意味 | 例文 (848件) |
diffusion layersの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 848件
To provide a semitransmissive liquid crystal display and a reflective liquid crystal display, which are liquid crystal display devices comprising a light diffusion reflection film provided between a pair of substrates placed opposite to each other and have improved optical characteristics such as contrast ratios caused by improvement of layer thickness uniformity of liquid crystal layers in reflective display regions.例文帳に追加
対向する一対の基板間に光拡散反射膜を備えた液晶表示装置であって、反射表示領域における液晶層の層厚の均一性を向上させることによってコントラスト比等の光学特性を向上させた半透過型液晶表示装置及び反射型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
Since an impurity concentration profile in the thickness direction of the N type and P type impurity diffusion layers 32, 33 thus formed is formed in a way suitable for the generation and movement of carriers, the semiconductor device 30 provided with the light receiving element unit A with a high response speed and excellent light receiving sensitivity is obtained.例文帳に追加
このようにして形成されるN型およびP型不純物拡散層32,33の厚み方向における不純物濃度プロファイルは、キャリアの発生と移動とに好適なように形成されるので、応答速度と受光感度とに優れる受光素子部Aを備える半導体装置30が実現される。 - 特許庁
For the hydrogen barrier to protect the ferroelectric capacitor (C_FE) from the hydrogen diffusion in the semiconductor device (102), nitride-aluminum oxide (N-AlOx) is formed on the ferroelectric capacitor (C_FE), and one or more silicon nitride layers (112, 117) are formed on the nitride-aluminum oxide (N-AlOx).例文帳に追加
半導体装置(102)内の水素拡散から強誘電体キャパシタ(C_FE)を保護するための水素障壁は、強誘電体キャパシタ(C_FE)上に酸化アルミニウム窒化物(N−AlOx)が形成され、そして酸化アルミニウム窒化物(N−AlOx)上に1つ又はそれ以上の窒化シリコン層(112、117)が形成される。 - 特許庁
Then, heat transfer sheet materials 6 for heat transfer and thermal diffusion are arranged to adhere closely between each of the layers of module 5, a space part 7 of a tunnel shape formed to cover a sealed part 3 of each adjacent storage cells 1 is to be a fluid channel circulating fluid transmitting input and output heat coming and going to each of the cells.例文帳に追加
そして、モジュール5の各層間に、伝熱及び熱拡散用の伝熱シート材6をセル積層面に密着するように配設し、隣接する各蓄電体セル1の封止部3を覆って形成されるトンネル状の空間部7を、各セルに出入りする入出力熱を輸送する流体を流す流体通路とする。 - 特許庁
The transistor has a gate oxide film 9 formed on the surface of the silicon wafer, gate electrodes 10 and 11 formed on the gate oxide film and located adjacently to the first and third LOCOS oxide films 4 and 6, and impurity diffusion layers 12 and 13 formed on the silicon wafer under sides of the gate electrodes.例文帳に追加
上記トランジスタは、シリコン基板の表面上に形成されたゲート酸化膜9と、このゲート酸化膜上に形成され第1及び第3のLOCOS酸化膜4、6に隣接して配置されたゲート電極10、11と、このゲート電極の側部下のシリコン基板に形成された不純物拡散層12、13と、を有する。 - 特許庁
To lower the collector-emitter saturation voltage for an NPN transistor of a semiconductor device by surely connecting an N+ diffusion area as a collector lead-out region to an N+ additional embedded layer formed between 1st and 2nd epitaxial layers.例文帳に追加
半導体装置のNPNトランジスタにおいて、コレクタ導出領域となるN^+型拡散領域と第1エピタキシャル層と第2エピタキシャル層との間に形成されるN^+型付加埋め込み層とを確実に連結させることで、NPNトランジスタにおけるコレクタ−エミッタ間飽和電圧を低減させることを目的とする。 - 特許庁
