「diffusion layers」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Catalyst layers 12a, 12b and gas diffusion layers 13a, 13b are equipped as the electrodes for the fuel cell.例文帳に追加

燃料電池用電極として、触媒層１２ａ，１２ｂと、ガス拡散層１３ａ，１３ｂと、を備える。 - 特許庁

Interlayers 5a, 5b are arranged between gas diffusion layers 6a, 6b and catalyst layers 3, 4, respectively.例文帳に追加

中間層５ａ，５ｂがガス拡散層６ａ，６ｂと触媒層３，４の間にそれぞれ配置されている。 - 特許庁

The second diffusion layer 26 is formed in the first diffusion layer 25 wherein the first and second diffusion layers 25 and 26, the third diffusion layer 8 and the fourth diffusion layer 10 are spaced apart from each other.例文帳に追加

第２拡散層２６は第１拡散層２５中に形成されており、第１および第２拡散層２５，２６、第３拡散層８、および第４拡散層１０は、互いに離隔して形成されている。 - 特許庁

The N+ channel stop layers 7 are formed like a frame so as to be continued with the N+ channel stop layers 6 outside the array of the P+ diffusion layers 3.例文帳に追加

Ｎ^+チャンネルストップ層７はＰ^+拡散層３の配列の外側にＮ^^+チャンネルストップ層６と連続して枠状に設けられている。 - 特許庁

Diffusion layers 2 to 5 are formed on a silicon substrate 1, and on these diffusion layers 2 to 5 are formed gate dielectric layers 6, 7 and gate electrodes 8, 9, whereby a MOS transistor is formed.例文帳に追加

シリコン基板１の上に拡散層２〜５が形成され、これら拡散層２〜５の上にゲ−ト絶縁膜６、７及びゲ−ト電極８、９が形成され、ＭＯＳトランジスタが構成される。 - 特許庁

Each of an anode electrode 14 and a cathode electrode 16 has gas diffusion layers 20 and 24 and electrode catalyst layers 22 and 26 which are in contact with the gas diffusion layers 20 and 24 and an electrolyte membrane 12.例文帳に追加

アノード電極１４及びカソード電極１６の各々は、ガス拡散層２０、２４と、該ガス拡散層２０、２４と電解質膜１２に接する電極触媒層２２、２６とを有する。 - 特許庁

At least at part between catalyst layers 321, 331 and gas diffusion layers 322, 332, a bonding part is provided for more tightly adhering the catalyst layers 321, 331 with the gas diffusion layers 322, 332 than at other sites.例文帳に追加

触媒層３２１，３３１とガス拡散層３２２，３３２との間の少なくとも一部に、これら触媒層３２１，３３１とガス拡散層３２２，３３２とを他の部位よりも密着させる接着部が設けられている。 - 特許庁

The p-type embedded diffusion layer forms n-type embedded diffusion layers 7, 30, and a pn junction region.例文帳に追加

そして、Ｐ型の埋込拡散層は、Ｎ型の埋込拡散層７、３０とＰＮ接合領域を形成している。 - 特許庁

An insulating layer 6 is formed on a region of the substrate 1 sandwiched, in-between the diffusion layers 2 and 3 in the lengthwise direction of the diffusion layers 2 and 3.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上であって拡散層２、３に挟まれた領域に、その拡散層２、３の長さ方向に沿って絶縁層６を形成する。 - 特許庁

To provide a spin conductive device having improved characteristics by suppressing diffusion of metal atoms of magnetized free layers, magnetized fixed layers, and tunnel insulating layers to channel layers.例文帳に追加

磁化自由層、磁化固定層、及びトンネル絶縁層の金属原子がチャンネル層へ拡散することを抑制し、良好な特性を有するスピン伝導デバイスを提供すること。 - 特許庁

By heating the semiconductor substrate 11, the regions of the diffusion layers which are turned into silicides are turned into silicides to form silicide layers 21A and 21B.例文帳に追加

