域に形成されるウェル領域2とトランジスタゲート電極3とダミーゲート電極5と、コンタクト8とを備えている。 - 特許庁
A trench isolation structure TI is formed, between an active barrier region ABR and other region (output transistor forming region ER and control circuit forming region CCR).例文帳に追加
アクティブバリア領域ABRと他の領域(出力トランジスタ形成領域OERおよび制御回路形成領域CCR)との間にトレンチ分離構造TIが形成されている。 - 特許庁
An amorphous silicon layer is patterned to form a filtering channel 63 for connecting an active layer region containing a crystallization source region 60, a source region 64, a channel region under a gate electrode 65, and a drain region 66.例文帳に追加
アモルファスシリコン層をパターニングし、結晶化ソース領域60とソース領域64、ゲート電極65下部のチヤネル領域、及びドレイン領域66を含む活性層領域を連結するフィルタリングチャンネル63を形成する。 - 特許庁
A second STI region is formed while the second STI region extends between the first STI region and the collector region, and undercuts a part of an active base region with an undercut angle of about 90° or less.例文帳に追加
第2のSTI領域が形成され、この第2のSTI領域は、第1のSTI領域とコレクタ領域との間に延在し、約90°以下のアンダーカット角度で活性ベース領域の一部をアンダーカットする。 - 特許庁
The element active portion 101 includes: a source region 105 and a drain region 106 located opposite each other in a gate length direction; and a channel region 107 interposed between the source region 105 and the drain region 106.例文帳に追加
素子活性部101は、ゲート長方向において互いに対向するソース領域105およびドレイン領域106と、ソース領域105とドレイン領域106との間に介在するチャネル領域107とを含む。 - 特許庁
The excessive Si at the uppermost portion of the embedded thick oxide region and the thin oxide region is ground and removed until the thick oxide region is reached and thus an active device region is formed on the thin oxide region.例文帳に追加
埋め込まれた厚い酸化物領域と薄い酸化物領域の最上部の過剰なSiは厚い酸化物領域まで研磨して落として薄い酸化物領域の上に活性デバイス領域を形成する。 - 特許庁
A first insulated separation film 5a which partitions an active region and a second insulation isolating film 5b which is thinner than the first insulation isolating film 5a and separates the active region into a first active region 6 and a second active region 7 as element isolation layers made of LOCOS are formed on the major surface S of a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加
P型シリコン基板1の主表面SにLOCOSからなる素子分離層として、活性領域を区画する第1の絶縁分離膜5aと、この第1の絶縁分離膜5aよりも厚さが薄く、且つ、活性領域を第1の活性領域6と第2の活性領域7とに分離する第2の絶縁分離膜5bを形成する。 - 特許庁
Therefore, the generation of a low concentration region can be prevented in the vicinity of an interface between the n-type active region 121 and the p-type active region 122 even if the region 121 and the region 122 are mixed so as to be mutually contacted (butting diffusion).例文帳に追加
従って、n型活性領域121とp型活性領域122とが互いに接するように混在する場合(バッティングディフュージョン)においても、n型活性領域121とp型活性領域122との界面付近に低濃度領域が生じることを防ぐことができる。 - 特許庁
The semiconductor device is equipped with: a semiconductor substrate; an active region formed in a tap region 40 of the semiconductor substrate; a transistor region 36; and a silicide wiring region 38; a gate electrode 21 formed on the silicide wiring region 38 down to the transistor region 36; and a metal silicide layer 44a provided on the active region.例文帳に追加
半導体装置は、半導体基板と、半導体基板のタップ領域40、トランジスタ領域36、及びシリサイド配線領域38に形成された活性領域と、シリサイド配線領域38上からトランジスタ領域36上に亘って形成されたゲート電極21と、活性領域上に設けられた金属シリサイド層44aとを備えている。 - 特許庁
The semiconductor device 100 includes an element isolating region 12 provided in its semiconductor layer, an active region 20 isolated by the element isolating region 12, and an impurity layer 22 formed inside the peripheral edges of the active region 20.例文帳に追加
本発明の半導体装置100は、半導体層に設けられた素子分離領域12と、素子分離領域12によって分離された活性領域20と、活性領域20の外縁よりも内側に形成された不純物層22とを含む。 - 特許庁
By forming a strain superlattice region having a stacked pattern of first and second semiconductor layers between an implanting region and the active region, the semiconductor light emitting device is provided, in which carrier transport toward the active region is enhanced.例文帳に追加
注入領域と活性領域の間に、第1および第2半導体層の積層パターンを有するひずみ超格子領域を形成することによって、活性領域へのキャリヤの移動が向上する半導体発光素子が提供される。 - 特許庁
In the upper part of a semiconductor substrate 101, the surface height of an active region 124 provided on a first specified region 121 and the height of the surface of an active region 126 provided on a second specified region 122 are different from each other.例文帳に追加
半導体基板101上において、第1の特定の領域121に設けられた活性領域124表面位置高さと、第2の特定の領域122に設けられた活性領域126表面位置高さとが互いに異なる。 - 特許庁
An isolation region defining an active region of the bulk body element region of the substrate and defining first sacrificial patterns and first active patterns, which are sequentially stacked on a first element region of the floating body element regions of the substrate is formed.例文帳に追加
