「current region」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

Since an N-type MOS-FET is such that its voltage-current characteristics are linear and, therefore, a voltage drop and, consequently, a loss in a small current region is small, circuit efficiency can be improved.例文帳に追加

Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴは、その電圧−電流特性は直線的であるので電流が小さい領域で電圧降下、延いては損失が小さいので回路効率を向上することができる。 - 特許庁

To provide a current constriction type light-emitting element having a uniform emission distribution in an emission region, and having high optical output performance even when current density is particularly high; and to provide a method for manufacturing the light-emitting element.例文帳に追加

発光領域における発光分布が均一であり、特に高い電流密度であっても、高光出力性能を有する電流狭窄型発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A server device 200P of a navigation system 100 selects current congestion information by link relating to a receivable region from current congestion information received by a traffic information receiving part 220.例文帳に追加

ナビゲーションシステム１００のサーバ装置２００Ｐは、交通情報受信部２２０で受信された現在渋滞情報から受信可能領域に関するリンク別現在渋滞情報を選出する。 - 特許庁

In addition, the exchange rate can be no longer be used to control current accounts. Thus, the imbalance of current accounts in the region remains uncorrected and has indeed expanded since the introduction of the euro (see Figure 1-2-2-12).例文帳に追加

また、為替による経常収支調整機能が働かないこともあり、域内での経常収支不均衡が是正されず、ユーロ導入以降、更に拡大してきているのが実態である（第1-2-2-12 図）。 - 経済産業省

A current non-injection region where the contact layer 7 contacts the dielectric film 8 is formed on the upper surface of the ridge part 6a in the vicinity of the resonator end face, and the first electrode 9 and the second electrode 10 are formed separately from the upper surface region of the dielectric film 8 excluding a sidewall surface of the opening in the current non-injection region.例文帳に追加

共振器端面近傍のリッジ部６ａの上面において、コンタクト層７と誘電体膜８とが接する電流非注入領域が設けられ、第一電極９及び第二電極１０は、前記電流非注入領域における前記開口部の側壁面を除く誘電体膜８の上面領域から離間して設けられている。 - 特許庁

A CPU calculates and updates an other axis interference avoidance region 72 on the basis of a current position changing in accordance with movement and a target position of an opposite head 10 and determines whether the updated other axis interference avoidance region 72 interferes with a self axis interference avoidance region 74 calculated on the basis of a current position and a target position of a self head 11.例文帳に追加

ＣＰＵは、対向ヘッド１０の移動に伴い変化する現在位置と目的位置とに基づいて他軸干渉回避領域７２を算出して更新し、更新した他軸干渉回避領域７２と自ヘッド１１の現在位置と目的位置とに基づいて算出した自軸干渉回避領域７４とが干渉するか否かを判断する。 - 特許庁

Accordingly, the magnetic field due to the current flowing between the end 48b of the cathode via 48 and the edge region 50B cancels the magnetic field due to the current flowing in the cathode electrode pattern 38B reverse to the direction of the current to each other between the cathode via 48 and the edge region 50B separated at a predetermined distance.例文帳に追加

そのため、陰極ビア４８の端部４８ｂと縁領域５０Ｂとの間を流れる電流に起因する磁界と、その電流の向きと逆向きに陰極電極パターン３８Ｂ内を流れる電流に起因する磁界とが、所定間隔だけ離間した陰極ビア４８と縁領域５０Ｂとの間において互いに打ち消しあう。 - 特許庁

A light-shielding member is provided to prevent the region that is to be a current supply region of the mesa from being exposed to light, which is submerged in an electrolyte 532 of a positive electrode oxidizing device 53; and with a white light L irradiated from an optical output device 51, a current is supplied from a current source 534, for positive electrode oxidization with the selective oxidizing layer.例文帳に追加

そして、メサにおける電流供給領域となる領域に光が当たらないように遮光部材を設けた後、陽極酸化装置５３の電解液５３２中に浸漬し、光出力装置５１から白色光Ｌを照射しつつ、電流源５３４から電流を供給し、被選択酸化層の陽極酸化を行う。 - 特許庁