Light diffusion films 5, which are provided with metal reflection layers 5a provided with a number of minute through holes 5b on the surfaces, are respectively arranged on the rear surfaces of a pair of translucent plates attached to a frame body 1, to which fluorescent lamps 2 are attached, so as to sandwich the frame body in between.例文帳に追加
蛍光灯2が取り付けられた枠体1を挟むように取り付けられる一対の透光性板の裏面に、それぞれ、表面に金属反射層5aが設けられると共に、この金属反射層5aに多数の微細な透孔5bが設けられた光拡散フィルム5を配置することとした。 - 特許庁
The fuel cell, constituted of by laminating a plurality of single cells 8, holds an elastic laminated sealing material 10, which is deformed as it is pushed in a laminating direction, between mutually neighboring separators 6 and 7, or between the separators 6, 7 and gas diffusion layers 4, 5 for sealing a fuel gas flow channel groove 6a, or an oxidant gas flow channel groove 7a.例文帳に追加
単電池8を複数個積層し、燃料ガス流路溝6aまたは酸化剤ガス流路溝7aのシールのために、互いに隣接するセパレータ6,7同士またはセパレータ6,7とガス拡散層4,5の間に、積層方向に押されて変形する弾性体の積層シール材10が配置された燃料電池である。 - 特許庁
The fuel cell comprises an electrolyte having ion conductivity, a pair of electrode parts and a pair of gas diffusion layers, and a pair of separators for supplying fuel and oxidant to each of the pair of electrode parts.例文帳に追加
イオン導電性を有する電解質と、前記電解質を挟持する一対の電極部および一対のガス拡散層と、燃料及び酸化剤を一対の前記電極部のそれぞれに供給する一対のセパレータとを有する燃料電池において、前記セパレータを波板状の部位を有した複数枚の流路板により構成する。 - 特許庁
A polyester film for optical film used by laminating optical functional layers selected from a hard coat layer, a prism layer, a diffusion layer, and a lens layer, is a co-extrusion laminated film having at least one outermost layer containing particles with a pore volume of 0.5-2.0 ml/g.例文帳に追加
ハードコート層、プリズム層、拡散層、レンズ層から選ばれる光学機能層を積層して用いられる光学フィルム用ポリエステルフィルムであって、細孔容積が0.5〜2.0の粒子を含有する最外層を少なくとも1層有する共押出積層フィルムであることを特徴とする光学フィルム用ポリエステルフィルム。 - 特許庁
An MEAG 20 formed with an electrolyte membrane-electrode assembly 23 and gas diffusion layers 22, 24 is interposed between an upper mold 60a and a lower mold 60b of a seal integral assembly manufacturing device 100 such that the tip is placed in a cavity 64.例文帳に追加
シール一体アセンブリ製造装置100の上金型60aと下金型60bとの間に、電解質膜・電極接合体23とガス拡散層22,24とで形成されるMEGA20を、その先端部がキャビティ64中に置かれるようにして、上金型60aと下金型60bとで挟持して固定する。 - 特許庁
A fuel cell includes: a membrane electrode assembly 120; an anode side deformation member 163 and a cathode side deformation member 162 which are arranged on a periphery of the membrane electrode assembly; and gas diffusion layers 142, 143 holding the membrane electrode assembly, the anode side deformation member 163 and the cathode side deformation member 162.例文帳に追加
燃料電池は、膜電極接合体120と、膜電極接合体の外縁部に配置されるアノード側変形部材163及びカソード側変形部材162と、膜電極接合体とアノード側変形部材163及びカソード側変形部材162と、を挟持するガス拡散層142、143と、を備えている。 - 特許庁
Before the hot-press process, in a condition in which the gas diffusion layers 10, 11 has not been laminated on the intermediate laminate 25, the intermediate laminate 25 is heat and held for heat treatment in a temperature region having a temperature of not lower than the glass transition temperature of the electrolyte polymer contained in the catalyst electrodes 14, 18 and not higher than its thermally decomposition temperature.例文帳に追加
ホットプレス工程の前に、ガス拡散層10,11を中間積層体25に積層していない状態で、触媒電極層14.18に含まれている電解質ポリマーのガラス転移温度以上で熱分解温度以下の温度領域に、中間積層体25を加熱保持して熱処理する。 - 特許庁
