「diffusion process」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

This method of manufacturing a gas diffusion electrode for polymer electrolyte fuel cell has a process for dipping the conductive porous base material with the water repellent treatment solution, a process for drying the conductive porous base material, a process for forming a carbon layer on the conductive porous base material and a process for baking the conductive porous base material having the carbon layer in this order.例文帳に追加

（ａ）導電性多孔質基材を撥水処理液中に浸漬する工程、（ｂ）前記導電性多孔質基材を乾燥する工程、（ｃ）前記導電性多孔質基材上にカーボン層を形成する工程、および（ｄ）前記カーボン層を有する導電性多孔質基材を焼成する工程を、工程（ａ）〜（ｄ）の順に有する高分子電解質型燃料電池用ガス拡散電極の製造方法。 - 特許庁

To prevent the threshold voltage of an E-FET from becoming substandard while sharing a gate diffusion process determining the threshold voltage in a semiconductor device where a D-FET and an E-FET, each having a channel layer, are provided on one semiconductor substrate and each channel layer is provided with a gate diffusion layer.例文帳に追加

同一の半導体基板上に、それぞれチャネル層を有するＤ−ＦＥＴとＥ−ＦＥＴとが設けられ、前記各チャネル層にゲート拡散層が設けられた半導体装置において、閾値電圧を決定するゲート拡散工程を共有しながら、Ｅ−ＦＥＴの閾値電圧が規格外になってしまうことを防止すること。 - 特許庁

The method has a process for selectively forming the cap film with the Cu diffusion prevention function on metal wiring comprising Cu embedded in a groove of an inter- layer insulation film and a process for forming an insulation film comprising an insulation material which does not contain oxygen at least on the cap film.例文帳に追加

また、層間絶縁膜の溝部に埋め込まれたＣｕを含む金属配線上に、Ｃｕ拡散防止機能を有するキャップ膜を選択的に形成する工程と、 少なくとも上記キャップ膜上に酸素を含有しない絶縁材料からなる絶縁膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To prevent the peeling-off of a low dielectric constant insulation film when etching gas and moisture, etc., fetched in the low dielectric constant insulation film are eliminated in a heating process in process even at realizing the structure, for which a diffusion preventing insulation film is directly formed on the low dielectric constant insulation film.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜上に直接に拡散防止絶縁膜を成膜した構造を実現しても、低誘電率絶縁膜中に取り込まれたエッチングガスや水分等がプロセス中の熱工程で脱離した際に低誘電率絶縁膜の剥離を防止する。 - 特許庁

To improve the reliability of an element without causing mutual reaction in the interface between a dielectric and an electrode, including impurities such as Na in a manufacturing process, and deteriorating a dielectric element due to the diffusion of hydrogen in a heat treatment process in the dielectric element.例文帳に追加

誘電体素子において、誘電体と電極の界面における相互反応、あるいは製造工程におけるＮａ等の不純物の混入や熱処理工程での水素の拡散による誘電体素子の劣化が生じることなく、素子の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method, where in a semiconductor substrate, there is formed a ultra-shallow junction whose dopant concentration distribution is narrowed through control of its junction depth, by restricting the channelling of dopants in the ion implantation process to a minimum and by controlling the diffusion of dopant in the following heat annealing treatment process.例文帳に追加

イオン注入工程でのドーパントのチャンネリングを最小限に抑制し、また引き続く熱アニール処理工程でのドーパントの拡散を抑制することにより接合深さを制御してドーパント濃度分布を狭小化した超浅型接合を半導体基板内に形成する方法を提供する。 - 特許庁

In a salicide formation process, a detecting wiring line 217 for connecting a floating diffusion 203 and a gate electrode 104g of an amplification transistor 104 is formed in the form of a high-melting-point metallic material not reacting with the silicide reaction on a non-silicon surface generated in the salicide formation process.例文帳に追加

サリサイド形成過程において、フローティングディフュージョン２０３と増幅トランジスタ１０４のゲート電極１０４ｇとを接続する検出用配線２１７を、サリサイド形成過程に発生する非シリコン表面上のシリサイド化反応していない高融点金属材料を利用して形成する。 - 特許庁

