「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

The conductive diffusion layer 13 having a through-hole formed in a thickness direction covers a catalyst layer 12 for electrodes fitted at either side of an electrolyte film 11.例文帳に追加

導電性を有するとともに厚さ方向に貫通孔が形成され、電解質膜１１の両面に設けられた電極用の触媒層１２を被覆する拡散層１３である。 - 特許庁

To provide an adhesive means capable of joining permanently and firmly a catalyst layer and a gas diffusion layer in a membrane-electrode assembly for fuel cell.例文帳に追加

本発明は、燃料電池用膜電極複合体において、触媒層とガス拡散層とを永続的かつ強固に接合することができる接着手段を提供することを目的とする。 - 特許庁

An emitter extraction electrode 9 for burying the emitter opening 7a is provided, phosphor in the emitter extraction electrode 9 is diffused to the Si cap layer 5, and an emitter diffusion layer 5a is formed.例文帳に追加

エミッタ開口部７ａを埋めるエミッタ引き出し電極９が設けられ、エミッタ引き出し電極９中のリンがＳｉキャップ層５に拡散されてエミッタ拡散層５ａが形成されている。 - 特許庁

When the light-emitting element 100 is manufactured, a light-emitting layer 24 and the current diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductors are formed on a single-crystal substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００の製造に際し、単結晶基板上１に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element such that when the semiconductor element having a semiconductor layer containing a donor element is formed, diffusion of the donor element into an upper layer is suppressed.例文帳に追加

ドナー元素を含む半導体層を備えた半導体素子を形成する場合に、このドナー元素が上層に拡散することを抑制することができる半導体素子を提供する。 - 特許庁

To form a diffusion layer of oxygen and carbon on the surface of a titanium-based material without forming a layer of titanium oxide, by a single operation, without using a plasma vacuum furnace.例文帳に追加

プラズマ真空炉を使用することなく、単一の操作により、チタン系材料の表面に、チタン酸化物の層を形成することなく、酸素及び炭素の拡散層を形成する。 - 特許庁

The oxidation is carried out on an interface 17 between a laminar flow layer 14 of toluene and the photocatalyst 4, and on an interface 18 between a laminar flow layer 15 of water and the photocatalyst 4, by molecular diffusion.例文帳に追加

酸化反応は、層流のトルエン層１４と光触媒４の界面１７や、層流の水層１５と光触媒４の界面１８で、分子拡散により行われる。 - 特許庁

The LDD diffusion layer 107, which specifies the distance L between PN junctions, is formed on the surface layer of the semiconductor substrate 101 by ion implantation employing the gate electrode pattern 105 as a mask.例文帳に追加

ゲート電極パターン１０５をマスクにしたイオン注入によって、半導体基板１０１の表面層にＰＮ接合間距離Ｌを規定するＬＤＤ拡散層１０７を形成する。 - 特許庁

A method is also provided for the formation of shallow junctions in a semiconductor substrate by diffusion of dopant from an implanted layer contained within a dielectric layer into the semiconductor surface.例文帳に追加

ドーパントを、誘電体層の中に含まれる注入層から半導体表面に拡散させることにより、浅い接合部を半導体基板に形成する方法が提供される。 - 特許庁

A heavily doped diffusion layer 42 is formed to the surface layer of a terminal-section base region 40 by an ion implantation using an end on the cell-section side of the oxide film 10 as a mask and a heat treatment.例文帳に追加

酸化膜１０のセル部側の端部をマスクとするイオン注入および熱処理により終端部ベース領域４０の表面層に高濃度不純物拡散層４２を形成する。 - 特許庁

Second contacts 142 are formed in the same layer as the first contact 122 is formed, and is connected to the regions in the substrate 10 in which the second-conductive-type diffusion layer 130 is not formed.例文帳に追加

