「diffusion process」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A film formation method for forming a Cu film on a substrate to be treated comprises a first process of forming a contact film on the Cu diffusion prevention film formed on the substrate to be treated, and a second process of forming the Cu film on the contact film containing Pd.例文帳に追加

被処理基板上にＣｕ膜を成膜する成膜方法であって、前記被処理基板上に形成されたＣｕ拡散防止膜上に密着膜を形成する第１の工程と、前記密着膜上にＣｕ膜を成膜する第２の工程と、を有し、前記密着膜はＰｄを含むことを特徴とする成膜方法。 - 特許庁

The high refractive index part 10 used for performing the propagation of light after being connected to the optical fiber is formed by performing a first ion exchange process (b), and then performing infiltration and diffusion of ions in a second ion exchange process (c) comprising dipping the glass plate 1 into a molten salt 60 free from ions capable of increasing the refractive index and, heating.例文帳に追加

光ファイバを接続して光の伝播を行う高屈折率部１０は、第１のイオン交換工程（ｂ）を行った後に、屈折率の上昇に寄与するイオンを含有しない溶融塩６０の中にガラス基板１を浸して加熱する第２のイオン交換工程（ｃ）により侵攻，拡散させて形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of a solar battery cell includes: a process in which the aqueous phosphoric acid solution is jetted against the surface of a semiconductor substrate; and a process in which the semiconductor substrate on which the aqueous phosphoric acid solution is jetted is heated so that n-type impurities are diffused in the semiconductor substrate to form an n-type impurity diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板の表面にリン酸水溶液を噴霧する工程と、リン酸水溶液が噴霧された半導体基板を加熱することにより半導体基板にｎ型不純物を拡散させてｎ型不純物拡散層を形成する工程とを含む太陽電池セルの製造方法である。 - 特許庁

To obtain a semiconductor wafer heat-treating device which can prevent the occurrence of the thickness fluctuation of a film or the depth nonuniformity of a diffusion layer when the film or layer is formed on a semiconductor wafer by controlling the temperature in a process tube so that the temperature may become uniform.例文帳に追加

プロセスチューブ内の温度を均一になるように制御して、ウェハの成膜処理や拡散処理において膜厚のばらつきや拡散層の深さの不均一の発生を防止できる半導体ウェハの熱処理装置を得る。 - 特許庁

High-temperature surface layer water of a reservoir is pumped up by a storage pump 1, an acid is added in an adequate amount to the pumped water to adjust the pH to 4-6, and the obtained acidic water is returned to the surface layer of the reservoir to make the pH of the surface layer water neutral or weak acidic in the process of mixing diffusion.例文帳に追加

酸を添加するには、表層のｐＨをｐＨ計6 で測定し、ｐＨ調節計2 の信号によりポンプあるいはバルブよりなる酸調整装置3 を制御し、酸を混合槽4 へ供給して水と混合する。 - 特許庁

In a process (b), after forming a TiSi film 5 on the surfaces of the diffusion layer 3 and the gate electrode 4, an oxide film 6 is formed over the whole of the surfaces of the TiSi film 5 and the insulation film 2 to expose to the external the surface of the gate electrode 4 by polishing the oxide film 6.例文帳に追加

工程（ｂ）で、拡散層３及びゲート電極４の表面にＴｉＳｉ膜を形成し、該表面全体に酸化膜６を形成し、酸化膜６を研磨してゲート電極４の表面を露出させる。 - 特許庁

After the temperature of the semiconductor wafer reaches approximately 1,200°C, the wafer is fixed at the stopped position, and oxidation or diffusion process is carried out, while stopping feeding of nitrogen gas and instead, feeding oxygen gas (O2) to the semiconductor wafer.例文帳に追加

そして、半導体ウエハの温度が約１２００゜Ｃに達した後は、停止位置に固定した状態で、窒素ガスの供給を停止し、代わりに酸素ガス（Ｏ2）を半導体ウエハに供給しながら、酸化または拡散処理を行う。 - 特許庁

To solve the problem of a two chamber process ion exchange membrane type electrolytic cell using a gas diffusion electrode that the liquid pressure of an anode chamber is different according to liquid depth, and the liquid pressure is applied to an anode and an ion exchange membrane, and these members are apt to be damaged and deformed.例文帳に追加

ガス拡散電極を使用する２室法イオン交換膜型電解槽では陽極室の液圧が液深によって異なり、この液圧が陽極やイオン交換膜に加わり、これらの部材の損傷や変形を招き易い。 - 特許庁

