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「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(93ページ目) - Weblio英語例文検索
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diffusion layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5831



例文

The microscopic structure of a P-type semiconductor layer is formed through a manner in which disks are decreased enough in vertical dimension (depth) and expanded enough in horizontal dimension by selective diffusion.例文帳に追加

P型半導体層の微視的構造をディスク群として垂直寸法(深さ)を十分に短縮し,且つ水平寸法を十分に広げた形状に選択拡散により形成する構造とした。 - 特許庁

Node contact resistance can be decreased because the N type diffusion layers 106ba, the gate electrodes 104ab, and the heavily-doped polysilicon region 111aa of the high resistance load are interconnected by the silicide layer 110.例文帳に追加

N型拡散層106ba、ゲート電極104ab、高抵抗負荷の高濃度ポリシリコン領域111aaとはシリサイド層110によって互いに接続するため、ノード・コンタクト抵抗は低く抑えられる。 - 特許庁

A flow channel forming material 5b at an air electrode side consists of an expanded metal 50 containing a plurality of meshes 51 communicating between a diffusion layer 23b and a separator 6b and wall parts 52 partitioning between adjacent meshes 51.例文帳に追加

空気極側の流路形成材5bは、拡散層23bとセパレータ6bとの間を連通する複数のメッシュ51と、隣り合うメッシュ51の間を仕切る壁部52とをもつエキスパンドメタル50からなる。 - 特許庁

As a result, free Ba (source of thermoelectron radiation) is generated according to the diffusion of reductive element (for example, Zr) from the base body 1 to the electron emitting substance layer 2, and a stable cathode current is obtained.例文帳に追加

この結果、基体1から電子放射物質層2への還元性元素(例えば、Zr)の拡散に伴う遊離Ba(熱電子の放射源)の生成が維持され、安定したカソード電流が得られる。 - 特許庁

例文

The gas diffusion layer has just one peak in a log differential pore volume distribution graph measured by a mercury press-fitting method, with the peak existing within a range of a pore diameter of 0.01 to 1 μm.例文帳に追加

本発明のガス拡散層は、水銀圧入法により測定したLog微分細孔容積分布グラフにおいて、ピークを1つだけ有し、そのピークが細孔直径0.01〜1μmの範囲に存在する。 - 特許庁


例文

The gas diffusion layer 26a has a thick part 42a and a thin part 42b through the step part 40, and the step part 40 comes in contact with fuel gas which flows through a fuel gas passage 30.例文帳に追加

ガス拡散層26aは、段差部40を介して肉厚部42aと肉薄部42bとを有するとともに、前記段差部40は、燃料ガス流路30を流れる燃料ガスに接触している。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a gas diffusion layer for a solid polymer fuel cell capable of being manufactured at a low temperature at low cost without using a carbon base material such as carbon paper and carbon cloth.例文帳に追加

カーボンペーパーやカーボンクロス等の炭素基材を使用せず、低温での製造が可能となる製造コストの安い固体高分子型燃料電池用ガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

This multi-probe having a plurality of projections (probes) formed by crystal growth on a diffusion layer of a semiconductor substrate 1 as a base, is constituted by arranging the probes 2 of various heights.例文帳に追加

半導体基板1の拡散層を下地として結晶成長させた突起(プローブ)を複数有するマルチプローブであって、異なる高さを有するプローブ2が配列されて形成されることを特徴とする。 - 特許庁

Even when metal fatigue or the like is generated in the metal film wiring 7 due to deflection deformation of the diaphragm part 4, a signal from the piezo-resistance element 5 can be transmitted thought the diffusion layer wiring 8.例文帳に追加

これにより、ダイヤフラム部4の撓み変形に伴って金属膜配線7に金属疲労等が生じても、拡散層配線8を通じてピエゾ抵抗素子5からの信号を伝達することができる。 - 特許庁

例文

The light diffusion layer 29 is provided at the area in the outside of light path of the incident light which is substantially parallel to the light axis L to spread the incident light input diagonally to the light axis L of a micro-lens 33.例文帳に追加

