| 意味 | 例文 (999件) |
diffusion layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5831件
The field effect transistor comprises an N-type epitaxially grown layer 2 provided on a P-type semiconductor substrate 1, a P^+-type isolation diffusion layer 4 provided on the layer 2 of the circumference of the FET forming unit to electrically independently form the FET forming unit, and a P^++-type gate diffused layer 5 provided on the surface side of the layer 2.例文帳に追加
Ｐ型の半導体基板１上にＮ型のエピタキシャル成長層２が設けられ、ＦＥＴ形成部を電気的に独立させるため、ＦＥＴ形成部周囲のエピタキシャル成長層２にＰ^+型の分離拡散層４が設けられ、そのエピタキシャル成長層２の表面側にＰ^++型のゲート拡散層５が設けられている。 - 特許庁
In the LDD layer 5a, formed from the surface of the semiconductor substrate 1 down to a predetermined depth D1, a p-type diffusion layer 10 is so formed as to be surrounded by the LDD layer 5a, excluding the surface of the LDD layer 5a, while being extended from the surface of the LDD layer 5a to a depth D3.例文帳に追加
半導体基板１の表面から所定の深さＤ１にわたり形成されたＬＤＤ層５ａには、ＬＤＤ層５ａの表面を除いてＬＤＤ層５ａに取り囲まれるとともに、ＬＤＤ層５ａの表面から深さＤ３にわたりｐ型拡散層１０が形成されている。 - 特許庁
It can be seen that the film thickness of the offset spacer layer 4 has a correlation with the leak current level, and the film thickness of the offset spacer layer 4 is equal to the length from a part of the semiconductor layer 1 touching the outer end of the offset spacer layer 4 to the forward end of an impurity diffusion layer when the leak current level is 0.例文帳に追加
これにより、オフセットスペーサ層４の膜厚値とリーク電流値には相関関係があり、また、リーク電流値が０になるときのオフセットスペーサ層４の膜厚値は、半導体層１のうちオフセットスペーサ層４の外端と接する部分から不純物拡散層の先端までの長さであることがわかる。 - 特許庁
The catalyst layer is constructed of a multi-layered catalyst layer and it is constructed so that the carbon particles contained in the catalyst layer on the electrolyte layer side may have relatively high water repellency of themselves and the carbon particles contained in the gas diffusion layer side may have relatively low water repellency of themselves.例文帳に追加
前記触媒層は、多層の触媒層で構成されており、前記電解質層側の触媒層に含まれるカーボン粒子ほど自身の撥水性が相対的に高く、前記ガス拡散層側の触媒層に含まれるカーボン粒子ほど自身の撥水性が相対的に低くなるように構成されている。 - 特許庁
A semiconductor device comprising a semiconductor layer 1, a gate insulation film 2, a gate electrode 3, an offset spacer layer 4, and an SD extension diffusion layer 6 subjected to ion implantation using the gate electrode 3 and the offset spacer layer 4 as a mask is manufactured by varying the thickness of the offset spacer layer 4 and each leak current level is measured.例文帳に追加
半導体層１と、ゲート絶縁膜２と、ゲート電極３と、オフセットスペーサ層４と、ゲート電極３およびオフセットスペーサ層４をマスクとしてイオン注入されたＳＤエクステンション拡散層６とを有する半導体装置を、オフセットスペーサ層４の膜厚を変化させて形成し、それぞれのリーク電流値を測定する。 - 特許庁
The CMOSN-type substrate diode for temperature sensor (50) is provided with an n-type substrate (51), a p-type well layer (52) formed in the n-type substrate, an n-type high concentration layer (53) formed in the p-type layer and a p^+-diffusion layer (57) formed near a surface of the n-type high concentration layer.例文帳に追加
温度センサ用ＣＭＯＳＮ型基板ダイオード（５０）は、Ｎ型基板（５１）と、このＮ型基板内に形成されたＰｗｅｌｌ層（５２）と、このＰｗｅｌｌ層内に形成されたＮ型高濃度層（５３）と、このＮ型高濃度層の表面近傍に形成されたｐ^＋拡散層（５７）とを有する。 - 特許庁
A gate electrode with a lowermost Pt layer is formed on a barrier layer (nondoped AlGaAs) 17, the (initial) film thickness of the lowermost Pt layer before solid-phase diffusion is set to 2 to 5 nm, the gate electrode is heat treated at 250 to 400°C to mutually diffuse Pt in the lowermost layer and GaAs in the barrier layer 17, thereby obtaining a buried gate structure.例文帳に追加
ここで、最下層のＰｔ層の固相拡散前の膜厚（初期膜厚）を２ｎｍ以上５ｎｍ以下とし、ゲート電極を２５０℃以上４００℃以下の温度で熱処理することにより、最下層のＰｔと障壁層１７のＧａＡｓとを相互に拡散させ、埋め込み型ゲート構造を得る。 - 特許庁
