「diffusion layers」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

This electrode structure 1 for the solid high polymer fuel cell has a solid high polymer electrolyte membrane 2, a pair of electrode layers 3, 4 holding the solid high polymer electrolyte membrane 2 between them, and a pair of diffusion layers 5, 6 disposed outside of the electrode layers 3, 4 as basic components.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池用電極構造体１は，固体高分子電解質膜２と，その固体高分子電解質膜２を挟む一対の電極層３，４と，各電極層３，４の外側に配置される一対の拡散層５，６とを基本構成要素とする。 - 特許庁

This membrane-electrode assembly includes: a membrane-electrode subassembly formed by arranging electrode layers and gas diffusion layers on both surfaces of a polymer electrolyte membrane, and a resin frame arranged to surround the whole peripheral edge of the electrolyte membrane and the side of the electrolyte membrane being at least a part of the peripheral edge of the gas diffusion layer.例文帳に追加

本発明による膜電極組立体は、高分子電解質膜の両面に電極層およびガス拡散層を設けた膜電極接合体と、電解質膜の外周縁の全部およびガス拡散層の外周縁の少なくとも一部であって電解質膜の側を包囲するように設けられた樹脂枠とを含んでなる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a pair of second diffusion layers 215 provided spaced apart from each other on a semiconductor substrate 11 in an element region; a first insulating film 111b provided on the surface of the element region between the pair of second diffusion layers 215; and a first gate electrode 112b provided on the first insulating film 111b.例文帳に追加

半導体素子は、素子領域内の半導体基板１１に離間して設けられた１対の第２拡散層２１５と、１対の第２拡散層２１５間の素子領域表面上に設けられた第１絶縁膜１１１ｂと、第１絶縁膜１１１ｂ上に設けられた第１ゲート電極１１２ｂとを備える。 - 特許庁

A semiconductor device is composed of a diffusion layer for forming a drain 9 and a source 11, a gate layer 3 formed on the diffusion layer between the drain 9 and the source 11, metallic layers 12 and 13 formed on the upper surface side of the gate layer 3, and first sidewalls 7 and 8 formed between the gate layer 3 and metallic layers 12 and 13.例文帳に追加

ドレイン９、ソース１１を形成するための拡散層と、ドレイン９とソース１１との間に位置し拡散層よりも上層のゲート層３と、ゲート層３の上面側に形成される金属層１２，１３と、ゲート層３と金属層１２，１３との間に形成される第１サイドウオール７，８とからなる。 - 特許庁

The catalyst-ink coated electrolyte film and the two catalyst-ink coated gas diffusion layers are laminated so that coated faces of catalyst ink face each other, and a laminated body laminating a PBI/phosphoric acid complex film and a water-absorbent sheet is produced outside at least one of the laminated catalyst-ink coated gas diffusion layers.例文帳に追加

触媒インク塗布済み電解質膜と２つの触媒インク塗布済みガス拡散層とを、それぞれの触媒インクの塗布面が向かいあうように積層し、さらに、積層した触媒インク塗布済みガス拡散層の少なくとも一方の外側に、ＰＢＩ／リン酸複合膜および吸水性シートを積層した積層体を作製する。 - 特許庁

The electrode of the semiconductor optical device is formed of three layers including an adhesive layer, a diffusion prevention layer, and an Au layer, and the stepped shape or the taper shape is formed by a difference of the thickness of the Au layer or the thickness of the adhesive layer/diffusion prevention layer/Au layer.例文帳に追加

半導体光装置の電極は、接着層／拡散防止層／Ａｕの３層で形成され、ステップ形状またはテーパ形状は、Ａｕ層の膜厚差または接着層／拡散防止層／Ａｕの膜厚さにより、形成される。 - 特許庁

A first MIS transistor formed in the first region (PMOS) in an n-type semiconductor region (101) comprises a first gate insulating film (103), a first gate electrode (104), first extension diffusion layers (106), and a first fluorine diffusion layer (108).例文帳に追加

