「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

A gas diffusion layer (GDL) applied to a solid polymer electrolyte fuel cell is equipped with the microporous layer (MPL) arranged on a catalyst layer and formed with powder having core-shell structure comprising a water absorbing core and a water repellent porous shell; and at user's request, a gas diffusion base material (a GDL base material) arranged on the microporous layer.例文帳に追加

固体高分子電解質型燃料電池に適用されるガス拡散層（ＧＤＬ）であって、触媒層上に配置され、吸水性コアと撥水性多孔シェルからなるコア・シェル構造を有する粉体から形成された微多孔質層（マイクロポーラス層：ＭＰＬ）と、所望により更に、該微多孔質層上に配置されたガス拡散基材（ＧＤＬ基材）と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The main feature of this 3-D ferroelectric capacitor is that it is equipped with a trench-type lower electrode, interlayer insulator formed around the lower electrode such as an SiO_2 layer, diffusion prevention film formed on the interlayer insulator, ferroelectric layer (PZT layer) formed on the lower electrode and diffusion prevention film, and upper electrode formed on the ferroelectric layer.例文帳に追加

トレンチ型下部電極と、下部電極の周りに形成された層間絶縁層、例えば、ＳｉＯ_２層と、層間絶縁層上に形成された拡散防止膜と、下部電極及び拡散防止膜上に形成された強誘電層（ＰＺＴ層）と、強誘電層上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とする３次元強誘電体キャパシタである。 - 特許庁

Firstly, the surface of a structure 1 consisting of iridium or an iridium based alloy is provided with an intermediate diffusion layer 2 consisting of a ternary alloy of platinum, rhodium and iridium, strengthening the joinability of a surface layer 3 consisting of platinum or a platinum alloy, and further attaining its chemical and physical stability in a high temperature region, and the surface of the intermediate diffusion layer 2 is coated with the above surface layer 3.例文帳に追加

第１に、イリジウム又はイリジウム基合金からなる構造体１の表面に、表面層３の接合性を強化すると共に高温域での化学的、物理的な安定性を図る白金、ロジウムとイリジウムとの三元系合金からなる中間拡散層２を設け、この中間拡散層２の表面を白金又は白金合金からなる前記表面層３にて被覆する。 - 特許庁

The white organic electroluminescent element is formed by laminating a transparent substrate 2 having a light diffusion part 8 formed by light diffusion treatment on one surface and a transparent conductive film on the other surface, a hole transport layer 4; the organic luminous layer 1 of blue emission and yellow emission; an electron transport layer 5, a metallic layer 6; and a conductive metal electrode 7.例文帳に追加

一方の表面が光拡散処理された光拡散部８として形成され、他方の表面に透明導電膜３が形成された透明基板２と、ホール輸送層４と、青色発光及び黄色発光の有機発光層１と、電子輸送層５と、金属層６と、導電性金属電極７とを積層して白色有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する。 - 特許庁

In the fuel cell which uses a high polymer molecule film for an electrolyte and is equipped with an electrode having a catalyst layer on both sides of the above electrolyte and with a gas diffusion layer at the external surface of the catalyst layer, the electrode for fuel cells and the fuel cell using it, use a water repellent material which is not made fibrous to the above gas diffusion layer at least for one of the electrodes.例文帳に追加

電解質に高分子膜を用い、前記電解質の両面に触媒層とその触媒層の外面にガスス拡散層を有する電極を備えた燃料電池において、少なくとも一方の電極において前記ガス拡散層に繊維化しない撥水材を用いることを特徴とする燃料電池用電極およびそれを用いた燃料電池。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gas diffusion layer and a method for manufacturing a gas diffusion electrode for a polymer electrolyte fuel cell for manufacturing the polymer electrolyte fuel cell having high performance without obstructing supply of fuel and an oxidant to a catalyst layer and exhaust of excess moisture by preventing penetration of a microporous layer and the catalyst layer into a conductive porous substrate.例文帳に追加

マイクロポーラスレイヤー及び触媒層の導電性多孔質基材中への染み込みを防止することで、触媒層への燃料及び酸化剤の供給、過剰な水分の排出等を阻害することなく、高性能な固体高分子形燃料電池を製造できる固体高分子形燃料電池用ガス拡散層及びガス拡散電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor relay employing a vertical double diffusion MOSFET comprises a first epitaxial layer formed on a substrate, a second epitaxial layer formed on the first epitaxial layer with higher density than the first epitaxial layer, a vertical double diffusion MOSFET formed on the first and second epitaxial layers, and a floating field ring formed around the vertical double diffusion MOSFET at the boundary of the first and second epitaxial layers.例文帳に追加

縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴを用いた半導体リレーにおいて、基板上に形成された第１のエピタキシャル層と、この第１のエピタキシャル層上にさらに形成され第１のエピタキシャル層よりも濃度の高い第２のエピタキシャル層と、第１及び第２のエピタキシャル層上に形成された縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴと、縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴの周囲であって第１及び第２のエピタキシャル層の境界部分に形成されたフローティングフィールドリングとを設ける。 - 特許庁

Furthermore, the surface of the current collection member 20 on the fuel battery cell side is covered with a Cr diffusion preventative layer having conductivity, and the surface of the other current collection members such as the edge portion of the current collection member 20 is covered with the Cr diffusion preventative layer having insulation performance such as Al_2O_3.例文帳に追加

また、燃料電池セル側の集電部材２０の表面が導電性を有するＣｒ拡散防止層で被覆され、集電部材２０のエッジ部分等のその他の集電部材の表面が、Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁性を有するＣｒ拡散防止層で被覆されている。 - 特許庁

A first conductive diffusion layer 32 of an electrolyte membrane/electrode structure 24(1) and a second conductive diffusion layer 34 of another electrolyte membrane/electrode structure 24(2) are arranged so that their respective first and second ends 32a, 34a overlap each other across a solid polymer electrolyte membrane 22.例文帳に追加

電解質膜・電極構造体２４（１）の第１導電性拡散層３２と、電解質膜・電極構造体２４（２）の第２導電性拡散層３４とは、それぞれの第１および第２端部３２ａ、３４ａが固体高分子電解質膜２２を挟んで重なり合っている。 - 特許庁

A metal silicide film is formed only on the surface of the gate electrode out of the source, drain diffusion layer, and gate electrode of the first transistor of a memory cell array, and a metal silicide film is formed on the surfaces of the source, drain diffusion layer, and gate electrode of the second transistor of a logic circuit.例文帳に追加

また、メモリセルアレイ部の第１のトランジスタは、ソース、ドレイン拡散層及びゲート電極のうちゲート電極の表面のみに金属シリサイド膜が形成され、ロジック回路部の第２のトランジスタは、ソース、ドレイン拡散層及びゲート電極の表面に金属シリサイド膜が形成される。 - 特許庁

The sizes of the electrode pad 4 and the gold bump 5 in the face direction are almost equal, by forming a diffusion preventing layer 3 having a recess on an electrode and restricting the quantity of aluminum or aluminum alloy that is allowed to react with gold or gold alloy by the recess of the diffusion preventing layer 3.例文帳に追加

電極用パッド４と金バンプ５とは、段差を有する拡散防止層３を電極に形成し、この拡散防止層３の段差により、金もしくは金合金と反応できるアルミニウムもしくはアルミニウム合金の量を限定することにより、面方向の寸法がほぼ等しいものである。 - 特許庁

To suppress a short channel effect by sharply and shallowly junction impurity concentration profiles in a channel-diffusion layer and to realize a microfabricated device that maintains high drive power by the channel-diffusion layer of low resistance with full activation density.例文帳に追加

チャネル拡散層における不純物濃度プロファイルを急峻で且つ浅接合化することによって短チャネル効果を抑制すると共に、十分な活性化濃度を有する低抵抗なチャネル拡散層によって高駆動力を維持する微細デバイスを実現できるようにする。 - 特許庁

Each of the reinforcing sheets 5 is in a shape of a frame having an open portion 51 in a center and is arranged to cover an outer circumferential portion 41 of the gas diffusion layer 4 and an outer circumferential portion 21 of the electrolyte membrane 2 so that the gas diffusion layer 4 can be exposed out of the open portion 51 except its outer circumferential portion 41.例文帳に追加

各補強シート５は、中央に開口部５１を有した枠状であって、開口部５１からガス拡散層４が外周縁部４１を除いて露出するよう、ガス拡散層４の外周縁部４１及び電解質膜２の外周縁部２１を覆うように設置されている。 - 特許庁

Upon constituting a power generation body of a fuel battery, a raw material sheet wherein a water-soluble highly-rigid material 1 having rigidity higher than rigidity of a material forming a gas diffusion layer is scattered in a raw material sheet is used as a raw material sheet 2 for a gas diffusion layer used herein.例文帳に追加

