「depletion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The depletion region 403 is more reduced in dopant concentration at parts 405 and 406 which extend under the well region 102 starting from the point 404.例文帳に追加

空乏領域４０３のドーパント濃度は、その最大点４０４からウェル領域１０２の下に延在する両部分４０５及び４０６でより減少する。 - 特許庁

An n-type converted region the conduction type of which is converted to an n-type is formed in a region in the vicinity of the groove of the p type depletion region enlargement layer, thus forming a carrier path.例文帳に追加

前記ｐ型空乏領域拡大層の溝近傍領域には、導電型をｎ型に転換したｎ型転換領域が形成され、キャリアの経路を構成している。 - 特許庁

In the bipolar transistor, an emitter electrode lead layer 9 is formed into such a shape as to completely cover the emitter region 5 and a depletion region 21 near the junction between the emitter region 5 and the base region 3.例文帳に追加

バイポーラトランジスタにおいて、エミッタ電極引き出し配線層９をエミッタ領域５と、エミッタ領域５とベース領域３との接合近傍での空乏層領域２１を完全に覆うような形状とする。 - 特許庁

The upper layer 101 is equipped with a second conductivity-type well region 102 opposite to the first conductivity, and an edge passivation zone equipped with a junction terminal expansion(JTE) depletion region 403, where the depletion region 403 is provided with an extension 406 which is separate from the well region 102 and extends under it.例文帳に追加

上側層１０１は、第１の導電型とは逆の第２の導電型のウェル領域１０２と、接合終端拡張（ＪＴＥ）空乏領域４０３を具えるエッジパシベーションゾーンを具え、空乏領域４０３は、ウェル領域１０２から離れ、かつその下に延在する部分４０６を具える。 - 特許庁

Further, the LSI device is provided with: a plurality of MOSFETs 20 formed in the core region 1 and using the SOI layer 14a of the core region for a complete depletion Si channel; and a plurality of MOSFETs 30 formed in the I/O region 2 and using the SOI layer 14b of the I/O region for the complete depletion Si channel.例文帳に追加

また、ＬＳＩデバイスは、コア領域１に形成され、コア領域１のＳＯＩ層１４ａを完全空乏型Ｓｉチャネルとした複数のＭＯＳＦＥＴ２０と、Ｉ／Ｏ領域２に形成され、Ｉ／Ｏ領域２のＳＯＩ層１４ｂを完全空乏型Ｓｉチャネルとした複数のＭＯＳＦＥＴ３０とを備えている。 - 特許庁

A photodetector includes a silicon oxide layer whose thickness od 3 to 10 nm formed on a first conductive silicon substrate, a first conductivity-type depletion blocking region formed just under the silicon oxide film, and a second conductivity-type charge accumulation region formed under the depletion blocking region.例文帳に追加

本発明の受光素子は、第１導電型のシリコン基板上に形成された厚さ３〜１０ｎｍのシリコン酸化膜と、この直下に形成された第１導電型の空乏化阻止領域と、空乏化阻止領域の下方に形成された第２導電型の電荷蓄積領域とを有する。 - 特許庁

The junction A is structured to generate a depletion region B for limiting a flow of carriers to the active layer 3.例文帳に追加

接合部Ａは、活性層３へのキャリアの流れを制限する空乏領域Ｂを生成する構成となっている。 - 特許庁

To enlarge a depletion layer in a small dead space at the n(-) side of a termination region, and to suppress increase of leakage currents.例文帳に追加

ターミネーション領域のｎ(-)側に少ないデッドスペースで空乏層を拡げると共に、リーク電流の増加を抑制する。 - 特許庁

Therefore, incident light is made to impinge direct on a depletion layer without passing through the high-concentration P-type semiconductor region 13.例文帳に追加

このため、照射された光は、高濃度ｐ型の半導体領域１３を経ずに、直接、空乏層に入射する。 - 特許庁

The impurity concentration in the embedded region 31 is made higher than those in the substrate region 11 and first drain region 12 and the extent of a depletion layer to the first drain region 12 side is restricted to the boundary between the embedded region 31 and first drain region 12 or its vicinity.例文帳に追加

埋め込み領域３１の不純物濃度をサブストレート領域１１及び第１のドレイン領域１２よりも高くし、第１のドレイン領域１２側への空乏層の広がりを埋め込み領域３１と第１のドレイン領域１２との境界又はこの近くに制限する。 - 特許庁