ｎ型半導体領域(101)における第１の領域(PMOS)に形成された第１のＭＩＳ型トランジスタは、第１のゲート絶縁膜(103)と、第１のゲート電極(104)と、第１のエクステンション拡散層(106)と、第１のフッ素拡散層(108)とを備える。 - 特許庁

To provide a bubble-containing light diffusion sheet having light transmission properties and light diffusion properties which is adjustable by adjusting a position in a sheet thickness direction of a bubble layer and forming bubble layers in a plurality of positions in the sheet thickness direction.例文帳に追加

気泡層のシート厚さ方向の位置を調整したり、シート厚さ方向の複数個所に気泡層を形成したりすることにより、光透過性および光拡散性を調整することができる含気泡光拡散シートを提供する。 - 特許庁

In addition, by performing the heat treatment to the preform 32 in the atmosphere of gaseous nitrogen, the Fe-based alloy having layers which has a diffusion layer 20 formed by the diffusion of carbide and nitride in a base material can be obtained.例文帳に追加

さらに、予備成形体３２に対して窒化ガス雰囲気中で熱処理を施すことにより、前記炭化物、窒化物が母材中に拡散することによって形成された拡散層２０を有する有層Ｆｅ基合金が得られる。 - 特許庁

Then, the titanium layer 6 touching the p^+-type diffusion layer 4 is partially formed as silicide through heat treatment shown in Figure (b), and consequently the silicide layers 7a and 7b are formed on the surface of the p^+-type diffusion layer 4.例文帳に追加

その後、図２（ｂ）に示すように熱処理を行うことにより、Ｐ＋型拡散層４と接触したチタン層６が部分的にシリサイド化され、Ｐ＋型拡散層４の表面にそれぞれチタンシリサイド層７ａ，７ｂが形成される。 - 特許庁

The electrolyte membrane sheet 1 and the long diffusion sheet 20b are cut by inserting cutting blades 41 toward an anvil roller 43 from regions 25 without having the diffusion layers 21 on the one-side surface side of the electrolyte membrane sheet 1.例文帳に追加

電解質膜シート１の一方の面側における拡散層２１の存在しない領域２５から切断刃４１をアンビルローラ４３に向けて差し込んで電解質膜シート１と長尺状の拡散層シート２０ｂとを切断する。 - 特許庁

Wiring to be connected to the first electrode diffusion layer is formed to form a cathode terminal KT, while wiring to be commonly connected with the second and third electrode diffusion layers 222 and 23 is formed to form an anode terminal AT.例文帳に追加

第１電極用拡散層２２１に接続される配線を形成してカソード端子ＫＴとし、第２電極用拡散層２２２と第３電極用拡散層２３が共通接続される配線を形成してアノード端子ＡＴとする。 - 特許庁

Formed is, just under the silicide block 51a of an HV ESD protection device 1A, a diffusion layer resistance region 29a of the same junction depth as those of LDD diffusion layers 26a and 27a for forming an extension region.例文帳に追加

たとえば、ＨＶ用のＥＳＤ保護素子１Ａのシリサイドブロック５１ａの直下には、エクステンション領域を形成するためのＬＤＤ拡散層２６ａ，２７ａと同じ接合深さの拡散層抵抗領域２９ａが形成されている。 - 特許庁

The light diffusion plate 25 is constituted of at least two light deflection elements 28 having different ejection distributions and a light diffusion layer 24 composed of three layers; a first light scattering layer 27, a light transmission layer 23 and a second light scattering layer 26.例文帳に追加

光拡散板２５は、少なくとも２つ以上の射出分布の異なる光偏向素子２８と、第１の光散乱層２７と光透過層２３と第２の光散乱層２６の３層からなる光拡散層２４で構成される。 - 特許庁

The silicide gate electrode 2 is formed through diffusion of a metal into a silicon gate electrode 2a while the source electrode 11 and the drain electrode 12 are formed through the diffusion of metal into silicon layers 11a, 12a thicker than the silicon gate electrode 2a.例文帳に追加

