意味 | 例文 (999件) |
current regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1975件
Consequently, since the junction is higher than the barrier of the hetero-junction part between the hetero semiconductor region 3 and the drift region 2, no leakage current arises and a IV waveform shown by the original hetero junction can be obtained.例文帳に追加
これにより、ヘテロ半導体領域3とドリフト領域2のヘテロ接合部の障壁高さよりも高い接合となるために、漏れ電流が生じず、本来のヘテロ接合が示すIV波形を得ることができる。 - 特許庁
The circuit analyzing part 204 performs circuit analysis by converting a magnetic field value in each port connecting the first analytic region and the second analytic region and a circuit element, which is calculated by each analyzing part, to set a current source.例文帳に追加
回路解析部204は、各解析部で求めた、第1の解析領域、第2の解析領域と回路素子とを接続する各ポートにおける磁界値を変換して電流源を設定し、回路解析を行なう。 - 特許庁
Further, the supply of the power supply voltage to the basic blocks is controlled using a programming cell formed using a field effect transistor whose channel formation region is formed using an oxide semiconductor, the field effect transistor having extremely low off-state current or extremely low leakage current.例文帳に追加
さらに、基本ブロックへの電源電圧の供給を、オフ電流またはリーク電流が極めて小さい酸化物半導体を用いた絶縁ゲート電界効果型トランジスタを用いたプログラム素子によって、制御する。 - 特許庁
The area of a cross section in the first region perpendicular to the direction in which a current flows is smaller than that of a cross section in the two second regions perpendicular to the direction in which a current flows.例文帳に追加
第1の部位における電流の流れる方向に対して垂直な断面の断面積が、2つの第2の部位における電流の流れる方向に対して垂直な断面の断面積よりも小さい。 - 特許庁
The control module C has a current limitation unit C1 electrically installed on a second chip placement region 12 and a bridge rectifier circuit unit C2, and the current limitation unit C1 and the bridge rectifier circuit unit C2 are electrically connected to the light emitting unit 2.例文帳に追加
制御モジュールCは、第2のチップ載置領域12に電気的に設置される電流制限ユニットC1と、ブリッジ整流回路ユニットC2と、を有し、それらはそれぞれ発光ユニット2に電気的に接続される。 - 特許庁
A modulating current, to which colored noises are overlapped, is injected to an optical amplifying region 7a by supplying a terminal 1a with the modulating current, to which the colored noises are overlapped and which has a high frequency.例文帳に追加
そして、端子1aに有色雑音を重畳した高周波の変調電流を供給することで、この有色雑音が重畳された変調電流を光増幅領域7aに注入する。 - 特許庁
To provide an electrode structure for a semiconductor device by which skin effect with supply of high-frequency current can be relaxed and thus uniform current can be made to flow into the whole device region of a semiconductor element.例文帳に追加
高周波電流の供給に伴う表皮効果を緩和することができ、半導体素子のデバイス領域全体に一様な電流を流すことができる半導体装置用電極構造を提供する。 - 特許庁
Accordingly, a TFT 100 forms a channel region 141c composed of a crystalline silicon film, and thus, it can also keep the large on-state current and can sufficiently reduce the off-state current.例文帳に追加
したがって、TFT100は、結晶性シリコン膜からなるチャネル領域141cを形成することにより、大きなオン電流を維持することができると同時に、オフ電流を十分低減することができる。 - 特許庁
Furthermore, segment indication 202 is performed that indicates a fixed segment by considering the current playback position as a start position and considering positions after predetermined fixed time from the current playback position as an end position in the time-series indicator region 201.例文帳に追加
さらに、時系列表示領域201において、現在の再生位置を開始位置、現在の再生位置から予め定められた固定時間後を終了位置とする固定区間を示す区間表示202を行う。 - 特許庁
A Hall current generated at electrostatic discharge is passed into the vertical transistor Q1 by forming the vertical transistor Q1 in a source side, thereby current concentration in a base side edge of the N+drain region can be reduced.例文帳に追加