光拡散層29は、光軸Lに対してほぼ平行な入射光の光路外に設けられており、マイクロレンズ33の光軸Lに対して斜めに入射された光を拡散させる。 - 特許庁

例文

In the end of the element isolation region, a p+ type impurity diffusion region 11 is formed selectively inside the surface of the silicon layer 4 so as to be buried inside the surface in a part of the STI 10.例文帳に追加

素子分離領域の端部において、シリコン層4の上面内には、STI10の一部上面内に埋め込まれる格好で、p^+型の不純物拡散領域11が選択的に形成されている。 - 特許庁

The manufacturing method for the diffusion layer of fuel cell consists of two processes; the first is to impregnate the base material in the form of a woven cloth with a resin binder and the second to carbonize the base material impregnated with the binder.例文帳に追加

織布化した基材に樹脂のバインダを含浸させる第1の工程と、バインダを含浸させた基材を炭化処理する第2の工程と、からなる燃料電池の拡散層の製造方法。 - 特許庁

To rapidly perform a reading operation by lowering the resistance of a bit line, and to attain a refinement concerning a nonvolatile semiconductor storage device where an impurity diffusion layer is made to be the bit line.例文帳に追加

不純物拡散層をビットラインとする不揮発性半導体記憶装置において、ビットラインの低抵抗化により読み出し動作の高速化を実現できると共に微細化をも実現できるようにする。 - 特許庁

Each first impurity diffusion region 20 (20A and 20B) of low concentration and of the same conductive layer as the source 26 and the drain 28 is provided on the lower side of a gate so as to adjoin the source 26 and the drain 28.例文帳に追加

またソース26とドレイン28と同一の導電層で且つ低濃度である第1不純物拡散領域20をソース26とドレイン28にそれぞれ隣接するようゲート下方側に設ける。 - 特許庁

The ferrite sintered body 12 is preferably composed of a multilayer structure wherein a plurality of ferrites having respectively different frequency characteristics of magnetic loss are laminated and integrated in such a state that a diffusion layer is formed in a boundary.例文帳に追加

なおフェライト焼結体は、磁気損失の周波数特性が異なる複数のフェライトが積層され境界に拡散層が形成された状態で一体化されている複層構造が好ましい。 - 特許庁

To provide a light-receiving element having wavelength pass-band characteristics in which a high sensitivity rate is obtained, even in a thin filter layer, and the depth of impurity diffusion in a light-receiving part is equivalent to that of conventional pin photodiodes.例文帳に追加

薄いフィルタ層でも高い感度比が得られ、受光部における不純物拡散の深さは従来のpinフォトダイオードと同等である長波長パスバンド特性を有する受光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a simple manufacturing method of an excellent CaAlAs-based semiconductor laser device, in which Zn diffusion arrives at an active layer sufficiently and which will not cause COD, and to provide the semiconductor laser device.例文帳に追加

活性層まで十分にZn拡散が達し、CODを起こさない良好なGaAlAs系の半導体レーザ装置の簡便な製造方法及び半導体レーザ装置を提供することにある。 - 特許庁

There is disclosed a procedure for coating the surface of a Cu Damascene wire with an element, having a thickness of 1 to 5 nm prior to deposition of an interlayer dielectric or dielectric diffusion barrier layer.例文帳に追加

開示されているのは、層間の誘電体又は誘電体拡散障壁層の堆積に先立って、1から5nmの厚さの元素でCuダマシン配線の表面をコーティングする手順である。 - 特許庁

The direct back light module is equipped with a plurality of spot light sources, a reflector which reflects light beams of the plurality of spot light sources, and a diffusion layer which has a plurality fine reflection parts scattered on its surface.例文帳に追加

直下型バックライトモジュールは、複数の点光源と、その複数の点光源の光を反射する反射器と、表面に複数の微小反射部が点在している拡散層を備えている。 - 特許庁

After a dummy gate insulating film, a gate electrode film, a diffusion layer and an interlayer insulating film are formed, the dummy gate insulating film and the gate electrode film are removed, and a trench for burying a gate electrode is formed.例文帳に追加