In a mirror layer of first period from the active layer side of the upper reflective layer 6, a current constriction layer 20 is formed of a current injection region 19a arranged in the vicinity of the center of mesa and having circular horizontal cross-section, and a selective oxidation layer 19b arranged contiguously to the current injection region 19a.例文帳に追加

そして、上部反射層６の活性層側から第一周期目のミラー層内に、そのメサ中央付近に配置されかつ水平断面が円状の形状を有する電流注入領域１９ａと該電流流入領域に１９ａに隣接して配置された選択酸化領域１９ｂにより形成された電流狭窄層２０が配置されている。 - 特許庁

An electrostimulator is provided which comprises a current command value generation section for generating sensation stimulating current for stimulating the vestibular sensation, an electrical stimulation section for outputting the sensation stimulating current, and sensation stimulating electrodes attached to the vicinity of the apertures of the skull for applying the sensation stimulating current through a region mainly containing the vestibular organs.例文帳に追加

本発明の電気刺激装置は、前庭感覚を刺激する感覚刺激電流を生成する電流指令値生成部と、感覚刺激電流を出力する電気刺激部と、感覚刺激電流の電流経路が前庭器官を主に含む領域とする、頭蓋骨の孔近傍に装着する感覚刺激電極とを有する。 - 特許庁

In such a p-type semiconductor region 3, the path in which current flows becomes narrow, when the amount of current is smaller than a prescribed amount in the breakdown of the constant-voltage diode 10; and since the path in which the current flows becomes wide, when the amount of current is equal to or larger than a prescribed amount, thus stabilizing an output voltage.例文帳に追加

このようなＰ型半導体領域３によれば、定電圧ダイオード１０のブレークダウン時において、電流量が所定量より少ない場合には電流の流れる経路が狭くなり、電流量が所定量以上の場合には電流の流れる経路が広くなるため、出力電圧が安定する。 - 特許庁

A payoff control device calculates a first abnormality determination value using the game information stored in the first region at the interrupt time of current application and at the recovery time of current application, and calculates a second abnormality determination value using the prize ball management information stored in the second region.例文帳に追加

払出制御装置は、通電遮断時と通電回復時に第１の領域に格納されている遊技情報を用いて第１の異常判定値を算出し、第２の領域に格納されている賞球管理情報を用いて第２の異常判定値を算出する。 - 特許庁

By connecting a planar structure and a JBS structure within one chip in parallel, the JBS structure is applied in a low-current region with forward voltage characteristics, and the planar structure, i.e., a guard ring structure composed of a Schottky metal with a barrier height higher than 0.70 eV, is applied in a high-current region.例文帳に追加

プレーナ構造とＪＢＳ構造を１チップ内で並列接続することで、低電流領域での順方向電圧特性にはＪＢＳ構造、大電流域ではバリアハイトが０．７０ｅＶより高いショットキーメタルから構成されたガードリング構造（プレーナ構造）が作用する。 - 特許庁

To provide a reliable vertical cavity surface emitting laser which isolates a region where a current of an upper DBR layer having a laser beam emission region exists from a semiconductor surface, and suppresses growth of the dislocation starting at the semiconductor surface is accelerated by the current.例文帳に追加

レーザ光出射領域を備えた上部ＤＢＲ層の電流が存在する領域と半導体表面を分離し、半導体表面を始点とする転移の成長が、電流により加速されることを抑制し、信頼性の高い垂直共振器型面発光レーザを提供する。 - 特許庁

On the base part 50, a current flow in a region AR between the electrode connection holes 44a, 44b is blocked by a gap 54 between one terminal part 51 and the other terminal part 52, and a current path bypassing the region between the electrode connection holes 44a, 44b is formed.例文帳に追加

ベース部５０においては、一方端子部５１と他方端子部５２との間の間隙５４により電極接続孔４４ａ，４４ｂ間の領域ＡＲでの電流の流れが阻止され、電極接続孔４４ａ，４４ｂ間の領域を迂回する電流経路が形成される。 - 特許庁

