「current region」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A white region 31 with the small intensity of an electric current vector, a gray region 32 with the middle intensity of the same, and a black region 33 with the large intensity of the same, and electric vectors 30 are displayed on the standard model 29 after the position alignment.例文帳に追加

位置合わせ後の標準モデル２９に，電流ベクトルの大きさが，小である白の領域３１，中程度である灰色の領域３２，大である黒の領域３３として表示され，電流ベクトル３０が表示される。 - 特許庁

The pressure to act on a second region through the projections in which the current amount becomes smaller than a first region of the storage element is made larger than the pressure to act on the first region through the projections.例文帳に追加

蓄電素子のうち第１の領域よりも電流量が少なくなる第２の領域に対して突起部を介して作用する加圧力を、第１の領域に対して突起部を介して作用する加圧力よりも大きくしている。 - 特許庁

A game device detects the current position based on a signal from a GPS satellite 41 to discriminate a local region covering the current position based on local region data showing the ranges of respective local regions and regional feature data of regional language or the like showing the features of the respective local regions.例文帳に追加

ＧＰＳ衛星４１からの信号に基づいて現在位置を検出し、各地域の範囲を示す地域データと、各地域の特徴を示す地域言語等の地域特徴データとに基づいて現在位置を含む地域を判別する。 - 特許庁

A current frame and at least one frame occurring prior to the current frame in the sequence are analyzed by a background subtraction on the at least one frame to determine a background image and a static region mask associated with a static region.例文帳に追加

現在のフレームと、シーケンス内で現在のフレームより前に生じている少なくとも１つのフレームとが、該少なくとも１つのフレームに対する背景除去によって分析され、背景画像と、静止領域に関連する静止領域マスクとが決定される。 - 特許庁

The 3DPG facilitates lateral current spreading so that current is injected into the entire active region, increases the number of radiative recombination events in the active region and improves the external quantum efficiency and the power efficiency of the device.例文帳に追加

３ＤＰＧは、電流が活性領域の全体にわたって注入されるように横方向電流拡がりを容易にし、活性領域における放射再結合の事象の数を増加させ、デバイスの外部量子効率と電力効率を改善する。 - 特許庁

When the engine operating region is the ignition generating region, the device determines that "smolder occurs" when the current detection signal (drift voltage value) after the annihilation of an ion current is the predetermined value or larger, and determines that "no smolder occurs" when it is smaller than the predetermined value.例文帳に追加

エンジン運転領域が飛火発生領域である場合、イオン電流消滅後における電流検出信号（ドリフト電圧値）が所定値以上である場合には「燻り有り」と判定し、所定値未満である場合には「燻り無し」と判定する。 - 特許庁

A forward current is injected into a gain region 101 by a DC current source, and a reverse bias voltage is applied to a saturable absorption region 102 from a DC voltage source, whereby the laser device 1 is put in a mode synchronous operation nearly on a f/m repetition frequency.例文帳に追加

レーザ素子１は、利得領域101に直流電流源によって順電流を注入し可飽和吸収領域102 に直流電圧源により逆バイアスを印加することで、約f/m の繰返し周波数でモード同期動作を行う。 - 特許庁

Since the electrically insulating film 5 shields or at least reduces the electric current flowing through a non-electrolyzing region 6, high current efficiency can be held even in an electrolyzing region 7 even without using an electrode base material used in the conventional technique.例文帳に追加

電気絶縁フィルム５は、非電気分解領域６を流れる電流を遮断あるいは少なくとも低減するので、従来技術で使用の電極基材が無くとも電気分解領域７において高い電流効率を維持することができる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive RAM which adjusts an amount of electric current flowing from a drain region to a source region depending on the amount of the electric current flowing through an MTJ of an MRAM cell in accordance with a wordline voltage size and reads two or more multiple data.例文帳に追加

ワードライン電圧の大きさに従いＭＲＡＭセルのＭＴＪを通じて流れる電流の量によりドレイン領域からソース領域に流れる電流の量を調節し、２つ以上の多重データを読み出す磁気抵抗ラムを提供すること。 - 特許庁

A light-emitting device with high light-emission intensity is constructed by providing a lattice-matched light-emitting region and a current diffusion layer on a Si substrate via a buffer layer containing phosphorus or arsenic, so that a device driving current is diffused over a wide range of the light-emitting region.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にリンまたは砒素を含む緩衝層を介して、格子整合する発光部と電流拡散層とを設け、素子駆動電流を発光部の広範囲に拡散できる様にして高発光強度の発光素子を構成する。 - 特許庁

