「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(96ページ目) - Weblio英語例文検索

In an IGBT with a built-in FWD, a trench 21 which is a dummy trench reaching an N-type drift layer 11 through a P-type diffusion layer 20 is formed at the same pitch and depth as an IGBT part 1 in a region except the IGBT part 1 and an FWD part 3, that is, a runner 2.例文帳に追加

ＦＷＤ内蔵ＩＧＢＴにおいて、ＩＧＢＴ部１およびＦＷＤ部３以外の領域、すなわちランナー部２にＰ型拡散層２０を貫通してＮ−型ドリフト層１１に達するダミートレンチであるトレンチ２１を、ＩＧＢＴ部１と同じピッチ、深さで形成する。 - 特許庁

The light deflection elements 28 are arranged opposite to the light source 41 side of the display device 70, deflect light H made incident from an incident surface of the light deflection elements 28, emits the light to the light propagation layer 23 and emits diffusion light from a light emission surface of the light propagation layer 23.例文帳に追加

光偏向要素２８は、表示装置７０の光源４１側に向けて配置され、光偏向要素２８の入射面から入射した光Ｈを偏向して光伝搬層２３に射出し、光伝搬層２３の光射出面から拡散光を射出する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion electrode which is used for a cathode for oxygen generation in brine electrolysis and used for a fuel cell or the like, is manufactured by a simple operation in a short period of time, and has a gas feed layer and a reaction layer having a uniformly or optionally changing structure, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

食塩電解の酸素陰極及び燃料電池等に用いられる、簡単な操作で短時間に製造でき、かつ均一又は任意に変化させた層構成のガス供給層及び反応層を有するガス拡散電極及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate electrode 104ab of a driving transistor and a contact hole 109a, reaching an N-type diffusion layer 106b are formed in an interlayer film 108 covering a memory cell and a silicide layer 110, are formed selectively by silicidation, prior of forming a high resistance load thereon by growing polysilicon.例文帳に追加

メモリセルを覆う層間膜１０８に、駆動用トランジスタのゲート電極１０４ａｂと、Ｎ型拡散層１０６ｂに達する接続孔１０９ａを形成し、シリサイデーションを行って選択的にシリサイド層１１０を形成し、その上にポリシリコンを成長して高抵抗負荷を形成する。 - 特許庁

To perfectly prevent an inert gas, such as an SF_6 gas and the like, from leaking outside, and to prevent the diffusion of the inert gas, which is separated from an inert gas layer in a melting furnace, for a cyclical use friendly to the environment, and to reduce an operating cost and keep the thickness of the inert gas layer for fully preventing oxidation.例文帳に追加

ＳＦ_6ガス等の不活性ガスの外部漏れを完全に防止し、溶解炉内の不活性ガス層から離れた不活性ガスの拡散を防止して再利用して、地球環境に優しく、稼動コストを低減し、不活性ガス層厚さを均等に保ち十分な酸化防止を図る。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a transistor formed by a diffusion layer 103 and gate polysilicon 104 that becomes a gate electrode, an element separation region using a LOCOS oxide film 102, net-like gate polysilicon wiring 101 formed at the element separation region, and metal film wiring 105 arranged on the upper layer.例文帳に追加

拡散層１０３とゲート電極となるゲートポリシリ１０４により形成されたトランジスタと、ＬＯＣＯＳ酸化膜１０２を用いた素子分離領域と、素子分離領域に形成された、網目状のゲートポリシリ配線１０１と、この上層に配置された金属膜の配線１０５とを備える。 - 特許庁

The backlight device is configured by stacking the light diffusion film including a layer composed of a mixture of at least two kinds of thermoplastic resins having specific optical characteristics and incompatible with each other onto a base surface of the light exit surface of a backlight base unit through an adhesive layer.例文帳に追加

バックライト装置の基本ユニットの出光面の表面に、特定光学特性を有した、お互いに相溶しない少なくとも２種の熱可塑性樹脂の混合物よりなる層を含む光拡散フィルムを上記基材に密着層を介して積層してなることを特徴とするバックライト装置。 - 特許庁

The gas diffusion electrode for a solid polymer fuel cell made by laminating two or more layers of conductive non-woven fabric has different average fiber diameters in the conductive non-woven fabric at a topmost layer and that at a lowermost layer.例文帳に追加