燃料電池の発電体を構成するに当たり、そこで用いられるガス拡散層用の素材シート２として、ガス拡散層を構成する材料の持つ剛性よりも高い剛性を持ちかつ水溶性である高剛性材料１が素材シート中に散在しているものを用いる。 - 特許庁

The laminated structure includes: a backing plate; an impurity diffusion-preventive layer which comprises a thin film composed of at least one metal selected from Fe, W, Ta, Te, Nb, Mo, S and Si, and is formed of the backing plate; and an indium target formed on the impurity diffusion-preventive layer.例文帳に追加

積層構造体は、バッキングプレート、バッキングプレート上に形成されたＦｅ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｅ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓ及びＳｉから選択された１種類以上の金属で構成された薄膜からなる不純物拡散防止層、及び、不純物拡散防止層上に形成されたインジウムターゲットを備える。 - 特許庁

When the fuel cell set is assembled, an anode gas diffusion layer and a cathode gas diffusion layer are joined on both sides of a membrane electrode of a fuel cell unit cell and then, a matching type bipolar electrode module is arranged on the adjoining interface, and thus a module structure of a plurality of unit cells is completed.例文帳に追加

該燃料電池セットを組み立てる時は、燃料電池単電池の膜電極アセンブリの両側にアノードガス拡散層とカソードガス拡散層を結合させた後、その隣り合う界面に整合式双極板モジュールを配置すれば、複数の単電池をモジュール化した構造が完成する。 - 特許庁

To provide a light-emitting element in which a current diffusion layer is formed by using a material capable of making the formation of the diffusion layer easier than a conventional material, so that a current supplied from an upper electrode is diffused sufficiently sideways by an easier method to improve light extraction efficiency.例文帳に追加

従来よりも実現が容易な材料を用いて電流拡散層を構成し、上部電極から注入された電流をより容易な方法で横方向へと十分に拡散させ、光取出し効率を向上させた発光素子を提供することにある。 - 特許庁

To provide: a gas diffusion layer for a fuel cell, easy to set a flow passage pitch, and capable of achieving suppression of contact resistance; a method of manufacturing the gas diffusion layer for the fuel cell; the fuel cell capable of achieving suppression of reduction in power generating performance; and a fuel cell automobile.例文帳に追加

流路ピッチを設定し易く、また、接触抵抗の抑制を図り得る燃料電池用ガス拡散層、および燃料電池用ガス拡散層の製造方法を提供し、また、発電性能の低下抑制を図り得る燃料電池、および燃料電池自動車を提供する。 - 特許庁

The touch panel is stuck to the display overall by a diffusion adhesive layer for refracting and reflecting visible light from the display, and visible light from the display is diffused in multiple directions before made incident on the touch panel by fillers in the diffusion adhesive layer.例文帳に追加

ディスプレイからの可視光を屈折及び反射させる拡散粘着剤層により、タッチパネルとディスプレイとを全面的に接着し、この拡散粘着剤層中のフィラーによってディスプレイからの可視光をタッチパネル内に入射する前にあらかじめ多方向に散乱させる。 - 特許庁

The passage is formed by passing water from one side to the other side of the diffusion layer 12 by a water pressure, a cation exchange resin solution is filled in the passage, it is dried, and porous layers 13a, 13b are formed by an application method, in order to manufacture this diffusion layer 14.例文帳に追加

この拡散層１４は、拡散層１２の一面側から他面側に水圧によって水を通過させることによって通路を形成し、この通路に陽イオン交換樹脂溶液を充填し、乾燥させ、塗布法によってポーラス層１３ａ、１３ｂを形成させて製造する。 - 特許庁

In this method of fabricating a copper damascene structure, an organic insulation film in the thickness of 1 to 100 nm is provided between an inorganic system insulation film and copper diffusion preventing layer, at the time of chemically and mechanically grinding the inorganic system insulation film formed on the copper diffusion preventing layer.例文帳に追加

銅ダマシン構造の製造において、銅拡散防止層上に形成された無機系絶縁膜を化学的機械的研磨する際に、無機系絶縁膜と銅拡散防止層との間に厚さ１〜１００ｎｍの有機系絶縁膜を存在させることを特徴とする銅ダマシン構造の製造方法。 - 特許庁

