「diffusion process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR FORMING FINE PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE BY MEANS OF DOUBLE PATTERNING PROCESS UTILIZING ACID DIFFUSION例文帳に追加

酸拡散を利用するダブルパターニング工程による半導体素子の微細パターン形成方法 - 特許庁

A sheet forming process to form a sheet 400 mainly composed of the carbon fibers, and a gas diffusion electrode forming process to form the gas diffusion electrode based on the sheet 400 formed in the sheet forming process are carried out.例文帳に追加

カーボン繊維を主要成分とするシート４００を形成するシート形成工程工程と、シート形成工程で形成したシート４００に基づいてガス拡散電極を形成するガス拡散電極形成工程とを実施する。 - 特許庁

A collector 12, that is, a metal lath MR as a gas diffusion layer for fuel cell is formed by going through a first process and a second process.例文帳に追加

燃料電池用ガス拡散層としてのコレクタ１２すなわちメタルラスＭＲは、第１工程と第２工程を経て成形される。 - 特許庁

To prevent image flow of the silver slat in the DTR (silver complex diffusion transfer reversal) process in an aluminum lithographic printing material of an inner diffusion transfer method and to improve the image reproducibility of the printing plate.例文帳に追加

内部拡散転写方式のアルミニウム平版印刷材料でＤＴＲ銀の像流れを防止し、印刷版の画像再現性を向上する - 特許庁

To provide the manufacturing method of a fuel cell gas diffusion medium omitting a resin impregnation process of a fiber mat; the diffusion medium manufactured by this method; and the manufacturing method of the fuel cell gas diffusion medium equipped with the diffusion medium.例文帳に追加

繊維マットを樹脂で含浸する工程を省略する燃料電池拡散媒体の製造方法、その方法により製造された拡散媒体、及びそのような拡散媒体を具備する燃料電池ガス拡散媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method of a gas diffusion layer contains a process where a polymer thin membrane 2 is arranged on a gas diffusion substrate 1, they are heated at a melting temperature or higher of the polymer thin membrane 2, and at the same time, the polymer thin membrane 2 and the gas diffusion substrate 1 are pressed to form the gas diffusion layer 7.例文帳に追加

高分子薄膜２をガス拡散基材１上に配して、高分子薄膜２の溶融温度以上に加熱しながら、高分子薄膜２とガス拡散基材１を加圧してガス拡散層７を形成する工程を有する。 - 特許庁

With it, when used in the bulk silicon process, the diffusion layer as the diffusion layer for body tie can be used as a diffusion resistance, because an insulating oxide film causes the diffusion layer to be isolated completely from a transistor element or a substrate on an SOI device.例文帳に追加

これによってバルクシリコンプロセスに使用した際には、ボディータイ用拡散層であった拡散層は、ＳＯＩデバイス上では絶縁酸化膜によりトランジスタ素子や基板と完全に分離されるため拡散抵抗として使用できるようになる。 - 特許庁

A method for printing the image comprises the first process wherein the image of the latent image with a fluorescent dye is formed by thermal diffusion transfer, and the second process wherein the visible dye is formed on the image of the latent image by the thermal diffusion transfer.例文帳に追加

熱拡散転写により蛍光染料の潜像画像を形成する第１工程と、前記潜像画像上に可視染料を熱拡散転写する第２工程を有する印画方法。 - 特許庁

A diffusion barrier layer formation process (step S6) is performed after a free layer formation process (step S5), and an oxide layer (diffusion barrier layer) is formed only on the surface of the free ferromagnetic layer by oxidizing an oxygen radical.例文帳に追加

自由層形成工程（ステップＳ５）の後に拡散バリア層形成工程（ステップＳ６）を行い、酸素ラジカルの酸化によって、自由強磁性層の表面にのみ、酸化層（拡散バリア層）を形成する。 - 特許庁

The method includes a diffusion plane formation process wherein a diffusion plane 3 is formed on a first plane of the translucent substrate 1S, and a mark formation process wherein a mark 2 is formed on a second plane of the translucent substrate 1S.例文帳に追加

該方法は、光透過性基板１Ｓの第１面に拡散面３を形成する拡散面形成工程と、光透過性基板１Ｓの第２面にマーク２を形成するマーク形成工程とを含む。 - 特許庁

Then, the second thermal diffusion process is executed for more deeply thermally diffusing boron, which is thermally diffused inside the monocrystalline silicon wafer 1 by the first thermal diffusion process, inside the monocrystalline silicon wafer 1.例文帳に追加

