「diffusion process」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an image forming apparatus and a process cartridge which prevents toner scattered by diffusion by means of a sticking material diffusing means from sticking to arranged objects around electrifying members etc.例文帳に追加

付着物拡散手段による拡散によって飛散したトナーが帯電部材等の周囲の配置物に付着するのを抑制することである。 - 特許庁

To prevent a blanket-stain in printing of many sheets with respect to a planographic printing plate using an aluminum sheet as a support and applying a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

アルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、多数枚の印刷時に発生するブランケット汚れを防止する。 - 特許庁

To produce a planographic printing plate using a silver complex salt diffusion transfer process and having enhanced printing resistance and image sharpness.例文帳に追加

本発明の目的は、耐刷性及び版の画像鮮明度が向上した、銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To compensate the clock accuracy when an instantaneous break occurs for a few seconds even if a clock generator exhibiting a relatively low accuracy is used for back diffusion process of a CDM demodulator.例文帳に追加

ＣＤＭ復調器の逆拡散処理に比較的精度の低いクロック発生器を用いても、数秒の瞬断時のクロック精度を補償する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus which can prevent the occurrence of a process damage, while suppressing diffusion of an implanted impurity.例文帳に追加

注入された不純物の拡散を抑制しつつもプロセスダメージの発生を防止することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。 - 特許庁

IMPURITY DIFFUSION METHOD IN SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING PROCESS, IMPURITY DIFFUSING DEVICE FOR USE THEREIN AND SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURED THEREFROM例文帳に追加

半導体素子製造工程における不純物拡散方法、同方法に用いる不純物拡散装置および同方法から製造された半導体素子 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, with which a shallow source/drain diffusion layer can be formed using a low temperature process, and a low resistance element can be obtained.例文帳に追加

低温プロセスで浅いソース／ドレイン拡散層を形成でき、低抵抗な素子を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide an image-forming apparatus which provides high-quality images by reducing toner scattering at the time of an error diffusion process in a simple circuit constitution.例文帳に追加

簡単な回路構成によって、誤差拡散処理時のトナーの散りを少なくした高画質な画像を提供する画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a process for controlling the diffusion of dopant in a semiconductor layer at the levels of impurity concentration required, and also to provide a semiconductor layer formed thereby.例文帳に追加

半導体層中のドーパントを所望の不純物濃度に拡散制御するプロセス及びそれにより形成された半導体層を提供する。 - 特許庁

To obtain non-tacky thermosetting resin coating paper without a drying process, and to prevent the diffusion of VOC and the clouding and puncture of a molded article on thermal press-molding.例文帳に追加

乾燥工程なしでタックのない熱硬化性樹脂コーティング紙を得、熱圧成形時に、ＶＯＣの放散や成形品のくもりやパンクを防止する。 - 特許庁

To provide a p-type diffusion layer formation composition capable of forming a p-type diffusion layer and a back electrode while suppressing occurrences of internal stress in a silicon substrate and substrate warpage, in a manufacturing process of a solar cell using a crystal silicon substrate, and to provide a solar cell formed by using the p-type diffusion layer formation composition.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りの発生を抑制しつつｐ型拡散層および裏面電極を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、および、これを用いて形成された太陽電池セルの提供を提供する。 - 特許庁

The method has a process for implanting a prescribed amount of phosphor onto a semiconductor substrate, performing heat treatment for diffusing phosphor, and forming a source-drain diffusion layer; and a process for implanting a prescribed amount of halogen element or smaller into the source-drain diffusion layer, and performing heat treatment for diffusing the halogen element in this order.例文帳に追加

半導体基板に所定量のリンを注入し次いでリンを拡散させる熱処理を行って、ソース・ドレイン拡散層を形成する工程と、ソース・ドレイン拡散層内に、所定量以下のハロゲン元素を注入し次いでハロゲン元素を拡散させる熱処理を行う工程とをこの順に有する。 - 特許庁

Since the split capacity electrodes 24 and 25 are connected with adjacent diffusion layers 14 and 15 through a first interconnection layer directly above the capacity electrodes, charges generated in the fabrication process subsequent to the process for forming the first interconnection layer can be discharged to the diffusion layer and a capacitive oxidation layer can also be protected against breakdown.例文帳に追加