To provide a spiral rod which has a wide wind receiving area in a gentle wind region, in which current capacity is considered, has a narrow wind receiving area in a strong wind region in which strength design is considered, and satisfies both wind-resistant strength design and current capacity design.例文帳に追加

電流容量を考える微風速域では受風面積が大きく、且つ強度設計を考える強風速域では受風面積が小さい、「耐風強度設計」と「電流容量設計」とを共に満たすスパイラルロッドを提供すること。 - 特許庁

Thereafter, when the diode element region is switched into an off-state, and an IGBT element region of any of the plurality of semiconductor devices is turned on, the carrier attenuation region is brought into a state without being depleted, and carriers present in the drift region are attenuated by the carrier attenuation region, and thereby a reverse recovery current in the diode element region is suppressed.例文帳に追加

この後、ダイオード素子領域をオフ状態に切り換え、複数の半導体装置のうちのいずれかのＩＧＢＴ素子領域をターンオンする場合には、キャリア減衰領域が空乏化されていない状態になり、ドリフト領域内に存在するキャリアが、このキャリア減衰領域によって減衰されるため、ダイオード素子領域の逆回復電流が抑制される。 - 特許庁

A 1st electrode 450 having a shape conforming with the pixel region is formed in the pixel region adjacently to a data line 420 at a current end to partially cut off the pixel region and a 2nd electrode 460 having a shape conforming with the pixel region is formed in the pixel region adjacently to a data line 420 at a previous end to partially cut off the pixel region.例文帳に追加

前記画素領域に対応する形状を有する第１電極４５０は画素領域を部分的に遮断するために現在端のデータライン４２０に隣接して画素領域に形成され、前記画素領域に対応する形状を有する第２電極４６０は画素領域を部分的に遮断するために以前端のデータライン４２０に隣接して画素領域に形成される。 - 特許庁

When the load current is detected to be decreased less than the current threshold value, a controller stops on/off switching action of the switching transistor, a low region drive signal is applied to a high voltage side transistor so as to make a constant rill current flow in a load.例文帳に追加

負荷電流が電流閾値以下になったことを検出すると、コントローラがスイッチングトランジスタのオンオフ切換動作を止めて、負荷に一定の細流を流すように高電圧側トランジスタに低減駆動信号を加える。 - 特許庁

To provide a reference current source circuit that outputs a constant reference current, even if surrounding environments such as temperature and power supply voltage change, in a power supply circuit operated in a minute current region in an order of nanoamperes.例文帳に追加

ナノアンペアオーダーの微小電流領域で動作する電源回路において、温度や電源電圧などの周囲環境が変化しても一定の基準電流を出力することができる基準電流源回路を提供する。 - 特許庁

On this occasion, the reverse assist abnormality is determined by a code mismatch between the command current and an actual current, however, in a region in the vicinity of the electrical angle having the code of the command current inverted, the determination of the reverse assist abnormality is not performed.例文帳に追加

このとき、指令電流と実電流との符号の不一致により逆アシスト異常を判定するが、指令電流の符号が反転する電気角近傍領域においては、逆アシスト異常の判定を行わないようにする。 - 特許庁

A current position detection part 101, a current position memory 102 and a display region determination part 106 of the map display device display a map indicated by map information about the current position of a moving object and a traveling route from the current position to a destination on an entire screen of a display part 110.例文帳に追加

地図表示装置の現在位置検出部１０１、現在位置記憶部１０２及び表示領域決定部１０６は、移動体の現在位置及び現在位置から目的地までの移動経路についての地図情報が示す地図を表示部１１０の画面全体に表示させる。 - 特許庁

Thus if the channel stop doped region is formed by self-alignment only in the lower part of the isolation region, the isolation characteristics between unit cells can be improved and the junction leakage current can be reduced.例文帳に追加

このように自己整列的に分離領域の下部にのみチャンネルストップ不純物領域を形成すれば単位セル間の分離特性を向上させかつ接合漏れ電流を減らせる。 - 特許庁

Since the low concentration region 10 is not formed near the main surface of the region indicated by an arrow 8 where a current flows at the time of the operation of the semiconductor device 1, the on-resistance is not elevated.例文帳に追加

半導体装置１の動作時に電流が流れる、矢印８で示した領域の主面近傍には低濃度領域１０が形成されていないので、オン抵抗の上昇はない。 - 特許庁

One of a source region and a drain region of an erasure TFT 105 is connected to an electric current supply line 108, and the other is connected to a gate signal line 106.例文帳に追加