An overcurrent does not flow between source/drain region of the transistor as protective circuit, but comes into contact with the part of the well region of first conductive type intruding the well region of second conductive region with a depletion layer being extending from the drain region, and flows between the drain region and the part intruding the well region of second conductive type.例文帳に追加

過電流は保護回路のトランジスタのソース／ドレイン領域間を流れずに、ドレイン領域から空乏層が延びて第１導電型ウエル領域の第２導電型ウエル領域に入り込んだ部分に接触して、ドレイン領域と第２導電型ウエル領域に入り込んだ部分との間を流れるようになる。 - 特許庁

Furthermore, a memory device having an isolation collar 400 and a capacitor is provided, and when a field effect switch is at an off-state, a depletion region is superposed on the isolation collar 400, and the depletion region will not be superposed on the isolation collar, when the field effect switch is at an on-state.例文帳に追加

さらに、分離カラー４００およびキャパシタを有する記憶デバイスを備え、電界効果スイッチがオフ状態であるとき、空乏領域は分離カラーに重なり、電界効果スイッチがオン状態であるとき、空乏領域は分離カラーに重ならない。 - 特許庁

To provide an image sensor capable of maximizing the photodiode depletion by making it possible to create a depletion region using an already existing method to facilitate resetting, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

既存方法より空乏領域をより容易に作ることができるようにして、リセットを容易にしてフォトダイオード空乏を最大化させることができるイメージセンサー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress a white spot from occurring when a dark signal is acquired with a photoelectric conversion element in an invalid imaging region by reducing the depletion region of the photoelectric conversion element in the invalid imaging region.例文帳に追加

無効撮像領域の光電変換素子における空乏領域を縮小し、無効撮像領域の光電変換素子によって暗信号を得る場合の白点の発生を抑制する。 - 特許庁

The body region 32 is so formed as to have a narrow width W in the shape of a cross section nearly orthogonal to a line whereby the source region 24 and the drain region 28 are connected, and the MOS field effect transistor 20 becomes the complete depletion-type one having no neutral region in the body region 32.例文帳に追加

ボディー領域３２は、ソース領域２４とドレイン領域２８とを結ぶ線にほぼ直交する横断面の形状において、狭い幅Ｗで形成され、ボディー領域３２に中性領域が存在しない完全空乏型となっている。 - 特許庁

The conductive body comprises a main region (a conductive post, for example) and a depletion region (the thin layer of a metal or a transient liquid metal bonding material, for example).例文帳に追加

該導電性本体は主領域（例えば導電性ポスト）および空乏領域（例えば、金属または過渡的液体金属ボンディング材料の薄層）を含んでなる。 - 特許庁

Consequently, a depletion layer 20 spreading in the N-type region 4 is opposed to the resistance element 7 with the element isolation film 6 interposed.例文帳に追加

これにより、Ｎ型領域４内に広がる空乏層２０を、素子分離膜６を介して抵抗素子７と対向させる。 - 特許庁

On the other hand, a depletion layer is formed on the interface 4a of the channel layer 2 composed of n-GaN and a p-GaN region 4.例文帳に追加

一方、ｎ−ＧａＮから成るチャネル層２とｐ−ＧａＮ領域４との界面４ａには空乏層が形成される。 - 特許庁

To control driving current in a semiconductor light emitting element by a depletion region occurring in the element.例文帳に追加

本発明は、半導体発光素子に発生する空乏領域により、この素子における駆動電流を制御するものである。 - 特許庁

Furthermore, the P+ type silicon region 15a is arranged to form a substantially integrated depletion layer upon application of a reverse voltage.例文帳に追加

また、Ｐ^＋形シリコン領域１５は、逆電圧印加時に実質的に一体化した空乏層を形成するよう配置されている。 - 特許庁

To enable relative comparison of the states of depletion layers of a diffused region, at each different sample structure for each observation of a semiconductor sample by making a voltage condition which is actually applied to a region of the surface of the sample constant, when observing the state of the depletion layer of the diffused region of the sample using an SCM.例文帳に追加

半導体試料の拡散領域の空乏層の状態をSCM により観察する際、試料表面部の拡散領域に実際に印加される電圧条件を一定化し、試料の観察毎、異なる試料構造毎の拡散領域の空乏層の状態を相対的に比較することを可能にする。 - 特許庁