ソース側に縦型トランジスタQ1を形成して、静電放電時に発生したホール電流を縦型トランジスタQ1に流すようにしたため、N+ドレイン領域のベース側端部での電流集中を緩和できる。 - 特許庁
To provide a regulator circuit which can adjust and maintain an output voltage with superior precision over the whole current region by correcting the setting of a prescribed voltage which is regulated corresponding to a charge current.例文帳に追加
充電電流に応じてレギュレートすべき所定電圧の設定を補正することにより、全電流領域において精度良く出力電圧を調整、維持することができるレギュレータ回路を提供すること - 特許庁
A designing apparatus sets a power unit to a core region of a semiconductor apparatus, and calculates a consumption current value of the power unit based on a consumption current value of a cell included in the power unit at a step 41.例文帳に追加
設計装置は、ステップ41において、半導体装置のコア領域に対してパワーユニットを設定し、パワーユニットに含まれるセルの消費電流値に基づいて当該パワーユニットにおける消費電流値を算出する。 - 特許庁
Moreover, an LDD region 33 of the current control TFT 202 is formed so as to overlap a portion of a gate electrode 35 to make a structure which imposes importance on prevention of hot carrier injection and reduction of OFF current value.例文帳に追加
さらに、電流制御用TFT202のLDD領域33は、ゲート電極35と一部が重なるように形成され、ホットキャリア注入の防止とオフ電流値の低減に重点をおいた構造となっている。 - 特許庁
Since the vertical type transistor Q1 is formed in the source side so that the Hall current generated at the time of the static discharge is passed to the vertical transistor Q1, the current concentration can be alleviated in the base side end of the n^+ drain region.例文帳に追加
ソース側に縦型トランジスタQ1を形成して、静電放電時に発生したホール電流を縦型トランジスタQ1に流すようにしたため、N+ドレイン領域のベース側端部での電流集中を緩和できる。 - 特許庁
When a video recording region corresponding to the calculated video recording capacity cannot be secured at the current video recording time of program, only the current video recording of program is performed and subsequent video recording of program is stopped.例文帳に追加
また、現在の番組録画時に前記算出した録画容量に対応した録画領域が確保できない場合は、番組録画は現在の番組録画のみ行い、次回以降の番組録画を中止する。 - 特許庁
When the moving member 13 moves on the electrode 15a, the amount (i) of current is increased or decreased in response to the shape of the rugged region of the electrode 15a, and therefore the position of the moving member 13 is detected based on the amount (i) of current.例文帳に追加
移動部材13が電極15aの上を移動すると電極15aの凹凸形状に応じて電流iは増減するから、電流iに基づいて移動部材13の位置が検出できる。 - 特許庁
A joining portion 40A of the positive current collecting terminal 31 and the power generation element 60, and a joining portion 40B of the negative current collecting terminal 32 and the power generation element 60, are positioned in the range which is covered with the coating region 12.例文帳に追加
また,正極集電端子31と発電要素60との接合部位40Aと,負極集電端子32と発電要素60との接合部位40Bとが,塗装領域12に覆われる範囲に位置している。 - 特許庁
Moreover, an LDD region 33 of the current controlling TFT 202 is formed to overlap a portion of a gate electrode 35, and formed into a structure focusing on prevention of hot carrier injection and reduction of an off-current value.例文帳に追加
さらに、電流制御用TFT202のLDD領域33は、ゲート電極35と一部が重なるように形成され、ホットキャリア注入の防止とオフ電流値の低減に重点をおいた構造となっている。 - 特許庁
A base current is externally supplied to the semiconductor device in the on mode, the supply of the base current is stopped in an off mode to apply a voltage to a gate terminal G to turn on the unipolar transistor and to discharge excessive carriers in the base region 3 of the bipolar transistor.例文帳に追加
オン時は外部からベース電流を流し、オフ時はベース電流を停止し、ゲート端子Gに電圧を印加してユニポーラトランジスタをオンさせて、バイポーラトランジスタのベース領域3の過剰キャリアを排出する。 - 特許庁
Current drive capability of the operational amplifier 100 is controlled by fixing the gate voltage of the current source transistor and altering at least one of the potential of the impurity layer and the potential of the source region.例文帳に追加