消去用ＴＦＴ１０５のソース領域とドレイン領域とは、一方は電流供給線１０８に接続され、残る一方はゲート信号線１０６に接続されている。 - 特許庁

To restrain a leakage current caused by stress near a capacitor element from increasing in an STI region by optimizing the amount of an overlap of the capacitor element and the STI region.例文帳に追加

容量素子とＳＴＩ領域とのオーバーラップ量を適正化することにより、容量素子近傍で発生するストレスに起因するＳＴＩ領域のリーク電流の増加を抑制する。 - 特許庁

The negative electrode is formed by installing, on a negative electrode current collector 101, a negative electrode active material layer 102 having a first layered region 102A and a second layered region 102B in this order.例文帳に追加

負極は、負極集電体１０１の上に、層状の第１の領域１０２Ａと第２の領域１０２Ｂとを順に有する負極活物質層１０２が設けられたものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing a reverse current in a boundary without forming a deep isolation structure formed between a diode region and an IGBT region.例文帳に追加

ダイオード領域とＩＧＢＴ領域の間に形成される分離構造を深くすることなく、境界部における逆電流を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A p-type SiC region 11 is formed as a current blocking region at a corresponding position on an n-type SiC substrate 10 to the bottom of a p-type Ohmic electrode 21.例文帳に追加

ｎ型ＳｉＣ基板１０のうち、ｐ型オーミック電極２１の下部に対応する位置に電流阻止領域としてのｐ型ＳｉＣ領域１１が形成されるようにする。 - 特許庁

To improve a current gain by depleting completely up to an end of a gate electrode on a drain side in a channel region without providing a pocket injection region.例文帳に追加

ポケット注入領域を設けることなく、チャネル領域におけるゲート電極のドレイン側の端部までをも完全に空乏化することにより、電流利得を向上できるようにする。 - 特許庁

The current constriction layer 51 has a conductive region 51A made of AlAs or AlGaAs mixed crystal and a nonconductive region 51B made of an insulating oxide containing aluminum.例文帳に追加

電流狭窄層５１は、ＡｌＡｓまたはＡｌＧａＡｓ混晶よりなる導電領域５１Ａと、アルミニウムを含む絶縁性酸化物よりなる非導電領域５１Ｂとを有する。 - 特許庁

To realize a current amplification rate β, without sacrificing a conventional characteristic by selectively forming the low concentration region of a base region only on a surface.例文帳に追加

表面のみにベース領域の低濃度領域を選択的に形成することにより従来の特性を犠牲にすることなく高い電流増幅率βを実現するものである。 - 特許庁

To solve the problems wherein parasitic bipolar transistor operation results since a breakdown current passes under a source region for surrounding a back gate region in a conventional semiconductor device.例文帳に追加

従来の半導体装置においては、ブレイクダウン電流が、バックゲート領域を包囲しているソース領域の下を通ることになるため、寄生バイポーラトランジスタ動作が引き起こされてしまう。 - 特許庁

To secure the symmetry of current in a single cell by forming a drain region and a source region symmetrically about a gate electrode, regardless of the placing state of a wafer.例文帳に追加

ウエハの設置状態にかかわらず、ドレイン領域およびソース領域をゲート電極に対して対称に形成することにより、単一セルにおける電流の対称性を確保する。 - 特許庁

Since the highly doped region is arranged in the channel, almost all the drain current flows in the region, and a change which is caused by the change of the drain voltage (Vd) is reduced.例文帳に追加

より高くドーピングされた領域がチャネル内に備えられることから、ドレイン電流はほとんどがそこを流れ、ドレイン電圧（Ｖｄ）における変化に伴う変化が小さくなる。 - 特許庁

A television broadcast program recorded in a television broadcast region 51 in an upper right section is displayed, and the data broadcast during the current broadcast is displayed in a data broadcasting region 54 in this case.例文帳に追加

ここでは、右上のテレビ放送領域５１には録画したテレビ放送番組が表示され、データ放送領域５４には現在放送中のデータ放送が表示されている。 - 特許庁

Therefore, when a reverse bias is applied to the PN junction region, backward breakdown voltage does not change because current becomes hard to flow in an outer periphery of the pn junction region.例文帳に追加

従って、逆方向バイアスがＰＮ接合領域に印加されたとき、ＰＮ接合領域の外周部には電流が流れ難くなり、逆方向耐圧が変動することがない。 - 特許庁

If the n-type semiconductor substrate is defined as an emitter, the p-type impurity region is defined as a base and the n-type impurity region is defined as a collector, a DC current amplification factor hFE can be made into 100 or more.例文帳に追加