The nonvolatile memory element 313 has diffusion layer regions 35 and 36, a gate electrode 15 and memory function parts 25 and 26, and the quantity of current between the diffusion layer regions 35 and 36 is varied when a voltage is applied to the gate electrode 15 depending on the quantity of charges being held in the memory function parts 25 and 26.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子３１３は、拡散層領域３５，３６、ゲート電極１５、メモリ機能部２５，２６を備え、メモリ機能部２５，２６が保持する電荷の多寡により、ゲート電極１５に電圧を印加した際の拡散層領域３５，３６間の電流量を変化させる。 - 特許庁

In a semiconductor in which an n-type transistor and a p-type transistor are formed on a (551) plane of silicon, a thickness of a silicide layer being in contact with a diffusion region of the n-type transistor is smaller than that of a silicide layer being in contact with a diffusion region of the p-type transistor.例文帳に追加

ｎ型トランジスタおよびｐ型トランジスタがシリコンの（５５１）面に形成された半導体装置において、前記ｎ型トランジスタの拡散領域に接触するシリサイド層の厚さが前記ｐ型トランジスタの拡散領域に接触するシリサイド層の厚さよりも薄い。 - 特許庁

To prevent separation between an interlayer insulating film and a phase transformation film which constituts a memory layer of a phase transformation memory, and to prevent such a malfunction as the diffusion of constituent atoms of an adhesive layer interposed between the interlayer insulating film, and the diffusion of the phase transformation film in the phase transformation film to fluctuate characteristics of the phase transformation film.例文帳に追加

相変化メモリの記憶層を構成する相変化膜と層間絶縁膜との剥がれを防止すると共に、層間絶縁膜と相変化膜との間に介在する接着層の構成原子が相変化膜内に拡散して相変化膜の特性を変動させる不具合を防止する。 - 特許庁

The method for printing the image comprises the first process wherein the image with the visible dye is formed by thermal diffusion transfer, the second process wherein a dye receiving layer is transferred on the image, and the third process wherein the image of the latent image with a fluorescent image is formed on the dye receiving layer by the thermal diffusion transfer.例文帳に追加

熱拡散転写により可視染料による画像を形成する第１工程と、前記画像上に、染料受容層を転写する第２工程と、前記染料受容層上に熱拡散転写により蛍光染料の潜像画像を形成する第３工程とを有する、印画方法。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer for a fuel cell which diffuses a fuel gas and an oxidizer gas uniformly to contact to a solid polymer membrane and is superior in conductivity and anticorrosion, and to provide its manufacturing method, and a polymer electrolyte fuel cell using the gas diffusion layer.例文帳に追加

燃料ガスや酸化剤ガスを均一に拡散して固体高分子膜に接触させると共に、導電性および耐食性に優れた燃料電池用ガス拡散層、およびその製造方法、ならびに係るガス拡散層を用いた固体高分子形燃料電池を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes a first source/drain diffusion layer (11), a second source/drain diffusion layer (12), two electrically insulated charge storage layers (21) formed on a channel region, and two electrically insulated gate electrodes (13, 14).例文帳に追加

第１ソース／ドレイン拡散層（１１）と、第２ソース／ドレイン拡散層（１２）と、チャネル領域の上に構成され、電気的に絶縁される二つの電荷蓄積層（２１）と、電気的に絶縁された二つのゲート電極（１３、１４）とを具備する不揮発性半導体記憶装置を構成する。 - 特許庁

The gas diffusion layer/separator junction is characterized by the manufacturing method of adhering a precursor of the gas diffusion layer made of a thermosetting resin and a carbonaceous fiber to a precursor of the separator made of the thermosetting resin with the thermosetting resin, and baking and carbonizing the adhered body of the precursors.例文帳に追加

また、熱硬化性樹脂と炭素質繊維からなるガス拡散層の前駆体と、熱硬化性樹脂からなるセパレータ前駆体とを、熱硬化性樹脂によって接着し、焼成炭化することを特徴とする前記の燃料電池用のガス拡散層／セパレータ接合体の製造方法。 - 特許庁

A laminate is preparedin which a gas diffusion layer 14b is arranged on an electrolyte via a catalyst; a press machine 52 is used which has an uneven shape in a phase opposite to a prescribed uneven shape in a press face; and the laminate is pressed from a face of the gas diffusion layer 14b side.例文帳に追加

電解質上に触媒を介してガス拡散層１４ｂを配置した積層体を用意し、プレス面に前記所定の凹凸形状と逆位相の凹凸形状を有するプレス機５２を用いて、前記積層体を前記ガス拡散層１４ｂ側の面から押圧する。 - 特許庁