To solve the problem in generation of peeling and crack which are generated in the CMP process to form damascene and in the heat cycle, by eliminating mismatch of dynamics characteristic among inorganic system insulation films used for copper diffusion preventing layer, wiring layer and via layer.例文帳に追加

銅拡散防止層と配線層、ビア層に用いられる無機系絶縁膜間の力学特性のミスマッチを解消し、ダマシン形成におけるＣＭＰ工程やヒートサイクル時に生じる剥離、亀裂発生などの問題点を解決する。 - 特許庁

To provide a vertical type insulated gate field effect transistor reduced in the number of manufacturing process compared with that of a conventional field effect transistor, without increasing the rate of an area occupied by the chip of a bidirectional Zener diode formed in the same chip by the shape of a diffusion layer as the protective diode of a power MOSFET.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴの保護用ダイオードとして同一チップに拡散層で形成される双方向ツェナーダイオードのチップに占める面積割合を増加させずに従来より製造工程数を低減させる。 - 特許庁

This method of manufacturing an impeller with a shroud includes a process step of splitting an impeller with a shroud into a member 5 on the outer diameter side and another member 6 on the inner diameter side and processing each member 5 and 6 into a predetermined shape respectively, and a junction step of diffusion-joining the members after the processing.例文帳に追加

シュラウド付インペラーを外径側部品５と内径部側部品６とに分割してそれぞれ所定の形状に加工する加工工程と、加工後の両部品を拡散接合する接合工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a method for producing a particulate aggregate with an ordered structure produced in the initial stage of aggregation in a diffusion-limited aggregation process at a high concentration, and to provide a particulate aggregate obtained by the production method.例文帳に追加

拡散律速凝集過程において、凝集の初期過程で生成する秩序構造を有する微粒子集合体を高濃度で製造する方法と、その製造方法によって得られる微粒子集合体を提供する。 - 特許庁

According to the method, the shape of a resist pattern being formed on an wafer can be predicted by numerical simulation without requiring any preliminary measurement or experiment for predicting diffusion phenomenon of acid in the heating process of resist following to exposure.例文帳に追加

この結果、レジスト露光後加熱の工程における酸の拡散現象を予測するために予備的な実測実験を行なうことなく、ウェーハ上に形成されるレジストパターン形状を数値シミュレーションにより予測することができる。 - 特許庁

To provide a substrate for a display which can prevent abnormal operation of the device due to thermal diffusion of movable ions and prevent decrease in the life of the element due to electrification of the substrate even when the substrate is manufactured in a high temperature manufacture process.例文帳に追加

高温製造プロセスで製造される場合であっても、可動イオンの熱拡散による素子の動作異常を防止し、且つ基板の帯電による素子寿命の低下を防止することができるディスプレイ用基板を提供する。 - 特許庁

Because the adhesion transition layer exists between the upper low-k dielectric layer and the diffusion barrier cap dielectric layer, the possibility that the layers in the interconnection structure are separated in a packaging process is reduced.例文帳に追加

上部低誘電率（low-k)誘電体層と拡散障壁キャップ誘電体層との間に接着遷移層が存在するから、パッケージング工程の間に相互接続構造体が離層する機会を低減させることが可能になる。 - 特許庁

An electromagnetic absorbing material includes a conductive carbon material containing layer, and a plurality of independent pattern which is desirably formed by a diffusion transferring process, formed by a metal.例文帳に追加

導電性炭素材料含有層と金属で形成された複数の独立したパターンを含むことを特徴とする電磁波吸収材料であって、好ましくは、当該パターンが、拡散転写法によって形成されたことを特徴とする。 - 特許庁

To improve processing accuracy, to reduce processing time and to suppress the diffusion of solvent components inside and outside an apparatus by efficiently sticking solvent vapor to the surface of a resist pattern without using an ultraviolet irradiation process.例文帳に追加

紫外線照射処理を行わずに、レジストパターンの表面に溶剤蒸気を効率よく付着させて、処理精度の向上を図ると共に、処理時間の短縮を図り、かつ、溶剤成分の装置内外への拡散を抑制すること。 - 特許庁

First and second low concentration diffusion layers 104-2 and 104-3 which are worked as the field alleviating layer and the gate electrode 111 are formed so that a first insulating pattern 102 is used in a self-alignment process manner as a common mask.例文帳に追加

