「current region」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The current Keihanshin corresponds to the Kinai region in the Gokishichido area of the ancient map, and ahead of other areas of Japan transportation system was developed since ancient times. 例文帳に追加

現在の京阪神は五畿七道では畿内に相当し、日本の中では他の地域に先駆けて古くから交通が発達していた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To reduce the consumption current in at least a temperature security region of operation in a semiconductor device equipped with a thermal shutdown circuit.例文帳に追加

サーマルシャットダウン回路を備えた半導体装置において、少なくとも動作保証温度領域での消費電流の低減を図る。 - 特許庁

To provide a method for electrolytically refining copper by which faulty electrodeposition is suppressed in a high current density region of ≥300 A/m^2.例文帳に追加

３００Ａ／ｍ^２以上の高電流密度域で電着不良を抑制することができる銅の電解精製方法を提供する。 - 特許庁

A serial inductance element 2 contained in the electric power system 1 is replaced with an equivalent current source 8, for region division.例文帳に追加

電力系統１に含まれる直列インダクタンス要素２を等価電流源８に置き換えることにより、領域分割を行なう。 - 特許庁

A base current flowing through the transistor Q21 is limited by a resistor R19 at this time, and a charge accumulated in a base region is decreased.例文帳に追加

このとき抵抗Ｒ１９によりトランジスタＱ２１のベース電流が制限され、ベース領域に蓄積される電荷が減少する。 - 特許庁

To reduce local current close formation generated between the end part of the body region of one conductivity type and the end part of a first gate insulation film.例文帳に追加

一導電型ボディー領域の端部と第１のゲート絶縁膜の端部との間で発生する局部電流密集を低減する。 - 特許庁

To reduce both a light leakage current and diffusion of impurities to a channel region e.g. when a pixel pitch is narrowed.例文帳に追加

例えば、画素ピッチが狭小化された場合に、光リーク電流、及びチャネル領域への不純物の拡散の両方を低減する。 - 特許庁

Thus, electron mobility can be improved with the tensile stress applied to a channel region, and thereby transistor current is increased.例文帳に追加

これにより、チャネル領域に引張り応力が作用して電子の移動度が大きくなり、トランジスタの電流を増加させることができる。 - 特許庁

Each storage region 3 has a TMR element 4 arranged inside a magnetic material layer 8 and intra-region wiring 31 supplying an external magnetic field to a first magnetic layer 41 by writing current.例文帳に追加

各記憶領域３は、磁性材料層８の内部に配置されたＴＭＲ素子４と、書き込み電流によって第１磁性層４１に外部磁界を提供する領域内配線３１とを有する。 - 特許庁

A distribution Bragg reflection type laser is formed wherein the active region generates a laser optical signal by turning on and off current injection into the active region.例文帳に追加

前記活性領域の長さは１０乃至１００μｍとし、前記活性領域への電流注入のオン・オフにより、レーザ光信号を発生させる活性領域の分布ブラッグ反射型レーザを構成する。 - 特許庁

The n-AlGaAs layer and the SiO_2 film are filled with a lower layer 22a of the upper reflection mirror-upper clad layer and is formed with an opening 31 which becomes a current injection region in a central region.例文帳に追加

ｎ−ＡｌＧａＡｓ層及びＳｉＯ_2 膜は、上部反射鏡兼上部クラッド層の下部層２２ａで埋め込まれ、電流注入領域となる開口部３１を中央領域に備えている。 - 特許庁

By this, at the time when a hole (carrier) is drawn out, a wide range including a deep position as well as the surface of the p-type region 3b in the outer peripheral region can be a current path for the hole.例文帳に追加

これにより、ホール（キャリア）が引き抜かれるときに、外周領域のｐ型領域３ｂの表面のみでなく、深い位置も含めた広い範囲をホールの電流経路とすることができる。 - 特許庁

To provide a transistor element capable of securing excellent electrical junction between a source region and a drain region, and a channel layer, and preventing drop of on-current, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ソース領域及びドレイン領域と、チャネル層との間で、良好な電気的接合を確保でき、かつオン電流の低下を防ぐことのできるトランジスタ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The reason why large current density is realized is that the p doped region and the p+ doped region work as a material of negative electron affinity when they contact the metal of low work function.例文帳に追加

