「diffusion process」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a planographic printing plate using an aluminum plate excellent ink receptivity and plate wear as a supporting body and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

本発明の目的は、インキ乗り、耐刷性に優れたアルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版を提供することである。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus, an image forming method and an image forming program which prevent the image quality from deterioration and quickly executes an error diffusion process.例文帳に追加

画質の悪化を防止し、且つ、より高速に、誤差拡散処理を行うことができる画像形成装置、画像形成方法、及び画像形成プログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a wet etching process which improves the anisotropic diffusion speed of an etchant existing on the surfaces of metallic electrodes in order to narrow the pitch of the terminals of the wet etching process and to manufacture lead frames of higher fineness and shadow masks of super-high fineness.例文帳に追加

ウエットエッチング法の端子ピッチの狭ピッチ化、微細化のリードフレームや、超高精細シヤドウマスク製造するため、金属極表面に存在するエッチング液の異方性拡散スピードの向上するエッチング方法を提供する。 - 特許庁

After the rolling and joining process, a heat treatment process, wherein the Mg-Ni laminating and mixing plate 32 is held in the temperature range of 200°C-450°C and a Mg_2Ni intermetallic compound is synthesized by counter diffusion between solid phases, is preferably conducted.例文帳に追加

圧延接合工程を行った後，Ｍｇ−Ｎｉ積層混合板３２を２００℃〜４５０℃の温度域に保持し，固相間の相互拡散によってＭｇ_２Ｎｉ金属間化合物を合成する熱処理工程を行うことが好ましい。 - 特許庁

To effectively implement the removal process of a specific element just after the formation of an Hf-based oxide film, and to improve thermal stability and hence suppress the diffusion of an impurity by mixing nitrogen into the Hf-based oxide film formed in a film formation process.例文帳に追加

Ｈｆ系酸化膜形成直後に特定元素の除去工程を効率的に実施し、さらに、成膜工程で成膜したＨｆ系酸化膜に窒素を混入させて、その熱的安定性を高め、不純物の拡散を抑える。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR MONTHLY GPD CALCULATION, RECORDING MEDIUM WHERE PROCESS FOR SAME IS RECORDED, DEVICE AND METHOD FOR ECONOMICAL DIFFUSION INDEX CALCULATION, AND RECORDING MEDIUM WHERE PROCESS FOR SAME IS RECORDED例文帳に追加

月次ＧＤＰ算出装置、月次ＧＤＰ算出方法、及び、そのための処理を記録した記録媒体、並びに、景気判断指数算出装置、景気判断指数算出方法、及び、そのための処理を記録した記録媒体 - 特許庁

To provide a p type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of a p type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the p type diffusion layer area-selectively while suppressing internal stress and warpage of each substrate without significantly lowering the life time in a manufacturing process of the solar cells using crystal silicon substrates.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、ライフタイムを大きく低下させずに、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを抑制しつつ、部位選択的にｐ型拡散層を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

To suppress diffusion of dropping toner and scattering toner from near a transfer part, into an image forming apparatus main body by collecting them into a process cartridge and to prevent the dropping toner and scattering toner collected into the process cartridge from flowing out of the process cartridge when the process cartridge is taken out of the image forming apparatus main body by a user.例文帳に追加

転写部位近傍からのこぼれトナー、飛散トナーをプロセスカートリッジ内に捕集し、これが画像形成装置本体内に拡散することを抑制すること、及びユーザーがプロセスカートリッジを画像形成装置本体外に取り出した際に、プロセスカートリッジ内に捕集されたこぼれトナー、飛散トナーがプロセスカートリッジ外に流出することを抑制することである。 - 特許庁

This method of diffusing antimony, which makes antimony diffuse through a vapor phase into silicon single-crystal wafers, is constituted in such a way that after rinsing the surfaces of the silicon single-crystal wafers with hydrofluoric acid for removing an oxide film, the silicon single-crystal wafers are inserted into a thermal diffusion furnace to conduct the diffusion process of antimony.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハにアンチモンを気相拡散するアンチモン拡散方法において、シリコン単結晶ウェーハの表面をフッ酸で洗浄して酸化膜を除去した後、熱拡散炉にシリコン単結晶ウェーハを投入し、アンチモンの拡散処理を行う。 - 特許庁