A light emitting diode is provided with: a p-type GaP substrate 12; a p-type GaP contact layer 13 stacked on this p-type GaP substrate 12; a p-type AlInP second clad layer 14; a p-type AlGaInP active layer 15; an n-type AlInP first clad layer 16; and an n-type AlGaAs current diffusion layer 17.例文帳に追加
発光ダイオードは、ｐ型ＧａＰ基板１２と、このｐ型ＧａＰ基板１２上に積層されたｐ型ＧａＰコンタクト層１３、ｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５、ｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層１６及びｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１７とを備えている。 - 特許庁
The element main body unit 60 comprises an n-type GaAs single crystal substrate 1 (shown simply as a substrate hereinafter) as a substrate for growth, an n-type GaAs buffer layer 2 formed on a first main surface, a light emitting layer unit 24 formed on the buffer layer 2, and a current diffusion layer 20 formed on the light emitting layer unit.例文帳に追加
この素子本体部６０は、成長用基板としてのｎ型ＧａＡｓ単結晶基板（以下、単に基板という）１と、その第一主表面上に形成されるｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、このバッファ層２上に形成される発光層部２４と、この発光層部上に形成される電流拡散層２０とを含む。 - 特許庁
A polyester film for optical film used by laminating optical functional layers selected from a hard coat layer, a prism layer, a diffusion layer, and a lens layer, is a co-extrusion laminated film having at least one outermost layer containing particles with a pore volume of 0.5-2.0 ml/g.例文帳に追加
ハードコート層、プリズム層、拡散層、レンズ層から選ばれる光学機能層を積層して用いられる光学フィルム用ポリエステルフィルムであって、細孔容積が０．５〜２．０の粒子を含有する最外層を少なくとも１層有する共押出積層フィルムであることを特徴とする光学フィルム用ポリエステルフィルム。 - 特許庁
Thereafter, impurity is diffused from the surface of the second polysilicon layer 110 into the second polysilicon layer 110 by one time of diffusion treatment and, at the same time, impurity diffused into the second polysilicon layer 110 is diffused further from the side wall of the first polysilicon layer 104a toward the inside of the first polysilicon layer 104a.例文帳に追加
その後、一回の拡散処理によって、第２ポリシリコン層１１０の表面から第２ポリシリコン層１１０内部に不純物を拡散させるとともに、第２ポリシリコン層１１０に拡散された不純物をさらに第１ポリシリコン層１０４ａの側壁から第１ポリシリコン層１０４ａの内部に向かって、拡散させる。 - 特許庁
To provide a method for producing a light diffusion film having numerous transparent beads densely arranged in a single layer and having good transmission efficiency and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加
多数の透明ビーズを単層で密に配列される透過効率の良い光拡散フイルムの製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁
The first voltage is applied between a diffusion layer and a back gate of a first MOS transistor TE included in the first selection circuit (BL-E).例文帳に追加
第１選択回路（ＢＬ−Ｅ）に含まれる第１ＭＯＳトランジスタＴＥの拡散層とバックゲートとの間には、第１電圧が印加される。 - 特許庁
The atmosphere is led into an atmosphere chamber 38b to which an atmosphere side electrode 38 is opened through an atmosphere diffusion rate controlling layer 38c.例文帳に追加
大気側電極３８が開放されている大気室３８ｂへは大気用拡散律速層３８ｃを介して大気が導入されている。 - 特許庁
The lower edge of the gate insulating film 4 is formed on an impurity diffusion layer, so that the reliability of the gate insulating film 4 can be prevented from being deteriorated.例文帳に追加
ゲート絶縁膜４の下端部が不純物拡散層上に形成されているので、ゲート絶縁膜４の信頼性が低下することがない。 - 特許庁
To provide a gas diffusion layer in which optimal improvement in gas permeability and a water discharging property is obtained.例文帳に追加
ガス透過性および水排出性の向上に好適な燃料電池および燃料電池用ガス拡散層並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁
The first well 4 is formed on the substrates 1 and 10, is provided on one side of the high-concentration diffusion layer region 11, and has the first conductivity type.例文帳に追加
第１ウェル４は基板１、１０上に形成され、高濃度拡散領域１１の一方側に設けられ、第１導電型である。 - 特許庁
A via 116 and a wiring 117 connected to the diffusion layer of the MOS transistor 114 are formed on the interlayer insulating film 115.例文帳に追加
そして、層間絶縁膜１１５に、ＭＯＳトランジスタ１１４の拡散層に接続するヴィア１１６，及び配線１１７が形成されている。 - 特許庁