The light diffusion layer has an average thickness of from 7.5 to 30 μm, and the average thickness of the light diffusion layer is from 1.4 to 3.5 times as large as an average particle diameter of the light-transmitting particles.例文帳に追加

透明支持体上に、透光性粒子とバインダーとを含有する光拡散層を有する光学フィルムであって、該光拡散層の平均厚みが該透光性粒子の平均粒径の１．４〜３．５倍、かつ該光拡散層の平均厚みが７．５〜３０μｍであることを特徴とする光学フィルム。 - 特許庁

In the laminated structural body, a hydrophilic conductive particles 57 are dispersed in a contact zone which is the surface of the conductive carbon layer and comes in contact with the gas diffusion layer, and particle diameters of the conductive particles and distances among conductive particles are the distance between pores of the gas diffusion base material or below.例文帳に追加

積層構造体においては、導電性炭素層の表面であってガス拡散層と接する接触領域に親水導電性粒子５７が分散されており、導電性粒子の粒子径および導電性粒子間の距離がガス拡散基材の空孔間距離以下である。 - 特許庁

The fuel cell has a solid polymer electrolyte film 1, a catalyst layer for fuel electrode 2, a gas diffusion electrode for fuel electrode 3, a gas flow distribution plate for fuel electrode 4, a catalyst layer for oxidizer electrode 5, a gas diffusion electrode for oxidizer electrode 6, and a gas flow distribution plate for oxidizer electrode 7.例文帳に追加

この燃料電池は、固体高分子電解質膜１と、燃料極用触媒層２と、燃料極用ガス拡散電極３と、燃料極用ガス配流板４と、酸化剤極用触媒層５と、酸化剤極用ガス拡散電極６と、酸化剤極用ガス配流板７とをもつ。 - 特許庁

In an A1GaInP material, the degree of diffusion of dopant decreases as the Al composition increases, the dopant is trapped more at an interface as the degree of lattice mismatch increases on the interface, and diffusion from a layer having a larger lattice constant to a layer having a small lattice constant is retarded.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系材料においてはＡｌ組成が大きいほどドーパントの拡散の度合いが小さくなること、界層面における格子不整合度が大きいほどドーパントは界面にトラップされやすいこと、格子定数の大きい層から小さい層へは拡散は起こりにくい。 - 特許庁

There is formed a contact hole 20 selectively reaching the source/drain diffusion layer 16 via the BPSG film 18 on the cap oxide film 19, and a metal film 21 coming into contact with the source/drain diffusion layer 16 is connected to a metal wiring 22 on the cap oxide film 19.例文帳に追加

キャップ酸化膜１９上に選択的にＢＰＳＧ膜１８を介してソース／ドレイン拡散層１６に到達するコンタクトホール２０が形成され、ソース／ドレイン拡散層１６と接触する金属膜２１とキャップ酸化膜１９上の金属配線２２が接続されている。 - 特許庁

Furthermore, a surface of the current collection member 20 on a fuel battery cell side is covered with a Cr diffusion preventative layer having conductivity, and the surface of the other current collection members such as an edge portion of the current collection member 20 is covered with a Cr diffusion preventative layer having insulation performance such as Al_2O_3.例文帳に追加

また、燃料電池セル側の集電部材２０の表面が導電性を有するＣｒ拡散防止層で被覆され、集電部材２０のエッジ部分等のその他の集電部材の表面が、 Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁性を有するＣｒ拡散防止層で被覆されている。 - 特許庁

The time to reduce the metallic element content within a metallic element diffusion treatment layer to 3-5 wt.% is predicted in a plane analysis by utilizing a behavior of an increase in the ratio of an area occupied by an island-shaped low metallic element concentration phase distributed within the metallic element diffusion treatment layer.例文帳に追加

面分析により、金属元素の拡散処理層内にて島状に分布する低金属元素濃度相が占める面積率の増加挙動を利用してこの金属元素拡散処理層内の金属元素含有率が３〜５重量％にまで低下する時期を予測する。 - 特許庁

A semiconductor device has the silicon pillar 15A, a gate electrode 20A coating the side face of the silicon pillar 15A through a gate insulating film 19A, a diffusion layer 26 arranged to the upper section of the silicon pillar 15A and a cylindrical sidewall insulating film 25 insulating the diffusion layer 26 and the gate electrode 20A.例文帳に追加