本発明の固体高分子型燃料電池用ガス拡散電極は、２層以上の導電性不織布を積層してなる固体高分子型燃料電池用ガス拡散電極であって、最上層の導電性不織布における平均繊維径と最下層の導電性不織布における平均繊維径が異なる。 - 特許庁

In the membrane-electrode assembly, an anode catalyst layer and a cathode catalyst layer which comprise an electrode catalyst in which a catalyst component is carried on a conductive carrier and a polymer electrolyte are arranged in opposition on both sides of a solid polymer electrolyte membrane, and a pair of gas diffusion layers interpose these.例文帳に追加

本発明の膜電極接合体は、導電性担体に触媒成分が担持されてなる電極触媒と、高分子電解質とを含むアノード触媒層およびカソード触媒層が、固体高分子電解質膜の両面に対向して配置され、これを一対のガス拡散層で挟持してなる。 - 特許庁

The semiconductor element 10 comprises an n-type diffusion layer 16 formed in the n^--type semiconductor region 13 at the interface between the insulation layer 12 and the semiconductor region 13 with an n-type impurity concentration gradient increasing from the anode electrode 17 toward the cathode electrode 18.例文帳に追加

半導体素子１０は、絶縁膜１２とＮ^−型半導体領域１３との界面のＮ^−型半導体領域１３内に、アノード電極１７側からカソード電極１８側にかけてＮ型不純物濃度が高くなるように濃度勾配を設けたＮ型拡散層１６を更に備える。 - 特許庁

The first electrode is similarly composed of a metal having a small work function, but composed of a material having an oxide generation free energy higher than that of an element composing the control layer in order to suppress thermal diffusion of oxygen from the control layer.例文帳に追加

第１電極は、当該金属と同様に仕事関数が小さい金属で構成されるが、尚且つ、制御層からの酸素の熱拡散を抑制するために、その酸化物生成自由エネルギーが、制御層を構成する元素の酸化物生成自由エネルギーよりも大きな材料で構成される。 - 特許庁

When the electrode is arranged as the oxygen cathode of an alkali chloride aqueous solution electrolytic cell using an ion exchange membrane method for producing alkali metal hydroxide, the electrode properties improve with the increase of electrolysis time compared with a gas diffusion electrode consisting of the two layers of a reaction layer and a gas feed layer.例文帳に追加

水酸化アルカリ金属を製造するイオン交換膜法塩化アルカリ水溶液の電解槽の酸素陰極として配備した場合に、反応層とガス供給層の２層からなるガス拡散電極に較べ、電解時間の増大に連れて電極特性が向上する。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 21 is formed in an epitaxial wafer 10 arranged with first and second clad layers 13 and 15 of n-type semiconductor having an energy band gap higher than that of an active layer 14 of n-type semiconductor sandwiched between, and p and n electrodes 31 and 32 are provided on the surface side.例文帳に追加

ｎ型半導体の活性層１４を挟むように、これよりエネルギーバンドギャップの高いｎ型半導体の第１と第２のクラッド層１３，１５を配置したエピウエハ１０にｐ型拡散層２１を形成し、表面側にｐ、ｎの両電極３１，３２を設ける。 - 特許庁

On an n-type epitaxial layer 4, a resistive element 5 consisting of a p-type diffusion zone is formed, a silicon oxide film 40 is formed on the n-type epitaxial layer 4, and aluminum wiring 8 and 9 which has come out from the end of resistive element 5 are extended on the silicon oxide film 40.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層４上にＰ型拡散層よりなる抵抗素子５が形成してあり、Ｎ型エピタキシャル層４上にシリコン酸化膜４０が形成してあり、抵抗素子５の端から出ているアルミニウム配線８，９がシリコン酸化膜４０上を延在している。 - 特許庁

To provide a fuel cell in which the shape of the gas diffusion layer and dimensions of the gas passage are optimized and a reaction gas is supplied uniformly to the catalyst of the catalyst layer, and the surplus water generated can be promptly discharged and which has a high discharge performance and reliability.例文帳に追加

ガス拡散層の性状およびガス流路の寸法を最適化して、触媒層中の触媒に均一に反応ガスを供給し、かつ生成された余剰水を速やかに排出することができ、高い放電性能と信頼性を持つ燃料電池を提供する。 - 特許庁

