「diffusion process」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To make a Zn diffusion position deep from a ZnO/SiO2 film, to the extent in which the COD tolerance of a laser end surface window structure can be made larger than conventional, as to a manufacturing method for a compound semiconductor device which includes the process of diffusing zinc into a compound semiconductor layer.例文帳に追加

化合物半導体層への亜鉛拡散工程を含む化合物半導体装置の製造方法に関し、レーザ端面窓構造のＣＯＤ耐量を従来よりも大きくすることができる程度にZnO/SiO_2膜からのZn拡散位置を深くすること。 - 特許庁

In this electrode manufacturing process, the desired electrode pattern can be obtained by applying a first light exposure with the use of a lamp whose source is cost-effective diffusion light, and then applying a second light exposure with larger amount of light than the first light exposure.例文帳に追加

本発明による電極作成工程において、コストメリットがある拡散光を光源とするランプを用いて第１の露光と第１の露光よりも大きい露光量をもった第２の露光を施すことで、所望の電極パターンを得ることができる。 - 特許庁

The planographic printing plate is formed by using the aluminum sheet as the support and by utilizing a silver complex salt diffusion process and contains a specific polymer, i.e., a polymer insoluble in water and soluble in an alkali in a physical development nucleus layer.例文帳に追加

アルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、物理現像核層中に特定のポリマー、即ち水に不溶性で、アルカリ可溶性の重合体を含有することを特徴とする平版印刷版。 - 特許庁

A Cu wiring layer 6 is formed on a wafer W, an amorphous carbon film 7 is formed as a Cu diffusion barrier by CVD using a process gas containing a hydrocarbon gas on the Cu wiring layer 6, and a Low-k film 8 is formed on it.例文帳に追加

ウエハＷにＣｕ配線層６を形成し、Ｃｕ配線層６の上に、炭化水素ガスを含む処理ガスを用いたＣＶＤによりＣｕ拡散バリアとしてアモルファスカーボン膜７を成膜し、その上にＬｏｗ−ｋ膜８を形成する。 - 特許庁

To provide a technology for properly controlling a threshold by adopting materials suitable for the gate electrode of each of MOS structures with different thresholds, and for preventing diffusion from the gate electrode to a channel region from being made remarkable without complicating a manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセスを煩雑にすることなく、閾値が異なるＭＯＳ構造のそれぞれのゲート電極に適した材料を採用して閾値を適切に制御でき、かつゲート電極からチャネル領域への拡散を顕著としない技術を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode plate for a plasma device which can easily be positioned when fitted to a diffusion plate of a plasma dry etching device, etc., and causes neither cracking nor breaking during fitting using a bolt and an actual process.例文帳に追加

プラズマ装置用電極板をプラズマドライエッチング装置等の拡散板部に取り付けるに際して、容易に位置決めが可能で、かつボルトによる取り付け時および実プロセスにおいて、クラックや割れが発生しないプラズマ装置用電極板を提供する。 - 特許庁

To provide an electrolyte membrane electrode assembly in which the binder of a carbon layer in a gas diffusion layer is optimized and there is no problem of separation of the electrolyte membrane electrode assembly in the manufacturing process, and which can provide a fuel cell having a high discharge performance.例文帳に追加

ガス拡散層におけるカーボン層の結着剤を最適化し、製造工程において電解質膜電極接合体の剥がれの問題がなく、かつ高い放電性能を持つ燃料電池を与え得る電解質膜電極接合体を提供する。 - 特許庁

To provide a lithographic printing plate nearly free from coating trouble, excellent in ink receptivity, printing durability and ink stain resistance even when a large number of plate materials are processed, using an aluminum plate as a support, and applying a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

本発明の目的は、塗布故障が少なく、また、多くの版材を処理した場合でもインキ乗り、耐刷性、耐インキ汚れ性に優れたアルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版を提供することである。 - 特許庁

A fixed chemical vapor sterilization process is improved by controlling the temperature of a particular diffusion path between a particular vaporizer and a sterilization chamber so as to condense and then re-vaporize at least part of the vapor.例文帳に追加

一定の化学的な蒸気滅菌処理が一定の気化装置と滅菌チャンバーとの間における一定の拡散通路の温度を調整して蒸気の少なくとも一部分を液化し、さらに、その後に、これを再気化することにより改善されている。 - 特許庁

The P-type impurity regions 9 are diffused by a thermal treatment carried out in an after process, an element isolating P-type impurity region 9a obtained by diffusion is diffused up to a point just under the side wall oxide film 7 at most, so that a channel is hardly narrowed.例文帳に追加