高電流密度が可能となるのは、ｐドーピング領域およびｐ＋ドーピングされた領域が、低い仕事関数の金属に接したときに、負の電子親和力の材料として動作するからである。 - 特許庁

The stack structure body further has a current confining region 28 in which ion is implanted, and peak implantation concentration portion is estranged by a distance longer than 0.5μm in longitudinal direction from the cavity region 12.例文帳に追加

スタック構造体は、イオン注入された電流閉じ込め領域〔２８〕を更に有し、ピーク注入濃度部が、空洞領域〔１２〕から長手方向に０．５μｍよりも長い距離だけ離間する。 - 特許庁

In addition, when a diode element is turned off, a reverse recovery current applied from the floating layer 41 to the emitter region 39 of the IGBT region 10 is suppressed and reverse recovery capability is improved.例文帳に追加

また、ダイオード素子がオフになったときには、フローティング層４１によりＩＧＢＴ領域１０のエミッタ領域３９に流れ込む逆回復電流が抑制され、逆回復耐量が向上する。 - 特許庁

To provide a light emitting device, wherein a long damage crossing a current path is prevented from being caused between a contact region and a light emission region of an electrode layer including electrodes of a light emitting element.例文帳に追加

発光装置において、発光素子の電極を含む電極層のコンタクト領域と発光領域との間の部分に、電流流路を横切る長い欠損が生じることのないようにする。 - 特許庁

Then, each exposure part of the aluminum-containing cladding region or the aluminum-containing light guide region is oxidized, and a current block layer, that is adjacent to the mesa and extend in a transverse direction from the mesa, is formed.例文帳に追加

その後アルミニウム含有クラッド領域またはアルミニウム含有導光領域の各露出部分を酸化して、メサに隣接しかつメサから横方向に延びる電流ブロック層を形成する。 - 特許庁

Even though a comparatively high voltage is applied to the electrode 24, a forward current which is made to flow into a P-N junction which is constituted of the body region and a source region is limited by a part R.例文帳に追加

ゲート電極２４に比較的高電圧が印加されても、ボディ領域とソース領域とで構成されるｐｎ接合に流れる順方向電流は抵抗部Ｒによって制限される。 - 特許庁

To make a gain region and a non-injection region nearly equal to each other in light distribution so as to prevent a semiconductor laser from increasing in a threshold current due to a coupling loss and deteriorating in noise characteristics due to a composite resonator effect.例文帳に追加

利得領域と非注入領域の光分布をほぼ同じにして、カップリングロスによる閾値電流の増大を防止し、同時に、複合共振器効果によるノイズ特性の劣化を防止する。 - 特許庁

Due to the existence of the resistivity region 6, an inversion phase is hardly generated during reverse biasing and the value of leak current can be made small, without having to increase the impurity concentration of the high resistivity region 4.例文帳に追加

この低比抵抗領域６の存在によって、逆バイアス時に反転相が形成され難くなり、高比抵抗領域４の不純物濃度を上げずに漏れ電流の値を小さくすることができる。 - 特許庁

The dopant increased region is called a delta region for spreading the current flow path generated from the channel of the MOSFET to lower the resistance of the MOSFET being turn on condition.例文帳に追加

このドーパント濃度を高められた層はデルタ層と称し、ＭＯＳＦＥＴのチャネルから発せられた電流経路を拡げ、ターンオン状態のＭＯＳＦＥＴの抵抗率を低下させる作用をなす。 - 特許庁

Suppression level of a drain current Id is altered between a region AR1 where the drain-source voltage Vds of a drive switching element is high and a region AR2 where the drain-source voltage Vds is lower.例文帳に追加

駆動スイッチング素子のドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓが高い領域ＡＲ１と、これより低いドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓの領域ＡＲ２とで、ドレイン電流Ｉｄの抑制レベルを変更する。 - 特許庁

A commutation timing selection block 207 switches a signal, outputted to a phase current drive block 1311, between an acceleration/deceleration region and a constant speed region.例文帳に追加

転流タイミング選択ブロック２０７は転流タイミング切換え信号２０４の状態に応じて、加減速領域と等速領域とで相電流駆動ブロック１３１１に出力する信号を切り換える。 - 特許庁

A vibration suppression control part confirms whether an operating point exists in a maximum torque region, or in a throttling region, based on a q-axis current command value I_sq* and a filter capacitor voltage V_f.例文帳に追加