An opening 3 whose end part is tapered is patterned to the insulating film 2 formed on a silicon substrate 1 comprising an N-type diffusion layer 4.例文帳に追加
Ｎ型拡散層４を有するシリコン基板１の上に成膜した絶縁膜２に対し端部がテーパとなった開口部３をパターニングする。 - 特許庁
Mask alignment of a diffusion layer pattern and a mask pattern to be processed in a post-process is carried out using the alignment mark M1a formed in this manner.例文帳に追加
こうして形成されたアライメントマークＭ１ａを用い、拡散層パターンと後工程において加工するマスクパターンとのマスク合わせを行う。 - 特許庁
To provide a micro device having high driving force by actualizing shallow joining and resistance reduction of an extension diffusion layer accompanying microfabrication.例文帳に追加
微細化に伴うエクステンション拡散層の浅接合化と低抵抗化とを実現し、高駆動力を有する微細デバイスを実現できるようにする。 - 特許庁
By the diffusion of the intervention layer 63 into the cast film 20, the improvement in adhesion of the cast film 20 to the casting drum 33 is suppressed.例文帳に追加
流延膜２０に介在層６３が拡散することで、流延ドラム３３に対する流延膜２０の密着性向上が抑制される。 - 特許庁
Thus, the contact hole is obtained where the side of a ferroelectric capacitor 10 is formed to be wide, and the side of the diffusion layer 2a of the transistor 2 is formed to be narrow.例文帳に追加
これにより、強誘電体キャパシタ１０側が広く、トランジスタ２の拡散層２ａ側が狭く形成されたコンタクトホールが得られる。 - 特許庁
In the annealing step, platinum particles in the high-temperature melting layer 3B are melted, rendering the adhesion and diffusion-preventive effect.例文帳に追加
そして、アニール工程においては、高温溶融層３Ｂにおいて白金粒子が溶融し、密着性および拡散防止効果が発揮される。 - 特許庁
A diffusion layer 170 is formed on a portion of a substrate 100 situating at a device forming region 104, to serve as a source and a drain of a transistor 110.例文帳に追加
拡散領域１７０は素子形成領域１０４に位置する基板１００に形成され、トランジスタ１１０のソース及びドレインとなる。 - 特許庁
A pn junction which is to be a light reception region is formed between the first diffusion region and the region of the first conductivity of a surface layer part.例文帳に追加
第１の拡散領域と表層部の第１の導電型の領域との間に、受光領域となるｐｎ接合が形成される。 - 特許庁
Therefore, there are no parasitic junction FETs in an epitaxial layer 33, set to be the drain region of a lower region in a P- type diffusion region 46.例文帳に追加
そのことで、Ｐ−型の拡散領域４６下部領域のドレイン領域となるエピタキシャル層３３には、寄生ジャンクションＦＥＴが無くなる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor element, which prevents the increase in the diffusion speed of impurity and can obtain the epitaxial silicon layer channel of high quality.例文帳に追加
不純物の拡散速度増加を防止し、高品質のエピタキシャルシリコン層チャネルを得られる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
A high voltage is applied to the diffusion layer 70 which has capacitance coupling with the floating gate 40, so that electrons are injected into the floating gate 40.例文帳に追加
フローティングゲート４０と容量カップリングした拡散層７０に高電圧を印加することによりフローティングゲート４０に電子が注入される。 - 特許庁
The outermost surface layer of the terminal electrode 6 of the electronic component 2 and the in-plane connection electrode 16 are in contact with each other and are connected by diffusion bonding.例文帳に追加
電子部品２の端子電極６の最外表面層と面内接続電極１６とが接して拡散接合により接続されている。 - 特許庁
An N-type region 60 is arranged in the P-type well 52 to reach the N-type layer 51 beneath the P-type diffusion region 38.例文帳に追加
Ｎ型領域６０が、Ｐ型拡散領域３８の下方においてＮ型層５１に到達するように、Ｐ型ウエル５２中に配置される。 - 特許庁
Boron is diffused on one surface of a Si substrate 2 and the Si substrate 2 is etched on the other side to expose an impurity diffusion layer 12.例文帳に追加
Ｓｉ基板２の一方表面にボロンを拡散し、他方表面からＳｉ基板２をエッチングし、不純物拡散層１２を露出させる。 - 特許庁
Therefore, there are no parasitic junction FETs in an epitaxial layer 33 set to be the drain region of a lower region in a P- type diffusion region 44.例文帳に追加
そのことで、Ｐ−型の拡散領域４４下部領域のドレイン領域となるエピタキシャル層３３には、寄生ジャンクションＦＥＴが無くなる。 - 特許庁
Namely, although the diffusion layer has a region in contact with the p-well, the conventional method has no consideration about it at all.例文帳に追加