電流源トランジスタのゲート電圧が固定され、不純物層の電位及びそのソース領域の電位の少なくとも1つが変更されることで、演算増幅器100の電流駆動能力が制御される。 - 特許庁
The high-resistance regions 14 operate as current restriction regions and the ridge stripe 11 at the parts where the high-resistance regions 14 are formed includes a part between the high-resistance regions 14 as a current injection region.例文帳に追加
高抵抗領域14は電流狭窄領域として働き、この高抵抗領域14が形成された部分のリッジストライプ11ではこの高抵抗領域14の間の部分が電流注入領域となる。 - 特許庁
The material structuring the surface layer for current collection is permeated across the whole region in the thickness direction of the active material layer, and both surface layers are electrically conducted, and the whole electrode has a current collecting function as one integral body.例文帳に追加
集電用表面層を構成する材料は、活物質層の厚み方向全域に亘って浸透して両表面層が電気的に導通しており、電極全体が一体として集電機能を有している。 - 特許庁
The thickness of the insulating film 15 on lower plugs 12, 13 in the first region is zero or thinner than that of the insulating film 15 on lower plugs 12, 13 in the second region, thereby the current can be concentrated at lower plugs in the first region.例文帳に追加
第一の領域の下部プラグ12,13上に形成される絶縁膜15の膜厚は、ゼロまたは、第二の領域の下部プラグ12,13上に形成される絶縁膜15の膜厚よりも薄くなることで、第一の領域の下部プラグにおいて、電流を集中させることができる。 - 特許庁
A current is supplied to the nanotube 1 between the second electrode 4 and the electrode 6 to heat the nanotube, so that adsorbed oxygens are desorpted from the nanotube to convert that heated region of the nanotube to an n type and to form a pn junction between the n type region and the not-conducted p type region 1 (Figure (c)).例文帳に追加
第2の電極4と通電加熱用電極6との間のp型カーボンナノチューブ1に通電して加熱し、吸着されていた酸素を脱着させ、この領域のカーボンナノチューブをn型化し、通電されずp型のままの領域1との間にpn接合を形成する(図1(c))。 - 特許庁
To prevent increase of off-current by formation of a defect in junction between a channel formation region and an impurity region in a p-channel type TFT when making structures of TFTs arranged in a display region and a drive circuit of a semiconductor device appropriate in accordance with a function.例文帳に追加
半導体装置の表示領域と駆動回路に設けられたTFTの構造を機能に応じて適切なものとするとき、pチャネル型TFTにおいて、チャネル形成領域と、不純物領域との接合に欠陥が形成され、オフ電流が増加することを防止する。 - 特許庁
Both the reverse leak current and the on voltage are reduced by bringing a partial region at an exposed part of an n^- drift region 1 between p-base regions 3 of a reverse block IGBT, and a partial region of an emitter electrode 10 into Schottky contact (Schottky junction 11).例文帳に追加
逆阻止IGBTのpベース領域3に挟まれたn^- ドリフト領域1の露出した箇所の一部領域とエミッタ電極10の一部領域をショットキー接触(ショットキー接合11)させることで、逆漏れ電流とオン電圧を共に低減することができる。 - 特許庁
By referring to the current position information of an aircraft being given by a navigation system, image data indicating a prescribed flight region existing in a display area on a display is generated based on the set region information of the prescribed flight region.例文帳に追加
自機の位置、速度および機首方位に係わる情報を取得し、これに応じて予め用意された地図データベース31から現在位置周辺の地図画像データを取り出すと共に、空域データベース32、航路帯データベース33から表示エリア内の空域・航路帯を示す画像データを読み出す。 - 特許庁
Thereafter, the amplification factor α_1 of the base grounding current of a transistor using the first N-type conductive region 2 as its collector, the second P-type conductive region 25 and the conductive region 1 of the substrate 100 as its base, and the second N-type conductive regions 11, 12, 13, 14, 15, and 16 as its emitter is increased.例文帳に追加
そして、第1N型導電領域2をコレクタとし、第2P型導電領域25及び基板導電領域1をベースとし、第2N型導電領域11,12,13,14,15,16をエミッタとするトランジスタのベース接地電流増幅率α_1を増大させる構成とした。 - 特許庁