電界緩和層として働く第１及び第２の低濃度拡散層１０４−２、１０４−３と、ゲート電極１１１とは、共に、第１の絶縁膜パターン１０２を共通のマスクとして自己整合的に形成される。 - 特許庁

To provide a substrate for display, which is capable of preventing occurrence of abnormality in an element caused by thermal diffusion of movable ions even when it is produced by a high temp. process and preventing lowering of the life of the element caused by electrification of the substrate.例文帳に追加

高温製造プロセスで製造される場合であっても、可動イオンの熱拡散による素子の異常を防止し、且つ基板の帯電による素子寿命の低下を防止することができるディスプレイ用基板を提供する。 - 特許庁

To provide a low resistance wiring layer structure that is not only high in adhesion with respect to a base substrate of a semiconductor substrate or a glass substrate, but is also superior in diffusion barrier characteristics to the base substrate, as well as, in resistance to hydrogen plasma, and to provide a process for manufacture thereof.例文帳に追加

半導体基板又はガラス基板の下地基板に対する密着性が高く、下地基板への拡散バリア性に優れ、かつ水素プラズマ耐性に優れた低抵抗な配線層構造、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern defect detection device that detects a fluorescent image, a diffusion light image, and a reflection light image of a substrate formed by laminating dry films so as to easily detect various defects occurring in an exposure process.例文帳に追加

ドライフィルムが積層された基板の蛍光イメージと散乱光イメージ、そして反射光イメージをさらに検出して、露光工程で発生する様々な欠陥を容易に検出できるようにしたパターン欠陥検出装置を提供する。 - 特許庁

As a gate region is formed of an N+ diffusion layer 11 located under a channel region 14, the surface of the channel region 14 is restrained from increasing in surface roughness by a flattening process, and a thin film transistor is restrained from deteriorating in driving capacity.例文帳に追加

ゲート領域が、チャネル領域４の下にあるｎ^+ 拡散層１１によって形成されているので、平坦化プロセスによってチャネル領域１４の表面粗さが大きくならず、薄膜トランジスタの駆動能力の低下を抑制する。 - 特許庁

As a mixing process, a PTFE emulsion is added as a water-repellent resin 4 to the container, and mixing is carried out using the rotating and revolving mixer again (step S3) so as to obtain the water-repellent paste 1 for the gas diffusion layer.例文帳に追加

そして、混合工程として、この容器に、撥水性樹脂４としてのＰＴＦＥエマルジョンを添加し、再び自転公転ミキサーを用いて混合を実施することによって（ステップＳ３）、ガス拡散層用撥水ペースト１が得られる。 - 特許庁

A manufacturing method is provided with a reduction process for reducing an aspect ratio of a partial region between gate electrodes and diffusion layers made to be lower than that of a region, except for the partial region between the gate electrodes, prior to the formation of an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜を形成する前に、ゲート電極間かつ拡散層間の一部領域のアスペクト比を、このゲート電極間のこの一部領域以外の領域のアスペクト比より低減させる低減工程を備える。 - 特許庁

Then, before the formation of a second insulating film 19, a metal diffusion preventive layer 16 which is on the first insulating layer 11 and is unintentionally generated due to partially selective breakage, or remaining metal ions 17 or the like is removed through CMP process.例文帳に追加

その後、第２の絶縁膜１９形成前に、第１の絶縁膜１１上に存在する部分的選択破れにより意図せず生じた金属拡散防止膜１６や、残留金属イオン１７等を除去するＣＭＰ工程をする。 - 特許庁

To provide a method of forming metal wiring with which unit cost of production is reduced and device characteristics are improved by reducing steps of forming a barrier film for copper diffusion in forming copper (Cu) wiring with a dual damascene process.例文帳に追加

本発明は、デュアルダマシン(Dual Damascene)工程で銅(Cu)配線形成時、銅の拡散防止膜の製造工程を減らすことにより生産単価を減らし、デバイスの特性を改善させる金属配線形成方法の提供を目的とする - 特許庁

To provide a processing method which raises the hydrophilic property of non-imaging part without spoiling oleophilic property of image silver and improves ink dirt of non-imaging part, in a processing method of lithographic printing plate using silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

銀錯塩拡散転写法を利用する平版印刷版の処理方法において、画像銀の親油性を損なうことなく非画像部の親水性を向上させ、非画像部のインキ汚れを改善する処理方法を提供すること。 - 特許庁