The capacitive pressure sensor detects the variation of capacitance between a diaphragm 15 formed as a part of a semiconductor substrate 11 and an electrode film 17 formed on an insulating member 13 so as to be disposed opposite the diaphragm, and includes first and second diffusion wiring layers 21 and 23 separately provided on the semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板11の一部分として形成されたダイアフラム15と、絶縁性部材13上にダイアフラムと対向して設けられた電極膜17との間の静電容量変化を検出する静電容量型圧力センサであって、半導体基板にそれぞれ離間して設けられた第1及び第2拡散配線層21及び23を具える。 - 特許庁
Three N+ diffusion layers 4a, 4b, and 4c are formed on a surface of a region surrounded by an element isolating insulating film 3a.例文帳に追加
素子分離絶縁膜3aに囲まれた領域の表面に、3個のN^+拡散層4a、4b及び4cが形成されており、N^+拡散層4aはNチャネルMOSトランジスタ11aのソース拡散層となり、N^+拡散層4cはNチャネルMOSトランジスタ11bのソース拡散層となり、N^+拡散層4bはNチャネルMOSトランジスタ11a及び11bのドレイン拡散層となっている。 - 特許庁
A semiconductor device includes a gate insulation film 20 formed on a semiconductor substrate 10, a cap film 22 formed on the gate insulation film, a silicon oxide film 23 formed on the cap film, a metal gate electrode 24 formed on the silicon oxide film, and source/drain diffusion layers 48 formed in the semiconductor substrate beside both sides of the metal gate electrode.例文帳に追加
半導体基板10上に形成されたゲート絶縁膜20と、ゲート絶縁膜上に形成されたキャップ膜22と、キャップ膜上に形成されたシリコン酸化膜23と、シリコン酸化膜上に形成された金属ゲート電極24と、金属ゲート電極の両側の半導体基板内に形成されたソース/ドレイン拡散層48とを有している。 - 特許庁
More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth.例文帳に追加
詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、SOI層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したSOI層の酸化を防止する。 - 特許庁
This semiconductor device is provided with a contact hole 47, inside which a boundary between diffusion layers 41 and 42 and an element isolation region 12 is exposed, and a high melting-point metal layer (a titanium film 48) for covering the surface of a silicon substrate 11 exposed inside the contact hole 47 is formed into a thickness of 5 nm-11 nm.例文帳に追加
拡散層41,42と素子分離領域12との境界が内部に露出する接続孔(コンタクトホール47)を備えた半導体装置において、コンタクトホール47の内面に露出するシリコン基板11表面を被覆する高融点金属層(チタン膜48)が5nm以上11nm以下の膜厚に形成されているものである。 - 特許庁
The nonvolatile memory device includes: a semiconductor substrate; columnar gate electrodes formed on the semiconductor substrate; source/drain diffusion layers formed nearby a surface of the semiconductor substrate; nitride films for charge storage, formed on side surfaces of the gate electrodes; and element isolation regions formed in the semiconductor substrate.例文帳に追加
本発明に係る不揮発性メモリ装置は、半導体基板と;前記半導体基板上に形成された柱状のゲート電極と;前記半導体基板の表面付近に形成されたソース/ドレイン拡散層と;前記ゲート電極の側面に形成された電荷蓄積用の窒化膜と;前記半導体基板に形成された素子分離領域とを備える。 - 特許庁
Disclosed are insulated gate transistors 101 to 106, in each of which, striped contact portions C2 of a metal wiring layer 16 to be wiring-connected to diffusion layers 12, 13 through contact holes H1, each arranged between adjacent gate electrodes 14, each have a curvature reduction portions C2a to C2f at both ends of a stripe.例文帳に追加
隣り合ったゲート電極14の間に配置され、コンタクトホールH1を介して、半導体基板1の主面側の表層部に形成された拡散領域12,13に配線接続する金属配線層16のストライプ状のコンタクト部C2が、該ストライプ状の両端に、曲率縮小部C2a〜C2fを有してなる絶縁ゲートトランジスタ101〜106とする。 - 特許庁