Furthermore, the wafer 3 for measuring film thickness in the wafer buffer is taken out at a suitable time with respect to the oxide film forming process (S1) in a diffusion furnace 1, and the oxide film is removed and cleaning is carried out (S11), and the wafer 3 for measuring film thickness is supplied to the diffusion furnace 1.例文帳に追加

また、拡散炉１における酸化膜形成工程（Ｓ１）に対し適時に膜厚測定用ウエハバッファ内の膜厚測定用ウエハ３を取り出して酸化膜の除去・洗浄を行い（Ｓ１１）、拡散炉１へ膜厚測定用ウエハ３を供給する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device wherein thermal stress is small, a terminating end length is short since a guard ring diffusion layer is shallow, the variation of the depth of the guard ring diffusion layer is small, the working process difficulty of a fine element structure is low and loss is low, and its manufacturing method.例文帳に追加

熱ストレスが小さく、ガードリング拡散層が浅いため終端長が短く、ガードリング拡散層の深さのばらつきが小さく、微細な素子構造の加工プロセス難度が低く、損失が低い電力用半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To lower a radiating noise level steadily and reduce a variation in noises caused by adverse effect of frequency diffusion and an apparent image noise in a system, in which a frequency diffusion clock is used as an image process operation of an output of a CCD line sensor.例文帳に追加

ＣＣＤラインセンサ出力の画像処理動作に周波数拡散クロックを用いる装置において、安定的に放射ノイズレベルを低減させ、周波数拡散の副作用として画像に現れるノイズのばらつきをなくし、見かけ上の画像ノイズの低減化を図る。 - 特許庁

To provide a planographic printing plate having satisfactory printing performance as the printing plate and using a silver complex salt diffusion transfer process in which the optical reflection density of a silver printing area deposited on a physical developing nucleus layer lowers and discrimination between a printing area and non-printing area is easy in a planographic printing plate material applying a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

本発明の目的は、銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版材料に於て、平版印刷版としての十分な印刷性能を有し、物理現像核層上に析出した銀画線部の光学反射濃度が低下し、画線部と非画線部の識別が容易な銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版を提供することである。 - 特許庁

The method comprises a process for forming a dummy gate on a semiconductor substrate, a process for forming a source/drain diffusion region by introducing impurities in the semiconductor substrate using the dummy gate as a mask, a process for forming an insulating film around the dummy gate, a process for forming an opening by removing the dummy gate, and a process for forming a gate electrode in the opening via a gate insulating film.例文帳に追加

半導体基板上にダミーゲートを形成する工程、前記ダミーゲートをマスクとして前記半導体基板に不純物を導入して、ソース・ドレイン拡散領域を形成する工程、前記ダミーゲートの周囲に絶縁膜を形成する工程、前記ダミーゲートを除去して開口部を形成する工程、及び前記開口部にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程を具備する方法である。 - 特許庁

A process for etching a silicon oxide film 8 and TEOS films 9 and 20 on the surface of a diffusion region 4 of a collector region is separated from a process for etching TEOS films 12 and 20 on the surface of a base taking-out electrode 16.例文帳に追加

本発明では、コレクタ領域の拡散領域４表面のシリコン酸化膜８、ＴＥＯＳ膜９、２０をエッチングする工程と、ベース取り出し電極１６表面のＴＥＯＳ１２、２０膜をエッチングする工程とを別工程とする。 - 特許庁

The semiconductor substrate, which is used for evaluation of contamination in the semiconductor substrate manufacturing process and the semiconductor device manufacturing process, is characterized in that the structure is composed of three layers of a semiconductor substrate body, a contaminant diffusion preventing film, and a contamination evaluation layer.例文帳に追加

半導体基板製造工程及び半導体デバイス製造工程の汚染評価に用いられる半導体基板であって、その構造が半導体基板本体、汚染物質の拡散阻止膜、及び汚染評価層の三層からなるようにした。 - 特許庁

Firstly, after a filter 72 is placed on a diaphragm 31 to cover an ink supply port 18 (inflow aperture covering process), the filter 72, the diaphragm 31 and 7 sheets of plates 41-47 are stacked and joined through metal diffusion bonding (joining process).例文帳に追加