シリコンピラー１５Ａと、ゲート絶縁膜１９Ａを介してシリコンピラー１５Ａの側面を覆うゲート電極２０Ａと、シリコンピラー１５Ａの上部に配置された拡散層２６と、拡散層２６とゲート電極２０Ａとを絶縁する筒状のサイドウォール絶縁膜２５とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of introducing the impurity into a semiconductor substrate while depositing a layer to become an impurity diffusion source on a surface of the substrate, and then heat treating the substrate for a sufficient time to stabilize a quality of the deposited layer to become the impurity diffusion source.例文帳に追加

半導体基板表面に不純物拡散源となる層を堆積させながら半導体基板内に不純物を導入した後、堆積した不純物拡散源となる層の膜質を安定化させるのに十分な時間熱処理することからなる半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device and the semiconductor device in which the concentration distribution of impurities in the depthwise direction of an impurity diffusion layer can be controlled, and the impurity diffusion layer displaying an approximately constant impurity concentration in the depth direction can be formed.例文帳に追加

不純物拡散層の深さ方向における不純物の濃度分布を制御することができ、深さ方向に対してほぼ一定の不純物濃度を示す不純物拡散層を形成することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing a short-channel effect and an increase in junction capacity in a diffusion layer region while miniaturizing the width of a sidewall and gate length, having low parasitic resistance in the diffusion layer region and excellent in HC (hot carrier) characteristics, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

サイドウォールの幅及びゲート長の微小化を図りつつ、短チャンネル効果及び拡散層領域における接合容量の増大が抑えられ、また、拡散層領域の寄生抵抗が小さく、ＨＣ耐性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A basic cell includes a capacity element which is made up of: a first well diffusion layer into which a first conductive impurity is diffused in a region from a surface of a substrate to a prescribed depth; an insulation film which is provided on the first well diffusion layer; and a first dummy pattern which is provided on the insulation film.例文帳に追加

基板の表面から所定の深さまでの領域に第１の導電性不純物が拡散された第１のウェル拡散層と、第１のウェル拡散層の上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられた第１のダミーパターンとからなる容量素子を有する。 - 特許庁

The composite copper foil is constituted so that a heat diffusion preventing layer, which suppresses the diffusion of copper due to heat between the support copper foil and an extremely thin copper foil, and a peeling layer, which separates the support copper foil and the extremely thin copper foil mechanically, are provided between the support copper foil and the extremely thin copper foil.例文帳に追加

支持体銅箔と極薄銅箔との間に、支持体銅箔と極薄銅箔との間の熱による銅の拡散を抑制するための熱拡散防止層及び支持体銅箔と極薄銅箔を機械的に分離するための剥離層を有する複合銅箔。 - 特許庁

A region on a P-type substrate 3, corresponding to a lateral PNP transistor 1b, is etched to form a trench part 20 and the N+ type embedded diffusion layer 12 of the lateral PNP transistor 1b is formed at a position deeper than the N+ type embedded diffusion layer 4 of a lateral PNP transistor 1a.例文帳に追加

Ｐ型基板３上の縦型ＰＮＰトランジスタ１ｂに対応する領域をエッチングして堀り込み部２０を設け、縦型ＰＮＰトランジスタ１ｂのＮ＋型埋め込み拡散層１２を縦型ＮＰＮトランジスタ１ａのＮ＋型埋め込み拡散層４より深い位置に形成する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 100, where a memory cell transistor and impurity diffusion layer 111 are formed, a first interlayer insulating film 112, having a first plug 113 connected with the memory cell transistor and a second plug 114 connected with the impurity diffusion layer 111, is formed.例文帳に追加

メモリセルトランジスタと不純物拡散層１１１とが形成された半導体基板１００の上に、メモリセルトランジスタと接続する第１のプラグ１１３及び不純物拡散層１１１と接続する第２のプラグ１１４を有する第１の層間絶縁膜１１２を形成する。 - 特許庁

Then, after a gate insulating film 2 and the gate electrode 3 are formed on the diffusion layer 4a, a p-type diffusion layer 5a for channel is formed by performing ion implantation by using an implantation mask 12 covering part of the upper surface of the electrode 3 and the region 7a for drain of the substrate 1 and the gate electrode 3 as masks.例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜２及びゲート電極３を形成した後、ゲート電極３上の一部及び半導体基板１のドレイン用領域７ａ上を覆う注入マスク１２及びゲート電極３をマスクにしてイオン注入を行い、ｐ型のチャネル用拡散層５ａを形成する。 - 特許庁