Further, as the durometer hardness of an elastic polymer material, containing conductive particles covered by a surface layer made of diffusion resistant metal, is higher than that of another layers, the anisotropic conductive connector is hardly deformed even electronic parts are repeatedly tested, and the lowering of the conductivity of the anisotropic conductive connector caused by the deformation is small.例文帳に追加
更に、表面層である耐拡散性金属によって被覆された表面を有する導電性粒子が含有されてなる弾性高分子物質が、それ以外の層よりデュロメータ硬さの値が高いので、電子部品の検査を繰り返しても、変形することが少なく、異方導電性コネクターの変形による導電性の低下も少ない。 - 特許庁
Then, even if after the multilayer structure in a layer above the surface of a silicon semiconductor substrate 2 has been formed, the thermal treatment is carried out and a bond of heavy hydrogen to silicon is cut, heavy hydrogen can be continuously supplied to an interface between source/drain diffusion layers 16, 17 of the silicon semiconductor substrate 2 and a gate insulating film 18.例文帳に追加
すると、シリコン半導体基板2の表面より上層の多層構造を形成した後に熱処理が行われ重水素とシリコンの結合が切断されたとしても、シリコン半導体基板2のソース/ドレイン拡散層16および17とゲート絶縁膜18との間の界面に継続的に重水素を供給できるようになる。 - 特許庁
The diffusion layers 31, 41 of a fuel cell are provided by diffusing a reaction fluid used for power generation reaction of a fuel cell, and has a carbon fiber aggregate where numerous carbon fibers are intertwined each other and a water-repellent material with the average molecular weight of one million or below formed by a polymer material existed between carbon fibers.例文帳に追加
燃料電池用拡散層31,41は、燃料電池の発電反応に用いられる反応流体を拡散させるものであり、多数の炭素繊維が互いに絡み合っている炭素繊維集積体と、炭素繊維間に存在する高分子材料で形成され平均分子量が100万以下の撥水材とを備えている。 - 特許庁
The ratio of the thickness of a diffusion layer to that of the layer having the low refractive index is made larger so that the ratio of phase change among the respective layers is not changed suddenly when the multilayer film is scraped off in order to adjust the phase of the light to be reflected by the multilayer film reflection mirror.例文帳に追加
本発明による多層膜反射鏡は、前記多層膜反射鏡によって反射される光の位相を調整するために多層膜を削り取る際に、各層間で位相変化の割合が急激に変化しないように、前記屈折率の低い層の厚さに対する拡散層の厚さの比率を大きくしたことを特徴とする。 - 特許庁
The length of the gate electrode (1) is more elongated than the minimum working size whereby the concentration of the semiconductor substrate (10) for regulating a threshold voltage Vth can be reduced than that of a conventional substrate, thereby permitting the reduction of a connecting electric field in a boundary surface between the semiconductor substrate (10) and diffusion layers (11, 11', 12) than that in a conventional device.例文帳に追加
本発明では、ゲート電極(1)のゲート長を最小加工寸法よりも長くしたことにより、閾値電圧Vth調整用の半導体基板(10)の濃度を従来のそれよりも低減することができ、半導体基板(10)と拡散層(11、11’、12)との境界面の接合電界を従来のそれよりも低減することができる。 - 特許庁
To provide a light-emitting element, in which transparent semiconductors functioning as current diffusing layers can be formed efficiently on both main surface sides of an AlGaInP light-emitting layer section and the variation of the serial resistance, in which the forward current of the element hardly occurs, and which can suppress the deterioration of the light-emitting layer section caused by the thermal diffusion of a dopant profile.例文帳に追加
AlGaInP発光層部の両主表面側に電流拡散層として機能する透明半導体を効率よく形成でき、また、発光層部のドーパントプロファイルの熱拡散による劣化も抑制でき、さらに、素子の直列抵抗ひいては順方向電流のばらつきも生じにくい発光素子を提供する。 - 特許庁