第２コンタクト１４２は第１コンタクト１２２と同一層に形成されており、基板１０のうち第２導電型拡散層１３０が形成されていない領域に接続している。 - 特許庁

The ratio of a flow rate of the N_2 to the inert gas is set at 0.06 to 0.13, or the concentration of N in the TaCN barrier layer is set at 12 to 30%, and the resistance and the copper diffusion preventive effect of the barrier layer are improved.例文帳に追加

Ｎ_２と不活性ガスの流量比率を0.06—0.13とし、または、TaCNバリア層におけるNの濃度を12％—30％にすることにより、バリア層の抵抗と銅拡散防止効果を改善する。 - 特許庁

The projecting compound 5 projects from the intermediate layer 3 having adequate adhesiveness with the bearing alloy layer 1, and has the superior adhesiveness to the intermediate layer 3 as well because of being formed by diffusion, so that the compound shows an anchoring effect and has the effect of preventing the soft layer 4 from peeling off.例文帳に追加

この凸状化合物５は、軸受合金層１との密着性が良い中間層３から凸状に延びると共に、拡散により中間層３との密着性も良いため、アンカー効果を発揮し、軟質層４が剥がれることを阻止する効果がある。 - 特許庁

This oxidation-resistant composite material is provided with a base 4, a dense glass layer 8 formed on the surface layer side of the base 4 and capable of suppressing diffusion of corrosive species, and a porous glass layer 10 constituting at least a part of the surface of the dense glass layer 8.例文帳に追加

基体４と、当該基体４の表層側に形成され腐食種の拡散を抑制可能な緻密質ガラス層８と、この緻密質ガラス層８の表面の少なくとも一部を構成する多孔質ガラス層１０と、を備える、耐酸化性複合材料とする。 - 特許庁

The catalyst layer 210 is formed as to be different in fiber weight ratio, that is a weight ratio of a fibrous substrate with respect to a base catalyst, between the electrolyte film 110 side of the catalyst layer 210 and the gas diffusion layer 220 side of the catalyst layer 210.例文帳に追加

この燃料電池の触媒層２１０は、触媒基材に対する繊維状物質の重量比である繊維重量比は、触媒層２１０の電解質膜１１０側と触媒層２１０のガス拡散層２２０側とで異なるように形成されている。 - 特許庁

By forming the layer 5 of impurity, having a larger diffusion constant than for the layer 3, the layer 5 can be formed on the layer 3 formed, in common with another element region without special mask alignment.例文帳に追加

埋め込みＮ＋層３よりも拡散定数の大きな不純物によってコレクタ層５を形成することにより、特別なマスク合わせを行うことなく、他の素子領域と共通に形成された埋め込みＮ＋層３上にコレクタ層５を形成することができる。 - 特許庁

In the reflective display element, viewing angle characteristics of reflectance is controlled by laminating a light diffuse reflection layer and a transmissive thin film layer equipped with a structure having a phase or an average period different from that of a light diffusion layer on the incident side of the light diffuse reflection layer.例文帳に追加

反射型表示素子において、光拡散反射層と、光拡散反射層の光入射側に、光拡散層とは異なる位相または異なる平均周期の構造を備えた透光性薄膜層が積層され、反射率の視野角特性を制御する。 - 特許庁

On the active region 2a, an SiGe alloy layer 4 functioning as a base layer and an n-type diffusion layer 5 functioning as a emitter layer are formed, and are encircled with a side wall film 6 consisting of a silicon oxide film.例文帳に追加

活性領域２ａの上には、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５が設けられ、さらにＳｉＧｅ合金層４およびｎ型拡散層５は、シリコン酸化膜からなる側壁膜６で囲われている。 - 特許庁

Next, the piezoelectric layer is formed on the upper face of the anti-diffusion layer formed with the lower electrode by the AD method (S106), and successively the piezoelectric layer is heated at 850°C, thereby performing an annealing processing which grows a crystal of a piezoelectric material constituting the piezoelectric layer (S107).例文帳に追加

次に、下部電極が形成された拡散防止層の上面にＡＤ法により圧電層を形成し（Ｓ１０６）、続いて、圧電層を８５０℃で加熱することにより、圧電層を構成する圧電材料の結晶を成長させるアニール処理を行う（Ｓ１０７）。 - 特許庁