ダミーのゲート絶縁膜及びゲート電極膜、拡散層、及び層間絶縁膜を形成後、前記ダミーゲート絶縁膜及びゲート電極膜を除去し、ゲート電極埋め込み用溝を形成する。 - 特許庁

Since the trench 22 is narrow, the area can be made to be significantly reduced, as compared when the n+ type source region 104 is connected to the p+ type silicon substrate 101 through a deep diffusion layer.例文帳に追加

トレンチ溝22の幅が狭いので、深い拡散層を通じてn+型ソース領域104とp+型シリコン基板101を接続する場合に比べて、大幅に面積を縮小することができる。 - 特許庁

To bond a sputtering target and a backing plate without deteriorating an In layer in a brazing filler metal by preventing counter diffusion between In in the brazing filler metal and components in a BaAl:Eu alloy sheet.例文帳に追加

ボンディング時に、ロウ材のInとBaAl:Eu合金板の成分とが相互に拡散することを防止し、ロウ材のIn層を変質させずに、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとを接合させる。 - 特許庁

A boron concentration in the diffusion layer (12) is set to be10^17 to10^20 atoms/cm^3, and a film thickness thereof is set to be 0.1 to 10 μm.例文帳に追加

拡散層(12)中のボロン濃度は1×10^17atoms/cm^3以上1×10^20atoms/cm^3以下、また、その膜厚は0.1μm以上10μm以下となるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device capable of restraining a semiconductor substrate from being expanded in a diffusion layer area formed on a surface of the semiconductor substrate, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

半導体基板の表面に形成された拡散層領域における半導体基板の膨張の発生を抑制することが可能な、半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is provided with the gate electrode of low resistance and which has a TAT.DRAM cell where sufficient insulation breakdown voltage is secured between the diffusion layer take-out electrode and the gate electrode.例文帳に追加

低抵抗のゲート電極を備え、かつ拡散層取り出し電極とゲート電極間に十分な絶縁耐圧を確保したTAT・DRAMセルを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To separate a reaction gas from water, at a position of a diffusion layer in an anode and a cathode in each basic cell, by overcoming the disadvantageous point by recovering the separation functions of the reaction gas at the location of a separation plate.例文帳に追加

離隔プレートの位置で反応ガスの離隔機能を回復することによって不利な点を克服して、各基本セルにおけるアノード及びカソードにおける拡散層の位置で水から反応ガスを離隔する。 - 特許庁

In this MOS transistor 21, after an LOCOS oxide film 28 and a gate electrode 35 are formed on an epitaxial layer 23, an N+ type diffusion region 31 as the drain lead-out region is formed.例文帳に追加

本発明のMOSトランジスタ21では、エピタキシャル層23上にLOCOS酸化膜28、ゲート電極35を形成した後に、ドレイン取り出し領域であるN+型の拡散領域31を形成する。 - 特許庁

There is provided a bonding wire for a semiconductor element 16, comprising: a wire 20 formed of copper or a copper alloy; and a copper ion diffusion suppression layer containing 1,2,3-Triazole and/or 1,2,4-Triazole configured to coat a surface of the wire.例文帳に追加

銅または銅合金のワイヤ20と、ワイヤ表面上を被覆する1,2,3−トリアゾールおよび/または1,2,4−トリアゾールを含む銅イオン拡散抑制層と、を備える半導体素子16用のボンディングワイヤ。 - 特許庁

On the other substrate 2, a counter electrode 7 faced to each picture electrode 4 is formed, and also diffusion transmitting layer 8 where transparent particles 8a for scatteringly transmitting the light are scattered, is arranged.例文帳に追加

他方の基板2は、各画素電極4に対面する対向電極7が形成されているとともに、光を散乱透過するために透明粒子8aを分散した拡散透過層8が配されている。 - 特許庁

Different additives or different kinds of catalysts are added to slurry to form the activation layer, and the activation layers and the diffusion layers are formed through simultaneous sintering, thereby, the process treatment time is shortened.例文帳に追加