Impurity diffusion layers 4, a buffer insulating layer 4 composed of (Ce, Zr)O2 (or CeO2), the second ferroelectric layer 5 comprising Bi3TiNbO9, the first ferroelectric layer 6 consisting of Bi4Ti3O12, and a gate electrode 7 composed of polysilicon are laminated successively in an active region surrounded by the LOCOS film 2 of a silicon substrate 1.例文帳に追加
シリコン基板1のLOCOS膜2によって囲まれる活性領域には、不純物拡散層4と、(Ce,Zr)O_2 (又はCeO_2 )からなるバッファ絶縁層4と、Bi_3 TiNbO_9 からなる第2の強誘電体層5と、Bi_4 Ti_3 O__12からなる第1の強誘電体層6と、ポリシリコンからなるゲート電極7とが順に積層されている。 - 特許庁
To an ionomer sub-gasket having proton conductivity and a high O_2 transmittance, not only a proton non-conductive sub-gasket material having a low oxygen and/or hydrogen transmittance is used, but additionally, microporous layers (for example, one coated on a diffusion medium) placed just under a transparent sub-gasket material are removed, so that generation of corrosion species can be reduced.例文帳に追加
プロトン導電性であり、高いO_2透過率を有するアイオノマーサブガスケットに対して、低い酸素および/または水素透過率を有するプロトン非導電性サブガスケット材料を使用することに加えて、透過性サブガスケット材料の直下にある(例えば、拡散媒体上に被覆された)微孔質層を除去することも腐食種の生成を低減する。 - 特許庁
The gas passage forming member 22 is formed with a lath cut metal 25, and the forming width of a first plane part 29a coming in contact with the surfaces of gas diffusion layers 19, 20 out of a ring part 27 forming a through hole of the gas passage forming member 22 is set wider than the forming width of a second plane part 30a coming in contact with the separator 24.例文帳に追加
ガス流路形成部材22を、ラスカットメタル25により成形し、ガス流路形成部材22の貫通孔を形成するリング部27のうちガス拡散層19,20の表面と接触する第1平面部29aの形成幅を、前記セパレータ24と接触する第2平面部30aの形成幅よりも広く設定する。 - 特許庁
The oxide semiconductor layer 113 is in contact with the second conductive layers 115a, 115b and barrier layers 116a, 116b including aluminum oxide as the first component, whereby diffusion of aluminum atoms to the oxide semiconductor layer 113 is suppressed.例文帳に追加
インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を有した薄膜トランジスタ150がアルミニウムを第1成分とする第1導電層(114a、114b)と高融点金属材料からなる第2導電層(115a、115b)を積層したソース電極層及びドレイン電極層(117a、117b)を有し、酸化物半導体層113が、前記第2導電層(115a、115b)および酸化アルミニウムを第1成分とするバリア層(116a、116b)と接することで、アルミニウム原子の酸化物半導体層113への拡散を抑制する。 - 特許庁
To obtain a method by which contact holes 36 and 38 respectively reaching a lower diffusion layer 24, having a lower surface height and a lower wiring layer 26 having a higher surface height can be formed in the same etching step, without making the wiring layer 26 etch excessively, when the wiring layers 24 and 26 are coated with an interlayer insulating film 38 having a flat surface.例文帳に追加
表面高さが低い下部拡散層24と表面高さが高い下部配線層26が、表面が平坦な層間絶縁膜38に被覆されている場合に、それぞれが下部拡散層24と下部配線層26に達するコンタクトホール36と38を、表面高さが高い下部配線層26を過剰にエッチングせず、しかも、同一のエッチング工程で形成できる方法を開発する。 - 特許庁
A catalyst layer 2 composed of catalyst support particles 21 and a catalytic noble metal 22 is formed on the outer surface 141 introducing the gas to be measured of the porous diffusion resistance layer 14 and a plurality of protective layers (first protective layer 3 and second protective layer 4) comprising oxide particles 31 and 41 respectively different in average particle size, are formed on the catalyst layer 2.例文帳に追加
多孔質拡散抵抗層14における被測定ガスを導入する外表面141上には、触媒担持粒子21と触媒貴金属22とからなる触媒層2が形成されており、触媒層2上には、それぞれ平均粒径の異なる酸化物粒子31、41からなる複数の保護層(第1保護層3、第2保護層4)が多層形成されている。 - 特許庁