In this way, since the copper in the copper layer 160 becomes the nickel alloy and both plates are brazed while preventing the diffusion of iron in a stainless steel into the copper layer 160 side as the brazing filler metal, both plates 111, 112 can surely be joined with brazing while displaying the excellent corrosion resistance.例文帳に追加

これにより、ステンレス中の鉄がろう材である銅層１６０側に拡散することを防止しつつ、銅層１６０の銅がニッケル合金となって両プレートがろう付けされるので、優れた耐食性を発揮しながら、両プレート１１１、１３０を確実にろう付け接合することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a membrane electrode assembly which can suppress short circuit and cross leak between the anode and the cathode by a damage added to an electrolyte membrane without using another member except the electrolyte membrane, the catalyst layer, or the gas diffusion layer in manufacturing the membrane electrode assembly with a comparatively simple configuration.例文帳に追加

電解質膜、触媒層、ガス拡散層以外の別部材を用いずに、比較的簡易な構成で、膜電極接合体の製造時に電解質膜に加わるダメージによるアノードとカソードと間の短絡や、クロスリークを抑制することが可能な膜電極接合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a thin film transistor in which a shallow junction diffusion layer can be formed on the surface layer of a semiconductor thin film and thereby the leak current can be suppressed uniformly by relaxing the electric field at the drain end without providing an LDD region.例文帳に追加

半導体薄膜の表面層に浅い接合の拡散層を形成することが可能で、これによりＬＤＤ領域を設けることなくドレイン端においての電界を緩和してリーク電流を均一に抑えることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the laminated structure film of the first Mo, MoOx, and second Mo films 10, 10A and 11, an Al atom in a foundation layer cannot be easily diffused to the surface side, and the diffusion of Au, such as a surface wiring layer on the lamination structure film to the Al film of foundation, is restrained effectively.例文帳に追加

又、第１Ｍｏ膜１０／ＭｏＯ_ｘ膜１０Ａ／第２Ｍｏ膜１１の積層構造膜は、下地層のＡｌ原子が表面側へ拡散しにくく、積層構造膜の上の表面配線層等のＡｕが下地のＡｌ膜へ拡散することを有効に抑制する。 - 特許庁

A light diffusion layer 6 comprising light scattering particles 7 nearly uniformly distributed on an upper surface of a reflection film 5 disposed between a liquid crystal layer 9 and a rear substrate 1B with ≥50% filling factor and coated with a coating material 8 having a refractive index different from that of the light scattering particles 7 is formed.例文帳に追加

液晶層９とリア基板１Ｂとの間に配設された反射膜５の上面に、充填率が５０％以上となるように略均一に分布させた散乱粒子７を当該散乱粒子７と異なる屈折率を有する被覆材８で被覆させた光拡散層６を形成する。 - 特許庁

To provide a light-emitting element in which current diffusing layers can be formed efficiently despite the layers being formed on both main surface sides of an AlGaInP light-emitting layer section, and which can suppress the deterioration of the current diffusing layers caused by the thermal diffusion of the dopant profile of the light-emitting layer.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ発光層部の両主表面側に電流拡散層が形成されているにもかかわらず、電流拡散層を効率よく形成でき、また、電流拡散層を発光層部のドーパントプロファイルの熱拡散による劣化も抑制できる発光素子を提供する。 - 特許庁

To markedly lessen a polysilicon gate electrode and a diffusion layer in sheet resistance and to prevent a leakage current from drastically increasing at a diffused layer junction in a salicide process, through which a semiconductor device is formed.例文帳に追加

半導体装置の形成方法であるサリサイドプロセスにおいて、PolySiゲート電極、拡散層のシート抵抗を大幅に低減し、かつ、拡散層の接合リーク電流増加を大幅に防止する半導体薄膜の形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a barrier layer material which is suitable for preventing the diffusion of oxygen in Ta_2O_5 by heat treatment while the dielectric constant of the Ta_2O_5 is maintained at a high level in a MIM capacitor using a Ta_2O_5 dielectric layer on Cu wiring, and to provide a method of manufacturing the MIM capacitor.例文帳に追加

Ｃｕ配線上に誘電体層Ｔａ_２Ｏ_５を用いたＭＩＭキャパシタにおいて、Ｔａ_２Ｏ_５の誘電率を高く保ったままで、熱処理によるＴａ_２Ｏ_５中の酸素の拡散防止に適したバリア層材料とそれを用いたＭＩＭキャパシタの製造方法を提供することである。 - 特許庁