半導体基板１１を加熱することにより、シリサイド化させてシリサイド層２１Ａ，２１Ｂを形成する。 - 特許庁

Gas diffusion layers 3, 3 having electron conductivity and gas permeability are arranged outside the catalyst layers 2, 2.例文帳に追加

触媒層２，２の外側には、電子伝導性及びガス透過性を有するガス拡散層３，３が配置される。 - 特許庁

At least one of a pair of the diffusion layers includes a first diffusion layer, a second diffusion layer and the plurality of hollow fibers, and the second diffusion layer is constituted so as to be arranged between the plurality of hollow strings and the catalyst layers.例文帳に追加

一対のガス拡散層の少なくとも一方が、第１拡散層と第２拡散層と複数の中空糸とを有し、前記複数の中空糸と前記触媒層との間に前記第２拡散層が配置されるように構成する。 - 特許庁

At least two kinds of different-nature coating layers 11a, 11b and 12a, 12b are formed between the gas diffusion layers 5, 6 and the electrode catalyst layers 3, 4, respectively.例文帳に追加

ガス拡散層５，６と、各電極触媒層３，４との間に少なくとも２種の互いに性質の異なるコーティング層１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂを備える。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 16 connected to a power supply line 20 is extracted from among n-type diffusion layers in contact with the p-type diffusion layer 11.例文帳に追加

次に、Ｐ型拡散層１１と接しているＮ型拡散層のうち、電源ライン２０と接続されているＮ型拡散層１６を抽出する。 - 特許庁

A diode D is composed by arranging a diffusion layer 5 for composing an anode and diffusion layers 4, 4 for composing a cathode at the left and right of the diffusion layer 5.例文帳に追加

アノードを構成する拡散層５と、その左方及び右方にカソードを構成する拡散層４、４とが配置されてダイオードＤが構成される。 - 特許庁

Source/drain diffusion layers 12 are formed self-aligned with the control gate 8.例文帳に追加

制御ゲート８に自己整合的にソース、ドレイン拡散層１２が形成される。 - 特許庁

A channel section is formed between the source drain diffusion layers 23a and 23b.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層２３ａ，２３ｂの相互間には、チャネル部が形成されている。 - 特許庁

The diffusion properties of these plural diffusive layers 210, 212 differ from each other.例文帳に追加

これら複数の拡散層２１０及び２１２は、互いに拡散特性が異なる。 - 特許庁

The pressure, added to the gas diffusion layers in the direction of its thickness, is added by a pressure adding means.例文帳に追加

加圧手段によりガス拡散層をこれの厚み方向にプレス加圧する。 - 特許庁

Conductive separators 5, 5 are arranged outside the gas diffusion layers 3, 3.例文帳に追加

さらにガス拡散層３，３の外側には、導電性のセパレータ５，５が配置される。 - 特許庁

Two diffusion layers 2 and 3 of N-type regions spaced apart at a certain distance are provided inside a P-type semiconductor substrate 1, so as to be flush with the top surface of the substrate 1, and the diffusion layers 2 and 3 are made to serve as diffusion resistors 4 and 5.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１内の表面側に、所定の間隔をおいてＮ型領域からなる２つの拡散層２、３を形成し、この拡散層２、３を拡散抵抗４、５とする。 - 特許庁

In an anode side electrode 43 and a cathode side electrode 44, intermediate layers 46a, 46b interposed between gas diffusion layers 45a, 45b and electrode catalyst layers 47a, 47b are infiltrated into the gas diffusion layers 45a, 45b, while remaining parts are protruded from the gas diffusion layers 45a, 45b.例文帳に追加

アノード側電極４３及びカソード側電極４４において、ガス拡散層４５ａ、４５ｂと電極触媒層４７ａ、４７ｂの間に介在された中間層４６ａ、４６ｂは、その一部がガス拡散層４５ａ、４５ｂに浸透する一方で、残部が該ガス拡散層４５ａ、４５ｂから突出している。 - 特許庁