Yoshikata was staying at the residence of the Minamoto clan in Horikawa in Heian-kyo (the ancient capital of Japan in current Kyoto) but, in 1153, when MINAMOTO no Yoshitomo, who had gone to the Kanto region after becoming at odds with their father Tameyoshi, assumed a post in Shimotsuke Province and extended his power over the Southern Kanto region Yoshikata, at the father's command, went to the Northern Kanto region to retaliate against Yoshitomo. 例文帳に追加
平安京堀川の源氏館にいたが、仁平3年(1153年)父為義と不仲になり関東に下っていた兄の源義朝が、下野国に就任し南関東に勢力を伸ばすと、義賢は父の命により義朝に対抗すべく北関東へ下った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
In this manufacturing method, in an on-state, a current flows, and in an off-state, at least one of a depleting n drift region 22a and p partition region 22b, for example, the p partition region 22b is formed with ion implantation, in particular, ion implantation in which an accelerating voltage continuously changes.例文帳に追加
オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化するnドリフト領域22a、p仕切り領域22bのうち少なくとも一方、例えばp仕切り領域22bを、イオン注入、特に加速電圧を連続的に変えたイオン注入で形成する。 - 特許庁
In the electrostatic discharge protection element having a semiconductor substrate 11 on which a silicide blocking region 14 wherein a current flows when surge is generated is formed, a mixed-crystal semiconductor region 15 of SiGe or SiC is arranged on at least a part of the silicide block region 14.例文帳に追加
サージ発生時に電流の流れるシリサイドブロック領域14が形成されている半導体基板11を有する静電放電保護素子において、前記シリサイドブロック領域14の少なくとも一部に、SiGeまたはSiCの混晶半導体領域15を設けている。 - 特許庁
Then, a first hot electric wire is mounted on the outer periphery of the longitudinally bisected region while a second hot electric wire is mounted on the outer periphery of the cut region of the thermoplastic resin pipe of the existing cable and a current is passed through the first and second hot electric wires to integrally weld and connect the abutted region.例文帳に追加
そして、2分割の縦割り部位の外周に第1の熱電線を装着し、さらに既設ケーブルの熱可塑性樹脂管の切断部位の外周に第2の熱電線を装着し、この第1及び第2の熱電線に通電し、それぞれ突き合わせ部位を一体に溶着接続する。 - 特許庁
When there occurs a difference in temperature between the regions t2 and t3, and the region t1, the amount of the current that flows changes automatically while the heat-generating resistors 12 and 13 are not switched, thereby making the heating value in the region where temperature has increased smaller, and suppressing the increase of temperature in the region where temperature is low.例文帳に追加
領域t2,t3と領域t1の温度差が生じた場合は、発熱抵抗体12,13の切り換えを行うことなく、流れる電流量が自動的に変わるため、温度が高くなった領域の発熱量を小さくし、温度が低い領域の昇温を緩和することができる。 - 特許庁
When the train advances from a control region of the controller 100, the CPU 110 moves the train numbers in the first memory region 121 into a second memory region 122 to transmit the train number and current departure information to a display device 500 and a controller 200, respectively.例文帳に追加
列車が制御装置100の制御領域から進出するとき、CPU110は、第1メモリ領域121内の列車番号を第2メモリ領域122に移動させ、当該列車番号を表示装置500に、現発情報を制御装置200に、夫々送信する。 - 特許庁
A direct current resistance component in the regions other than the measuring region 1 can be reduced by widening the circuit widths of the regions 2, 3 other than the measuring region 1, and impedance in the measuring region 1 can be measured accurately by suppressing floating of a measuring waveform acquired by a TDR method.例文帳に追加
測定領域1以外の領域2、3の回路幅を広げて測定領域1以外の領域の直流抵抗成分を減少させることができ、TDR法により得られる測定波形の浮き上がりを抑えて精度良く測定領域1のインピーダンス測定を行うことができる。 - 特許庁
