「current region」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Based on the current-capacitance ratio, the layout design unit performs arrangement of cells for each of predetermined regions resulting from division of the arrangement region.例文帳に追加

レイアウト設計部は、電流容量比に基づいて、配置領域が分割された所定の領域毎にセルの配置を行う。 - 特許庁

Consequently, the existence of the high resistivity region in a path from a source region to drain region and that of from the drain region to source region becomes the same arrangement state, so that when a signal voltage is reversed, leak current can be controlled, and glimmering of the image can be prevented caused by the alignment error.例文帳に追加

そのため、ソース領域からドレイン領域への経路における高抵抗領域の存在と、ドレイン領域からソース領域への経路における高抵抗領域の存在とが同じ配置状態となり、信号電圧が反転してもリーク電流を抑制でき、位置合わせの誤差に起因して、画像のチラツキが生じてしまうことを防ぐことができる。 - 特許庁

When internal short circuit occurs by a conductive contaminant X, electrons are moved from each region 33 of the negative current collector 23 toward the conductive contaminant X, and electrons are moved from the conductive contaminant X toward each region 32 of the positive current collector 20.例文帳に追加

導電性異物Ｘによる内部短絡発生時には、負極集電体２３の各領域３３から導電性異物Ｘに向けて電子が移動し、導電性異物Ｘから正極集電体２０の各領域３２に向けて電子が移動する。 - 特許庁

The musical sound synthesizer can generate a musical sound from the physical model sound source by displaying a current action value CR by a performance operator on the display device of the sound generation region and operating the performance operator so that the current action value CR is positioned in the sound generation region.例文帳に追加

演奏操作子による現行動作値ＣＲを発音領域の表示上に表示させて、現行動作値ＣＲが発音領域内に位置するように演奏操作子を操作することにより、物理モデル音源から楽音を発生することができるようになる。 - 特許庁

Electron beams are sequential irradiated on a plurality of preset small region Q, ranging over the entire wafer sample, and when the electronic beams are irradiated in each small region Q, an absorbing current flowing in a wafer sample 4 is detected by a current amplifier 16 to amplify.例文帳に追加

ウエハ試料上全体に亘り予め設定された複数の小領域Ｑに順次電子ビームを照射し、各小領域Ｑの電子ビーム照射時、ウエハ試料４に流れる吸収電流を電流増幅器１６にて検出して増幅する。 - 特許庁

To efficiently manufacture on the same semiconductor substrate a high breakdown voltage LOCOS offset transistor with a structure having no off leakage current by providing no LDD region and a regular low breakdown voltage transistor with a structure having no off leakage current by providing an LDD region.例文帳に追加

ＬＤＤ領域を設けないでオフリーク電流をなくした構成の高耐圧のＬＯＣＯＳオフセットトランジスタとＬＤＤ領域を設けてオフリーク電流をなくした構成の通常の低耐圧トランジスタを同一半導体基板上に効率的に製造すること。 - 特許庁

A base 21a of a bimetal 21, which operates in a current region like an overload region to trip a breaker, is fixed by a caulking pin 41 at a first fixing location to a heater 40 that carries the current to generate the heat based on the magnitude of overcurrent.例文帳に追加

過負荷領域のような電流領域で動作しブレ−カを引き外すバイメタル２１の基部２１ａは、電流を通電し過電流の大きさに応じた熱を発生するヒ−タ４０に対して第１固定箇所でかしめピン４１によって固定されている。 - 特許庁

Thereby, a resistance value can be lowered by enlarging a cross-sectional area of a p-type layer 8 when a surge current flows into the center of contact region to allow the surge current to increase at the area nearer the center 8a of contact region than the external circumferential part 8d of the p-type layer 8.例文帳に追加

これにより、中心部においてサージ電流が流れる際のｐ型層８の断面積を大きくして抵抗値を下げることができ、ｐ型層８のうち外周部８ｄよりも中心部８ａ寄りの部分に多くのサージ電流が流れるようにできる。 - 特許庁

When the ratio of an area H occupied by a high current region H1 where the current level at each measuring point is 50 nA or higher to the area W of the whole measurement region is 40% or higher, the positive electrode plate P is determined acceptable.例文帳に追加

測定領域全体の面積Ｗに対して，各測定点における電流値が５０ｎＡ以上である高電流領域Ｈ１の面積Ｈが占める割合が，４０％以上である場合に，その正極板Ｐを良品であると判断する。 - 特許庁

A band memory consumed electric current controlling means 76 releases a setting for suppressing the amount of feeding electric current in the divided region into which the image drawing data extracted by the region extracting part 758 are written, and writes the image drawing data formed by a horizontal line image drawing part 754.例文帳に追加