また、２分割された容量電極２４、２５を隣接する拡散層１４、１５に、容量電極すぐ上の第１配線層で接続する構成とするので、第１配線層形成工程以降の製造工程で発生するチャージを拡散層に放電することができ、容量酸化膜の破壊を防ぐことも可能となる。 - 特許庁

The process steps from forming the diffusion-barrier base film to forming the first copper film are performed continuously in vacuum without exposing the semiconductor substrate to the atmospheric air, and during the process steps, the diffusion barrier base film is heated after the vacuum condition is reached to a vacuum level of 1 × 10^-4 Pa or lower.例文帳に追加

拡散バリア用下地膜の形成から前記第１の銅膜形成までの工程が、前記半導体基板を大気に晒すことなく真空一貫の状態で行われると供に、当該工程の間に、到達真空度で１×１０^-4Ｐａ以下の真空状態にしてから前記拡散バリア用下地膜が加熱される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which diffusion of impurity ions into an organic function layer can be prevented without elevating the drive voltage and deterioration in emission efficiency or reliability due to such diffusion can be eliminated, and to provide a light emitting device, a process for fabricating a semiconductor device, and a process for fabricating a light emitting device.例文帳に追加

駆動電圧を高めることなく、有機機能層内への不純物イオンの拡散を防止でき、かかる拡散に起因する発光効率の低下や信頼性の低下を解消可能な半導体装置、発光装置、半導体装置の製造方法、および発光装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

After a process, in which a cobalt silicide film 8 which covers a source/drain diffusion layer region 7 as well as a gate electrode 4 of a polycrystal silicon is formed, there are provided process where an impurity ion is implanted in the region between the source/drain diffusion layer region and a channel region, which is thermally processed to form an SD extension 61.例文帳に追加

多結晶シリコンのゲート電極４及びソース・ドレイン拡散層領域を７覆うコバルトシリサイド膜８を形成する工程の後に、ソース・ドレイン拡散層領域とチャネル領域との間の領域に不純物イオンを注入してこれを熱処理してＳＤエクステンション６１を形成する工程を備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a step that is required for a mask alignment is secured in one pattern process, and the step serves as an alignment mark even after the step is substituted to a high temperature diffusion process.例文帳に追加

１回のパターン工程で、マスクアライメントに必要な段差を確保し、該段差が高温の熱拡散工程を経た後にもアライメントマークとして機能する半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The diffusion means 35 is positioned above a set water level B of a water storage portion 5 in the preliminary washing process, and below a set water level A in the main washing process so as to be cleaned up in the washing water.例文帳に追加

拡散手段３５は予備洗浄工程時に貯水部５の設定水位Ｂより上に、本洗浄工程では設定水位Ａより下位、すなわち、洗浄水中に没して浄化されるようになっている。 - 特許庁

A front-end heat treatment operation for reducing outward diffusion of carbon from a carbon-containing region, for example, oxidation and/or annealing process is performed at a high temperature in a short period so that carbon is remained as it is for preventing or reducing dopant diffusion.例文帳に追加

ドーパントの拡散を防止又は軽減するために炭素がそのまま残るように、炭素含有領域から炭素の外方拡散を軽減するためにフロントエンド熱処理動作、例えば、酸化及び／又はアニールプロセスが高温で、短い期間行なわれる。 - 特許庁

To simplify a production process and to reduce a production cost in a solid-state imaging device by commonizing the formation of the diffusion layer of an charge transfer unit and the formation of the diffusion layer of a transistor composing an output unit in the periphery.例文帳に追加

固体撮像装置において、電荷転送部の拡散層の形成と、その周辺の出力部を構成するトランジスタの拡散層の形成とを共通化し、これにより製造工程を簡略化するとともに製造コストを削減する。 - 特許庁

The method for manufacturing gas diffusion electrode comprises: a process (a) of preparing a powder mixture including at least a catalyst and a binder; a process (b) of applying the powder mixture for an electrically conducting support; and a process (c) of pressing the powder mixture together with the electrically conducting support.例文帳に追加