このＰ型不純物領域９は、後工程の熱処理により拡散するが、得られた素子分離用Ｐ型不純物領域９ａは高々サイドウォール酸化膜７の直下まで拡散するにすぎず、チャネル幅が狭くなるようなことはない。 - 特許庁

To provide a finishing solution for a planographic printing plate using an aluminum plate which imparts high ink receptivity to the image area while improving the ink stain of the non-image area as the substrate and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

本発明の目的は、非画像部のインキ汚れを改善しつつ、同時に画像部に高いインキ受理性を持たせるアルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版の仕上げ液を提供することである。 - 特許庁

To solve the following problem: when a reinforced panel in which a fiber-reinforced plastic layer is formed in a foamed core as a core material is formed, in an RTM method, since the diffusion of a resin under low vacuum pressure and impregnation need a time, the cycle of a molding process can not be shortened.例文帳に追加

芯材としての発泡コアに繊維強化プラスチック層が形成される強化パネルを成形する場合、ＲＴＭ法では、低真空圧下で行われる樹脂の拡散及び含浸に時間がかかるため、成形工程をハイサイクル化できない。 - 特許庁

To provide a coating liquid for diffusing a phosphor dopant which has liquid characteristics suitable for an ink jet coating method in a solar cell manufacturing process, a coating film formed of the coating liquid and having excellent diffusion performance, and a method for manufacturing a solar cell.例文帳に追加

太陽電池製造プロセスにおけるインクジェット塗布法に適した溶液特性を有するリンドーパント拡散用塗布液、それにより形成され、優れた拡散性能を有する塗布膜および太陽電池の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Since the gettering layer 12 contacting the epitaxial film 11 and formed of a carbon diffusion layer is formed, a heavy metal pollution substance in the epitaxial film 11 can be effectively gettered to the gettering layer 12 in, for instance, heat treatment in a device formation process.例文帳に追加

エピタキシャル膜１１に接して炭素拡散層からなるゲッタリング層１２を形成するので、例えばデバイス形成工程での熱処理時、エピタキシャル膜１１内の重金属汚染物質を効果的にゲッタリング層１２にゲッタリングすることができる。 - 特許庁

The inflow T1 flows into the combustion chamber 7 without circulating the fuel injected by the injector 9, and the outflow T2 is pushed up upward in a compression process, so that this hyperbolic flow T suppresses diffusion of the injected fuel.例文帳に追加

この双曲線流Ｔは、その往流Ｔ１がインジェクタ９による噴射燃料を流動することなく燃焼室７内へ流入するとともに、その復流Ｔ２が圧縮行程で上方へ押し上げられ、噴射燃料の拡散を抑制する。 - 特許庁

The method for joining the plurality of the superalloy substrates includes a process in which the superalloy substrates are diffusion-joined by thermal-pressing the joint after directly applying an active material on the surface of the joining joint.例文帳に追加

複数の超合金基板を接合する方法であって、接合されるジョイント表面に活性体を直接適用した後に、ジョイントを熱加圧することによって、超合金基板を拡散接合する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a wastewater treatment method in a polyester production process capable of chemically treating acetaldehyde to convert the same to other compound to reduce the content of acetaldehyde in wastewater and capable of preventing the diffusion of acetaldehyde to the atmosphere.例文帳に追加

アセトアルデヒドを化学処理して他の化合物に変換して排水中のアセトアルデヒド含有量を低減させることができると共にアセトアルデヒドの大気への蒸散を防止することができるポリエステル製造工程における排水処理方法の提供。 - 特許庁

To provide a Schottky structure of a gallium arsenide semiconductor for enabling combination of manufacturing process to form copper metal, effectively preventing diffusion of copper, realizing low resistance and excellent heat radiation and mechanical strength, and improving the characteristics of a semiconductor element.例文帳に追加

銅金属化の製造工程との組み合わせが可能であり、銅拡散を効果的に防ぎ、抵抗値が低く、放熱特性と機械的強度に優れ、半導体素子の特性を向上させるヒ化ガリウム半導体のショットキー構造を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a piezoelectric actuator in which sufficient crystallinity is imparted to a piezoelectric film by sintering the piezoelectric film at a high temperature of 700°C-1,200°C, and diffusion of a lower electrode forming material can be prevented.例文帳に追加

高温、例えば、７００℃〜１２００℃程度の温度で圧電体膜を焼成して、当該圧電体膜に十分な結晶性を付与すると共に、下電極形成材料の拡散を防止できる圧電アクチュエータの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable effectively preventing mutual diffusion in the components between the gate electrodes of n- and p-type transistors in a gate electrode formation process and the subsequent heat treatment process for the method for manufacturing the semiconductor device having a wiring layer substituted for metal and metal silicide.例文帳に追加