振動抑制制御部は、現在の、ｑ軸電流指令値Ｉ_sq^*及びフィルタコンデンサ電圧Ｖ_fに基づいて、動作点が最大トルク領域内に存在するか、絞り込み領域内に存在するかを確認する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device whereby leakage is prevented by increasing a current path between cells without deeply etching a device isolation region, so that the degradation of an active region can be prevented.例文帳に追加

素子分離領域を深くエッチングせずにセル間の電流経路を長くして漏れを防止し、活性領域の崩壊を防止することができる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can raise the Vth at the lower portion of a fin and can constrain leak current by a sub-channel between the source region and the drain region, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

フィン下部でのＶthの上昇が得られると共に、サブチャネルによるソース領域とドレイン領域との間のリーク電流を抑えることを可能とした半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The navigation apparatus stores a scheduled time for entering a mesh region (S603) based on current collection date/time (S601) for the mesh region and links included in a route to a destination.例文帳に追加

ナビゲーション装置は、目的地までの経路に含まれるメッシュ領域およびリンクに関して、収集した現在日時（Ｓ６０１）に基づいて、そのメッシュ領域に入る予定時刻を記憶する（Ｓ６０３）。 - 特許庁

By having the diode 44 provided, the input IGBT is turned on, and an electric current flows to the diode 44 that would have passed from the drift region 54 to the source region 61 of the NMOS via a p-well 60.例文帳に追加

ダイオード４４を設けることにより、入力ＩＧＢＴがオンしてドリフト領域５４からＰ−ウエル６０を介してＮＭＯＳのソース領域６１に流れる電流が、ダイオード４４を流れる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including, in an area under a channel region, a crystal layer for generating distortion to improve charge mobility in a channel region and controlling formation of a leak current route.例文帳に追加

電荷移動度を向上させる歪みをチャネル領域に発生させる結晶層をチャネル領域下に有し、かつリーク電流経路が形成されることを抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Noise is specified depending on whether the signal output time and the signal peak value are in a noise specifying region set in the accidental fire determining region or not using the ion current signal characteristic data.例文帳に追加

更に、同じくイオン電流信号特性データを用い、その都度の信号出力時間と信号ピーク値とが、失火判定域内に設定したノイズ特定域にあるかどうかによりノイズが特定される。 - 特許庁

A torque is controlled in consideration of vibration and sound in the low rotation region, and the phase current of a DC brushless motor 1 is changed into sine waves and angle-advanced in the high rotation region.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明は、低回転域では振動、音を考慮したトルク制御を行い、高回転域ではＤＣブラシレスモータ１の相電流を正弦波にし進角させる。 - 特許庁

Leakage current is measured by relatively scanning laser light on the electrode pattern along an insulative region of the pattern, and applying electricity between electrodes on both sides of the insulative region of the electrode pattern.例文帳に追加

電極パターンの絶縁部に沿ってレーザ光を前記電極パターンに対して相対的にスキャンし、電極パターンの絶縁部両側の電極間に電気を印加して漏れ電流を測定する。 - 特許庁

The second semiconductor region 23n is arranged neighboring the first semiconductor region 23p in the face-direction of the current collector 23, and includes a second conductive type different from the first conductive type.例文帳に追加

第２の半導体領域２３ｎは、集電体２３の面方向において第１の半導体領域２３ｐに隣接して配置され、第１の導電型とは異なる第２の導電型を有する。 - 特許庁

An emitter layer is thinned for microminiaturization of an emitter structure, and a latch-up resistance is increased by remotely separating a hole current in the p-type region 6 from the region 7.例文帳に追加

エミッタ層を薄膜化することにより、エミッタ構造の微細化を可能とするとともに、ｐベース領域6 内の正孔電流をｎ^+ エミッタ領域7 から遠ざけることによりラッチアップ耐量を増大させる。 - 特許庁

Further, a P-type impurity region electrode contact and N-type impurity region electrode contact larger than the trenches are provided, electrodes are provided from both the thin film silicon layer and the substrate for the P-type impurity region and the N-type impurity region so that a large current can flow to the diode of the SOI device.例文帳に追加