バンドメモリ消費電流制御手段７６は、領域抽出部７５８によって抽出された描画データが書き込まれる分割領域の電流供給量抑制の設定を解除して、水平ライン描画部７５４が生成した描画データを書き込む。 - 特許庁

To provide an antenna device which improves antenna efficiency and prevents a reactance variable circuit from being damaged, by making sufficient housing current flow to a ground region and forming an optimal housing current distribution in the ground region in configuration, and also to provide a radio communication device.例文帳に追加

十分な筐体電流をグランド領域に流し、最適な筐体電流分布をグランド領域に形成する構成にして、アンテナ効率の向上を図ると共に、リアクタンス可変回路の破損を防止したアンテナ装置及び無線通信機を提供する。 - 特許庁

The volatile memory element 312 has a body region 42, a gate electrode 15 and diffusion layer regions 31 and 32, and the quantity of current between the diffusion layer regions 33 and 34 is varied when a voltage is applied to the gate electrode 15 depending on the quantity of current being held in the body region 42.例文帳に追加

揮発性メモリ素子３１２は、ボディ領域４２、ゲート電極１５、拡散層領域３１，３２を備え、ボディ領域４２が保持する電荷の多寡により、ゲート電極１５に電圧を印加した際の拡散層領域３３，３４間の電流量を変化させる。 - 特許庁

The semiconductor device for driving load comprises a transistor cell S1 for driving and a current-detecting transistor cell S2 so that a splitting rate of a first conductive type region of the transistor cell S1 for driving is larger than that of a first conductive type region of the current-detecting transistor cell S2.例文帳に追加

駆動用トランジスタセルＳ１における第１導電型領域の分割率を電流検出トランジスタセルＳ２における第１導電型領域の分割率より大きくなるように駆動用トランジスタセルＳ１と電流検出トランジスタセルＳ２とを構成する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device with a sense function in which precision of current detection is improved by correcting to reduce deviation of current switch timing or transient characteristics in the main region and the sense region of the power semiconductor device with the sense function by a gate drive circuit.例文帳に追加

センス機能付きパワー半導体デバイスのメイン領域とセンス領域の電流スイッチタイミングや過渡特性のずれを小さくするようゲート駆動回路で補正して電流検出の精度を向上させるセンス機能付きパワー半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

An oblique trench 10 is formed in a drain region 7 using a silicon oxide film 6 on a gate electrode 5 as a mask, and the width of the drain region 7 is set to a minimum width with which the contact region can be formed, thereby reducing the drain junction capacity and leakage current.例文帳に追加

ゲート電極５上のシリコン酸化膜６をマスクにドレイン領域７に斜めトレンチ１０を形成して、ドレイン領域７の幅をコンタクト領域を形成できる最小幅にすることで、ドレイン接合容量とリーク電流を減少させる。 - 特許庁

In this case, in a region where the flyback diode 24 of the reverse conducting semiconductor device 10 is formed, a body contact region 34 operates as an anode, a drift contact region 40 operates as a cathode, and a current 106 flows from the anode to the cathode.例文帳に追加

この場合、逆導通半導体装置１０の還流ダイオード２４が形成されている領域では、ボディコンタクト領域３４がアノードとして作動し、ドリフトコンタクト領域４０がカソードとして作動し、アノードからカソードへと電流１０６が流れる。 - 特許庁

In order that collisional cooling of ions are sufficiently carried out while passing-through in the region #1, and that the ions are sufficiently converged in the vicinity of an ion light axis C near the end of the region #1, the direct current electric field to appropriately accelerate the ions is formed in the region #1.例文帳に追加

領域＃１を通過する間にイオンの衝突冷却が十分に行われ、領域＃１の終点付近でイオンがイオン光軸Ｃ近傍に十分に収束するように、領域＃１には適度にイオンを加速する直流電場を形成する。 - 特許庁

By such a structure, the gate electrode 12 is made to have a gate voltage potential and a channel region is made to be on, which enables a current to flow easily between an n^+-type drain region 10 and an n^+-type source region 9.例文帳に追加

このような構造により、サージが印加されたときに、ゲート電極１２にゲート電位を持たせることができ、チャネル領域をオンさせられるため、ｎ^+型ドレイン領域１０とｎ^+型ソース領域９との間で電流が流れ易くなるようにできる。 - 特許庁

When a current input signal Iin is small, first biased currents IB1 and IB2 are also set at a small current value, by using small current regions of diodes D101 and D102, in order to obtain significant changes in voltage for a minute current, using the ratio of change in the voltage to the current as a large region.例文帳に追加