A polymer binder containing fine powder of a water repellent organic fluorine compound polymer is mixed with carbon black powder, and the resulting mixture is applied onto a carbon fiber nonwoven fabric and solidified by hot press to produce a porous diffusion layer 2 (preparation process).例文帳に追加

撥水性の有機フッ素化合物ポリマーの微粉末を含む高分子バインダーとカーボンブラック粉末とを混合し、カーボン繊維の不織布に塗布した後、ホットプレス法によって固めて多孔質の拡散層２を得る（準備工程）。 - 特許庁

A water-repellent layer film is installed at a back face side of an electrode base material 11 in spreading slurry of catalyst particles 14 and fluoride resin particles 15 on the electrode base material 11 at an absorption and filtration step of a gas diffusion electrode manufacturing process.例文帳に追加

ガス拡散電極製造工程の吸引濾過工程で電極基材１１上に触媒粒子１４及びフッ素樹脂粒子１５のスラリーを展開する際に、電極基材１１の背面側に撥水層膜を設置する。 - 特許庁

To provide a capacitive element having a ferroelectric film capable of preventing oxidation of a plug in a process for crystallizing a capacitor dielectric film in a stacked capacitive element, and preventing diffusion of iridium to the capacitor dielectric film.例文帳に追加

強誘電体膜を有する容量素子に関し、スタック型容量素子においてキャパシタ誘電体膜の結晶化過程におけるプラグの酸化を防止するとともに、キャパシタ誘電体膜へのイリジウムの拡散を防止すること。 - 特許庁

In the method, an impurity ion is implanted to a silicon substrate 11, thus manufacturing a semiconductor device with a process for forming the diffusion layer of source or drain region 25 or 19.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１１に不純物イオンを注入することにより、ソース領域２５又はドレイン領域１９の拡散層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its fabricating method in which a contact can be made easily in a diffusion layer located between gate electrodes of relatively narrow interval without short-circuiting the gate electrode even when a salicide process is employed.例文帳に追加

サリサイドプロセスを用いた場合でも、ゲート電極とショートすることなく、比較的間隔の狭いゲート電極の相互間に位置する拡散層に容易にコンタクトをとることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To resolve the problem that conventionally polycrystalline silicon transistor which requires heat treatment process at a high temperature for the formation of source and drain regions, and that it is difficult to form a minute transistor due to diffusion of impurities from the source and drain regions.例文帳に追加

多結晶シリコントランジスタは、ソースおよびドレイン領域の形成のために高温の熱処理工程を必要とし、ソースおよびドレイン領域からの不純物拡散により微細なトランジスタを形成することが困難である。 - 特許庁

To solve the problem that, in a two chamber process ion exchange membrane type electrolytic cell using a gas diffusion electrode, the liquid pressure of an anode chamber is different according to liquid depth, and the liquid pressure is applied to an anode and an ion exchange membrane, and easily causes the damage and deformation of these members.例文帳に追加

ガス拡散電極を使用する２室法イオン交換膜型電解槽では陽極室の液圧が液深によって異なり、この液圧が陽極やイオン交換膜に加わり、これらの部材の損傷や変形を招き易い。 - 特許庁

To provide a light diffusion sheet which does not break together with a film unlike glass even if stress is applied, constitutes no obstacle even in sheet cutting or another process and is excellent in heat resistance, light transmittance and light diffusivity.例文帳に追加

応力が加えられてもフィルムごとガラスのように割れることがなく、断裁加工等においても支障をきたさない、耐熱性に優れ、且つ光透過性及び光拡散性に優れる光拡散性シートを提供する。 - 特許庁

MEA for a fuel cell is manufactured by a process manufacturing the catalyst layer by mixing conductive carbon particles carried with at least the catalyst metal and the polymer electrolyte; a process forming a thin membrane of the produced catalyst layer; a process forming an assembly of a proton conductive electrolyte membrane and the catalyst layer by successively laminating a plurality of thin membranes on the proton conductive membrane, and a process joining a gas diffusion layer to the assembly.例文帳に追加

少なくとも触媒金属を担持した導電性炭素粒子と高分子電解質とを混合し触媒層を製造する工程と、作製された触媒層を薄膜化する工程と、その薄膜の複数枚をプロトン伝導性電解質膜の上に順次積層することによりそのプロトン伝導性電解質膜と触媒層との接合体を形成する工程と、その接合体にガス拡散層を接合する工程とにより燃料電池用ＭＥＡを作製する。 - 特許庁