Aside from a first emitter region 104 needed for a switching operation, there is formed a second emitter region 110 that is electrically connected to a current detection circuit and yet electrically connected to the first emitter region 104 through a sense resistor 123 in a high-withstand voltage semiconductor switching element.例文帳に追加
高耐圧半導体スイッチング素子において、スイッチング動作に必要な第1エミッタ領域104とは別に、電流検出回路に電気的に接続され且つセンス抵抗123を通じて第1エミッタ領域104と電気的に接続された第2エミッタ領域110が形成されている。 - 特許庁
In a method for controlling the variable wavelength laser having an active region for emitting light having a specified wavelength on the same substrate, and a variable wavelength region for changing the amount of current injection and changing the wavelength of light emitted from the active region; the amount of heat inside the variable wavelength laser is maintained constantly before and after a change in the amount of current injection into the variable wavelength region for controlling a wavelength.例文帳に追加
同一基板上に所定波長の光を発光させる活性領域と電流注入量を変化させて前記活性領域から発光された光の波長を変化させる波長可変領域を有する波長可変レーザの制御方法において、波長制御のための前記波長可変領域への電流注入量変化の前後で前記波長可変レーザ内部の熱量を一定に保つことを特徴とする。 - 特許庁
Slits S in the width direction are arranged on the resistive element 12a in the region between the pair of electrodes; a narrow current path of a meandering route is formed by the slits; the narrow current path is arranged in the vicinities of both the electrodes 11a; and the central part between both the electrodes is formed into a wide current path.例文帳に追加
また、一対の電極間領域の抵抗体12aには、幅方向のスリットSを備え、該スリットにより蛇行経路の狭幅の電流路が形成され、該狭幅の電流路が両電極11aの近傍に配置され、両電極間の中央部が広幅の電流路となっている。 - 特許庁
The electrode for battery includes: a current collector of metal foil; a lead portion 5 of metal foil, extended from the current collector; and an active material-containing layer which is formed on both sides of the current collector and in a region 6 including a root portion X of the lead portion 5.例文帳に追加
金属箔製の集電体と、前記集電体から延出された金属箔製のリード部5と、前記集電体の両面と、前記リード部5の付け根部分Xを含む領域6とに形成された活物質含有層とを具備することを特徴とする電池用電極。 - 特許庁
Also, the current position of a user is specified according to a cellular phone 5 possessed by the user and the position of a global positioning system 6, and the weather of the current position may be also estimated according to the weather observation data of the specific region 3a including the specified current position for providing to a user terminal.例文帳に追加
また、ユーザの所持する携帯電話5やGPS6の位置からユーザの現在位置を特定し、特定された上記現在位置を含む特定地域3aの気象観測データから、上記現在位置の天気を予測して、ユーザ端末に提供することも可能である。 - 特許庁
Since a margin of a current mirror circuit supplying a mirror current to the pull-up dummy buffer in the pentode region operation is high and the current mirror precision can be ensured even at a low output voltage, the impedance of the pull-up and pull-down output buffers matches the resistance of the externally mounted resistor with high precision.例文帳に追加
プルダウン用ダミーバッファ13にミラー電流を流すカレントミラー回路の5極管領域動作のマージンは大きいため、出力電圧低下時にも電流ミラー精度を確保してプルアップ及びプルダウン用出力バッファのインピーダンスを精度良く前記抵抗値に合わせ込むことができる。 - 特許庁
A pulse-driven light-emitting element is constructed by using a semiconductor laser which has a threshold current I0 and a slope efficiency ηand in which the dependency on injected current of its life during continuous oscillation is approximated to τ(I)=cI-r (where I is the injected current and c is a constant) in the output region of interest.例文帳に追加
しきい電流I_0 およびスロープ効率ηを有し、かつ、連続発振時の寿命の注入電流依存性が、注目する出力領域でτ(I)=cI^-r(ただし、Iは注入電流、cは定数)と近似される半導体レーザを用いてパルス駆動発光素子を構成する。 - 特許庁