This asymmetric porous PTFE film is composed of a highly dense skin layer and an open-cell porous layer and characterized in that (1) the contact angle of water with respect to the surface of a skin layer is 120-140° and (2) the diffusion reflectivity of light of the skin layer is 91-94%.例文帳に追加

緻密性の高いスキン層、および連続気泡性の多孔質層からなり、（１）スキン層表面に対する水の接触角が１２０〜１４０°、（２）スキン層の光の拡散反射率が９１〜９４％、である衣料用非対称性多孔質ＰＴＦＥ膜。 - 特許庁

This fuel cell system is provided with a catalyst layer positioned on the side of an electrolyte membrane, and a diffusion layer adjacent to the catalyst layer for diffusing an oxidation gas; and the catalyst layer includes Pt-supported carbon 21, a water-absorbing material 25 absorbing water, a water repellent material 23 and an electrolyte 41.例文帳に追加

電解質膜側に位置する触媒層と、触媒層に隣接して酸化ガスを拡散する拡散層とを備え、触媒層は、Ｐｔ担持カーボン２１と、水を吸収する吸水材２５と、水を撥水する撥水材２３と、電解質４１とを有する。 - 特許庁

To reduce the amount of impurities being diffused from a lower clad layer to a luminous layer by stabilizing the Vf of an LED, and suppressing the diffusion of the impurities contained in a DBR layer to the lower clad layer, to prevent the luminous intensity of the LED from decreasing.例文帳に追加

ＬＥＤのＶｆの安定化を達成し、またＬＥＤの発光強度が低下するのを防ぐために、ＤＢＲ層に含有される不純物が下部クラッド層に拡散するのを抑制し、下部クラッド層から発光層に拡散する不純物の量を低減する。 - 特許庁

The front face substrate and the back face substrate are sealed through a sealing layer 33 at peripheral parts, and a diffusion layer including components of the sealing layer is formed on the plate side of the interface between at least one of the front face substrate and the back face substrate and the sealing layer.例文帳に追加

前面基板および背面基板は封着層３３を介して周辺部が封着され、前面基板および背面基板の少なくとも一方と封着層との界面の上記板側に、封着層の成分を含有した拡散層が形成されている。 - 特許庁

The pre-molded article 32 can be further treated with nitrogen, thereby forming a layered Fe-based alloy which has a diffusion layer 20 which is formed by the diffusion of the carbonized product and a nitrided product in the base material.例文帳に追加

さらに、予備成形体３２に対して窒化処理を施すことにより、前記炭化物、窒化物が母材中に拡散することによって形成された拡散層２０を有する有層Ｆｅ基合金が得られる。 - 特許庁

A ZnO film 8 being a solid-phase diffusion source is formed on an entire surface on a p-type GaN contact layer 7, and thereafter a SiO_2 film 20 being a diffusion suppression film is formed in a predetermined region on the ZnO film 8.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮコンタクト層７上の全面に固相拡散源であるＺｎＯ膜８を形成した後、ＺｎＯ膜８上の所定領域に拡散抑制膜であるＳｉＯ_２膜２０を形成する。 - 特許庁

Further, the magnetic random access memory includes a second selection transistor including the first diffusion region and a third diffusion region which are formed in the active region 12, and first wiring electrically connected to the first pinned layer.例文帳に追加

さらに、アクティブ領域１２に形成された前記第１の拡散領域及び第３の拡散領域を有する第２の選択トランジスタと、固定層に電気的に接続された第１の配線とを備える。 - 特許庁

The impurity diffusion region 34 is set deeper at a position below a boundary between its inner periphery and a non-diffusion region in a current block layer 32 than at it center.例文帳に追加

また、その不純物拡散領域３４の深さは、内周側の不純物拡散領域３４と非拡散領域との電流ブロック層３２内における境界部の下側位置だけにおいて中央部よりも深くされている。 - 特許庁