N型半導体基板；エミッタ、P型不純物領域；ベース、N型不純物領域；コレクタとする場合直流電流増幅率ｈFEを100以上とすることが可能となる。 - 特許庁

By the current limiting operation of a resistor 14, the gate potentials at the portions on the peripheral side and the central side of the cell region become equal so that the whole cell region is uniformly brought into the on-state.例文帳に追加

抵抗１４の電流制限作用により、セル領域の外周側部分と中央側部分のゲート電位が等しくなり、セル領域の全体が均一にオン状態となる。 - 特許庁

To restrain consumption power when a cut-off frequency is set in a high region, without decreasing setting precision of a signal expansion current when a cut-off frequency is set in a low region.例文帳に追加

カットオフ周波数を低域に設定するときの信号伸張電流の設定精度を低下させることなく、カットオフ周波数を高域に設定する時の消費電力を抑える。 - 特許庁

Even when the gate electrode 24 is applied with a relatively high voltage, the forward current flowing a p-n junction comprising a body region and a source region is limited by the resistant part 25.例文帳に追加

ゲート電極２４に比較的高電圧が印加されても、ボディ領域とソース領域とで構成されるｐｎ接合に流れる順方向電流は抵抗部５２によって制限される。 - 特許庁

A current path is formed in the predetermined region 11a based on a charge of the fixed organic molecule when the organic molecule is fixed to the fixing region 19 at least.例文帳に追加

所定領域１１ａには、少なくとも固定領域１９に有機分子が固定されたとき、該固定された有機分子の帯電量に応じて電流経路が形成される。 - 特許庁

To reduce an optical leakage current of a semiconductor element such as an element for pixel switching without increasing the rate of occupation of an image display region of a liquid crystal device by a non-opening region.例文帳に追加

液晶装置の画像表示領域のうち非開口領域が占める割合を増大させることなく、画素スイッチング用素子等の半導体素子における光リーク電流を低減する。 - 特許庁

The braking region 31b applies alternating current of a phase reverse to the driving region 31a to the coil 12 for a short period of time to brake vibration of the magnetic driving type plane vibrator 10.例文帳に追加

制動領域３１ｂは前記駆動領域３１ａとは逆位相の交番電流をコイル１２に短時間印加して磁気駆動型平面振動体１０の振動に制動をかける。 - 特許庁

For each image the invention determines an object descriptor from a tracking region in a current image in the sequence of images, in which the tracking region corresponds to the location of an object in a previous image.例文帳に追加

本発明は、各画像に対し、一連の画像における現画像の追跡領域から物体記述子を確定し、追跡領域は前の画像における物体の位置に対応する。 - 特許庁

Even if a comparatively high voltage is applied to the gate electrode 24, a forward current flowing through a P-N junction composed of a body region and a source region is limited by the resistive part 52.例文帳に追加

ゲート電極２４に比較的高電圧が印加されても、ボディ領域とソース領域とで構成されるｐｎ接合に流れる順方向電流は抵抗部５２によって制限される。 - 特許庁

When it is decided that the point is in the throttling region, only a steady value is changed while the ratio in throttling the q-axis current command value I_sq* in the throttling region is unchanged.例文帳に追加

絞り込み領域内に存在すると判断した場合には、絞り込み領域内におけるｑ軸電流指令値Ｉ_sq^*を絞り込む割合は変化させずに、定常値のみを変化させる。 - 特許庁

One of a source region and a drain region of an erasure TFT 105 is connected to a current supply line 108 and the other is connected to a gate signal line 106.例文帳に追加

消去用ＴＦＴ１０５のソース領域とドレイン領域とは、一方は電流供給線１０８に接続され、残る一方はゲート信号線１０６に接続されている。 - 特許庁

For this reason, an avalanche current can be easily flowed from the buried second-conductivity-type region 53 to the contact second-conductivity-type region 52, thereby improving the avalanche resistance.例文帳に追加

このため、アバランシェ電流を埋込第２導電型領域５３からコンタクト第２導電型領域５２に流しやすくすることができ、アバランシェ耐量を向上させることができる。 - 特許庁

An integrated semiconductor light source is provided with an active region adjusting optical gains and optical outputs by electric current injection, and a passive region having a structure of single integration in the active region and moving a cavity mode by electric current injection or reverse voltage impression to lock injected light.例文帳に追加

集積型半導体光源は、電流注入によって光利得と光出力を調節する活性領域と、前記活性領域に単一集積された構造を有し、電流注入または逆電圧印加によって空洞モードを移動させて注入光をロックさせる受動領域とを備える。 - 特許庁