Thereby, it becomes possible to omit a process to form an interconnection to connect the gate electrode 124 of the first stage transistor 124 of the output circuit 140 and the impurity diffusion region 117 of the FD portion 114 through a contact hole, making it possible to avoid the deterioration of pixel characteristics caused by wiring process.例文帳に追加

これにより、出力回路１４０の初段トランジスタ１２４のゲート電極１２４と、ＦＤ部１１４の不純物拡散領域１１７とをコンタクトホールを介して接続する配線を形成する工程をなくすことができ、配線工程に起因する画素特性劣化を回避することができる。 - 特許庁

The layer 24 made of a mixed crystal compound semiconductor containing two or more types of group III elements is formed by an organic metal vapor phase growing process, and the diffusion layer 7 is formed on the layer 24 by a hydride vapor growing process.例文帳に追加

そして、該オフアングルを有する単結晶基板１上に、２種以上のＩＩＩ族元素を含む混晶化合物半導体よりなる発光層部２４を有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

As to the target material and backing plate material, a structural control heat treating process for the target material and a solid phase diffusion joining process are simultaneously performed at a joining temperature of 400 to 500°C under the joining load pressure of ≤50 MPa for a joining time of ≤2 hr in a vacuum atmosphere of ≤0.1 Pa.例文帳に追加

該ターゲット材とバッキングプレート材とを、０．１Ｐａ以下の真空雰囲気中、４００℃〜５００℃の接合温度、５０ＭＰａ以下の接合時負荷圧力及び２時間以内の接合時間で、ターゲット材の組織制御熱処理工程と固相拡散接合工程とを同時に行うこと。 - 特許庁

An annular thermal oxide film 17 is formed though the thermal oxidation process under the condition that the silicon nitride films 11, 11a are left and moreover a deep N well 3 is also formed at the lower entire surface of the silicon nitride film 11a like an island with the lateral diffusion of phosphorus through the annealing process (b).例文帳に追加

シリコン窒化膜１１，１１ａを残した状態で熱酸化処理を施して環状の熱酸化膜１７を形成し、さらにアニール処理を施してリンの横方向拡散によって島状のシリコン窒化膜１１ａの下部全面にもディープＮウエル３を形成する（ｂ）。 - 特許庁

To enhance quality of forming a film on wafers by preventing oxidation and contamination of the wafers, without having to install a stand-by chamber and to reduce product cost, by reducing process time of the wafers in a vertical diffusion/CVD apparatus.例文帳に追加

縦型拡散・ＣＶＤ装置に於いて、予備室を設けることなくウェーハの酸化、汚染を防止し、ウェーハ成膜品質の向上を図ると共にウェーハの処理時間を短縮し、製品コストの低減を図る。 - 特許庁

To provide a lithographic printing material using a silver complex salt diffusion transfer process in which formaldehyde is not used while preventing printing durability, inking property and printing contamination resistance from being deteriorated or while improving them.例文帳に追加

本発明の目的は、耐刷性、インキ乗り、耐印刷汚れを低下する事なく、もしくは向上させたながら、ホルムアルデヒドを用いない銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷材料を提供する事である。 - 特許庁

To provide a method for connecting at least two metal layers by means of diffusion soldering process, wherein the metal layers are self-matched without using an external force imparted to the metal layers.例文帳に追加

拡散はんだ付けプロセスを用いて少なくとも２つの金属層を接続させる金属層の接続方法であって、金属層に加えられる外部力を用いずに、金属層が自己整合する接続方法を提供する。 - 特許庁

To enable high-speed coating without causing unevenness in conditions in corona discharge treatment and coating trouble in methods for making a silver halide photographic sensitive material and a planographic printing plate applying a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

ハロゲン化銀写真感光材料及び銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版の製造方法において、コロナ放電処理条件ムラ及び塗布故障を生じさせずに高速塗布を可能にする。 - 特許庁

During heat treating the improved spin valve sensor 300 in the production process, the spacer layer 322 is inserted between the free layer 318 and a pinning layer 320 so as to effectively prevent diffusion of the free layer 318 and the spacer layer 322.例文帳に追加