次に、前記第１の熱拡散工程により前記シリコン単結晶基板１内に熱拡散されたボロンを該シリコン単結晶基板１内により深く熱拡散させる第２の熱拡散工程を行う。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a process for forming a source/drain diffusion layer on a semiconductor substrate, a process for performing the hydrogenation treatment of a substrate surface including the source/drain diffusion layer, and a process for performing the dehydrogenation treatment of the substrate surface that has been subjected to hydrogenation treatment.例文帳に追加

半導体基板上にソース・ドレイン拡散層を形成する工程と、ソース・ドレイン拡散層を含む基板表面を水素化処理する工程と、前記水素化処理された基板表面を脱水素処理する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a development cartridge, a process cartridge and an image formation apparatus for suppressing the diffusion of developer.例文帳に追加

現像剤の拡散が抑制され得る現像カートリッジ、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A contact hole already formed on a diffusion layer for body tie, when used in a bulk silicon process, is removed.例文帳に追加

バルクシリコンプロセスに使用した際にボディータイ用拡散層上に形成されていたコンタクト孔を削除する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion electrode which allows easy gas-liquid sealing with an electrode pan and a process for producing the same.例文帳に追加

電極パンとの間で気液シールが容易なガス拡散電極及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When gettering is performed under a high temperature, a diffusion process is accelerated but the gettering efficiency is low.例文帳に追加

しかし、高温でゲッタリングを行なうと、拡散プロセスの速度は促進されるが、ゲッタリング効率は低い。 - 特許庁

Ion implantation process for implanting heavily impurities which are low in diffusion coefficient within a substrate is carried out.例文帳に追加

重くて基板内の拡散係数が低い不純物を注入するイオン注入工程が実施される。 - 特許庁

There are provided a process of forming ion implantation control openings 13-14 which mutually align diffusion layer formation regions 7-9, an ion implantation mask layer forming process for forming ion implantation openings 29 and 30 for each diffusion layer; and a diffusion layer forming process in which an impurity element is ion-implanted through the ion implantation openings to form diffusion layers.例文帳に追加

各拡散層形成領域７〜９を相互に位置決めするイオン注入制御開口部１３〜１４を形成する工程を施した後に、各拡散層毎にイオン注入開口部２９，３０を形成するイオン注入マスク層形成工程と、各イオン注入開口部から不純物元素をイオン注入して各拡散層を形成する拡散層形成工程を実施する。 - 特許庁

The manufacturing method of the membrane electrode assembly for a fuel cell includes (a) a process of forming a gas diffusion layer powder for forming a gas diffusion layer with the use of a conductive member, (b) a process of forming a catalyst layer on an electrolyte membrane, and (c) a process of forming the gas diffusion layer by depositing the gas diffusion layer powder on the catalyst layer.例文帳に追加

燃料電池用の膜電極接合体の製造方法は、（ａ）ガス拡散層を形成するためのガス拡散層用粉体を、導電性部材を用いて生成する工程と、（ｂ）電解質膜上に触媒層を形成する工程と、（ｃ）前記触媒層上に前記ガス拡散層用粉体を堆積させてガス拡散層を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

This determination method is characterized in generating diffusion data spatially resolved in the order of time and variously diffusion-encoded from object volume elements under the consideration of control data for the various diffusion encodings for determining the coefficient of the diffusion tensor by the magnetic resonance for describing a diffusion process in an object.例文帳に追加

対象内における拡散プロセスを描出するための磁気共鳴による拡散テンソルの係数を決定するために、対象のボリューム要素から、種々の拡散エンコーディングのための制御データの考慮のもとに時間順に空間分解され種々に拡散エンコーディングされた拡散データが発生される。 - 特許庁

Since the diffusion factor of arsenic (As) is small when compared with that of phosphorus (P), impurity diffusion (profile diffusion) by heat treatment in the manufacturing process is suppressed significantly when compared with a phosphorus-doped substrate by prior art.例文帳に追加

これによって、砒素（Ａｓ）の拡散係数がリン（Ｐ）に比べて小さいことから、従来手法によるリンドープ基板に比べて製造工程における熱処理による不純物拡散（プロファイル拡散）を大幅に抑制する。 - 特許庁

When boron doping apparatus is operated using a high-temperature process that typically accelerates boron diffusion, a silicon nitride film inhibits the boron diffusion in the apparatus.例文帳に追加