In the first wiring layer, reinforcing wiring 106 for preventing a potential drop in the second diffusion region 104 is provided in the overlaps of the second diffusion region 104 and the VSS wiring 108.例文帳に追加

第１の配線層において、第２の拡散領域１０４およびＶＳＳ配線１０８と重なる部分に、第２の拡散領域１０４における電位降下を防ぐための補強用配線１０６が設けられている。 - 特許庁

To establish the optimum arranging method of a reinforcing base material layer and a resin diffusion net for accelerating the diffusion of an injection resin and to easily suppress the occurrence of the unimpregnated region of the injection resin.例文帳に追加

強化繊維基材層、および注入樹脂の拡散を促進させるための樹脂拡散ネットの最適な配置方法を確立し、注入樹脂の未含浸部位の発生を容易に抑えられるようにする。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer material for a polymer electrolyte fuel cell with excellent gas diffusion properties, conductivity, and acid resistance, of low cost and capable of contributing to thinning of a fuel cell.例文帳に追加

優れたガス拡散性、導電性及び耐酸性を有すると共に、コストが低く、更には燃料電池の薄型化に大きく寄与し得る、固体高分子形燃料電池のガス拡散層材料を提供すること。 - 特許庁

Even if the surface roughness Ra is no larger than 2 nm, diffusion of alkali metal from the glass substrate 1 to other layers can be reduced and occurrence of mouse nip default can be reduced by providing the diffusion prevention layer 2.例文帳に追加

表面粗さＲａが２ｎｍ以下であっても、拡散防止層２が設けられることにより、ガラス基板１からアルカリ金属が他の層へ拡散することを抑制し、マウスニップ欠陥の発生を抑制することができる。 - 特許庁

These lamps 4 are set in the reflective box 2 so that the center part of the width direction of the light diffusion layer 18 comes closest to the backside of the light diffusion board 3 to equalize their luminance distribution.例文帳に追加

これらランプ４を、その光拡散層１８の幅方向中央部が光拡散板３の裏面に最も接近するように反射箱２に設けて、光拡散板３の輝度分布を均等化したことを特徴としている。 - 特許庁

To provide a diffusion method which is suitable for reducing the fluctuation of a diffusion layer at the time of simultaneously sealing and tube-diffusing two types of impurities to a silicon substrate, and for simultaneously diffusing the two types of impurities with satisfactory reproducibility.例文帳に追加

シリコン基板へ二種類の不純物を同時に封管拡散させる際の拡散層のばらつきを低減し、二種の不純物を同時に再現性よく拡散させるのに適した拡散方法を提供する。 - 特許庁

The optical component for carrying out refraction diffusion of light is constituted by providing one or more layers of relative refraction diffusion layers on one surface of a light translucent substrate and providing an antistatic adhesion layer on another surface of the substrate.例文帳に追加

光を屈折拡散する光学部品は、光を通す基板の一面上に一層もしくは複数層の相対屈折拡散層を設置し、また基板の別の一面には抗静電気密着層を設置する。 - 特許庁

An N+-type surface diffusion layer 8 is arranged between P+-type surface layers 6a and 6b which serve as an anode, by which a photocurrent is restrained from leaking out through a P-type channel formed between the P+-type surface diffusion layers 6.例文帳に追加

アノードとなる複数のＰ^+型表面拡散層６ａ，６ｂ間にＮ^+型表面拡散層８を配置して、Ｐ^+型表面拡散層６間に生成するＰ型チャネルを通じての光電流のリークを抑制する。 - 特許庁

To provide a polyester film roll for diffusion plates, developing little trouble caused by the generation of static charge on the film surface in the case of coating a light diffusion layer and little transport trouble in the coating by a coater.例文帳に追加

光拡散層の塗工の際に、フィルム表面に静電気の発生によるトラブルが少なく、しかもコーターで塗工する際の走行トラブルが発生することの少ない拡散板用ポリエステルフィルムロールを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing a diffusion in a lateral direction at the time of forming a diffusion region in a compound semiconductor layer, and suppressing a leakage current between electrodes.例文帳に追加