製造中の改良したスピン・バルブ・センサ（３００）の熱処理の間に自由層（３１８）とスペーサ層（３２２）の拡散を有効に防止するために、自由層（３１８）とピン止め層（３２０）の間にスペーサ層（３２２）を挟む。 - 特許庁

To provide a solar battery which can be easily manufactured without adopting any complicate mask process with high converting efficiency, and to hardly generate any power loss due to voltage breakdown in a dopant diffusion layer at a light receiving face side.例文帳に追加

込み入ったマスク工程を採用せずとも容易に製造でき、しかも、受光面側のドーパント拡散層での電圧降下による電力損失が生じにくく変換効率の高い太陽電池を提供する。 - 特許庁

A diffusion process for keeping an ambient temperature at a temperature at which metal atoms of the second metal film are diffused into the first metal film and the surface thereof is executed during or after formation of the first metal film.例文帳に追加

そして、第１金属膜の形成中または形成後に、第２金属膜の金属原子が第１金属膜の膜中および膜表面に拡散するような温度に雰囲気温度を保持する拡散工程を実施する。 - 特許庁

At least one undercoat layer, a silver halide emulsion layer and a physical developing nucleus layer are successively disposed on a substrate by coating to obtain the objective planographic printing plate utilizing a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

又、本発明の別の目的は明室下で取り扱い可能な銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版で、印刷諸特性（インキ受理性、耐刷性、耐汚れ性）に優れた平版印刷版を提供することである。 - 特許庁

To prevent the lowering of printing resistance which is caused in the case of ≤4 g/m2 amount of anodically oxidized aluminum in a planographic printing plate using an aluminum sheet as the substrate and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

アルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷材版において、該平版印刷版の陽極酸化アルミニウム量が４ｇ／m^2以下の場合に発生する耐刷性の低下を防止する。 - 特許庁

To provide a wafer with a tapered edge of an improved manufacturing yield for film forming in a semiconductor manufacturing process, by chemical vapor deposition (CVD), impurity diffusion, annealing, epitaxial growth, or other processes.例文帳に追加

半導体製造工程に於いてウェーハに化学的気相成長（ＣＶＤ）、不純物拡散、アニール、エピタキシャル成長、その他の処理を成膜する場合、製造歩留まりを向上させるエッジがテーパー状のウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a method for calculating spatial and temporal variations of a toner concentration in accordance with an advection diffusion equation in the case that a spatial distribution of developer mass density is not uniform in an electrophotographic development process with a two-component developer.例文帳に追加

電子写真における二成分現像プロセスにおいて、現像剤質量密度の空間分布が一様ではない場合に、トナー濃度の空間時間変化を移流拡散方程式で計算する方法を提供する。 - 特許庁

Impurity concentration of the impurity diffusion region 29 is set equal to that in the N-LDD region 31 of a fine CMOS device being integrated on the same substrate 1 and they are formed by performing ion implantation process only once.例文帳に追加

不純物拡散領域２９の不純物濃度を、同一基板１上に集積される微細ＣＭＯＳデバイスのＮ−ＬＤＤ領域３１と同じ濃度とし、それらを一度のイオン注入工程で形成する。 - 特許庁

Finally, the surface layer of the silicon substrate 1' including the phosphor diffusion layer 2 is removed whereby the solar cell is manufactured employing a silicon wafer obtained by a process wherein the re-mixture of the metallic impurities is prevented.例文帳に追加

そして最後に、リン拡散層２を含むシリコン基板１’表面層を除去することにより、金属不純物の再混入を防止するという工程によって得られるシリコンウエハを用いて太陽電池を製造する。 - 特許庁

To provide a method for producing rare earth-iron-nitrogen-based alloy powder in which deterioration in magnetic properties is prevented, and having satisfactory coercive force and squareness at a high yield by a reduction diffusion process.例文帳に追加

還元拡散法において、合金粉末の磁気特性を低下させることを防ぎ、高い収率で、良好な保磁力と角形性を有する希土類−鉄−窒素系合金粉末の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a case of performing a process of coating the glass substrate G with chemical including a solvent, a rate of diffusion of the solvent to an upper part is decreased by the cleaned air supplied toward the substantially horizontal direction.例文帳に追加