電流入力信号Ｉｉｎが小さい場合、ダイオードＤ１０１、Ｄ１０２の小電流領域を使用して第１バイアス電流ＩＢ１、ＩＢ２も小さな電流値に設定しておき電流に対する電圧の変化割合を大きな領域として、微小電流に対しても有意な電圧変化が得られるように設定する。 - 特許庁

In this manner, by forming a plurality of unit current constriction structures in the light emission take-out region 41, current is dispersed into each unit current constriction structure, and at the same time current density in each unit current constriction structure can be improved, thus making uniform and speeding up response characteristics as an entire element 11.例文帳に追加

このようにして複数の単位電流狭窄構造が発光取出し領域４１内に形成されることによって、電流を各単位電流狭窄構造に分散させると共に、各単位電流狭窄構造内での電流密度を高めることができ、素子１１全体としての応答特性の均一化及び高速化が可能になる。 - 特許庁

After forming a striped shape current constricting region to the current block layer 16, a 3rd clad layer 17 made of a p-type AlGaN layer and a contact layer 18 made of a p-type GaN layer are sequentially grown on the current black layer 16.例文帳に追加

電流ブロック層１６にストライプ状の電流狭窄領域を形成した後、電流ブロック層１６の上に、ｐ型ＡｌＧａＮ層よりなる第３のクラッド層１７及びｐ型ＧａＮ層よりなるコンタクト層１８を順次成長させる。 - 特許庁

In a locking state that the position of the throttle valve is not controlled to be the required position but stops at an approximately same position, a current applied to a motor is limited so as not to exceed the maximum current within a current variation region in the normal operation range of a motor.例文帳に追加

スロットルバルブを所望の位置に制御できない、ほぼ一定位置に止まってしまうロック状態に対して、モータに対する通電電流が、モータの正常動作範囲における電流変動域での最大値を越えないように制限される。 - 特許庁

To realize a current mirror circuit capable of making the voltage of a current input terminal which is needed to be equal to or more than the conventional 2VBE (VBE is an inter-BE voltage of a transistor when current is caused by flow in an active region) for switching small almost to the VBE.例文帳に追加

スイッチングのため従来２ＶＢＥ（ＶＢＥは活性領域で電流を流している場合のトランジスタのＢＥ間電圧）以上必要とした電流入力端子の電圧をＶＢＥ程度に小さくできるカレントミラー回路を実現する。 - 特許庁

In the leak current measurement, a source/drain region is defined as reference potential (ground potential), a gate voltage Vg is defined as a parameter, and a gate voltage value Vgb is searched for a current Ig flowing to the gate electrode 12 to get out of a current allowable range for operation as a product.例文帳に追加

リーク電流測定は、ソース／ドレイン領域を基準電位（接地電位）、ゲート電圧Ｖgをパラメータとし、ゲート電極１２に流れる電流Ｉgが製品として動作させる電流の許容範囲から逸脱するゲート電圧値Ｖgbを探索する。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor capable of protecting a large backward current corresponding to a forward large current by securing the area of an emitter region for making a large current so as to increase the area of a protective diode without incerasing a chip area.例文帳に追加

大電流化するためのエミッタ領域の面積を確保し、チップ面積を大きくしないで、保護ダイオードの面積を増やし、順方向の大電流に対応する大きな逆方向電流に対しても保護し得るバイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device which has a high current constrictive effect, and has small leakage current and good temperature characteristics and a low threshold current, and can effectively confine laser light in a stripe region and has a proper beam profile and has high light output efficiency.例文帳に追加

電流狭窄効果が高く、リーク電流が少なく、温度特性が良好で、低閾値電流を示し、レーザ光をストライプ領域に有効に閉じ込めることができ、ビームプロファイルが良好な高光出力効率の半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

When a first write voltage potential is applied between the first electrode and the third electrode region, in response thereto, the third electrode region changes the shape of its own and then, when a predetermined read voltage potential is applied between the first electrode region and the third electrode region, in response thereto, a sense current flows between the first electrode region and the third electrode region.例文帳に追加

第１の電極領域と第３の電極領域との間に第１の書込み電圧電位が印加されるとそれに応答して、第３の電極領域がそれ自体の形状を変化させ、その後、第１の電極領域と第３の電極領域との間に所定の読取り電圧電位が印加されるとそれに応答して、第１の電極領域と第３の電極領域との間にセンス電流が流れる。 - 特許庁

To form, around a display region, a drive circuit by using a bottom gage type TFT small in leak current, and using poly-Si.例文帳に追加