In the refrigerant compressor using R600a (isobutane) as an operating refrigerant, a DLC coating layer is formed by forming a pure chrome film layer as a lower layer, forming a tungsten carbide layer and an Me-DLC layer as intermediate layers, and performing DLC treatment to the top part so as to surely form a diffusion layer in the surface of a base material relative to a connecting rod made of a chrome-molybdenum steel.例文帳に追加
作動冷媒にR600a(イソブタン)を用いた冷媒圧縮機において、クロムモリブデン鋼で作製したコンロッドに対して、基材表面に拡散浸透層を確実に形成できるようにするため、下層に純クロムの膜層、中間層としてタングステンカーバイト層,Me−DLC層を形成し、最上部にDLC処理を施し、DLCコーティング層を形成する。 - 特許庁
The light diffusion board is constituted by integrally laminating a 1st resin layer constituted of light-transmissive layer containing ultraviolet absorber and a 2nd resin layer constituted of light-transmissive resin, and the 1st resin layer or the 2nd resin layer contains light diffusing agent, alternatively, both the 1st and 2nd resin layers contain the light diffusing agent.例文帳に追加
透光性樹脂に紫外線吸収剤を含有させてなる第一の樹脂層と、透光性樹脂よりなる第二の樹脂層とを積層一体化し、第一の樹脂層に光拡散剤を含有させるか、第二の樹脂層に光拡散剤を含有させるか、第一の樹脂層と第二の樹脂層の双方に光拡散剤を含有させた構成の光拡散板とする。 - 特許庁
The optical diffusion sheet is obtained by disposing a hard coat layer on one face of a resin sheet having a three-layer structure molded by co-extrusion, the resin sheet consists of a middle layer comprising a diffusing agent-containing resin and front and rear outer layers comprising a transparent resin and a matting agent is contained in the hard coat layer.例文帳に追加
共押出により成形されてなる3層構成の樹脂板の片面にハードコート層を設けた構成の光拡散板であって、前記3層構成の樹脂板が、拡散剤を混入した樹脂からなる中間層と、透明樹脂からなる表裏の外層からなり、かつ、前記ハードコート層にマット剤を混入したことを特徴とする光拡散板をよびそれを用いた透過型スクリーンである。 - 特許庁
If the deposition time is insufficient as the time for diffusing Si into the electrode film and as the progressing time of silicification reaction during deposition of the electrode film, multistage film deposition may be performed such that film deposition is interrupted after depositing several atomic layers until silicification reaction progresses through diffusion of Si and the electrode film is deposited again upon elapsing an appropriate time.例文帳に追加
また、電極膜を成膜中にSiが電極膜中に拡散するための時間およびシリサイド化反応が進む時間が、成膜時間だけでは足らない場合は、数原子層成膜した後、Siが拡散してシリサイド化反応が進むまで成膜を止めて、適切な時間が経過した後、再び電極膜を成膜する、多段階成膜法をおこなっても良い。 - 特許庁
The MOS transistor 100, 100a, 100b formed on a semiconductor substrate 90, and having a drain region 20 and a backgate region 40 comprising different conductive type diffusion layers 21, 22, 41 and 42 is characterized in that the drain region 20 and the backgate region 40 are arranged adjacent to each other, and have a region with a PN-junction formed on the adjacent surface.例文帳に追加
半導体基板90に形成され、異なる導電型の拡散層21、22、41、42からなるドレイン領域20とバックゲート領域40とを有するMOSトランジスタ100,100a、100bであって、 前記ドレイン領域20と前記バックゲート領域40とが隣接して配置され、隣接面にPN接合が形成された領域を有することを特徴とする。 - 特許庁
Since incident ion charges escape through the first and second P-type diffusion layers 7 and 11 at dry etching for the formation of the metal wirings, charge up will not take place on the first and second gate electrodes 4 and 6 or the characteristics will not become unbalanced by charge up and thereby no difference appears in the characteristics between transistors.例文帳に追加
