「depletion region」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR COLLECTIVE SUBSTITUTION OF HOST DNA SUBJECTED TO PRELIMINARY DEPLETION OF SUBSTITUTION OBJECT REGION例文帳に追加

置換対象領域を事前欠失させた宿主ＤＮＡの一括置換方法 - 特許庁

A gate is doped with N-type impurities, such that when a gate voltage is 0, a depletion region is formed in the drift region.例文帳に追加

ゲートは、ゲート電圧がゼロのときにドリフト領域に空乏領域が形成されるようにＮ型ドープされる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having high current drive performance by increasing a depletion region of a channel forming region.例文帳に追加

チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

The pinning region in a drain region keeps a depletion layer from extending, and controls short channel effect accompanying miniaturization.例文帳に追加

ピニング領域によって、ドレイン領域の空乏層の広がりを抑え、微細化に伴う短チャネル効果を抑制する。 - 特許庁

In a semiconductor element 1, a region between the drain electrode 11 and the source electrode 12 is non-conductive, because the depletion region 17 in the two-dimensional electron gas region 16 is depleted under the condition that the depletion region 17 is not irradiated with light.例文帳に追加

半導体素子１は、空乏領域１７に光を照射しない状態で、２次元電子ガス領域１６の空乏領域１７が空乏化しているため、ドレイン電極１１・ソース電極１２間が非導通となる。 - 特許庁

Therefore, for each memory cell transistor, a depletion layer arises between the drain region and the channel region when the drain line is activated, but when the drain line is in high impedance, the depletion layer right below the drain region does not reach the channel region.例文帳に追加

このため、各メモリセルトランジスタは、ドレイン線が活性化されたときはドレイン領域−チャネル領域間に空乏層が発生するが、ドレイン線がハイインピーダンス状態のときはドレイン領域直下の空乏層がチャネル領域に達しない。 - 特許庁

When reverse bias is applied the cathode region 64 and the anode region 66, a light-receiving semiconductor region 72 as the i layer between the cathode region 64 and the anode region 66 is made into depletion.例文帳に追加

カソード領域６４とアノード領域６６とを逆バイアスすると、カソード領域６４及びアノード領域６６の間のｉ層である受光半導体領域７２が空乏化される。 - 特許庁

The dummy contact portion 9a is located on the collector region 6 side rather than on the depletion region 21 side in the base region 3b between the emitter region 5 and the collector region 6.例文帳に追加

このダミーコンタクト部９ａは、エミッタ領域５とコレクタ領域６との間のベース領域３ｂのうち、空乏層領域２１よりもコレクタ領域６側の領域に配置する。 - 特許庁

The range of the depletion region is varied as function of a voltage applied to the gate terminal.例文帳に追加

空乏領域の範囲は、ゲート端子に加えられた電圧の関数として変化する。 - 特許庁

Further, a capacitance caused in an overlapping region between a gate electrode and the drift region is calculated by considering a potential from a depletion region to an accumulation region.例文帳に追加

更に、ゲート電極とドリフト領域とのオーバーラップ領域に生じるキャパシタンスは、ポテンシャルをディプリーション領域からアキュミュレーション領域まで考慮することによって計算する。 - 特許庁

The thickness of an element forming region 3 below a channel region can sufficiently be secured and a partial depletion-type element is obtained.例文帳に追加

チャネル領域の下の素子形成領域３の厚みを十分確保でき、部分空乏型の素子とされている。 - 特許庁

A depletion layer formed between the N+-type layer 4 and the body region 9 extends to the body region 9.例文帳に追加

また、Ｎ^+型層４とＰボディ領域９との間に形成される空乏層は、Ｐボディ領域９側に延びている。 - 特許庁

The P-type semiconductor region 12 is so formed that the carrier concentration is reduced and thereby the entire region becomes a depletion layer 30.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域１２は、キャリア濃度が低減され全体が空乏層３０となるように形成されている。 - 特許庁

A depletion region 17 depleted by a depletion part 18 is formed in a part between a drain electrode 11 and a source electrode 12 in the two-dimensional electron gas region 16.例文帳に追加

２次元電子ガス領域１６におけるドレイン電極１１とソース電極１２との間の一部には、空乏化部１８により空乏化された空乏領域１７が形成されている。 - 特許庁

The conductive path formation region is interrupted by a depletion layer extending from the inversion layer formation region when the gate region is within a range of predetermined voltages.例文帳に追加

導通路形成領域は、ゲート領域が所定の電圧範囲のときには、反転層形成領域から伸びる空乏層により遮断される。 - 特許庁

The drift region 1 has such a resistivity that a depletion layer extended from a collector region 10 provided on the rear surface of the n^- type drift region 1 toward the shell region 5 does not reach the shell region 5.例文帳に追加

ドリフト領域１は、ｎ^-型のドリフト領域１の裏面に設けられたコレクタ領域１０からシェル領域５に向かって拡がる空乏層がシェル領域５に到達しない抵抗率を有する。 - 特許庁