スラリー(slurry)には異なる充填物もしくは異なる触媒剤を加えて活化層を形成し、同時焼結の方式で活化層と拡散層を成形し、工程処理時間を短縮する。 - 特許庁

A transmission liquid crystal display element is provided with a liquid crystal cell 10A and a backlight unit 20 and a diffusion layer 4 is arranged between a first substrate 1 and a first polarizer 5 in the liquid crystal cell 10A.例文帳に追加

透過型液晶表示素子は液晶セル10Aとバックライトユニット20とを備え、液晶セル10Aでは第1の基板1と第1の偏光板5との間に拡散層4が配設されている。 - 特許庁

A male screw part 30 screwed in and contacting a high-pressure gas container 20 is plasma-nitrided in the high-pressure gas container valve 10 constituted by this manner, and a nitrogen diffusion layer is formed thereby on a surface thereof.例文帳に追加

以上のように構成された高圧ガス容器弁10において、高圧ガス容器20と螺合して接触する雄ネジ部30をプラズマ窒化処理して、窒素の拡散層をその表面に形成する。 - 特許庁

In a fuel battery cell unit, a fuel battery cell 42 comprises a membrane electrode gas diffusion layer assembly 42mega, a first separator plate 42sp1, a second separator plate 42sp2, and a frame material 42FL.例文帳に追加

燃料電池セルユニットにおいて、燃料電池セル42は、膜電極ガス拡散層接合体42megaと、第1のセパレータプレート42sp1と、第2のセパレータプレート42sp2と、フレーム材42FLと、を備える。 - 特許庁

To provide a light interference type color display which has a color shift and a contrast ratio improved by forming a film layer inside a panel instead of fitting a light diffusion plate to the outside of the panel.例文帳に追加

パネルの外側に光拡散プレートを取り付ける代わりに、パネルの内側にフィルム層を形成することによって改良されたカラーシフトとコントラスト比を持つ光干渉型カラーディスプレイを提供すること。 - 特許庁

Trench element separation region 16 is so formed as to define an active region on a semiconductor substrate 2, and a drain diffusion layer is so formed as to be sandwiched between the trench element separation regions 16.例文帳に追加

半導体基板2上の活性領域を画定するようにトレンチ素子分離領域16が形成され、トレンチ素子分離領域16に挟まれるようにドレイン拡散層が形成される。 - 特許庁

Further, an n^+ diffusion region 7 acting like a drain of the MOSFET in the MIS region and the p-GaN layer 11 of the pn diode of the bulk region are electrically connected bi a short-circuit electrode 8.例文帳に追加

そして、MIS領域のMOSFETのドレインとなるn^+拡散領域7と、バルク領域のpnダイオードのp−GaN層11を、短絡電極8を介して電気的に接続する。 - 特許庁

The surface of the oxygen pump cell 2 is faced to the outside of the gas sensor element 1, and a porous diffusion resistance layer 10 is provided to cover the surface of the oxygen pump cell 2 provided with the guide path 100.例文帳に追加

酸素ポンプセル2の表面はガスセンサ素子1の外側に面しており,かつ導入路100を設けた酸素ポンプセル2の表面を覆うように多孔質拡散抵抗層10が設けてある。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form an impurity diffusion layer having an ultra-shallow junction without causing the depletion of a gate electrode and deterioration in the reliability of a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート電極の空乏化や、ゲート絶縁膜の信頼性低下を招くことなく、極浅い接合を有する不純物拡散層を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve MOS transistor characteristic by finding an ion implantation condition which retrieves concentration of the electric field on an LDD diffusion layer while suppressing threshold voltage (Vth) increase and drive current (Ids) drop.例文帳に追加

しきい値電圧(Vth)の増加、駆動電流(Ids)の低下を抑えつつ、LDD拡散層の電界集中を緩和するイオン注入条件を見出し、MOSトランジスタ特性の向上を図る。 - 特許庁

To manufacture a seat cushion pad composed of skin layer materials such as polyurethane slab or seat cover pasting on both sides of a pad body with the diffusion of volatile organic compound (VOC) reduced as much as possible.例文帳に追加