化合物半導体層内に拡散領域を形成する場合に横方向の拡散を抑制すること、または、電極間のリーク電流を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The antistatic light diffusion plate 1 is characterized by having a coating layer 3 containing an antistatic agent formed of a surfactant laminated on at least one side of a light diffusion substrate 2.例文帳に追加

この発明の帯電防止性光拡散板１は、光拡散性基板２の少なくとも片面に、界面活性剤からなる帯電防止剤を含有したコーティング層３が積層されていることを特徴とする。 - 特許庁

Gate electrodes 8a and 8b are formed on the P- type diffusion region 5a positioned between the N+ type diffusion regions 6a and 6b and the N- type epitaxial layer 2 through a gate insulating film.例文帳に追加

Ｎ＋型拡散領域６ａ、６ｂとＮ−型エピタキシャル層２との間に位置するＰ型拡散領域５ａ上にゲート絶縁膜を介在させてゲート電極部８ａ、８ｂがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The first heat treatment is performed at a temperature where the diffusion coefficient of Pt is larger than the diffusion coefficient of Ni while preserving a portion of the alloy film unchanged on the metal silicide layer 13a.例文帳に追加

この際、Ｎｉの拡散係数よりもＰｔの拡散係数の方が大きくなる熱処理温度で、かつ、金属シリサイド層１３ａ上に合金膜の未反応部分が残存するように、第１の熱処理を行う。 - 特許庁

To manufacture a photoelectric conversion element capable of achieving high photoelectric conversion efficiency by facilitating diffusion of an n-type dopant into a light absorption layer comprising a CIGS compound semiconductor in a uniform and sufficient diffusion density.例文帳に追加

ＣＩＧＳ系化合物半導体からなる光吸収層へのｎ型ドーパントの拡散を容易に、均一かつ十分な拡散密度とし、高い光電変換効率を達成可能な光電変換素子を製造する。 - 特許庁

To provide a method of forming the contact of a semiconductor element which can prevent diffusion of impurity ions and reduce the contact resistance and leakage current by forming an embedded layer for preventing ion diffusion.例文帳に追加

イオン拡散防止埋込み層を形成することにより、不純物イオンの拡散を抑制し、コンタクト抵抗及び漏れ電流を低減することができる半導体素子のコンタクト形成方法に関するものである。 - 特許庁

To provide a direct methanol fuel cell having a hydrogen ion conductive thin film (PCM), a catalyst contacting to the PCM, a gas diffusion layer contacting to the catalyst, and a conductive plate contacting to a gas diffusion thin film.例文帳に追加

水素イオン伝導薄膜（ＰＣＭ）、ＰＣＭと接触する触媒、触媒と接触するガス拡散層及びガス拡散薄膜と接触する伝導板を有するダイレクトメタノール型燃料電池を提供する。 - 特許庁

A field oxidized layer isolates first and second high concentration diffusion regions from third and fourth high concentration diffusion regions.例文帳に追加

その導電型の第一高濃度拡散区、第一導電型と相反する第二導電型の第二高濃度拡散区、第二導電型の第三高濃度拡散区、及び第一導電型の第四高濃度拡散区は、井戸内に位置する。 - 特許庁

As for the electrolyte membrane electrode assembly of a polymer electrolyte fuel cell, at least a catalyst layer on a cathode side is made a two-layer structure consisting of a first layer on a proton conductive electrode membrane side and a second layer on a gas diffusion layer side, and a carrying density of the catalyst in the first layer is 3-6 times of the carrying density of the catalyst in the second layer.例文帳に追加

本発明は、高分子電解質型燃料電池の電解質膜電極接合体であって、少なくともカソード側の触媒層を、プロトン伝導性電解質膜側の第１層とガス拡散層側の第２層とからなる二層構造とし、第１層における触媒の担持密度が、第２層における触媒の担持密度の３〜６倍であることを特徴とする。 - 特許庁