金属や金属シリサイドに置換した配線層を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極形成過程及びその後の熱処理工程において、Ｎ型トランジスタのゲート電極とＰ型トランジスタのゲート電極との間における構成材料の相互拡散を効果的に防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer and a production method thereof capable of effectively inhibiting diffusion of heavy metal from a back face of the silicon wafer to a device active region while keeping a good deflective strength by applying predetermined surface treatment during a subsequent process of a semiconductor device process for forming a device structure to provide a gettering sink layer.例文帳に追加

デバイス構造を形成した半導体デバイスプロセスの後工程において、所定の表面処理を施して、ゲッタリングシンク層を設けることにより、良好な抗折強度を維持しつつ、シリコンウェーハ裏面からデバイス活性領域への重金属の拡散を有効に抑制することができる、シリコンウェーハ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

In a photomechanical process in which a planographic printing plate having physical developing nuclei between an anodically oxidized aluminum substrate and a silver halide emulsion layer and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process is subjected to at least development after exposure, an amino acid and glycerol or its polymer or saccharides are contained in a developing solution used.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版を露光後少なくとも現像処理する製版方法において、該現像液中にアミノ酸と、グリセリンもしくはその多量体、又は糖類を含有する事を特徴とする平版印刷版の製版方法。 - 特許庁

This is a manufacturing method of a gas diffusion electrode which has a process in which a coating liquid dispersing at least two kinds of fluororesin water repellent having particle or its agglomerate of different sizes is prepared and a process in which the above coating liquid is coated from the surface side of a porous base material to form a catalyst layer and calcined, and water repellency treatment is applied.例文帳に追加

粒子もしくはその凝集体のサイズの異なる少なくとも２種のフッ素樹脂撥水剤を分散した塗布液を調製する工程、および前記の塗布液を多孔質基材の触媒層を形成しようとする面側から塗布し、焼成して撥水処理を施す工程を有するガス拡散電極の製造方法。 - 特許庁

To provide a method which can clean the heat treatment tube of a semiconductor substrate heat treatment device, which is used in the heat treatment process such as the oxidation and diffusion process, etc., of a semiconductor substrate, reducing the quantity of metallic contamination efficiently without raising its cost, and a metal contamination getter substrate and a regenerative metal contamination getter substrate used in that cleaning method.例文帳に追加

半導体基板の酸化、拡散工程等の熱処理工程で用いられる半導体基板熱処理装置の熱処理チューブをコストアップすることなく効率よく金属汚染量を減少させ清浄できる方法及びその清浄化方法に用いられる金属汚染ゲッター基板及び再生金属汚染ゲッター基板を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a piezoelectric actuator in which sufficient crystallinity is imparted to a piezoelectric film by sintering the piezoelectric film at a high temperature of 700°C-1,200°C, and diffusion of a lower electrode forming material can be prevented, and to provide a piezoelectric actuator.例文帳に追加

高温、例えば、７００℃〜１２００℃程度の温度で圧電体膜を焼成して、当該圧電体膜に十分な結晶性を付与すると共に、下電極形成材料の拡散を防止できる圧電アクチュエータの製造方法及び圧電アクチュエータを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a TAT(Trench Access Transistor) DRAM cell which does not improperly affect a transistor characteristic and contact opening and is equipped with a structure capable of keeping excellently a dielectric breakdown strength of a diffusion-layer making electrode and gate electrode even with a process variance.例文帳に追加

トランジスタ特性やコンタクト開口性に不都合な影響がなく、かつプロセスばらつきが生じても、拡散層取り出し電極とゲート電極の絶縁耐圧を良好に確保できる構成を備えたＴＡＴ・ＤＲＡＭセルを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a coating development type plate-making method which has small printing soiling and high printing resistance even when a coating amount is not larger than 60 ml/m^2 as a plate-making method for a lithographic printing plate using a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

銀錯塩拡散転写法を利用する平版印刷版の製版方法において、塗布量が６０ｍｌ／ｍ^2以下の場合であっても、印刷汚れが少なくかつ高い耐刷力を有する塗布現像方式の製版方法を提供することである。 - 特許庁

To remove remaining amorphous or polycrystalline silicon through a process, in which amorphous or polysilicon is deposited on a silicon semiconductor substrate, and the amorphous or polysilicon is solid-phase down selectively only on an impurity diffusion region to a single crystal layer, without treatment at a high temperature, through etching.例文帳に追加