ガス拡散電極を製造する方法であって、（ａ）少なくとも触媒およびバインダーを含んだ粉末混合物を調製すること、（ｂ）粉末混合物を導電性サポートに適用すること、ならびに（ｃ）粉末混合物を導電性サポートと共に押圧することを含んで成る方法。 - 特許庁

An IFFT section 103 overlays the first to fourth series of transmission data after subjected to the diffusion process on first to fourth subcarriers to generate multicarrier signals.例文帳に追加

ＩＦＦＴ部１０３は、拡散処理後の第１系列〜第４系列の送信データをそれぞれ第１サブキャリア〜第４サブキャリアに重畳して、マルチキャリア信号を生成する。 - 特許庁

To improve the definition of an image in a planographic printing plate using a silver complex salt diffusion transfer reversal process without lowering coating properties.例文帳に追加

本発明は、銀錯塩拡散転写反転法を用いた平版印刷版に於いて、塗布性を低下させることなく画像鮮明度を改良することを目的とする。 - 特許庁

To provide a resistance regulating device that electrically regulates, so that variation in resistance value of a diffusion layer manufactured in a semiconductor process is contained within a definite range.例文帳に追加

半導体プロセスによって製造された拡散層の抵抗値のばらつきを一定の範囲内に入るように、電気的に調整可能な抵抗調整装置を提供する。 - 特許庁

In the first process, a first and second substrates 11, 12 are superposed in a clean atmosphere, with diffusion joining performed by a heat treatment for one hour at 400°C.例文帳に追加

第一の工程では、第一の基板１１及び第二の基板１２を清浄雰囲気中で重ね合わせ、４００℃で１時間熱処理することにより拡散接合を行った。 - 特許庁

To provide a method for developing a planographic printing plate by using a silver complex salt diffusion transfer process, by which locally defective ink receptivity of a solid image is improved.例文帳に追加

本発明は、ベタ画像の局所的なインキ乗り不良を改善した、銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版の現像処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus for achieving a pseudo gradation conversion process such as error diffusion by block processing without imparting a marginal area.例文帳に追加

本発明の課題は、のりしろ領域を付与することなく、ブロック処理によって誤差拡散などの疑似階調変換処理を実現する画像処理装置を提供することである。 - 特許庁

The wire rod is subjected to wire drawing, and brass plating by diffusion plating is performed in the process of the wire drawing to obtain a wire having a diameter of ≥0.3 mm.例文帳に追加

前記線材を用いて伸線加工を行い、伸線加工の途中で拡散めっきによるブラスめっきを行い0.3mm以上の線径のワイヤとするスチールコードの製造方法。 - 特許庁

In the one embodiment, it is possible to expose the surface of the diffusion barrier layer to an adhesion promoting agent before the foregoing formation process or during at least its part.例文帳に追加

一部の態様では、この形成工程の前か少なくともその一部分の最中に、拡散バリア層の表面を密着促進剤に暴露することができる。 - 特許庁

A process to obtain latent images which includes steps of irradiating a support with photosensitive emulsion with light, applying a fixing agent to the support, overlapping an image-receiving layer on the support, and performing diffusion transfer of the images. 例文帳に追加

感光乳剤を有する支持体を露光し、次いで現像定着剤を塗布し、これに受像層を重ね、拡散転写を行って、陰画像を得る方法。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus which can prevent the occurrence of a process damage, while suppressing diffusion of an implanted impurity.例文帳に追加

注入された不純物の拡散を抑制しつつもプロセスダメージの発生を防止することができる熱処理方法および熱処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this process, the balls 7 densely float on the liquid surface of the reservoir 1 and the sub-reservoir 2, so that the diffusion of the gas to the atmosphere from the liquid surface is suppressed.例文帳に追加

この過程において、貯留部１及び副貯留部２の液面にボール７が密に浮くことになり、液面からガスが大気中に気散することが抑制される。 - 特許庁

To provide a method for producing a planographic printing plate using a silver complex salt diffusion transfer process and ensuring improved printing resistance and image definition of a plate.例文帳に追加