上記構成をとることにより金属配線を形成する時のドライエッチングを行っても、入射イオン電荷が第一のP型拡散層7および第二のP型拡散層11を通じて逃れるので第一のゲート電極4と第二のゲート電極6がチャージアップしない、あるいはチャージアップしてもアンバランスが生じないためトランジスタ間の特性に差が発生しない。 - 特許庁
An anode side electrode 28 and a cathode side electrode 30 composing the structure 12 is provided with gas diffusion layers 32a, 32b composed of a foam made from metallic material such as stainless steel, and passage walls 36a, 36b, 36c, 36d made from a resin for forming the reaction gas passage are installed by impregnation in the foam.例文帳に追加
電解質膜・電極構造体12を構成するアノード側電極28およびカソード側電極30は、ガス拡散層32a、32bを設けるとともに、前記ガス拡散層32a、32bは、ステンレス等の金属材料製の発泡体で形成されており、この発泡体内には、反応ガス流路を形成するための樹脂製流路壁36a、36b、36cおよび36dが含浸により組み込まれている。 - 特許庁
The method for carburizing workpieces having edge parts includes: a plasma carburizing treatment (a carburizing treatment step) of storing workpieces having edge parts into a vacuum furnace, feeding a carburizing gas into the vacuum furnace and performing glow discharge; and the subsequent step (a diffusion step) of diffusing carbon in the surface layers of the workpieces into the workpieces by a neutral or reducing gas plasma treatment including an inert gas represented by argon.例文帳に追加
真空炉内に、エッジ部を有するワークを収容し、該真空炉内に浸炭性ガスを供給してグロー放電するプラズマ浸炭処理(浸炭処理工程)を施した後、引き続きアルゴンに代表される不活性ガスを含む中性あるいは還元性のガスプラズマ処理によりワーク表面層の炭素をワーク内部に拡散させる工程(拡散工程)を有することを特徴とする、エッジ部を有するワークの浸炭方法。 - 特許庁
In the membrane/electrode assembly, a pair of electrode catalyst layers is made of a composite catalyst particle, having a polyelectrolyte, a catalytic material, and an electron conductive substance, and the content ratio of the polyelectrolyte in the composite catalyst particle is larger on the side in contact with the solid polymer electrolyte membrane, as compared with the side in contact with the gas diffusion layer in a thickness direction of the electrode catalyst layer.例文帳に追加
一対の電極触媒層は、高分子電解質と触媒物質と電子伝導性物質を有する複合触媒粒子からなり、電極触媒層の厚み方向において、ガス拡散層に接する側と比べて、固体高分子電解質膜に接する側において、複合触媒粒子中の高分子電解質の含有割合が多いことを特徴とする膜電極接合体。 - 特許庁
By forming a silver coating film 007 on one or more layers of coating films (003, 004, 005) formed on a substrate 002 for a lead frame via a coating film 006 acting as a sacrificial anode, discoloration of the silver coating film 007 by heating and a diffusion of a metal element are suppressed; and thereby superior light emission rate can be secured stably, while light emission characteristics are stabilized.例文帳に追加
リードフレーム用基材002上に形成された1または複数層の被膜(003,004,005)上に、犠牲アノードとして作用する被膜006を介して銀被膜007を形成することにより、銀被膜007が加熱により変色することや金属元素が拡散されることを抑制でき、発光特性を安定させながら、安定して良好な発光率を確保することができる。 - 特許庁
The fuel cell includes an electrolyte membrane 120, an anode electrode 140 and a cathode electrode 130 arranged by pinching the electrolyte membrane 120 and having gas diffusion layers 144, 134, respectively, and a first and a second separators 170, 160 arranged on the outer surface of the anode electrode 140 and the cathode electrode 130 and with ribs 172, 162 formed on opposite surfaces of the anode electrode 140 and the cathode electrode 130.例文帳に追加
電解質膜120、電解質膜120を挟んで配置され、ガス拡散層144,134をそれぞれ有するアノード電極140とカソード電極130、および、アノード電極140およびカソード電極130の外面に配置され、アノード電極140およびカソード電極130に相対する面にリブ172,162が形成された第1および第2セパレータ170,160を有する。 - 特許庁