表示領域周辺にリーク電流の小さい、ｐｏｌｙ−Ｓｉによるボトムゲート型ＴＦＴを用いて駆動回路を形成する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device having a main circuit comprising MOSFET and a substrate bias circuit for supplying positive bias voltage to a semiconductor region in which the MOSFET is formed, is provided with a current limiting circuit for limiting current being supplied to the semiconductor region in response to a substrate current flowing between the semiconductor region where the MOSFET is formed and the source.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴで構成される主回路と、上記ＭＯＳＦＥＴが形成される半導体領域に対して正のバイアス電圧を供給する基板バイアス回路とを有する半導体集積回路装置において、上記ＭＯＳＦＥＴが形成される半導体領域とソースとの間に流れる基板電流に応答して上記半導体領域に供給される電流を制限する電流制限回路を設ける。 - 特許庁

To solve such a problem that ripples are generated in the amplitude of a current applied to a motor generator in controlling the motor generator in an over-modulation region.例文帳に追加

モータジェネレータを過変調領域にて制御するに際し、モータジェネレータを流れる電流の振幅に脈動が生じること。 - 特許庁

To reduce a leakage current while applying compressive stress to a channel forming region of a P-channel transistor by using an SiGe layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を用いてＰチャネル型トランジスタのチャネル形成領域に圧縮応力を印加すると共に、リーク電流を低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that achieves an increase of a driving current by expanding a channel region, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

チャネル領域を拡大し、駆動電流の増大を図ることを可能とした半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The voltage adjustment circuit, the electric current adjustment circuit and the adjustment circuit of the transition region generate a first, a second and a third adjustment signals, respectively.例文帳に追加

電圧調整回路、電流調整回路、遷移領域調整回路は、それぞれ第１、第２、第３の調整信号を生成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which has an excellent carrier controllability in a channel region and has less leakage current, and also a method for manufacturing the semiconductor element.例文帳に追加

チャネル領域内のキャリア制御性が優れると共にリーク電流が少ない半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An N-type edge face current block layer 7 is formed on the edge face of a resonator and an active layer disordered region 14 located in the vicinity of the resonator.例文帳に追加

共振器端面およびその近傍の活性層無秩序化領域１４上にｎ型端面電流阻止層７を形成する。 - 特許庁

Thereby, the air current that varies at arbitrary wind direction and wing speed in relation to the object to be measured can be supplied in a measurement region 16.例文帳に追加

こうすれば測定領域１６において、任意の風向・風速で変動する気流を測定対象物に与えることができる。 - 特許庁

To restrain a dark current of a light reception part region without varying Vt of a charge transfer part, in a CCD solid-state imaging element.例文帳に追加

ＣＣＤ固体撮像素子において、電荷転送部のＶｔを変動させることなく受光部領域の暗電流を抑制する。 - 特許庁

To suppress threshold voltage drop due to a channel at the end of an element formation region, and to reduce a leak current between adjacent elements.例文帳に追加

素子形成領域の端部のチャンネル起因の閾値電圧低下の抑制や、隣接素子との間のリーク電流の低減を可能にする。 - 特許庁

The width of the time zones of predicted traffic information to be downloaded is widened more as the distance from a current position to the mesh region is longer.例文帳に追加

また、ダウンロードする予測交通情報の時間帯の幅は、現在地からメッシュ領域までの距離が長いほど大きくする。 - 特許庁

The modulator region 118 has a small varying forward current or reverse bias voltage which controls the light output of the laser.例文帳に追加

変調領域１１８は、レーザの光出力を制御する、可変である小さな順方向電流または逆バイアス電圧を有する。 - 特許庁

To simultaneously suppress a reverse narrow channel effect and junction leak current between a source/drain region and the substrate of a MISFET.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴにおいて、逆狭チャネル効果と、ソース／ドレイン領域と基板との間での接合リーク電流と、を同時に抑制する。 - 特許庁

This transistor is an open base device, where current injection into a base region occurs due to holes generated by incident photons.例文帳に追加

該トランジスタは、オープンベース素子であって、入射する光子によって発生する正孔により、ベース領域への電流注入が生じる。 - 特許庁

The determined status, the current frame time, the static region, and the static object are stored in a data storage medium of the computer system.例文帳に追加

決定された状態と、現在のフレームの時間と、静止領域と、静止対象とが、コンピュータ・システムのデータ記憶媒体に格納される。 - 特許庁

A current flowing directly under a high resistance region (6) comprising titanium oxide is properly shielded for improved external quantum efficiency.例文帳に追加

酸化チタンにより構成される高抵抗領域(6)の直下に流れる電流を良好に遮断して、外部量子効率が改善される。 - 特許庁

That is, the leakage current in the accumulation region can be reduced without leaving the charge in the photoelectric converter, thereby improving yield of the imaging device.例文帳に追加

すなわち、光電変換部に電荷を残すことなく、蓄積領域のリーク電流を削減し、撮像装置の歩留を向上できる。 - 特許庁