Since the silicide region of nickel or nickel alloy hardly extends in the crystal orientation <100>, the semiconductor device is obtained in which an off-leak current hardly increase, even if the silicide region of nickel or nickel alloy is formed on the source and drain of the n-channel MISFET, the semiconductor device is obtained in which an off-leak current hardly increases.例文帳に追加

結晶方位＜１００＞の方向には、ニッケルまたはニッケル合金のシリサイド領域は延伸しにくいため、ｎチャネルＭＩＳＦＥＴのソースおよびドレインにニッケルまたはニッケル合金のシリサイド領域を形成する場合であっても、オフリーク電流が増加しにくい半導体装置が得られる。 - 特許庁

When the selected SF is the leading SF, the ID of the current DF is written in the file X corresponding region of the table D, and otherwise, the ID of the current DF is written in the next file ID region of the DF in which the SF selected just in advance of the table T is written of the table T.例文帳に追加

前記選択したＳＦが先頭ＳＦである場合、テーブルＤのファイルＸ対応領域にカレントＤＦのＩＤを書き込み、そうでない場合、テーブルＴの、１つ前に選択したＳＦを書き込んだＤＦの次ファイルＩＤ領域に、カレントＤＦのＩＤを書き込む。 - 特許庁

The opposite ends of the active layer 30 in the direction A of the resonator are current non-injection regions and the part of the active layer 30 corresponding to the p-side contact layer 43 in the region except for the opposite ends in the direction A of the resonator is the current injection region.例文帳に追加

これにより、活性層３０の共振器方向Ａにおける両端部は電流不注入領域となっており、電流注入領域は共振器方向Ａにおける両端部を除く他の領域においてｐ側コンタクト層４３に対応した部分となっている。 - 特許庁

To provide a cold cathode fluorescent lamp in which an intermediate electrode is prepared to eliminate the defect of unstable discharge due to current leakage from the lamp when a long-sized fluorescent lamp is used in a high frequency region of a low current region and to make it possible to discharge stably.例文帳に追加

長尺型の蛍光ランプを低電流領域の高周波領域で使用すると、ランプからの電流漏れが発生し、放電が不安定になる虞があったが、これを中間電極を設けることにより回避して安定した放電を可能とした冷陰極蛍光ランプを提供する。 - 特許庁

In response to a read command designating such record by the record number, the latest data stored in the data region of the record are read out, and in response to a read command designating a current code, the data stored in the backup region of the current record are read out.例文帳に追加

このようなレコードをレコード番号で指定したリードコマンドに対しては、当該レコードのデータ領域に記憶されている最新のデータを読出し、カレントレコードを指定したリードコマンドに対しては、カレントレコードのバックアップ領域に記憶されているデータを読み出すようにしたものである。 - 特許庁

The second layer is provided between the processing layer and the clad layer, and has a first conductivity type formed of either one of a region having a higher impurity density than that of the current diffusion layer and a region having a dopant different from that of the current diffusion layer.例文帳に追加

第２の層は、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられ、前記電流拡散層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する領域、および前記電流拡散層のドーパントとは異なるドーパントを有する領域、のいずれかからなる第１の導電形を有する。 - 特許庁

Next, the control unit 190A makes reference to a reception frequency table 171 in a storage unit 170 based on the identified current position, and reads a broadcast frequency receivable in a region covering the current position, that is, the region where the broadcast reception device 100A is present.例文帳に追加

引き続き、制御ユニット１９０Ａが、特定された現在位置に基づいて記憶ユニット１７０内の受信周波数テーブル１７１を参照し、当該現在位置が含まれる地域、すなわち、放送受信装置１００Ａが在圏している地域において受信可能な放送周波数を読み取る。 - 特許庁

In analyzing a changing region 7 obtained by comparing a reference image B-1 with a current image B-2 obtained by photographing a monitor region, the reference image is divided according to regional characteristics, and a feature value as a traveling object is calculated for each divided region 8 and 9.例文帳に追加

基準画像Ｂ−１と監視領域を撮影した現画像Ｂ−２を比較することにより得た変化領域７を分析する際、領域特性に基づいて基準画像を分割し、分割領域８、９ごとに移動体としての特徴量を算出する。 - 特許庁