シリコン半導体基板にアモルファス又はポリシリコンを堆積後高温処理を伴わずに選択的にこれを不純物拡散領域上のみ単結晶層に固相成長させる工程を経て残留したアモルファスや多結晶のシリコンをエッチング除去する。 - 特許庁

In the planographic printing plate having at least a silver halide emulsion layer and a physical developing nucleus layer on the substrate and applying a silver complex salt diffusion transfer process, a compound containing two or more mercapto groups is contained.例文帳に追加

支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版に於いて、該平版印刷版がメルカプト基を２個以上有する化合物を含有することを特徴とする平版印刷版。 - 特許庁

In the plate surface processing liquid to be used after the development processing of the lithographic printing plate using with the silver complex salt diffusion transfer process, this liquid includes an organic compound having at least two mercapto groups or thione groups and a silver halide solvent.例文帳に追加

銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版の現像処理後に用いられる版面処理液において、２個以上のメルカプト基もしくはチオン基を有する有機化合物、及びハロゲン化銀溶剤を含有することを特徴とする版面処理液。 - 特許庁

The manufacturing process of a hollow blade for a turbine engine equipped with a root and a rotor blade includes a forming stage of two outside parts 14 and a stage for combining the two outside parts by diffusion-bonding so as to obtain a blade preform.例文帳に追加

本発明は、根元とロータブレードとを備えているタービンエンジン用の中空ブレードの製造方法に関し、２つの外側部分１４の形成段階、ならびにブレードプリフォームを得るためにこれら２つの外側部分を拡散接合によって組み合わせる段階を含む。 - 特許庁

In the preliminary washing process, particles of the washing water atomized at an atomizing device 22 are diffused by a diffusion means 35, and the dirt of an object 8 to be washed, such as a dish, stored in a washing tub 4 is swollen to secure main washing by a washing nozzle 7.例文帳に追加

予備洗浄工程において、霧化装置２２で霧化された洗浄水粒子が拡散手段３５で拡散され、洗浄槽４に収納された食器等の被洗浄物８の汚れを膨潤し、洗浄ノズル７での本洗浄を確実としている。 - 特許庁

A filter plate 36 is arranged at first in a recess 85 of a reinforcement frame 84, and the reinforcement frame 84, the filter plate 36 and the vibration plate 70 are layered to be joined by metal diffusion junction, by pressurizing those while heating at a prescribed temperature (for example 1,000°C) (junction process).例文帳に追加

まず、補強フレーム８４の凹部８５にフィルタプレート３６を配置して、補強フレーム８４とフィルタプレート３６と振動板７０とを積層して、所定温度（例えば、１０００℃）に加熱しながら加圧し、金属拡散接合により接合する（接合工程）。 - 特許庁

To obtain a planographic printing plate which is hardly affected by the surface shape of a surface-roughened and anodically oxidized aluminum sheet as the substrate and superior in ink receptivity and printing durability as a planographic printing plate, utilizing a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

粗面化され陽極酸化されたアルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、アルミニウム板の表面形状の影響を受けにくく、かつインキ受理性及び耐刷力に優れた平版印刷版を提供する。 - 特許庁

To improve surface fogging and preservability as well as to enhance sensitivity with respect to a silver halide photographic sensitive material and to improve printing durability, water-holding performance and ink removability with respect to a planographic printing plate using a silver salt diffusion transfer process.例文帳に追加

ハロゲン化銀写真感光材料において、高感度化とともに地カブリと保存性の改善が必要とされ、一方、銀塩拡散転写法を使用した平版印刷版では耐刷と保水性及びインキ脱離性の改善も要望されており、その改善を目的とする。 - 特許庁

The method for making a planographic printing plate is carried out by exposing a photographic material having a silver halide emulsion layer, developing (without including a process of silver complex salt diffusion transfer development), and then treating with a treating liquid containing a pyridine-N-oxide compound having a mercapto group in the molecule.例文帳に追加

ハロゲン化銀乳剤層を有する写真材料を露光し、現像処理（銀錯塩拡散転写現像を含まない）後、分子中にメルカプト基を有するピリジン−Ｎ−オキシド化合物を含有する処理液で処理する平版印刷版の作成方法。 - 特許庁

Thereafter, an additive diffusion process, where the periphery of the fusion spliced part A is heat- treated at a first temperature range of 800°C or higher to 1,500°C or lower, and the additive which is added to the glass fibers 11, 21 in the periphery of the fusion spliced part A is diffused, is performed (Figure 1 (e)).例文帳に追加

その後に、８００℃以上１５００℃以下の第１の温度で融着接続部Ａ周辺を加熱処理して、融着接続部Ａ周辺においてガラスファイバ１１，２１に添加されている添加物を拡散させる添加物拡散工程を行う（図１（ｅ））。 - 特許庁