In this case, the method has a process that forms a diffusion layer region 14 at a position where the periphery of a resist pattern 21a is crossed, a process that forms the resist pattern 21 a for covering one of the source and drain regions 25 and 19, and a process that uses the resist pattern 21a as a mask for implanting the impurity ion to the silicon substrate 11.例文帳に追加

この製造方法は、シリコン基板１１において後記レジストパターン２１ａの周囲が横切るような位置に拡散層領域１４を形成する工程と、ソース領域２５及びドレイン領域１９のいずれか一方を覆うレジストパターン２１ａを形成する工程と、前記レジストパターン２１ａをマスクとしてシリコン基板１１に不純物イオンを注入する工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The barrier layers 131, 133 containing the material having the melting point higher than the glass transition temperature of the insulation substrate 101 is formed to cover the metal layers 111, 131, thereby preventing the diffusion in a high-temperature process and preventing deterioration of the metal wiring.例文帳に追加

絶縁基板１０１のガラス転移点より高い融点を有する物質を含む障壁膜１３１、１３３を金属膜１１１、１３１を覆うように形成することで、高温プロセスでの拡散を防止し、金属配線の劣化を防止する。 - 特許庁

To obtain a wafer in which fluctuations in transistor characteristics are reduced by preventing the diffusion into silicon of Cu produced by a heat treatment such as a Cu interconnection forming process and a manufacturing method therefor, as well as to obtain a semiconductor device formed of the same wafer.例文帳に追加

Ｃｕ配線形成工程などの熱処理により発生するＣｕのシリコン中への拡散を防止してトランジスタ特性の変動を少なくさせたウェーハ及びその製造方法、このウェーハから形成された半導体装置を提供する。 - 特許庁

Reductones are incorporated into a planographic printing plate material having at least a silver halide emulsion lager and a physical developing nucleus layer on the substrate and applying a silver complex salt diffusion transfer process to obtain the objective planographic printing plate material.例文帳に追加

支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷材料に於て、該平版印刷版にレダクトン類を含有させることを特徴とする平版印刷材料。 - 特許庁

To provide a technology for properly controlling a threshold by adopting a material suitable for a gate electrode of each of MOS structures with different thresholds, and for preventing diffusion from the gate electrode to a channel region from being conspicuous without complicating a manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセスを煩雑にすることなく、閾値が異なるＭＯＳ構造のそれぞれのゲート電極に適した材料を採用して閾値を適切に制御でき、かつゲート電極からチャネル領域への拡散を顕著としない技術を提供する。 - 特許庁

The irradiation with the exposure light in the exposure process is performed by arranging louvers between the exposure light source of the exposure light and the lenticular lens of the light transparent substrate in such a manner that the diffusion angle of the exposure light attains ≥±2 to ≤15°.例文帳に追加

本発明においては、露光工程における露光光線の照射を、露光光線の露光光源と光透過性基板のレンチキュラーレンズとの間に、露光光線の拡散角が±２°以上±１５°以下となるようにルーバーを配置して行う。 - 特許庁

To provide the treating method of a planographic printing plate, with which lowering of ink deposition property, occurring in printing after the lapse of long time since a planographic printing plate applying a silver complex salt diffusion transfer process has been made, is improved.例文帳に追加

本発明の目的は、銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版を製版してから長時間経過した後に印刷する際、発生するインキ乗り性の低下を改善する平版印刷版の処理方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a high-luminance and inexpensive light-emitting diode, that uses a metal oxide-based transparent conductive film as current diffusion film, and suppresses increase of the resistance of the transparent conductive film in an electrode-forming process.例文帳に追加

電流分散膜として金属酸化物系透明導電膜を用いる構造の発光ダイオードにおいて、電極形成プロセスでの金属酸化物系透明導電膜の高抵抗化を抑止して、高輝度で低価格な発光ダイオードを得ること。 - 特許庁

In the planographic printing plate having on a support at least an undercoat layer, a silver halide emulsion layer and a physical developing nucleus layer and applying a silver complex diffusion transfer process, an aqueous urethane resin is contained on the side on which a silver image is formed.例文帳に追加

支持体上に少なくとも下塗り層、ハロゲン化銀乳剤層、および物理現像核層有する銀錯体拡散転写法を応用した平版印刷板において、銀画像を形成する側に水系ウレタン樹脂を含有する平版印刷版。 - 特許庁