To provide a gas-blast circuit breaker capable of performing a superior current breaking operation with compact configuration and high reliability, not only in a high current region but also in a medium and a low current regions, by using such a simple structure that is equipped with a volume controller for controlling the capacity as a variable.例文帳に追加
容積を可変とするボリューム部を備えるといった簡単な構成により、大電流領域だけではなく中小電流領域においても小さな駆動力で優れた電流遮断性能を発揮でき、小形で信頼性の高いガス遮断器を提供する。 - 特許庁
Since, in the tin-copper alloy plating bath, ditioaniline and a nonionic surfactant are jointly used, a tin-copper alloy film small in current density dependency can be obtd., and an Sn/Cu film compositional ratio can be stabilized in a wide region from low current density to high current density.例文帳に追加
スズ−銅合金メッキ浴にジチオジアニリンと特定のノニオン系界面活性剤を併用するため、電流密度依存性の小さいスズ−銅合金皮膜を得ることができ、低電流密度から高電流密度までの広い領域でSn/Cu皮膜組成比を安定にできる。 - 特許庁
By the flux control means 16, the excitation current command is fluctuated periodically in a current region for weakening magnetic flux created by a permanent magnet based on an estimated or a detected rotor position (θ_e), and the excitation current command is made variable according to the speed of a rotor.例文帳に追加
磁束制御手段16は、推定された又は検出された回転子位置(θ_e)に基づいて永久磁石が作る磁束を弱める電流領域にて前記励磁電流指令を周期的に変動させ、更に、回転子の回転速度に応じて前記励磁電流指令を可変とする。 - 特許庁
Nondestructively testing includes a step (108) of generating an eddy current in the coated article; a step (110) of measuring the eddy current in the coated article; and a step (112) of evaluating a near-bond section region of the coated article located adjacent to the bond section using the measured eddy current.例文帳に追加
非破壊検査する段階は、被覆物品内に渦電流を発生させる段階(108)と、被覆物品内の渦電流を測定する段階(110)と、測定渦電流を使用してボンド部に隣接して位置する被覆物品のボンド部近傍領域を評価する段階(112)とを含む。 - 特許庁
Also, in the region where current bird's eye view data based on current image data newly acquired from the camera 30 is overlapped with the record image data, an image processor 10 selects either the pixel value of the current bird's eye view data or the pixel value of the record image data based on predetermined conditions.例文帳に追加
また、画像プロセッサ10は、カメラ30から新たに取得した現在画像データに基づく現在俯瞰データと、記録画像データとの重複領域において、予め定められた条件に基づき、現在俯瞰データの画素値と記録画像データの画素値のいずれかを選択する。 - 特許庁
That is, current is continuously carried to the locking release actuator during moving of the seat body conventionally, but the locking release actuator is protected by stopping current carrying in a region requiring no current carrying to improve the durability of the locking release actuator.例文帳に追加
つまり、従来、シート本体を移動している途中において、ロック解除アクチュエータに対して継続して通電していたのに対して、通電の必要が無い領域での通電の停止によるロック解除アクチュエータの保護を行うことで、ロック解除アクチュエータに耐久性が向上できる。 - 特許庁
A present power factor value or a reactive power value is calculated from a current value and a voltage value of the system (S21); and, if the current value exceeds a set value B for small current region discrimination (S22), a set value A which requires power factor adjustment is directly set as a set value C (S23).例文帳に追加
系統の電流値と電圧値から現在の力率値または無効電力値を計算し(S21)、電流値が低電流領域判定の設定値Bを超えているとき(S22)、力率調整を必要とする設定値Aをそのまま設定値Cとして設定する(S23)。 - 特許庁
An impurity diffusion region 34 located below an upper electrode 20 is deeper at its peripheral part than at its center, so that the peripheral part in which a current is concentrated is prevented from increasing in current density and furthermore from deteriorating in quality due to an increase in current density.例文帳に追加
上部電極20の下側に位置する不純物拡散領域34の外周部が中央部に比べて深く形成されていることから、電流が集中するその外周部における電流密度の上昇が抑制され、延いてはそれに起因する劣化が抑制される。 - 特許庁
意味 | 例文 (999件) |
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