A depletion layer formed between the N--type layer 5 and the body region 9 extends to the N--type layer 5.例文帳に追加

Ｎ^-層５とＰボディ領域９との間に形成される空乏層はＮ^-層５側に延びる。 - 特許庁

The support substrate 20 preferably has a depletion region where a concentration of movable positive ions is reduced.例文帳に追加

支持基板２０は可動陽イオンの濃度が低減された空乏領域を有することが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for the collective substitution of a host DNA subjected to preliminary depletion of a substitution object region.例文帳に追加

置換対象領域を事前欠失させた宿主DNAの一括置換方法を提供する。 - 特許庁

The depletion region is contacted with the conductive region on the circuit forming layer while these circuit forming layers are joined and laminated.例文帳に追加

該空乏領域は回路形成層上の導電性領域と接触し、これら回路形成層は合わせて積層される。 - 特許庁

When potential of the impurity region 6 becomes higher than that of the impurity region 5, the impurity region 5 and the embedded impurity region 4 are electrically separated by a depletion layer.例文帳に追加

そして、不純物領域５の電位よりも不純物領域６の電位が高くなると、不純物領域５と埋め込み不純物領域４とが空乏層によって電気的に分離される。 - 特許庁

A depletion layer extended from the surface of the p-n junction to an inside of a drift region 33 is formed, in a state with the power off, and the lower drift region 33b is disposed outside the range to which the depletion layer is extended.例文帳に追加

オフ状態では、ｐｎ接合面からドリフト領域３３内に向けて伸びる空乏層が形成され、下部ドリフト領域３３ｂはその空乏層が伸びる範囲外に配置されている。 - 特許庁

The embedded region is disposed with a distance in which a depletion layer spreading around the embedded region is pinched off in application of a reverse-direction voltage.例文帳に追加

また、埋め込み領域は、逆方向電圧印加時に、埋め込み領域周囲に広がる空乏層がピンチオフする距離で配置する。 - 特許庁

Thus, both of complete depletion operation and reduction of parasitic resistance in the source/drain region are made compatible.例文帳に追加

こうして、完全空乏動作とソース・ドレイン領域の寄生抵抗の低減との両立を可能にする。 - 特許庁

The semiconductor layer is formed of an impurity concentration and a film thickness by which the body region is put into complete depletion.例文帳に追加

半導体層は、ボディ領域が完全空乏化する不純物濃度と膜厚で形成される。 - 特許庁

The depletion layer extended from the junction part 23 is also spread in a p- type silicon single crystalline region 17.例文帳に追加

また、ｐ^-型シリコン単結晶領域１７中には、接合部２３から延びてきた空乏層が広がる。 - 特許庁

When a device is in an off-state, the depletion region is merged with the mesa in the center of the mesa and a current is pinched off.例文帳に追加

デバイスがオフ状態の時、空乏領域はメサの中央で併合し電流がピンチオフされる。 - 特許庁

A depletion layer which contributes to a photoelectric transfer is formed over a wide region of the semiconductor island 5.例文帳に追加

光電変換に寄与する空乏層は、半導体島５の広い領域にわたって形成される。 - 特許庁

In an OFF state, a depletion layer extended from a junction part 23 and a depletion layer extended from a side face of a trench 19 are spread in the drift region 21.例文帳に追加

一方、ＯＦＦにおいて、ｎ^+型ドリフト領域２１中には、接合部２３から延びてきた空乏層およびトレンチ１９の側面から延びてきた空乏層が広がる。 - 特許庁

Furthermore, the depletion layer forming region 15 is formed over a region near the center from an edge 16a on the side of the drain region 9 of the gate electrode 16.例文帳に追加

そして、空乏層形成領域１５は、ゲート電極１６のドレイン領域９側の端部１６ａから中央部の近傍の領域に渡って形成されている。 - 特許庁

Accordingly, electric field is generated in the circumference of a current pouring region 16 and a depletion region is generated in the current pouring region 16, while being induced by the electric field.例文帳に追加

これにより電流注入領域１６の周辺に電界が発生し、この電界に誘発されて電流注入領域１６内に空乏領域が生じる。 - 特許庁

When the semiconductor device 10 is turned off, the width of the layer thickness direction of a depletion region formed on the semiconductor intermediate layer 27 of the termination region 14 and the reserve layer 39 is larger than the width in a layer thickness direction of the depletion region formed in the cell region 12.例文帳に追加

半導体装置１０がオフしたときに、終端領域１４の半導体中間層２７とリサーフ層３９に形成される空乏化領域の層厚方向の幅が、セル領域１２に形成される空乏化領域の層厚方向の幅よりも大きいことを特徴としている。 - 特許庁

Furthermore, depletion layers 32 are respectively formed adjacent to the base layer in the intrinsic collector region and in the outer collector region thereof, and the thickness of the depletion layer formed in the outer collector region is set at two times or more and three times or less that formed in the intrinsic collector region.例文帳に追加