まず、インク供給口１８を覆うように振動板３１上にフィルタ７２を載置した後（流入孔覆設工程）、フィルタ７２と、振動板３１と、７枚のプレート４１〜４７を積層して金属拡散接合により接合する（接合工程）。 - 特許庁

A calculation method for a density distribution of diffusion material comprises: obtaining a density distribution of diffusion material in room space (S15-1); performing an allotment calculation process for dividing the obtained density distribution into densities according to occurrence time (S15-2); and correcting a total amount based on the allotted densities according to occurrence time (S15-3).例文帳に追加

拡散物質の濃度分布計算方法は、室内空間の拡散物質の濃度分布を求め（Ｓ１５−１）、求めた濃度分布から発生時刻別の濃度に分ける分配計算処理を行って（Ｓ１５−２）、分配された発生時刻別の濃度から総量補正を行う（Ｓ１５−３）。 - 特許庁

A process for forming a chromium diffusion portion comprises: forming a slurry comprising chromium and silicon, applying the slurry to an article, and heating the article to a sufficient temperature and for a sufficient period of time to diffuse chromium and silicon into the article and form a diffusion portion comprising silicon and a microstructure comprising α-chromium.例文帳に追加

クロム及びケイ素を含有するスラリーを形成し、スラリーを物品に塗布し、物品中にクロム及びケイ素を拡散させ、ケイ素を含有する拡散部分及びα−クロムを含有するミクロ組織を形成するのに十分な温度に十分な時間物品を加熱する工程を含む。 - 特許庁

To provide a raw material gas diffusion suppression-type apparatus for producing carbon nanostructures which maintains initial high concentration of a raw material gas by preventing diffusion of the raw material gas in a continuous synthesis process of the carbon nanostructures, and mass-produces high-quality carbon nanostructures.例文帳に追加

カーボンナノ構造物の連続合成過程で原料ガスの拡散を防止して原料ガスの初期濃度を高濃度に維持でき、高品質のカーボンナノ構造物の量産を行うことのできる原料ガス拡散抑制型カーボンナノ構造物製造装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a diffusion prevention layer material composed of Ta or Ta based alloy layer wherein rupture of the Ta or Ta based alloy layer which is the diffusion prevention layer or superconductive electric wire itself is enabled not to occur at the time of wire drawing in a manufacturing process of the superconductive electric wire.例文帳に追加

超電導線の製造工程における線引き加工の際に、拡散防止層であるＴａまたはＴａ基合金層、あるいは超電導線そのものの破断を起こさないようにすることができるＴａもしくはＴａ基合金からなる拡散防止層用材を提供する。 - 特許庁

The diffusion of Fe atoms in the base plate into the brazing filler metal which is melted during a brazing process is suppressed by the Fe-atom-diffusion-suppressing layer, and a proper amounts of Ni and Cr are diffused into the brazing filler metal part, thus the excellent corrosion resistance and the oxidization resistance are given to the brazing filler metal part.例文帳に追加

前記Ｆｅ原子拡散抑制層により、ろう接の際に基板中のＦｅ原子が溶融したろう材部に拡散することが抑制され、また適量のＮｉ、Ｃｒをろう材部に拡散させることができ、ろう材部に優れた耐食性、耐酸化性を付与することができる。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor device comprises a first film forming process to form a barrier film and a copper film to any of a wiring groove and a contact hole formed on an insulation film of a semiconductor substrate, a second film forming process to form an oxygen diffusion preventing film on the copper film, and a copper film heat treatment process to execute heat treatment of the copper film.例文帳に追加

半導体基板の絶縁膜上に形成された配線溝およびコンタクト孔のいずれか一つに、バリア膜と銅膜を成膜する第１の成膜工程と、銅膜上に酸素拡散防止膜を形成する第２の成膜工程と、銅膜の熱処理を行う銅膜熱処理工程を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing a gas diffusion layer for the fuel cell contains (a) a process filling an evanescent material into the conductive porous substrate; (b) a process forming the covering layer containing conductive particles on the conductive porous substrate; and (c) a process removing the evanescent material, in order of the processes (a) to (c).例文帳に追加