An inversely conductive high concentration region for suppressing the stretch of a depletion layer is formed immediately below at least a drain layer while a threshold voltage regulating high concentration region, higher in impurity concentration than that of a channel region, is formed between a source region and the channel region.例文帳に追加

少なくともドレイン領域の直下に、空乏層の延びを抑制する逆導電型の高濃度領域と、ソース領域とチャネル領域との間に、チャネル領域より不純物濃度が高い逆導電型の閾値電圧調整用高濃度領域とを形成する。 - 特許庁

The thickness Dc of the low-concentration collector region 12 is set less than the width Wc of a depletion layer in the collector region 12 by forming a p-n junction with the collector region 12 and the base region 13 in a usual operation.例文帳に追加

そして低濃度のコレクタ領域１２の膜厚Ｄcは、通常動作時にコレクト領域１２とベース領域１３とのｐｎ接合によりコレクタ領域１２に発生する空乏層幅Ｗcより小さく設定されていることを特徴としている。 - 特許庁

The third semiconductor region 6 is so formed on the second semiconductor region 5 that the position of a maximum point 8 of potential at depletion of the second semiconductor region 5 becomes deeper than the case where the third semiconductor region 6 does not exist.例文帳に追加

第３の半導体領域６は、第２の半導体領域５上に、第２の半導体領域５の空乏化時の電位の極大点８の位置が第３の半導体領域６の存在していない場合よりも深くなるように形成する。 - 特許庁

Therefore, a depletion layer at a joint between the drift region 6 and the body region 8 can be restrained from extending to the N-type low-concentration drift region 6, so that JFET resistance can be lessened.例文帳に追加

そのため、ｎ型低濃度ドリフト領域６とｐ型ボディ領域８との接合部の空乏層が、ｎ型低濃度ドリフト領域６側へ延びるのを抑えることが可能であるので、ＪＦＥＴ抵抗を減らすことができる。 - 特許庁

When the Schottky junction is inversely biased, a pn junction formed between the inverse rejection region 33b and rectifying region 13 is also inversely biased, and the rectifying region 13 is filled with a depletion layer spreading from the pn junction.例文帳に追加

ショットキー接合が逆バイアスされるとき、逆阻止領域３３ｂと整流領域１３の間に形成されるｐｎ接合も逆バイアスされ、ｐｎ接合から広がった空乏層で整流領域１３が満たされる。 - 特許庁

A region which is comparatively highly doped (with dopant of the same type as a channel) is formed above a channel region, and change in a depletion region in a channel which is caused by change of the drain voltage (Vd) is reduced.例文帳に追加

チャネル領域の上側に比較的高くドーピングされた（チャネルと同じタイプのドーパントによる）領域を形成させて、ドレイン電圧（Ｖｄ）における変化に伴うチャネル内の空乏領域における変化を低減させた。 - 特許庁

By the n-type pocket region 6, there is formed a barrier blocking the spread of a depletion layer from the low-concentration p-type drain region 1, without reinforcing the electric field strength applied to the low-concentration p-type drain region 1 side.例文帳に追加

Ｎ型ポケット領域６により、低濃度Ｐ型ドレイン領域１側に印加される電界強度を強めることなく、低濃度Ｐ型ドレイン領域１からの空乏層の拡がりを阻止する障壁が形成される。 - 特許庁

Further, a channel region 12 is filled with a depletion layer via the fixed electric potential insulating electrode 11 to form an on-operation state and an off-operation state.例文帳に追加

そして、固定電位絶縁電極１１を介してチャネル領域１２を空乏層で満たし、ＯＮ動作、ＯＦＦ動作状態を成す。 - 特許庁

The channel length L is equal to or more than a widening width d of a depletion layer in the channel region 29 represented as d=D×N_a^-C.例文帳に追加

チャネル長Ｌは、ｄ＝Ｄ・Ｎ_ａ^−Ｃで表されるチャネル領域２９における空乏層の広がり幅ｄ以上となっている。 - 特許庁

By forming the impurity diffusion regions 9, a depletion layer can be extended toward the base region side to increase a withstand voltage.例文帳に追加

この不純物拡散領域９を形成することによりベース領域側に空乏層を伸ばして耐圧を向上させることができる。 - 特許庁

This impurity region 104 suppresses the spread of a drain side depletion layer, and causes a narrow channel effect to prevent the short channel effect.例文帳に追加