つまり、拡散層にはｐウェルと接する領域があるにも拘わらず、従来の取得方法では、そのことが全く考慮されていない。 - 特許庁
This fuel cell is formed with: a gas diffusion layer for catching a pair of electrodes arranged on both sides of a solid polymer film; and a pair of separators for catching it.例文帳に追加
固体高分子膜の両側に配置した一対の電極を狭持するガス拡散層と、それを狭持する一対のセパレータを備える。 - 特許庁
In the first expanded metal 20, meshes are arranged on a straight line, and a gas is thereby divided into a gas flowing on a gas diffusion layer side and a gas flowing on a separator side.例文帳に追加
第１エキスパンドメタル２０は、メッシュが直線上に配置し、ガス拡散層側に流れるガスと、セパレータ側に流れるガスが分離する。 - 特許庁
A case 50 is prepared (step S200), and flow channel wall members 60 that serve as flow channel walls in a diffusion layer are arranged (step S210).例文帳に追加
ケース５０を用意し（ステップＳ２００）、ケース５０内に、拡散層内部の流路壁となる流路壁部材６０を配置する（ステップＳ２１０）。 - 特許庁
Since the diffusion of Zn or Mg into the quantum well layer can be made small, the characteristics degradation due to breakdown of the quantum well is avoidable.例文帳に追加
ＺｎまたはＭｇの量子井戸層への拡散を少なくできるので、量子井戸の破壊による特性劣化を回避することができる。 - 特許庁
An optical diffusion layer on which cup-like fillers are arranged so as not to be overlapped in the thickness direction is formed at least on one surface of a transparent base body.例文帳に追加
透明基体の少なくとも片面に、お椀型フィラーを厚さ方向で重なり合わないように配設した光拡散層を設ける。 - 特許庁
Mask alignment between a diffusion layer pattern and a mask pattern to be processed in a post-process is carried out using the alignment mark M1a formed in this way.例文帳に追加
こうして形成されたアライメントマークＭ１ａを用い、拡散層パターンと後工程において加工するマスクパターンとのマスク合わせを行う。 - 特許庁
Diffusion and erosion of the material of the filter in a brazing filler metal can be prevented by coating the surface of the material of the filter with an oxide layer.例文帳に追加
フィルターの素材表面を酸化物層で被覆することにより、ろう材中へのフィルター素材の拡散溶損を防ぐことができる。 - 特許庁
To provide a tacky optical member having a tacky layer having excellent light diffusion and durability of adhesion to a glass plate of a liquid crystal cell surface.例文帳に追加
液晶セル表面のガラス板との耐久性の良好な光拡散性の粘着層を有する粘着型光学部材を提供すること。 - 特許庁
The black stripe layer 64 and the matte light diffusion element 71 improves the contrast ratio and reduces the mirroring disturbance of the ambient light.例文帳に追加
ブラックストライプ層６４とマット状光拡散要素７１によってコントラスト比の向上と周囲光映り込み妨害の低減とが達成される。 - 特許庁
To provide a light emitting diode and a light emitting device where the efficiency of current diffusion to an ITO layer is raised and brightness and light emitting performance are improved.例文帳に追加
ＩＴＯ層に対する電流拡散の効率を高め、輝度及び発光性能を向上させた発光ダイオード、発光装置を提供する。 - 特許庁
To prevent flooding and plugging with holding cell resistance and contact resistance between a gas diffusion layer and a film electrode conjunction low.例文帳に追加
セル抵抗およびガス拡散層と膜電極接合体との接触抵抗を低く保ち、フラッディングやプラッギングを防止することを課題とする。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device that can form an extremely shallow diffusion layer.例文帳に追加
極浅拡散層を形成することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
Since the edge part of the membrane electrode composite 4 is the gas diffusion layer 3a, the edge parts of the member can easily be aligned, and positioning is made easy.例文帳に追加
また、膜電極複合体４のエッジ部がガス拡散層３ａであるために、部材の端部を揃えやすく、位置合わせが容易となる。 - 特許庁
An impurity diffusion layer, constituting the source region 15 and the drain region 16 of a pMOS 11, is formed very shallow depth, to an extent of 50 nm.例文帳に追加
ｐＭＯＳ１１のソース領域１５およびドレイン電極１６を構成する不純物拡散層を５０ｎｍ程度の極浅に形成する。 - 特許庁
To enhance the durability of a membrane electrode assembly by suppressing the damage of an electrolyte membrane caused by the fuzzing or breakdown of a diffusion layer.例文帳に追加
拡散層の毛羽立ち、破損等に起因する電解質膜の損傷を抑制し、膜電極接合体の耐久性を向上させること。 - 特許庁
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