窒化ケイ素膜は、ホウ素拡散を通例促進する高温処理作業を使用してホウ素ドープ装置を処理するとき、そのような装置におけるホウ素拡散を抑制する。 - 特許庁

Next, in a diffusion process, semiconductor impurities are diffused on a surface of one side in a thickness direction of the semiconductor wafer 2 on which the diffusion prevention film 7 is formed.例文帳に追加

次に、拡散工程で、前記拡散防止膜７が形成された半導体ウエハ２の厚み方向一方側の表面部に、半導体不純物を拡散させる。 - 特許庁

To provide a composition for forming a p-type diffusion layer, which allows formation of a p-type diffusion layer without causing internal stress in a silicon substrate and warpage of the substrate during the step of producing a solar battery cell using the silicon substrate, to provide a process for forming a p-type diffusion layer, and to provide a process for producing a solar battery cell.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくｐ型拡散層を形成するｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

The manufacturing method of the fuel cell diffusion layer includes a coating process S102 in which a first coating liquid is coated and impregnated into a fuel cell diffusion layer base material and a coating process S106 in which a pre-foamed second coating liquid is coated and impregnated into one surface side of the fuel cell diffusion layer base material.例文帳に追加

燃料電池拡散層用基材に第１の塗工液を塗布し、含浸させる第１の塗工工程Ｓ１０２と、燃料電池拡散層用基材の一方面側に、予め発泡させた第２の塗工液を塗布し、含浸させる第２の塗工工程Ｓ１０６と、を含む。 - 特許庁

The very shallow impurity diffusion layer is formed by conducting an annealing process using RLSA plasma, after performing carrying out ion implantation process at low energy.例文帳に追加

極浅の不純物拡散層は、低エネルギーでのイオン打ち込み工程の後、ＲＬＳＡプラズマを用いたアニール工程を行うことにより形成される。 - 特許庁

To provide a substrate processing system in which a process using copper and a process not using copper can be carried out in parallel using a single system while suppressing the diffusion of copper.例文帳に追加

１台の装置で銅の拡散を抑制して銅使用プロセスと銅不使用プロセスとを並行して行うことができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

In a binarization process, the error diffusion process is carried out for divided data D8c/2 of C, and binary (dot) data D2c1 for a first pass of C is obtained.例文帳に追加

２値化処理では、Ｃの分割データＤ８ｃ／２について誤差拡散処理がなされ、Ｃの１パス目用の２値（ドット）データＤ２ｃ１が求められる。 - 特許庁

To provide a high-voltage transistor whose source/drain diffusion region can become a double diffusion drain junction structure, without forming a space oxide film by using a silicon nitride film as a protection film at impurity implantation, and for which the source/drain diffusion region of a more stabilized double diffusion structure can be formed by a one-time pattern process and an ion implantation process.例文帳に追加

高電圧用トランジスタの製造方法においてシリコン窒化膜を不純物注入時に防護膜とすることによってスペース酸化膜を形成しなくてもソース／ドレイン拡散領域を二重拡散ドレインジャンクション構造とし一度のパターン工程及びイオン注入工程により安定した二重拡散構造のソース／ドレイン拡散領域を形成する。 - 特許庁

PRODUCTION OF IMAGE FORMING ELEMENT FOR MANUFACTURING IMPROVED PRINTING PLATE BY SILVER SALT DIFFUSION TRANSFER PROCESS例文帳に追加

銀塩拡散転写法に従って改良された印刷版を作製するための画像形成要素の製造法 - 特許庁

To develop a plate preventing lateral diffusion in the case of carrying out a thin-layer chromatography (TLC) process, and develop a method adaptable for quantitative / qualitative analyses of compounds such as docosahexaenoic acid (DHA).例文帳に追加

薄層クロマトグラフィーを行う際に、横方向に拡散しないプレートの開発を課題とする。 - 特許庁

A demodulator 20 analog-digital-converts the composite analog signal 320, and demodulates after an inverse diffusion process.例文帳に追加

復調部２０は、アナログ合成信号３２０をアナログ−デジタル変換して、逆拡散処理した後に、復調する。 - 特許庁

A cluster of adjacent pixels can be arranged at any position on a pixel grid in an error diffusion half-toning process.例文帳に追加

誤差拡散ハーフトーニングプロセスにおいて隣接画素のクラスタが画素グリッドの任意の位置に配置されることができる。 - 特許庁

Thereafter, a thermal oxidization process is applied to the semiconductor substrate 100, including the diffusion-preventing spacer 164a formed thereon.例文帳に追加

以後、拡散防止スペーサ１６４ａが形成された半導体基板１００に対して熱酸化工程を実施する。 - 特許庁

PRODUCTION OF IMAGE FORMING ELEMENT FOR MANUFACTURE OF IMPROVED PRINTING PLATE BY SILVER SALT DIFFUSION TRANSFER PROCESS例文帳に追加