The isolation region 1 is formed by connecting P type buried diffusion layers 8, 9 with a P type diffusion layer 10.例文帳に追加

分離領域１は、Ｐ型の埋込拡散層８、９及びＰ型の拡散層１０が連結し、形成されている。 - 特許庁

Thereafter, source/drain diffusion layers 22a, 22b are formed deeper than the N-type diffusion layer 17.例文帳に追加

その後、非シリサイド領域２４を除く部位に、Ｎ型拡散層１７よりも深く、ソース／ドレイン拡散層２２ａ，２２ｂを形成する。 - 特許庁

The adhesive holding part 41 is formed by extending diffusion layers 13, 16 of a membrane-electrode-diffusion layer assembly.例文帳に追加

（２）接着剤保持部４１が膜−電極−拡散層アッセンブリの拡散層１３、１６を延長して形成されている。 - 特許庁

N-type diffusion layers 36a and 36b serving as sources are provided in the P-type diffusion layers 34a and 34b respectively, and parts of P-type diffusion layer regions 34a and 34b located between the well diffusion layer 32 and the source diffusion regions 36a and 36b are made to serve as channel regions 38a and 38b.例文帳に追加

各Ｐ型拡散層３４ａ，３４ｂ内にはそれぞれソースとなるＮ型拡散層３６ａ，３６ｂが形成され、ウエル拡散層３２とそれぞれのソース拡散層３６ａ，３６ｂの間のＰ型拡散層領域３４ａ，３４ｂがチャネル領域３８ａ，３８ｂとなっている。 - 特許庁

The fuel cell is so structured that the power generating body, the diffusion layers and the separator are laminated with the diffusion layers arranged at either side of the power generating body, and the separator arranged at a face opposite to a side of the diffusion layers opposed to the power generating body.例文帳に追加

燃料電池は、発電体と拡散層とセパレータとが、発電体の両面に拡散層が配置されると共に、拡散層の発電体に対向する側とは反対側の面にセパレータが配置されるように積層された構成を有する。 - 特許庁

To clarify a method for improving adhesion intensity of catalyst layers and gas diffusion layers, and to prevent damage of the catalyst layers or the like due to freezing of water.例文帳に追加

触媒層とガス拡散層との密着強度を上げるための手法を明らかとし、水の凍結による触媒層等の破損を抑制できるようにする。 - 特許庁

The diffusion layers 106 have a metallic layer or a metallic silicide layer 108 at least on the layers 106.例文帳に追加

複数の拡散層１０６は、少なくともその上部に金属層又は金属のシリサイド層１０８を有している。 - 特許庁

The electrodes 41-46 and the electrodes 51-56 are formed between separators 31, 32 and catalyst layers/diffusion layers 21, 22.例文帳に追加

電極４１〜４６、および電極５１〜５６はセパレータ３１，３２と触媒・拡散層２１，２２の間に形成されている。 - 特許庁

The two diffusion layers are thin layers and one layer is positioned on the upper side of the substrate and the other layer is positioned on the lower side of the substrate.例文帳に追加

二片の拡散層は薄片状で、一片は基礎台上側に位置し、別一片は基礎台下側に位置する。 - 特許庁

All of the base drawer p^+-type diffusion layers 14A-14E are connected to a base contact 8, and all of the emitter n^+-type diffusion layers 15A-15I are connected to an emitter contact 9.例文帳に追加

全てのベース引き出しＰ＋拡散層１４Ａ〜１４Ｅをベースコンタクト８に接続し、全てのエミッタＮ＋拡散層１５Ａ〜１５Ｉをエミッタコンタクト９に接続する。 - 特許庁

The memory unit includes a first to a third diffusion layers juxtaposed in a row direction and elongated in a column direction to constitute a transistor connected in parallel with each of the diffusion layers.例文帳に追加