さらに、真性コレクタ領域内のベース層近傍位置及び外部コレクタ領域にそれぞれ空乏層３２を形成し、かつ、外部コレクタ領域に形成された空乏層の厚さが真性コレクタ領域内に形成された空乏層の厚さの２倍以上でかつ３倍以下に設定している。 - 特許庁

In this invention, an ex-situ rapid thermal annealing is applied at a temperature of 900°C to 1000°C under a nitrogen atmosphere to increase a depletion region width up to the thickness of the i-th region, thereby forming an InGaAsN layer of a wide depletion region.例文帳に追加

窒素雰囲気下で９００℃から１０００℃の間の温度でｅｘ−ｓｉｔｕの急速熱アニールを行うことで、空乏領域幅をそのｉ領域の厚さまで増やし広い空乏領域のＩｎＧａＡｓＮ層を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor nonvolatile memory having a tunnel region, the peripheral portion of the tunnel region is dug down, and a depletion electrode for being capable of freely applying a potential for depleting a part of the tunnel region to the tunnel region through a depletion electrode insulating film is arranged in the dug-down drain region.例文帳に追加

トンネル領域を有する半導体不揮発性メモリにおいて、トンネル領域の周囲部分は掘り下げられており、掘り下げられたドレイン領域には、空乏化電極絶縁膜を介して、トンネル領域の一部を空乏化するための電位を自由に与えることが可能な空乏化電極を配置する。 - 特許庁

The complete-depletion type SOI semiconductor device includes an nMOS-type element having a p-type polycrystalline SiGe gate electrode 15, a body region (channel region) 13B made of an n-type semiconductor, a source region 13S, and a drain region 13D.例文帳に追加

ｐ型多結晶ＳｉＧｅゲート電極１５並びにｎ型半導体からなるボディ領域（チャネル領域）１３Ｂ、ソース領域１３Ｓ、ドレイン領域１３Ｄを備えたｎＭＯＳ型素子が含まれる。 - 特許庁

The depletion region 403 is varied in dopant concentration and gets maximum at a point 404 substantially located just under its junction with the well region 102.例文帳に追加

空乏領域４０３はドーパント濃度が変化し、ウェル領域１０２との接合の実質的に真下にある点４０４で最大となる。 - 特許庁

Thus, the depletion region of the invalid imaging region 100B is reduced, and a white spot at dark signal is suppressed to accurately decide a black level.例文帳に追加

これにより、無効撮像領域１００Ｂの空乏領域を縮小し、暗信号時の白点を抑制し、黒レベルの正確な決定を行う。 - 特許庁

The gate includes a region where the gate dopant is substantially depleted at least in a region where the channel region and the isolating region overlap and the threshold voltage in the channel corner region beneath the depletion region 34 increases as compared with the channel region between corner regions.例文帳に追加

ゲートは、少なくともチャネル領域及び分離領域とオーバラップする領域に、ゲート・ドーパントが実質的に空乏状態にされた領域３４を含み、空乏領域３４の下方のチャネル角部領域のしきい値電圧が、角部領域間のチャネル領域に比較して増加する。 - 特許庁

A memory gate 74 is formed in a first channel region between the source region 80 and the buried N + region 56, and on the buried N + region 56, and a selection gate 76 is formed on a second channel region between the cell depletion region 78 and the drain region 82.例文帳に追加

ソース領域８０と埋没Ｎ＋領域５６との間の領域の第１チャンネル領域及び前記埋没Ｎ＋領域５６上にメモリゲート７４が形成され、セル空乏領域７８と前記ドレイン領域８２との間の第２チャンネル領域上に選択ゲート７６が形成される。 - 特許庁

After contacting and coupling, the structure is annealed to separate the SiGe layer along the depletion region.例文帳に追加

接触結合した後、この構造は、欠乏領域に沿ってＳｉＧｅ層を分割するためにアニーリングされる。 - 特許庁

A channel width W of the channel region 5 is set to twice, or less than, a maximum channel depletion layer width Xdm.例文帳に追加

チャネル領域５のチャネル幅Ｗは、最大チャネル空乏層幅Ｘｄｍの２倍以下の値に設定される。 - 特許庁

To provide an InGaAsN solar cell structure with a wide depletion region width and high Jsc performance.例文帳に追加

広い空乏領域幅および高いＪｓｃ性能を有するＩｎＧａＡｓＮ太陽電池構造を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device which suppresses the generation of defects in a semiconductor region where a depletion layer is formed.例文帳に追加

空乏層が形成される半導体領域の欠陥発生が抑制された光電変換素子を提供する。 - 特許庁

The lightly doped collector well creates a depletion region between the collector and the base to perform an operation with a high voltage.例文帳に追加

軽くドープされたコレクタ井戸が、コレクタ及びベースの間の空乏領域を作り、高い電圧での動作ができる。 - 特許庁