本発明の目的は、耐刷性及び版の画像鮮明度が向上した、銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for silicon wafer for suppressing the occurrence of the dispersion of oxidized film thickness or dispersion of sheet resistance on a wafer after a second thermal diffusion process.例文帳に追加

第２の熱拡散工程後の基板に酸化膜厚のばらつきやシート抵抗のばらつきが発生してしまうことを抑制するシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, the transfer characteristics and overflow characteristics of the signal charge are not heavily influenced even if locations, where each impurity diffusion region is formed, vary during manufacturing process.例文帳に追加

従って、製造工程において各不純物拡散領域の形成位置がばらついても、信号電荷の転送特性やオーバーフロー特性にはあまり影響しない。 - 特許庁

To prevent the diffusion of unwanted arsenic ion, and to omit ion injecting process by forming a thin film, including arsenic ion in a low temperature, and reducing thermal history.例文帳に追加

低い温度でヒ素イオンを含む薄膜を形成し、熱履歴を減少させることで、不必要なヒ素イオンの拡散を防止し、かつイオン注入工程を省略可能とする。 - 特許庁

ASSEMBLY FOR MANUFACTURING HOLLOW MACHINE PARTS BY DIFFUSION BONDING AND SUPERPLASTIC FORMING, ITS USE AND PROCESS FOR MANUFACTURING SUCH MACHINE PARTS例文帳に追加

拡散接合および超塑性成形による中空機械部品の製造のためのアセンブリ、そのようなアセンブリの使用およびそのような機械部品を製造するためのプロセス - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can reduce the number of manufacturing processes by restraining re-diffusion of impurities from a source/drain region, and simplifying a process.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域からの不純物の再拡散を抑制し、かつ、プロセスを簡略化して製造工程数を削減できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The SPE process can be conducted with or without diffusion of germanium into the underlying silicon 500, and so is applicable to SOI as well as conventional semiconductor substrates.例文帳に追加

ＳＰＥプロセスは、下地のシリコン５００中へのゲルマニウムの拡散を用いてまたは用いずに実際され得、従って、ＳＯＩ及び従来の半導体基板に適用可能である。 - 特許庁

An exhaust pipe 37 is directly connected to a diffusion section 29a for diffusing process gas, formed inside an upper electrode 26, wherein the upper electrode 26 functions as a shower head.例文帳に追加

シャワーヘッドとして機能する上部電極２６の内部に形成されたプロセスガスを拡散させるための拡散部２９ａに直接接続する排気管３７を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a vertical double diffusion MOS transistor in a trench gate structure, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device capable of simplifying a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程を簡素化することができる、トレンチゲート構造の縦型二重拡散ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

This manufacturing method of a diffusion layer includes a process of sequentially adding the first and second functional materials 11 and 12 to the base material 10 transported in the predetermined direction.例文帳に追加

所定の方向に搬送される基材１０に対して第１及び第２の機能性材料１１、１２を順次添加する工程を含む拡散層の製造方法である。 - 特許庁

To effectively provide an electrode diffusion without eroding a bottom electrode layer on a base material by Sn, even if reflow process is carried out.例文帳に追加

リフロー処理を行っても基材上の下地電極層がＳｎによって侵食されることもなく電極喰われを効果的に防止することのできるようにする。 - 特許庁

In the annealing process, only the silicon atoms in the vicinity of the surface of a silicon substrate 12 are selectively excited by the RLSA plasma, and the depth-direction impurity diffusion is suppressed.例文帳に追加

アニール工程では、ＲＬＳＡプラズマにより、シリコン基板１２表面近傍のシリコン原子のみが選択的に励起され、深さ方向への不純物拡散は抑制される。 - 特許庁

A quantization step in the error diffusion process evaluates a quantization value of a possible alternative in arranging a cluster of a pixel.例文帳に追加

本発明の一つの代表的な実施形態による誤差拡散プロセスにおける量子化ステップは画素のクラスタを配置することにおける可能な選択肢の量子化値を評価する。 - 特許庁