バルクボディ素子領域の基板の活性領域を画定するとともに、フローティングボディ素子領域のうち第1素子領域の基板上に順に積層された第1犠牲パターン及び第1活性パターンを画定する素子分離膜を形成する。 - 特許庁
The first transistor and the second transistor are formed in a first active region and a second active region which are separated from each other, and the source region of the first transistor is electrically connected to the drain region of the second transistor through an interconnection composed of a conductive layer.例文帳に追加
第1トランジスタ及び第2トランジスタは各々互いに分離された第1及び第2活性領域に形成され、第1トランジスタのソース領域は導電層から成った配線を通じて第2トランジスタのドレイン領域と電気的に接続される。 - 特許庁
This CMOS image sensor includes a semiconductor substrate in which an active region and an element isolation region are segmented, a photodiode region and a transistor region which are formed on the active region, a gate electrode formed on the transistor region and having first and second heights, and a diffusion region formed by implanting impurity ions into the photodiode region and the transistor region.例文帳に追加
本発明に係るCMOSイメージセンサは、アクティブ領域と素子分離領域が区画された半導体基板と、アクティブ領域に形成されたフォトダイオード領域とトランジスタ領域と、トランジスタ領域に形成された第1の高さと第2の高さを有するゲート電極と、フォトダイオード領域とトランジスタ領域に不純物イオンが注入されて形成された拡散領域と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁
The CMOS image sensor comprises a first conductivity type semiconductor substrate provided with a plurality of transistors, an active region overlapping the gate electrode of the transistor, an isolation region contiguous to the active region, and a first conductivity type heavily doped impurity ion region formed between the active region and the isolation region.例文帳に追加
本発明に係るCMOSイメージセンサは複数のトランジスタを具備する第1導電型の半導体基板と、前記トランジスタのゲート電極とオーバーラップするアクティブ領域と、前記アクティブ領域と隣接する素子分離膜と、前記アクティブ領域と素子分離膜との間に形成される高濃度の第1導電型の不純物イオン領域とを含んでいることを特徴とする。 - 特許庁
The semiconductor device comprises an element isolation region 12, formed in a semiconductor substrate 11, an active region 11a consisting of the semiconductor substrate 11 surrounded by the element isolation region 12, a gate insulating film 13 formed on the active region 11a, and a gate electrode 15, formed by mounting the active region 11a and adjacent element isolation region 12.例文帳に追加
半導体装置は、半導体基板11に形成された素子分離領域12と、該素子分離領域12に囲まれた半導体基板11からなる活性領域11aと、該活性領域11aの上に形成されたゲート絶縁膜13と、活性領域11a及び隣接する素子分離領域12の上に跨って形成されたゲート電極15とを備えている。 - 特許庁
Longitudinal axes of at least three active regions are parallel with one another and each of at least three active regions has a side edge intersecting with the longitudinal axis of its corresponding active region.例文帳に追加
少なくとも3つのアクティブ領域の縦軸は平行で、少なくとも3つのアクティブ領域は、それぞれ、対応するアクティブ領域の縦軸と交差する辺縁を有する。 - 特許庁
The second active dummy patterns 11b are disposed adjacent to the active device region 9 across the first active dummy patterns 11a and along the first direction and the second direction.例文帳に追加
第2アクティブダミーパターン11bは、第1アクティブダミーパターン11aを介してアクティブデバイス領域9と隣接するように、第1方向および第2方向に沿って配置される。 - 特許庁
When the active layer is selectively grown on a substrate, a crystal is previously grown in a non-growth region of the active layer and then the active layer is grown.例文帳に追加
基板上に活性層を選択的に成長するに際し、活性層の非成長領域に予め結晶を成長しておき、その後、活性層を成長する。 - 特許庁
An active region 210 is formed on a substrate, and a transistor is formed between adjacent active regions 210, thereby the active regions 210 form a source and a drain of the transistor.例文帳に追加
アクティブ領域210を基板に形成し、隣接するアクティブ領域210の間にトランジスタを形成することで、アクティブ領域210がトランジスタのソースとドレインを形成する。 - 特許庁
In other words, the individual electrode covers the active region part 100A by plan view.例文帳に追加
換言すると、平面視すると能動領域部100Aを個別電極が覆っている。 - 特許庁
A light emitting device has a stack of layers including a semiconductor layer with an active region 12.例文帳に追加
発光デバイスは活性領域12を備える半導体層を含む層のスタックを有する。 - 特許庁
An area of a portion into which a sense current flows defines an active region of a MR component.例文帳に追加
センス電流が流れる部分の面積で、MR素子の能動領域を規定する。 - 特許庁
A silicide film using an active region can be used for the positioning mark.例文帳に追加
この位置合わせマークには、活性領域を用いたシリサイド膜を用いることもできる。 - 特許庁
The covering layer may have a recessed region for forming the active absorption layer.例文帳に追加
被覆層は、活性吸収層を形成すべき凹所領域を有することが可能である。 - 特許庁
The active region 34 has an adequate roundness at the interface with the isolating oxide film 32.例文帳に追加
活性領域34は、分離酸化膜32との境界部に、適切な丸みを有する。 - 特許庁
It is desirable that a main light emission layer in the active layer region consists of GaInNAs.例文帳に追加
前記活性層領域における主発光層がGaInNAsなることが好ましい。 - 特許庁
In the active region 4, a plurality of MOS FETs 3 are formed as functional elements.例文帳に追加
アクティブ領域4には、機能素子として、複数のMOS FET3が形成されている。 - 特許庁
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