（ａ）導電性多孔質基材に消失性物質を充填する工程と、（ｂ）前記導電性多孔質基材に導電性粒子を含む被覆層を形成する工程と、（ｃ）前記消失性物質を除去する工程とを、工程（ａ）〜（ｃ）の順に含むことを特徴とする燃料電池用ガス拡散層の製造方法。 - 特許庁

In the method of manufacturing the fully-depleted SOI transistor, especially the NMOS transistor, there is a process for implanting impurities into an insulating film by an ion implantation method before or after a well formation process, thus restraining the diffusion of the impurities to an embedded insulating film owing to a variation in a thermal history in a manufacturing process.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法においてウエル形成工程前あるいは後に追加でイオン注入法を用いて絶縁膜に不純物注入を行う工程を有することで、製造過程における熱履歴のばらつきによる埋め込み絶縁膜への不純物の拡散を抑える。 - 特許庁

To provide a light diffusion film of high practicability with excellent film passing performance in a heat treatment process after post-working, over the whole roll length irrespective of post-working conditions.例文帳に追加

後加工時の熱処理工程におけるフィルムの通過性が後加工の条件に拘わらずロール全長に亘って良好な実用性の高い光拡散性フィルムを提供する。 - 特許庁

The second thermal treatment process allows the first gate insulating film to be more tight, preventing diffusion of active species generated at deposition of the second gate insulating film 12, not to increase its interface level.例文帳に追加

第２熱処理工程により第１ゲート絶縁膜が緻密化され、第２ゲート絶縁膜１２の堆積の際に生成する活性種の拡散が阻止され、界面順位を増加させない。 - 特許庁

In a salicide process, a means for suppressing the progress of salicide reaction in the source drain diffusion layer of the memory transistor is adopted and, thereafter, a metal film is deposited to cause the salicide reaction.例文帳に追加

サリサイド工程において、メモリトランジスタのソース・ドレイン拡散層におけるシリサイド反応の進行を抑制する手段を講じてから、金属膜を堆積してシリサイド反応を起こさせる。 - 特許庁

To provide an electronic watermark embedding device and an electronic watermark detector capable of preventing the energy of electronic watermark information embedded by a direct diffusion method from being distributed to a high frequency side in an inverse spectrum spreading process and making the electronic watermark information hardly losable.例文帳に追加

直接拡散法で埋め込まれた電子透かし情報のエネルギーが、逆スペクトル拡散過程において高周波側に配分されないようにすることができる。 - 特許庁

To provide a thermal diffusion sheet having very high thermal conductivity in an in-plane direction, and excellent in thermal diffusibility and thermal transportability, in the in-plane direction, capable of being manufactured by a simple and high productive process.例文帳に追加

面内方向に極めて熱伝導率が高く、面内方向への熱拡散性、熱輸送性に優れた熱拡散性シートを簡易かつ高生産性のプロセスで実現する。 - 特許庁

To stabilize a characteristic of a driving TFT by preventing the diffusion of an Ag material due to heat generated in a manufacturing process or light emission, in an optical resonance type organic EL element.例文帳に追加

光共振型有機ＥＬ素子において、製造プロセス中や発光中に生じる熱によるＡｇ材料の拡散を極力防止して、駆動用ＴＦＴの特性の安定化を図る。 - 特許庁

To prevent the lowering of the ink receptivity of an image area in printing repeated many times in the case of a planographic printing plate using an aluminum plate as the substrate and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

アルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷材版において、多数枚の印刷時に発生する画像部のインキ着肉性の低下を防止する。 - 特許庁

The diffusion-preventive barrier layer is the next metal layer which is formed, on the spot, at the dielectrics layer comprising the impurities, and further, a process including polishing is performed on a multi-layer dielectrics structure.例文帳に追加

拡散防止バリヤ層はその次の金属層で不純物を含む誘電体層へその場で形成され、さらに、研磨を含む処理が多層誘電体構造に対してなされる。 - 特許庁

Before a lamination process, each of jointing surfaces 12a, 14a of an MEA 12 and a gas diffusion layer 14 is subjected to rubbing treatment to form a surface roughness in a fluffy form in one direction.例文帳に追加