銀塩拡散転写法に従って改良された印刷版を作製するための画像形成要素の製造法。 - 特許庁

To provide an n-type diffusion layer forming composition capable of forming an n-type diffusion layer in a specific part without forming an unwanted n-type diffusion layer, in a manufacturing process of a solar cell element using a silicon substrate, a method for manufacturing the n-type diffusion layer, and a method for manufacturing a solar cell element.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an n type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of an n type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the n type diffusion layer at a specific area without forming unnecessary n type diffusion layers in a manufacturing process of the solar cells using silicon substrates.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

The fuel cell electrode is manufactured through a diffusion layer preparing process S1 preparing the diffusion layer 1 having fluid permeation property and conductivity, a middle layer forming process S2 forming a middle layer 2 on one face of the diffusion layer 1, and a catalyst layer forming process S3 forming the catalyst layer 3 on the middle layer 2 by a transcription method.例文帳に追加

流体透過性と電気伝導性を有する拡散層１を準備する拡散層準備工程Ｓ１と、拡散層１の一方面に中間層２を形成する中間層形成工程Ｓ２と、中間層２の上に転写法により触媒層３を形成する触媒層形成工程Ｓ３によって燃料電池用電極を製造する。 - 特許庁

The method of forming the diffusion-preventive mask includes a process of forming a mask layer 2 to serve as the diffusion-preventive mask by coating a substrate 1 with mask ink containing a silicon compound by using an ink jet method and a process of baking the substrate 1 including the mask layer 2.例文帳に追加

インクジェット法を用いて、基板１上にシリコン化合物を含むマスクインクを塗布することにより、拡散防止マスクとなるマスク層２を形成する工程と、マスク層２を含む基板１を焼成する工程とを備えている。 - 特許庁

A process of preparing an electrolyte membrane 1 and gas diffusion layers 2, 3 and a jointing process of forming a membrane electrode junction 6 by pressuring in overlapped state the electrolyte membrane 1 and the gas diffusion layers 2, 3 through a catalyst layer are implemented.例文帳に追加

電解質膜１とガス拡散層２，３とを用意する工程と、電解質膜１とガス拡散層２，３とを触媒層を介して重ねた状態で加圧して膜電極接合体６を形成する接合工程とを実施する。 - 特許庁

The method for printing the image comprises the first process wherein the image with the visible dye is formed by thermal diffusion transfer, the second process wherein a dye receiving layer is transferred on the image, and the third process wherein the image of the latent image with a fluorescent image is formed on the dye receiving layer by the thermal diffusion transfer.例文帳に追加

熱拡散転写により可視染料による画像を形成する第１工程と、前記画像上に、染料受容層を転写する第２工程と、前記染料受容層上に熱拡散転写により蛍光染料の潜像画像を形成する第３工程とを有する、印画方法。 - 特許庁

To provide a diffusion system capable of stabilizing the density of a mixed gas within a short time, efficiently adjusting the cooling speed of a wafer subjected to a diffusion process, and stably exhausting waste gas.例文帳に追加

混合ガスの濃度を短時間内に安定化させ、拡散工程を経たウェーハの冷却速度を効率的に調節でき、廃ガスを安定的に排出できる拡散システムを提供する。 - 特許庁

The anti-diffusion region 22 is provided to have a thickness not smaller than a diffusion distance of the P type impurity from the collector region 11 toward the buffer region 12 in an element formation process.例文帳に追加

拡散防止領域２２は、素子形成プロセスにおいてコレクタ領域１１からバッファ領域１２側へＰ型不純物が拡散する距離以上の厚みで設けられている。 - 特許庁

To form silicon oxide films with different thicknesses on a p-type diffusion region and an n-type diffusion region formed on the same silicon layer without need of a complicated process.例文帳に追加

複雑なプロセスを必要とせずに、同一のシリコン層に形成されたｐ型拡散領域およびｎ型拡散領域に、それぞれ異なる膜厚でシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

To provide a simulation process in which limitations are eliminated, the limitation being that Gaussian diffusion kernels have the same diffusion length in the different directions in calibration of a resist model used in critical dimension (CD) calculation.例文帳に追加

最小寸法（ＣＤ）の計算で使用するレジスト・モデルの較正におけるガウシアン拡散カーネルが異なる方向に同じ拡散長を有する制限をなくしたシミュレーション・プロセスの提供。 - 特許庁