この不純物領域１０４がドレイン側空乏層の広がりを抑え、かつ、狭チャネル効果を起こして短チャネル効果を防止する。 - 特許庁

The impurity regions 104 suppress the expansion of the drain side depletion layer to the channel formation region 103 for preventing the short channel effect.例文帳に追加

この不純物領域１０４がドレイン側空乏層のチャネル形成領域１０３への広がりを抑え、短チャネル効果を防止する。 - 特許庁

The partial depletion type nMOS has a back gate region (14) to which a voltage is applicable independent of a gate terminal under the UTB.例文帳に追加

部分空乏型のｎＭＯＳは、ＵＴＢの下に、ゲート端子とは独立に電圧が印加可能にされたバックゲート領域（１４）を有する。 - 特許庁

The thickness of a tabular semiconductor region is formed in a thickness thinner than the double of the thickness of a maximum depletion layer determined by the impurity concentration.例文帳に追加

板状半導体領域の厚さは、その不純物濃度で決まる最大空乏層の厚さの二倍よりも薄く形成する。 - 特許庁

In this way, the regions 5 are arranged on both sides of the drift region, whereby the drift region can be pinched off by depletion layers, which extend from the sides of the regions 5.例文帳に追加

このように、ドリフト領域の両側にｐ型領域５を配置することにより、ｐ型領域５側から延びる空乏層によってドリフト領域をピンチオフすることができる。 - 特許庁

Thus, a depletion layer from the PN junction of a source region does not reach the drain region and is easily spread, thus relaxing an electric field and improving a breakdown voltage.例文帳に追加

そのため、ソース領域のＰＮ接合部からの空乏層がドレイン領域にリーチスルーすることなく広がりやすくなり電界緩和されるので、耐圧を向上させることができる。 - 特許庁

A second conductivity type surface storage layer 25, which restrains a dark current element is formed in a surface of a first conductivity type depletion layer formation region 24 which forms a photoelectric conversion part 23, and the surface storage layer 25 is formed wider than the depletion laver formation region 26.例文帳に追加

光電変換部２３を形成する第１導電型の空乏層形成領域２４の表面に暗電流成分を抑制する第２導電型の表面蓄積層２５を有し、表面蓄積層２５が空乏層形成領域２６より広く形成されて成る - 特許庁

To provide a semiconductor device that strikes a balance between the high breakdown voltage and the low on-resistance owing to complete depletion in a second drift region.例文帳に追加

第２ドリフト領域の完全空乏化による高耐圧と低オン抵抗とを両立させることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, since the depletion blocking region of the same conductivity type as that of the substrate is fixed to a substrate potential, the change of potential of the interface is suppressed.例文帳に追加

さらに、基板と同じ導電型である空乏化阻止領域は、基板電位に固定されるので、界面の電位の変化を抑制する。 - 特許庁

The distance between the gate insulating film and the latch-up suppression region is not less than a maximum depletion layer width in which the trench gate forms on the base layer.例文帳に追加

そして、該ゲート絶縁膜と該ラッチアップ抑制領域との距離は、該トレンチゲートが該ベース層に形成する最大空乏層幅以上とする。 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes an electric field retention region 38 in which a depletion layer is formed when the device is turned OFF between a pair of main electrodes.例文帳に追加

半導体装置１０は、オフしたときに空乏層が形成される電界保持領域３８を一対の主電極間に備えている。 - 特許庁

A layer of SiGe is deposited on a substrate and implanted with ions to form a depletion region within a SiGe material below its surface.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層は、基板上に堆積され、イオンが注入されて、その表面の下のＳｉＧｅ材料内に欠乏領域を形成する。 - 特許庁

A memory cell structure is equipped with a field effect switch provided with a gate terminal 1000 possessed of a trench upper part and a depletion region in a substrate.例文帳に追加

メモリセル構造は、基板内の空乏領域およびトレンチ上部を有するゲート端子１０００を有する電界効果スイッチを備えている。 - 特許庁

In addition, when a second reverse bias voltage applied between the semiconductor substrate 11 and the second semiconductor region 14 is H-bias, adjacent second depletion layers extend and link mutually together, so as to cover the first depletion layers.例文帳に追加

また、半導体基板１１及び第２半導体領域１４の間に印加される第２逆バイアス電圧がＨバイアスのとき、隣接する第２空乏層は、拡がると共に第１空乏層を覆うように互いに繋がる。 - 特許庁