Since the NchMOS9 is formed in an N-type well region 17, a substrate current does not flow to the P-type substrate 1 when the NchMOS9 is operated, thus a parasitic bipolar transistor comprising the N-type well region 17, the P-type substrate 1, and an N-type well region 21 is not operated.例文帳に追加

ＮchＭＯＳ９はＮ型ウエル領域１７内に形成されているので、ＮchＭＯＳ９動作時の基板電流がＰ型基板１に流れず、Ｎ型ウエル領域１７、Ｐ型基板１及びＮ型ウエル領域２１からなる寄生バイポーラトランジスタは動作しない。 - 特許庁

In the fault region detection method for conductor of the wire, a magnetic sensor is moved along the wire directing the sensing direction of the magnetic sensor to the longitudinal direction, and the magnetic field component in the longitudinal wire direction caused by the current perturbation at the fault region of the conductor is detected to find the fault region.例文帳に追加

磁気センサの感磁方向を電線の長手方向に向けて磁気センサを電線に沿い移動させ、導体の欠陥箇所での電流乱れに起因して生じる電線長手方向磁界成分を検出して導体の欠陥箇所を見出している。 - 特許庁

Since the impurity concentration of the drain region 14b can be kept certainly higher than the one of a drain region formed under a first spacer film in relation to a conventional stack-gate type EEPROM memory cell, the resistance value of the drain region 14b is so reduced as to obtain a stable saturation current in the case of the reading operation of a data.例文帳に追加

従来のスタックゲート型のＥＥＰＲＯＭのメモリセルに係る第１のスペーサ膜下のドレイン領域よりも不純物濃度を高く確保できるため、その抵抗値が下がり、データの読み出し動作の際に安定した飽和電流を得ることができる。 - 特許庁

A digital mixer 100 includes a RAM 3 and a SRAM 11 and the SRAM 11 includes an original region 111 for storing completed scenes (operation data), a shadow region 112 for storing partially edited scenes, and a current region 114 to be used for scene editing.例文帳に追加

ディジタルミキサ１００は、ＲＡＭ３とＳＲＡＭ１１を備え、ＳＲＡＭ１１は、完成したシーン（動作データ）を保存するオリジナル領域１１１と、一部編集したシーンを保存するシャドウ領域１１２と、シーン編集の際に使用するカレント領域１１４とを備える。 - 特許庁

To provide a resistance circuit for detecting current value with nearly uniform accuracy over a wide range and a plug current detection device for accurately detecting the insulation resistance of ignition plug and ion current over an entire region to be detected.例文帳に追加

広範囲に渡って電流値をほぼ均一な精度にて検出可能な電流検出用抵抗回路、及び点火プラグの絶縁抵抗やイオン電流を検出すべき全領域に渡って精度よく検出可能なプラグ電流検出装置を提供する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer is provided with a current narrowing projection 17a, in correspondence with a current injection region of the active layer 14, and a projecting part 23 is formed on the surface of the p-side electrode 22, in correspondence with the current narrowing projection 17a.例文帳に追加

ｐ型半導体層には活性層１４の電流注入領域に対応して電流狭窄用突部１７ａが設けられており、ｐ側電極２２の表面には電流狭窄用突部１７ａに対応して突出部２３が形成されている。 - 特許庁

A sunlight influence determination section 108 in the on-vehicle navigation apparatus acquires current date and time, and specifies a region where it is predicted that a vehicle is driving in a time period when a driver is affected by sunlight, based on the current date and time and the calculated current position.例文帳に追加

車載用ナビゲーション装置の日差し影響判定部１０８は、現在日時を取得して、該現在日時と、算出した現在位置と、に基づいて、運転手が日差しの影響を受ける時間帯に、車両が走行していると予測される領域を特定する。 - 特許庁

To provide a MOSFET for increasing a drain current by making uniform the strength of an electric field in a channel direction in a channel region.例文帳に追加