Upon this process, the solution inside the mixing flow channel 146 is irradiated with microwaves from a microwave generator 160, so as to increase the diffusion speed of the molecules of the solutions inside the mixing channel 146 to efficiently promote the mixture and the chemical reaction accompanying the mixture.例文帳に追加

このとき、マイクロ波発生器１６０からのマイクロ波がミキシング流路１４６内の溶液に照射されるので、ミキシング流路１４６内における溶液の分子の拡散速度を増大させて混合及び混合に伴う化学反応を効率的に促進できる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a capacitive element excellent in ferroelectric characteristics by preventing plug oxidation in, and by preventing iridium diffusion into, a capacitor dielectric film in the process of capacitor dielectric film crystallization for a stacked type capacitive element.例文帳に追加

スタック型容量素子においてキャパシタ誘電体膜の結晶化過程におけるプラグの酸化を防止するとともに、キャパシタ誘電体膜へのイリジウムの拡散を防止し、優れた強誘電体特性を有する容量素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a production method of neodymium magnet which allows for material cost reduction while increasing the coercive-force of magnet and production cost reduction by reducing thermal energy in the grain boundary diffusion process, and to provide a neodymium magnet produced by this method.例文帳に追加

磁石保磁力を高めながら材料コスト低減を図ることができ、粒界拡散過程における熱エネルギを少なくして製造コスト低減も図ることのできるネオジム磁石の製造方法と、この方法によって製造されたネオジム磁石を提供する。 - 特許庁

The processing liquid is a processing liquid for a planographic printing plate utilizing a silver complex salt diffusion transfer process containing at least proteolytic enzyme and metal ion chelating agent, in which the proteolytic enzyme and the metal ion chelating agent are separated.例文帳に追加

タンパク質分解酵素と金属イオンキレート剤を少なくとも含有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版の処理液において、前記タンパク質分解酵素と前記金属イオンキレート剤とが分離されていることを特徴とする処理液。 - 特許庁

Therefore, when the impurity region 132 is subjected to heat treatment process after ion implantation, the occurrence of potential decline in the readout gate section 140 is suppressed, and the blooming of the section 140 can be prevented so that the thermal diffusion in the impurity region 132 does not effect the gate section 140.例文帳に追加

したがって、Ｎ^- 型不純物領域１３２をイオン注入して熱工程にかける際に、熱拡散の影響が読み出しゲート部１４０に及ばないようにし、読み出しゲート部１４０のポテンシャル低下を抑制し、この部分のブルーミングを防止する。 - 特許庁

The delay time calculating device is provided with a resistance capacity specification part 25 which specifies source resistance and diffusion capacity before process fluctuation at the gate as an object of delay time calculation and specifies the wiring resistance and wiring capacity of wiring connected with the gate after the process fluctuation and calculates the delay time of the gate on the basis of the specification contents by the resistance capacity specification part 25.例文帳に追加

遅延時間計算対象のゲートにおけるプロセス変動前のソース抵抗と拡散容量を特定するとともに、そのゲートに接続されている配線のプロセス変動後の配線抵抗と配線容量を特定する抵抗容量特定部２５を設け、その抵抗容量特定部２５による特定内容に基づいて当該ゲートの遅延時間を計算する。 - 特許庁

When forming a source region 24 and a drain region 25 of an NMOS transistor 20 formed on the same silicon substrate 30 along with the NPN transistor 10, a high-concentration region 15 can be formed in the same process, thus excluding an exclusive diffusion process for forming the high-concentration region 15, and manufacturing a semiconductor device 1 with a small number of processes.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタ１０と共に同一シリコン基板３０上に形成されるＮＭＯＳトランジスタ２０のソース領域２４およびドレイン領域２５を形成する際同一工程で高濃度領域１５を形成することができるので、高濃度領域１５を形成するための専用の拡散工程を省き、少ない工程数で半導体装置１を製造することができる。 - 特許庁

This semiconductor device manufacturing method is composed of a process wherein the collector region is formed from the first conductivity type semiconductor substrate 1, and a process wherein the first conductivity type emitter region 6 is formed in the vicinity of the surface of the impurity diffusion layer 5 using a side wall 4 as a mask.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１からコレクタ領域を形成する工程と、前記コレクタ領域の表面近傍に、配線３をマスクとして第２導電型の不純物拡散層５を形成する工程と、前記不純物拡散層５の表面近傍に、サイドウオール４をマスクとして第１導電型のエミッタ領域６を形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。 - 特許庁