In this way, the reaction between the components in the molten salt with an oxygen component or moisture is substantially prevented, the stabilization of the diffusion components in the molten salt is attained, and a compound layer as a treatment layer having excellent properties can be formed on the surface part of the object to be treated.例文帳に追加

これにより、溶融塩中の成分と酸素分や水分との反応を実質的に防止し、溶融塩中の拡散成分の安定化を図り、被処理品の表面部に優れた性質を有する処理層である化合物層を形成させることが可能となる。 - 特許庁

Further, such constitution can be added that an under layer containing metal is arranged between the substrate and the main magnetic pole or the stacked body of the main magnetic pole and the auxiliary magnetic pole, a heat diffusion layer is arranged between a part of the coil and the substrate, or a part of the coil is made close to the substrate more than the other parts.例文帳に追加

更に，基板と主磁極もしくは主磁極と補助磁極との積層体との間に金属を含む下地層を配置する，コイルの一部と基板との間に熱拡散層を配置する，もしくはコイルの一部をその他の部分より基板に接近させるという構成を付加できる。 - 特許庁

B in the brazing filler metal is positively subjected to chemical bonding to essential components of high melting point metal to form a barrier layer, the components of Fe, Cr, etc., in stainless steel or steel material are prevented from diffusion to a high melting point metal side, thus, it is prevented that these form a brittle chemical compound layer.例文帳に追加

ろう材中のBを高融点金属の主成分とを積極的に化学結合させてバリア層を形成させ、ステンレス鋼又は鉄鋼材料中のFe、Cr等の成分が高融点金属側へ拡散することを防止し、これらが脆弱な化合物層を形成することを阻止する。 - 特許庁

Afterwards, a metal film is formed on the surface protecting film 7 including the inside of the opening 8, and the metal film is patterned, thereby forming an anode electrode 9a in contact with the p-type diffusion layer 6 and an outer peripheral electrode 9b in contact with the n-type epitaxial layer 2 exposed in the outer periphery of the chip.例文帳に追加

その後、開口部８の内部を含む表面保護膜７上にメタル膜を成膜し、メタル膜をパターニングすることによって、ｐ型拡散層６に接するアノード電極９ａおよびチップの外周部に露出したｎ型エピタキシャル層２に接する外周電極９ｂを形成する。 - 特許庁

After forming a metallic layer (diffusion preventing layer) 150 of a nickel by cladding the nickel on each surface mutually faced in a first and a second plates 111, 112, a copper is heated to not lower than the m.p. of the copper as a brazing filler metal to join the first and the second plates 111, 112 with brazing.例文帳に追加

第１、２プレート（１１１、１１２）のうち互いに面するそれぞれの面に、ニッケルをクラッドしてニッケルの金属層（拡散防止層）１５０を形成した後、銅をろう材として銅の融点以上まで加熱して第１、２プレート１１１、１１２をろう付け接合する。 - 特許庁

The gas diffusion electrode has the reaction layer and/or the gas supply layer which is obtained by alternately laminating sheets composed of carbon black and fluororesin fine particles and each having a thickness of ≤1 mm and thin film-shaped metal body sheets, then pressing the resulting laminate to obtain a formed body, and slicing the formed body to a thickness of ≤1 mm.例文帳に追加

また、カーボンブラックとフッ素樹脂微粒子から構成された１ｍｍ厚以下のシートと、薄膜状金属体シートとを交互に積層させ、プレス成形した成形体を１ｍｍ以下の厚さにスライスして得られた反応層及び／又はガス供給層を有するガス拡散電極。 - 特許庁

A Schottky diode comprises an n-type semiconductor substrate 1, a Schottky electrode 3, and a p-type diffusion layer 2 serving as a leakage restraining structure for restraining a leakage current by producing a barrier layer when a reverse bias voltage is applied to between the Schottky electrode 3 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードは、Ｎ型半導体基板１と、ショットキ電極３と、ショットキ電極３と半導体基板１との間に逆バイアス電圧が印加されたときに空乏層を生じさせることによりリーク電流を抑制するリーク抑制構造部としてのＰ型拡散層２とを備える。 - 特許庁