またガラス基板Ｇに溶剤を含んだ薬液を塗布する工程が行われた場合には、ほぼ水平方向に向けて供給した清浄空気によって上部に溶剤が拡散する割合を減少する。 - 特許庁

To provide an aromatic polycarbonate resin composition and its molded product excellent in an flame retardance, a light diffusion/transmission balance and less degeneration of the low material in a molding process giving a stable molded product.例文帳に追加

難燃性と光拡散／光透過性バランスに優れ、かつ、成形加工時に材料の劣化が少なく安定した成形加工性が得られる芳香族ポリカ−ボネ−ト樹脂組成物およびその成形体を提供する。 - 特許庁

To improve the reproducibility of a copper film by eliminating a process exposing a diffusion barrier film to the outside air before the forming of a copper film, by improving various kinds of properties of the films and characteristics at the interface of the films and by improving a surface management.例文帳に追加

拡散バリア膜の成膜とＣｕ膜の成膜の間に大気暴露工程をなくし、膜の各種特質、膜の界面での特性を改善し、かつ表面管理を良好にして、Ｃｕ膜の再現性を高める。 - 特許庁

The image data of multiple values of each color are partitioned into the image data of multiple values corresponding to each scan of multiple times, and an error diffusion process is performed to each of the image data of multiple values corresponding to each partitioned color and each scan.例文帳に追加

各色の多値の画像データを複数回の走査夫々に対応した多値の画像データに分割し、分割された各色、各走査に対応した多値の画像データ夫々に対して誤差拡散処理を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a planographic printing material having high anti-static performance, small humidity dependency of the anti-static performance, and scarcely causing the deterioration of the anti-static performance with lapse of time and using a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

高い帯電防止性能を持ち、その湿度依存性は小さく、かつ経時による帯電防止性能の劣化の少ない銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plate-making method for a lithographic printing plate, using a silver salt diffusion transfer process which suppresses ink stains produced, when the stopping of a printing machine and reprinting are repeated, and uses an aluminum plate as a substrate.例文帳に追加

停機、再印刷を繰り返した時に発生するインキ汚れを改良したアルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版の製版方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a planographic printing plate excellent in stable ink receptivity and printing resistance as a planographic printing plate using a surface- roughened and anodically oxidized aluminum plate as the base and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

粗面化され陽極酸化されたアルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、安定したインキ受理性及び耐刷力に優れた平版印刷版を提供する。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage MOS transistor having a low concentration diffusion layer which overlaps a region near the end of a gate electrode in a self-alignment process manner and works as a field alleviating layer, and to provide a method of manufacturing it.例文帳に追加

ゲート電極の端部近傍領域に自己整合的にオーバーラップし、電界緩和層として働く、低濃度拡散層を有する高耐圧ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer and a method of manufacturing the same, wherein diffusion of an impurity of high concentration included in a silicon substrate into an epitaxial layer is suppressed in a heat treatment process for forming a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイス形成時の熱処理プロセスにおいて、シリコン基板に含まれる高濃度の不純物がエピタキシャル層に拡散するのを抑制することができるエピタキシャルウェーハ及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device that forms a continuous metal silicide without any disconnection on common source diffusion wiring by a simple process, and can form low-resistance common source line reliably.例文帳に追加

簡単な工程で共通ソース拡散配線上に断線することなく連続した金属シリサイドを形成して、低抵抗な共通ソース線を確実に形成できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A vertical diffusion CVD device is a utility-incorporated into a single device, in which a device body 10 is integrated with a utility 20, provided with a case 11 in which a device for a process required for a substrate is housed.例文帳に追加

縦型拡散・ＣＶＤ装置は、装置本体１０とユーティリティ２０とが一体になったユーティリティ一体型の装置として構成されて、基板に必要な処理を行なう機器を格納する筐体１１を備える。 - 特許庁

To provide a method capable of obtaining diffusion aluminide coatings of approximately equal thicknesses by simultaneously vapor-phase aluminizing a nickel base superalloy and a cobalt-base superalloy in a single process chamber by using the same aluminum donor and activator.例文帳に追加