メモリユニットは、行方向に沿って並置され列方向に伸長される第１〜第３拡散層を備え、各拡散層で並列接続のトランジスタが構成される。 - 特許庁

A plurality of p-type diffusion layers 3 are formed on the surface layer of an n^--type epitaxial layer 2.例文帳に追加

ｎ^-型エピ層２の表層部に複数のｐ型拡散層３を形成する。 - 特許庁

The finger electrodes 4 are formed so as to be brought into contact with the high concentration diffusion layers 3 in positional relations in which they cross the plurality of high concentration diffusion layers 3.例文帳に追加

フィンガー電極４は、複数の高濃度拡散層３と交差する位置関係にて、その各々の交差位置にてそれら高濃度拡散層３と接して形成されてなる． - 特許庁

By this process, diffusion layers 4, 5 free from defects are formed and jointing strength is enhanced.例文帳に追加

これにより、欠陥の無い拡散層４，５を形成させて接合強度を高める。 - 特許庁

To provide a method for depositing a metal on diffusion barrier layers by atomic layer deposition.例文帳に追加

拡散バリア層に原子層堆積によって金属を被着させる方法の提供。 - 特許庁

First conductivity impurities of large mass are diffused under the extension high-concentration impurity diffusion layers 15, by which a P-type pocket impurity diffusion layer 16 is formed under the impurity diffusion layers 15.例文帳に追加

エクステンション高濃度不純物拡散層１５の下側には、質量の大きい第１導電型の不純物が拡散されることにより形成されたｐ型のポケット不純物拡散層１６が形成されている。 - 特許庁

The grain boundary 32 is imparted with properties bonding to a diffusion substance, so that the diffusion substance bonds to the grain boundary 32 preferentially even if the diffusion substance is diffused from layers adjacent to the ferromagnetic layers 24 and 26.例文帳に追加

そして、その結晶粒界３２に拡散物質との結合性を持たせ、強磁性体層２４，２６の隣接層から拡散物質の拡散があっても、拡散物質を結晶粒界３２と優先的に結合させる。 - 特許庁

N-type extension high- concentration impurity diffusion layers 15 possessed of a shallow junction and N-type high-concentration impurity diffusion layers 14 possessed of a deep junction are each formed on both sides of the P-type impurity diffusion layer 13.例文帳に追加

ｐ型の不純物拡散層１３の両側には、浅い接合を持つｎ型のエクステンション高濃度不純物拡散層１５及び深い接合を持つｎ型の高濃度不純物拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

The channel part is formed deeper than the first diffusion layer 12B and an interval of the second diffusion layers 12C in a couple of transistors provided adjacently in the row direction is wider than the interval of the first diffusion layers 12B.例文帳に追加

溝部は、第１の拡散層１２Ｂよりも深さが深く、行方向に隣接する２つのトランジスタにおける第２の拡散層１２Ｃ同士の間隔は、第１の拡散層１２Ｂ同士の間隔よりも広い。 - 特許庁

The p-type diffusion layer 5 is formed to have an impurity concentration peak at a deeper part than the n-type diffusion layers 7, 8.例文帳に追加

Ｐ型の拡散層５は、Ｎ型の拡散層７、８よりも深部に不純物濃度ピークを有するように形成されている。 - 特許庁

The diffusion resistance layer 400 is a second conductivity type, and is located adjacently to any of the plurality of second diffusion layers 300.例文帳に追加

拡散抵抗層４００は、第２導電型であり、複数の第２の拡散層３００のいずれかの隣に位置している。 - 特許庁

N- diffusion layers 14b and 17b are formed deeper than the diffusion layer of the source/drain of a MOS transistor for internal circuits.例文帳に追加

Ｎ^-拡散層１４ｂ，１７ｂは内部回路用ＭＯＳトランジスタのソース、ドレインの拡散層よりも深く形成されている。 - 特許庁