Between the second clad layer 7 and the contact layer 8, current breaking layers 10a, 10b and zinc diffusion source layers 17a, 17b are formed in the vicinity of a laser output side end surface 15 and a reflection side end surface 16, respectively, which are both end surfaces of an element in the length direction.例文帳に追加

上部第２クラッド層７とコンタクト層８との間で、素子の長さ方向の両端面であるレーザ出射側端面１５および反射側端面１６の近傍には、電流遮断層１０ａ，１０ｂおよび亜鉛拡散源層１７ａ，１７ｂがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The rear of an SOI substrate 1 is covered with a silicon nitride film 4, antimony is injected into the substrate 1 using a resist pattern as a mask through an ion implantation method, and the substrate 1 is thermally treated at 1,200°C in a diffusion oven, by which a collector embedded layer 5C is formed in an silicon layer 1c.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１の裏面を窒化シリコン膜４で保護した後、レジストパターンをマスクとしてイオン注入法によりアンチモンを注入し、次いで拡散炉を用いて１２００℃で熱処理をＳＯＩ基板１に施すことによって、シリコン層１ｃにコレクタ埋め込み層５Ｃを形成する。 - 特許庁

To provide a fuel cell in which a clearance to become a puddle is not easily formed between a gas diffusion layer and an electrode catalyst layer under a channel of a separator to become a gas path when thrust acts in stack formation by a simple structure change without increasing a manufacturing cost significantly.例文帳に追加

製造コストを高騰させることなく、簡易な構造変更にて、スタック形成時に押圧力が作用した際に、ガス流路となるセパレータの溝下におけるガス拡散層と電極触媒層の間に水溜りとなる隙間が形成され難い燃料電池を提供する。 - 特許庁

The light passageway-changing layer 333 can be formed on the incident surface 331a of the diffusion layer 331 and is equipped with at least one protruding part having a first light passageway-changing surface inclined at a first angle from the incident surface 331a and a second light passageway-changing surface inclined at a second angle.例文帳に追加

ここで、光経路変更層３３３は拡散層３３１の入射面３３１ａに形成されることができ、入射面３３１ａから第１角で傾いた第１光経路変更面、第２角で傾いた第２光経路変更面を有する一つ以上の突出部を備える。 - 特許庁

In the fuel cell, a conductive polymer layer 52 comprising of conductive particles and a polymer material 513 is formed on the porous material 51 made of carbon fiber, and a catalyst layer 53 comprising carbon particles carrying platinum is arranged on top of it, and thereby a gas diffusion electrode 54 is made.例文帳に追加

炭素繊維で構成される多孔性材料５１の上部に導電性粒子と高分子材料５１３で構成される導電性高分子層５２を形成し、その表面に、白金を担持したカーボン粒子で構成される触媒層５３を配置しガス拡散電極５４を構成する。 - 特許庁

To provide a method of producing a transparent electroconductive film, by which crystallization of an a-Si layer being a ground layer is prevented, and the diffusion of an impurity doped is suppressed, and to provide the transparent electroconductive film exhibiting a low resistivity at a substrate temperature of about 150°C and high transmissivity when its thickness is ≤100 nm.例文帳に追加

下地層としてのａ−Ｓｉ層を結晶化させることなく、かつドーピングした不純物の拡散を生じない透明導電膜の製造方法、および約１５０℃の基板温度で低抵抗であり、かつ膜厚１００ｎｍ以下で高透過率を示す透明導電膜を提供する。 - 特許庁

The reflection type screen 10 is formed by sticking together a refection sheet 1 and an optical diffusion sheet 3 via an adhesive layer 2, and displays images by reflecting light from a light source, wherein the adhesive layer 2 contains a pigment that absorbs light of a specific wavelength range.例文帳に追加

反射シート１と、光拡散シート３とが粘着剤層２を介して貼り合わされてなり、光源からの光を反射して画像を表示する反射型スクリーン１０において、前記粘着剤層２は、特定波長領域の光を吸収する色素を含有する。 - 特許庁

This light transmissive printed matter whose image is stereoscopically viewed by simultaneously observing light transmitted through a pair of light transmissive printed matters having parallax each other with both eyes through a pair of lenses has at least a printing layer and a light diffusion layer in order from an observing side.例文帳に追加