チャネル領域におけるチャネル方向の電界の強さを均一にし、ドレイン電流値を増加させることができるＭＯＳＦＥＴを提供する。 - 特許庁

To enable improvement of a current amplification factor hFE even when the depth and concentration of an impurity region are limited by the specifications of a CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) circuit.例文帳に追加

ＣＭＯＳ回路側の仕様で不純物領域の深さや濃度が制約を受けるような場合でもｈＦＥの向上を可能とする。 - 特許庁

The second conductivity type channel region of the sensor element is connected to a predetermined potential and then floated, thereby measuring the drain current of the sensor element.例文帳に追加

感応素子の第２導電型のチャネル領域を所定電位に接続した後フローティング化して、感応素子のドレイン電流を計測する。 - 特許庁

Both the high breakdown voltage and large current can be compatibly obtained by setting the thickness of the reserve region 112 within a range of 30 to 100 nm.例文帳に追加

リサーフ領域１１２の厚さを30nm以上100nm以下の範囲内に設定することによって高耐圧と大電流の両立を得ることができる。 - 特許庁

Furthermore, part of the active region is formed of the amorphous silicon films 12A and 12B, which are low in carrier migration degree, so that leakage current is reduced.例文帳に追加

又、能動領域の一部がキャリア移動度の低い非晶質珪素膜１２Ａ，１２Ｂで形成されるのでリーク電流が低減される。 - 特許庁

To provide a solid electrolytic capacitor in which an impedance in a high frequency region is small, a leakage current characteristic is good, and high resistance to voltage is possible.例文帳に追加

高周波領域でのインピーダンスが小さく、漏れ電流特性が良く、かつ高耐電圧化が可能な固体電解コンデンサを提供する。 - 特許庁

The end part in horizontal direction of an anode sheet b extends exceeding the corresponding end part of a cathode q and the current collector e, and forms a projected region.例文帳に追加

アノードシートｂの横方向端部はカソードｑ及び集電体ｅの対応端部を超えて延びており、突出領域を形成している。 - 特許庁

To provide a transistor having a local LDD region and a method for manufacturing the same with a superior current characteristic capable of suppressing a short channel effect.例文帳に追加

ショートチャネル効果が抑制され、電流特性に優れた、ローカルＬＤＤ領域を有するトランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The DBR region 20 has: a refractive index changing layer 201 having a refractive index changing due to current injection; and an SSG structure 202a.例文帳に追加

ＤＢＲ領域２０は、電流注入により屈折率が変化する屈折率変化層２０１と、ＳＳＧ構造２０２ａとを有する。 - 特許庁

That is, the intrinsic region load line 123 is within an area of a triangle having sides of the optimum load line 118 and axes of a current and a voltage.例文帳に追加

つまり、真性領域負荷線１２３は、最適負荷線１１８と電流電圧の各軸を辺とする三角形の領域内にある。 - 特許庁

To reduce a leak current that occurs in a pn-junction region between a gate and a source in a trench type junction FET using a silicon carbide substrate.例文帳に追加

炭化珪素基板を用いた接合型ＦＥＴにおいて、ゲート・ソース間のｐｎ接合領域において生じるリーク電流を低減する。 - 特許庁

The switching device 25 limits a current passing from a desaturated region according to a control signal output from the terminal voltage control portion 222.例文帳に追加

スイッチング素子２５は、端子電圧制御部２２２から出力された制御信号に応じて、非飽和領域において流れる電流を制限する。 - 特許庁

A metal layer 13 is formed on a rear surface 20 side of the substrate 2, and the metal layer 13 is used as a current path of the cathode region.例文帳に追加

そして、基板２の裏面２０側には金属層１３が形成され、金属層１３はカソード領域の電流経路として用いられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which has a ridge structure and an edge current non-injection region and can improve reliability under high output oscillation.例文帳に追加

リッジ構造と端面電流非注入領域を有する半導体レーザ素子において、高出力発振下での信頼性を向上する。 - 特許庁

Electrical current is passed between the inner and outer tube to rapidly boil any surgical fluid in the boiling region.例文帳に追加

この沸騰領域内の任意の手術用流体を速やかに沸騰させるように、内側チューブと外側チューブとの間に電流が通される。 - 特許庁