さらにトレンチよりも大きいＰ型不純物領域電極コンタクトおよびＮ型不純物領域電極コンタクトを設けて、Ｐ型不純物領域、Ｎ型不純物領域とも薄膜シリコン層、半導体基板の両方から電極をとるようにし、ＳＯＩデバイスでありながらダイオードに大電流を流せるようにする。 - 特許庁

To provide an optical device which can reduce unnecessary leakage current that comes from a semiconductor core region with a variable refractive index via a core region with a nonvariable refractive index, in a connecting part between the semiconductor core region with the variable refractive index by applying a voltage and the core region with the nonvariable refractive index.例文帳に追加

電圧を印加することにより屈折率が可変な半導体コア領域と屈折率が可変ではないコア領域との接続部において、屈折率が可変な半導体コア領域から屈折率が可変ではないコア領域を経由した不要なリーク電流を低減することが可能な光学素子を提供する。 - 特許庁

The region where the coil 5 is wound includes a first density winding region where the coil is wound with a first density and a second winding region where the coil is wound with a second density lower than the first density in a region avoiding a position where a beam current is maximum when the whole of the coil is wound with a uniform density.例文帳に追加

コイル５が巻かれている領域は、第１密度で巻かれた第１密度巻回領域と、コイルの全体が一定の密度で巻かれたときにビーム電流が最大となる位置を避ける領域において第１密度よりも小さい第２密度で巻かれた第２密度巻回領域とを含む。 - 特許庁

The surface concentration top region 14A of the p-type diffusion region 14 can be made comparatively high in impurity concentration because an opening is provided to a field oxide film 4 avoiding the gate electrode 6 and impurities are diffused by implanting impurity ions through the opening, and a surface leakage current occurring between itself and the source region and drain region of the adjacent MOS transistor can be restrained.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域１４の表面濃度頂上領域１４Ａは、ゲート電極６と重ならずフィールド酸化膜４を開孔しイオン打ち込みによって拡散するため、比較的高濃度にすることができ、隣接したＭＯＳトランジスタのソース領域、ドレイン領域との表面リーク電流を抑制できる。 - 特許庁

In the fault region of conductor in the wire, a local sudden variation magnetic field occurs due to the current perturbation and a large circumferential circuit magnetic field due to a conductor electric current works.例文帳に追加

電線における導体の欠陥箇所には、電流乱れに基づく局部的な急峻変化磁界が発生すると共に導体通電電流に基づく大きな周回路磁界が作用する。 - 特許庁

An intermediate slit 8a for increasing a current flowing region for eddy current generated in the skulls through penetration of alternating magnetic field is provided on each conductive segment 8 of the tapping structure 7.例文帳に追加

出湯構造体７の各導電性セグメント８には、交番磁場の浸透によりスカル部に発生する渦電流の流動領域を増加させるための中間スリット８ａが形成されている。 - 特許庁

The control circuit 4 blocks the first connection lines from the telephone line by controlling the electronic switch 2 with a control signal in a current value region lower than a closure sensing current, when the second connection lines are closed.例文帳に追加

制御回路４は、第２接続回線が閉結すると、閉結感知電流より低い電流値領域の制御信号で電子スイッチ２を制御して第１接続回線を電話回線から遮断する。 - 特許庁

To provide an air current peeling-off suppression structure of a moving body capable of suppressing the size of a peeling-off region of air current peeling off from a leading part and a tail part of the moving body by a simple structure.例文帳に追加

簡単な構造によって移動体の先頭部及び後尾部からはく離する気流のはく離領域の大きさを抑制することができる移動体の気流はく離抑制構造を提供する。 - 特許庁

The difference between the high-frequency current quantities Az1 and Az2 in the probes 40 and 41 is obtained to calculate a loss output high-frequency current quantity Ar to be flown out from a plasma region P between the upper and lower electrodes.例文帳に追加

各プローブ４０，４１における高周波電流量Ａｚ１，Ａｚ２の差を求めて，上下電極間でプラズマ領域Ｐから流出する損出高周波電流量Ａｒを算出する。 - 特許庁

Moreover, a desired drain current is obtained by enhancing VGS of the driving TFT while improving the current characteristic in the saturation region of the TFT by making the channel length sharply larger than the channel width.例文帳に追加

さらに、チャネル長はチャネル幅よりも大幅に大きくして飽和領域における電流特性を改善し、駆動用ＴＦＴのＶ_GSを高くすることによって所望のドレイン電流を得る。 - 特許庁