ポリウレタンスラブやシートカバーなどの表層材をパッド本体の両面に接着してなるシート用クッションパッドにおいて、揮発性有機化合物(VOC)の放散が極力低減されたものを製造する。 - 特許庁

The gas diffusion layer for the cathode is equipped with carbon black having a specific surface area (N_2 adsorption-BET) of 130 m^2/g or less, a water repellant, and a porous carbon substrate carrying the carbon black and the water repellant.例文帳に追加

カソード用ガス拡散層は、比表面積(N_2吸着−BET)が130m^2/g以下のカーボンブラックと、撥水材と、カーボンブラックおよび撥水材を担持する多孔質のカーボン基材とを具備する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode for a fuel cell allowing normal temperature joining of a gas diffusion layer with an electrolyte film and not losing the reinforcing effect of the electrolyte film throughout all the steps.例文帳に追加

ガス拡散層の電解質膜への接合が常温で行え、また全工程を通して電解質膜の補強効果を失うことのない燃料電池用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the absorbent article 10, the entire main surface on the absorbent side of a diffusion preventing sheet 1 for storing the excrement is not bonded and a space R2 is formed with an upper layer sheet 11.例文帳に追加

吸収性物品10では、排泄物を蓄積する拡散防止シート1の吸収体側の主面全体が非接着とされて、上層シート11との間に空間R2が形成される。 - 特許庁

To provide a dielectric memory in a solid stacked capacitive element wherein both deterioration in an oxygen diffusion preventive layer and occurrence of a crack on an interlayer insulation film can be inhibited, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

立体スタック型の容量素子において、酸素拡散防止層の劣化と、層間絶縁膜でのクラックの発生とが共に抑えられた誘電体メモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile storage device with self-aligningly formed wiring for connecting an upper electrode of a ferroelectric capacitor with a diffusion layer of a cell transistor, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの上部電極とセルトランジスタの拡散層を接続するための配線が、自己整合的に形成された不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 103 made of the non-conductive charge trap layer, and a memory cell region having a memory cell made of a gate electrode and source/drain diffusion layers are formed on a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板101に、非導電性電荷トラップ層からなるゲート絶縁膜103、ゲート電極およびソース・ドレイン拡散層とからなるメモリセルを有するメモリセル領域を形成する。 - 特許庁

The end of a gate electrode 17 on the drain side is placed over a LOCOS oxide film 13 which is formed larger than the gate insulating film 15 in thickness on the surface of the first P-type drain diffusion layer 5d.例文帳に追加

ゲート電極17のドレイン側の端部は、第1P型ドレイン拡散層5dの表面にゲート絶縁膜15よりも厚い膜厚で形成されたLOCOS酸化膜13上に乗り上げている。 - 特許庁

Therefore, in the island regions 8 and 9 constituting the small signal 2, the substrate 4 and the first epitaxial layer 5 are substantially demarcated by the n-type embedded diffusion regions 29 on which a power-supply potential is applied.例文帳に追加

そのことで、小信号部2を構成する島領域8、9では、実質、電源電位が印加されたN型の埋込拡散領域29で、基板4と第1のエピタキシャル層5とが区分される。 - 特許庁

The cylindrical first lenses 12 are formed such that the position of 2 to 15 times of focal distance F of each cylindrical first lens 12 is located on a surface 27 in front of the light diffusion layer 22 of the lenticular lens sheet 21.例文帳に追加

シリンドリカル型の第1レンズ12の焦点距離Fの2倍以上15倍以下の位置が、レンチキュラーレンズシート21が有する光拡散層22の手前面27上に位置するように形成されている。 - 特許庁

例文

In the mercury diffusion control means, an intervening layer 6 that at least includes particles can be made to intervene the contact part of a front substrate 1a and a wave-like portion 1b2 of a back substrate 1b.例文帳に追加

水銀拡散制御手段としては、例えば、前面基板1aと背面基板1bの波状部1b2との接触部分に、少なくとも粒子を含む介在層6を介在させることができる。 - 特許庁




  
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