互いに視差のある一対の光透過性印刷物を透過した光を一対のレンズを通して両目で同時に観察して画像を立体視する光透過性印刷物であって、少くとも前記観察する側から順に印刷層、光拡散層を有することを特徴とする。 - 特許庁

A raw material is molded by pressure fine particle sintering molding using iron alloy powders containing Cr, and nitriding treatment excluding carburized component is applied to form the surface having a mixing texture 3 composed of a compound layer 2 of Fe-Cr-N, a diffusion layer of Fe-Cr-N, and a base.例文帳に追加

Ｃｒを含有する鉄系合金粉末を使用して圧粉体焼結成形で素材を成形し、浸炭成分を排除した窒化処理を施すことで、表面をＦｅ−Ｃｒ−Ｎの化合物層２とＦｅ−Ｃｒ−Ｎの拡散層と基地の混合組織３とした。 - 特許庁

Then, impurities of first and second conductivity types are implanted into the surface of the substrate in respective regions by using the first sidewall and the gate electrode as masks to form a first impurity diffused layer, and impurities of second and first conductivity types are implanted to form an impurity diffusion preventing layer.例文帳に追加

そして、第１側壁及びゲート電極をマスクとして、各領域の基板表面にそれぞれ、第１、第２導電型の不純物を注入し、第１不純物拡散層を形成し、それぞれ、第２、第１導電型の不純物を注入して、不純物拡散防止層を形成する。 - 特許庁

Continually, heat treatment is performed to make Mn in the alloy layer 17 react with the components of interlayer insulating films 12 and 15 to form a self-forming barrier film made of an Mn compound having diffusion prevention property of Cu on the interface of the alloy layer 17 and the interlayer insulating films 12 and 15.例文帳に追加

続いて、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを層間絶縁膜１２、１５の構成成分と反応させて、合金層１７と層間絶縁膜１２、１５の界面に、Ｃｕの拡散防止性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜を形成する。 - 特許庁

A 1 to 3 nm thickness tunnel insulating film 14 consisting of acid nitride silicon and a degenerated n-type electrode 15 as a second conductivity-type heavily-doped semiconductor layer, whose impurity concentration is 1×1019 cm-3 or higher are formed along recesses and projections on the p-type diffusion layer 13.例文帳に追加

ｐ型拡散層１３の上の凹凸形状に沿って、酸窒化シリコンよりなり厚さが１ｎｍ〜３ｎｍのトンネル絶縁膜１４と、不純物濃度が１×１０^19ｃｍ^-3以上であって第２導電型の高濃度半導体層としての縮退したｎ型電極１５が形成されている。 - 特許庁

To provide a Nb_3Sn system superconducting wire rod and its precursor capable of being offered at low cost under excellent stretching processibility and giving a high-level superconductive property, through further improvement of a diffusion barrier layer separating a superconducting matrix part and a stabilized copper layer.例文帳に追加

超電導マトリクス部と安定化銅層を隔離する拡散障壁層を更に改善することで、優れた伸線加工性の下で安価に提供することができ、しかも高レベルの超電導特性を与えるＮｂ_3Ｓｎ系超電導線材とその前駆体を提供すること。 - 特許庁

In this case, the Schottky barrier diode comprising the junction of a diffusion layer used in the formation of the circuit element to a metal wiring layer is used in the latch-up-operation preventing circuit of the parasitic thyristor so that with a smaller area, higher protective effect for the circuit than that of the conventional cases can be obtained.例文帳に追加

そして、回路素子の形成に用いられる拡散層と金属配線層の接合からなるショットキーバリアダイオードを寄生サイリスタラッチアップ動作防止用回路に用い、従来のものよりもより小面積で、より高い保護効果を得ることができるようにしてている。 - 特許庁

An insulation film (2) on a silicon semiconductor substrate (1) presents a ferroelectric memory element of an MFIS structure containing a low permittivity layer control film (3) and a mutual diffusion prevention film (4), and it is restricted that an unnecessary low permittivity layer is formed between the semiconductor substrate and the insulation film.例文帳に追加

シリコン半導体基板（１）上の絶縁膜（２）が、低誘電率層抑制膜（３）と相互拡散防止膜（４）とを含むＭＦＩＳ構造の強誘電体記憶素子を提供し、不要な低誘電率層が半導体基板と絶縁膜の間に形成されるのを抑制する。 - 特許庁