同じアルミニウム供与体と賦活体を用いて単一のプロセスチャンバ内でニッケル基超合金とコバルト基超合金を同時に気相アルミナイズして、ほぼ等しい厚さの拡散アルミニウム化物コーティングを得る方法。 - 特許庁

In the process where the paint is dried by evaporation of the thinner, the particles of the luminous materials 3 in the colorless and clear paint layer are continued the uniform diffusion in the paint layer by the action of the dispersant and the sedimentation inhibitor.例文帳に追加

シンナーが蒸発して塗料が乾燥していく過程で分散剤と沈降防止剤の作用によって無色透明クリヤー塗料層２内の蓄光材料３の粒子は均一に拡散した状態を保ち続ける。 - 特許庁

The manufacturing method of the fuel cell has a process of forming a diffusion layer by polymerization of a compound having phosphoric acid group in a liquid containing at least a porous body and a nonionic copolymer.例文帳に追加

燃料電池の製造方法は、少なくとも、多孔質体及び非イオン性共重合体を含有する液体中でリン酸基を有する化合物を重合することにより拡散層を形成する工程を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a material for a gas diffusion electrode in which a conductive material containing water soluble ink slurry can be permeated into a fiber of polytetrafluoroethylene without a troublesome hydrophilic treatment process.例文帳に追加

面倒な親水処理工程をすることなく導電性物質を含有した水溶性インクスラリーをポリテトラフルオロエチレンの繊維内部まで浸透させることのできるガス拡散電極用材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a planographic printing plate using a silver complex salt diffusion transfer process, handleable in a light room, exposed with a blue semiconductor laser scanning type exposure machine and is superior, particularly in printing performance.例文帳に追加

明室下で取り扱い可能で、青色半導体レーザー走査型露光機で感光する銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版で、印刷性能特に優れた平版印刷版を提供することである。 - 特許庁

As explained above, the manufacturing process of a semiconductor can be simulated more accurately by considering the effect on the phenomenon of making amorphous silicon crystals at the time of implanting high concentration ions when the impurity diffusion is calculated.例文帳に追加

このように、高濃度イオン注入のシリコン結晶のアモルファス化現象による影響を不純物拡散計算中に考慮することにより、半導体の製造プロセスをより正確にシミュレーションすることができる。 - 特許庁

The surface of a planographic printing plate using surface- roughened and anodically oxidized aluminum having a psychometric lightness of ≤78 as the base and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process is processed with a silicate-containing processing solution after forming a silver image.例文帳に追加

明度指数78以下の粗面化され陽極酸化されたアルミニウムを支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版の版面を銀画像形成後にケイ酸塩を含有する処理液で処理する。 - 特許庁

The apparatus also has a process liquid supply unit for supplying the process liquid branched by the branch pipe to both ends of the process liquid supply tube through the resistance member, and for making the process liquid flow downward from the plurality of discharge ports of the process liquid supply tube toward a diffusion film.例文帳に追加

少なくとも弾性を有する配管と、配管を２方向に分岐させる分岐管と、複数の吐出口が穿設された処理液供給管と、処理液供給管に送られる処理液に圧力損失を与える抵抗部材とを少なくとも有し、分岐管により分岐された処理液を抵抗部材を介して処理液供給管の両端部に供給し、処理液供給管の複数の吐出口から処理液を拡散フィルムに向けて流下させる処理液供給部を有することを特徴とする感光材料処理装置。 - 特許庁

Memory information can be written in a memory cell by selecting whether characteristics of transistors are made an enhancement type or a depression type by connecting a transistor through a connection hole in a contact window 39 and power source lines 37 for body potential in a contact window forming process near the final process in a diffusion process for a transistor group of a drive section.例文帳に追加

ドライブ部のトランジスタ群に対して、拡散工程の中の最終に近いコンタクト窓形成工程で、コンタクト窓３９における接続孔を通じたトランジスタとボディ電位用電源配線３７との接続によって、トランジスタの特性をエンハンスメント型にするかデプレッション型にするかを選択することにより、メモリセルへの記憶情報の書き込みを行うことを可能にする。 - 特許庁