The catalyst combustor for the gas fuel having the planar combustion catalyst layer on the end face of a casing comprises a plurality of laminates each consisting of a plurality of porous ceramic paper sheets laminated, arranged on the front stage of the catalyst layer in spaced relation, and diffusion layers formed between the adjacent laminates and between the laminate near the catalyst layer and the catalyst layer.例文帳に追加
ケーシングの端部面に平面状燃焼触媒層を備えたガス燃料の触媒燃焼器であって、該触媒層の前段に、複数の多孔質セラミックペーパーを積層してなる積層体の複数個を間隔を置いて配置するとともに、相隣り合う積層体の間、及び、触媒層寄りの積層体と触媒層の間に拡散層を形成してなることを特徴とするガス燃料の触媒燃焼器。 - 特許庁
The backlight has a plurality of electrodeless luminescent lamps or electrode conductors on the outside of the tubes of the lamps at their both ends, upper and lower fixtures having, on their opposing faces, a plurality of grooves for receiving both ends of the plurality of luminescent lamps and conductive layers to apply a voltage to the luminescent lamp, and light diffusion means formed on the upper side of the upper fixture.例文帳に追加
本発明によるバックライトは、管外部の両端に電極導体を有するか又は無電極の多数の発光ランプと;互いに対向する面に前記多数の発光ランプの両端を収容する多数の溝と前記発光ランプに電源を印加するための導電層を有する上部及び下部の器具体と;前記上部器具体の上側に形成された光散乱手段とを含むことを特徴とする。 - 特許庁
The membrane electrode assembly 1 composed of a solid polymer electrolyte membrane 4 and diffusion layers 103 bonded to both surfaces thereof, and the electrolyte membrane 4 includes a porous polymer membrane 101, proton conductive groups disposed in pores of the porous polymer membrane 101, and a catalyst-supporting conductive material 102 embedded in the pores at least in the neighborhood of at least one surface of the porous polymer membrane 101.例文帳に追加
固体高分子電解質膜4と、その両面に接合された拡散層103からなる膜電極接合体1であって、該固体高分子電解質膜4が、多孔性高分子膜101と、該多孔性高分子膜101の孔内に設けられたプロトン導電性基と、該多孔性高分子膜の片面または両面の少なくとも表面近傍の孔内に埋め込まれた触媒担持導電物質102を有する膜電極接合体1及びそれを用いた固体高分子型燃料電池。 - 特許庁
For the fuel cell, comprising a fuel electrode to which, a gas including hydrogen is supplied, an oxidizing electrode to which, a gas including oxygen is supplied, and a solid polymer electrolyte film 3 laid between the fuel electrode and the oxidizing electrode, the fuel electrode and/or the oxidizing electrode are formed by gas diffusion layers 1, 5, to which, pressure is added in the direction of thickness.例文帳に追加
燃料電池は、水素含有ガスが送給される燃料極となる電極と、酸素含有ガスが送給される酸化剤極となる電極と、燃料極となる電極及び酸化剤極となる電極で挟持された固体高分子電解質型の電解質膜3とを有する燃料電池において、燃料極となる電極及び酸化剤極となる電極のうちの一方または双方は、厚み方向にプレス加圧されたガス拡散層1,5で形成されている。 - 特許庁
In the color diffusion transfer photographic sensitive material with at least two photosensitive silver halide emulsion layers combined with a non-diffusible dye image forming compound which forms or releases a diffusible dye or its precursor in association with silver development or a dye image forming compound which is a compound whose diffusibility varies on the base, a specified hydrazine compound and a specified preservability improving compound are contained.例文帳に追加
支持体上に、銀現像に関連して拡散性色素もしくはその前駆体を形成もしくは放出する非拡散性色素像形成化合物又はそれ自身の拡散性が変化する化合物である色素像形成化合物と組み合わされた感光性ハロゲン化銀乳剤層を少なくとも2層有するカラー拡散転写感光材料において、特定のヒドラジン化合物と、特定の保存性改良化合物とを含有するカラー拡散転写写真感光材料。 - 特許庁
意味 | 例文 (848件) |
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