積層工程前に、ＭＥＡ１２及びガス拡散層１４の各接合面１２ａ、１４ａに、ラビング処理を施すことで、一方向に毛羽立つ態様の表面荒れを形成する。 - 特許庁

To suppress increase in junction depth of source and drain diffusion layers connected to a second storage node electrode via an embedded strap in a high-temperature process, after forming the buried strap.例文帳に追加

埋込みストラップ形成後の高温工程における、埋込みストラップを介して第２ストレージノード電極に接続したソース／ドレイン拡散層の接合深さの増加を抑制すること。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a memory array structure, which allows resistance of a source diffusion layer to be reduced, with the increase in a manufacturing process controlled to a minimum.例文帳に追加

製造工程の増大を最小限に抑制しつつ、ソース拡散層の低抵抗化を実現できるメモリセルアレイ構造を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Both masks are defined based on a region (a diffusion region, for example) in a different layer of the integrated circuit layout than the structure (the gate, for example) being created with the phase shifting process.例文帳に追加

これらのマスクはともに、集積回路レイアウトの、位相シフト処理で作成している構造（例えばゲート）とは異なる層中の領域（例えば拡散領域）に基づいて区画される。 - 特許庁

To strike a balance between the heavily doped diffusion of an n-type dopant into a photoelectric conversion layer and the formation of a buffer layer with an optimal thickness, and also to simplify the manufacturing process and reduce the equipment cost.例文帳に追加

光電変換層へのｎ型ドーパントの高濃度拡散と最適な膜厚のバッファ層の形成とを両立させ、かつ製造工程および設備コストの簡素化を図る。 - 特許庁

The diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductor containing Ga indispensably as a group III element is formed on the layer 24 by a hydride vapor phase growing process.例文帳に追加

また、発光層部２４の上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを必須とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

This method implements, using the means 4, quick and automatic extraction of factors causing lowering of quality in a complicated process, such as a diffusion step involving many factors.例文帳に追加

多段階多変量分析手段４により、多くの要因を有する拡散工程等の複雑な加工プロセスにおける品質低下の要因を迅速にかつ自動的に抽出できる。 - 特許庁

To manufacture a gas diffusion layer in a simpler process yet without degrading porosity of a base material, in one having a bilayer structure of a base material made of a porous material and a microporous layer.例文帳に追加

多孔質材料からなる基材とマイクロポーラスレイヤーの２層構造を持つガス拡散層を、より簡単な処理でもって、かつ基材の多孔度を低下させることなく製造する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high efficient solar battery by forming a diffusion layer featuring a shallow junction depth and a high dose and also executing a fire-through process with shallow thrust.例文帳に追加

接合深さが浅く、かつ、高ドーズの拡散層を形成するとともに、浅い食い込みでファイアスルーを行うことで、高効率の太陽電池を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

After ion implantation, the padding oxide film 21 is used as the capping oxide film for preventing out-diffusion, and then impurities subsequent to the ion implantation is thermally diffused to form the well 2 (a process shown in (b)).例文帳に追加

イオン注入後、パッド酸化膜２１をアウトディフュージョン抑止用のキャップ酸化膜として用いて、イオン注入後の不純物を熱拡散させ、ウエル２を形成する（図２（ｂ）に示す工程）。 - 特許庁

Further, with a process (b) of joining the strip-shaped electrolyte film 12A with a diffusion layer 14A through the catalyst layer 12A, the strip-shaped electrolyte film 12S can be reinforced.例文帳に追加

又、帯状の電解質膜１２Ｓと拡散層１４Ａとを、触媒層１２Ａを介して接合する工程（ｂ）により、帯状の電解質膜１２Ｓを強化することができる。 - 特許庁

In the pressurization process, the amount of pressurization on the air outlet side of the membrane electrode junction 100 or the gas diffusion layer is set to a value less than the amount of pressurization on the air inlet side of the MEA 30.例文帳に追加

加圧工程では、膜電極接合体１００またはガス拡散層の空気出口側の加圧量を、ＭＥＡ３０の空気入口側の加圧量よりも少なく設定する。 - 特許庁