シリサイドゲート電極２は、シリコンゲート電極２ａへの金属の拡散により形成され、ソース電極１１及びドレイン電極１２は、シリコンゲート電極２より厚いシリコン層１１ａ、１２ａへの金属拡散により形成する。 - 特許庁

One P-type high-concentration diffusion layer 23 and three or more (for example, four) N-type high-concentration diffusion layers 24-1 to 24-4, joined thereto, which constitute a ZAP diode are formed in a region enclosed with a field oxide film 22.例文帳に追加

フィールド酸化膜２２による包囲内に、ザップダイオードを構成している１つのＰ型高濃度拡散層２３とこれに接合された３つ以上（例えば、４つ）のＮ型高濃度拡散層２４−１〜２４−４とが形成されている。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly for a solid polymer electrolyte fuel cell, wherein layers forming respective electrodes of the membrane electrode assembly are formed by thick inner layers and rough outer layers, capable of lessening variation of a gas diffusion property, ionic conductivity, and electric conductivity of the rough outer layers and raising reproducibility of these characteristics and improving mechanical strength of the outer layer.例文帳に追加

固体高分子電解質型燃料電池のＭＥＡの各電極を構成する層が密な内層と粗な外層とから形成されるものにおいて、粗な外層のガス拡散性とイオン伝導性および電気伝導性が変動しないようにし、これら特性の再現性が高くなるようにし、外層の機械的強度を高めることにある。 - 特許庁

First and second semiconductor lasers 10 and 20 comprising buffer layers 11 and 21, clad layers 12 and 22, quantum well active layers 13 and 23 and clad layers 14 and 24 laminated on a substrate 1 while having a stripe structure are integrated on the same substrate, and the quantum well active layer near a resonator end face is disordered by impurity diffusion.例文帳に追加

基板１上に積層されたバッファ層１１、２１、クラッド層１２、２２、量子井戸活性層１３、２３、およびクラッド層１４、２４を備え、ストライプ構造を有する第一および第二半導体レーザ１０、２０が同一基板上に集積化され、共振器端面近傍における量子井戸活性層は不純物拡散により無秩序化されている。 - 特許庁

In the gas diffusion layer for fuel cell having carbon layers containing conductive carbon on a conductive porous substrate layer, the carbon layers have a different gas permeability performance toward thickness direction.例文帳に追加

導電性多孔質基材層上に導電性カーボンを含有するカーボン層を有する燃料電池用ガス拡散層において、 前記カーボン層は厚さ方向に向かってガス透過性能が異なる燃料電池用ガス拡散層である。 - 特許庁

The transistors have source/drain diffusion regions 26, 27, 28, 29 on a silicon substrate, first channel regions 16 among the spread regions, and conductor layers 24 via first insulation layers 22 on the first channel region.例文帳に追加

駆動トランジスタは、シリコン基板上に、ソース／ドレイン拡散領域２６，２７，２８，２９と、それら拡散領域の間の第１チャネル領域１６とを有し、更に第１チャネル領域上に第１絶縁層２２を介して導電層２４を有する。 - 特許庁

The barrier layers 131, 133 are disposed to cover the upper surface and the lateral sides of the metal layers 111, 113, contain a material having a melting point higher than the glass transition temperature of the insulation substrate 101 and prevents diffusion of an atom in the layer of metal.例文帳に追加

障壁膜１３１、１３３は金属膜１１１、１１３の上面と側面を覆うように配置され、絶縁基板１０１のガラス転移点より高い融点を有する物質を含み、金属膜原子の拡散を防止する。 - 特許庁

The membrane-electrode assembly MEA including electrolyte 1, and the catalyst layers 2A, 2B formed on both sides of the electrolyte 1 are bonded to diffusion layers 5A, 5B formed on both sides of the membrane-electrode assembly MEA.例文帳に追加

電解質膜１とこの電解質膜１の両面に形成された触媒層２Ａ、２Ｂとを含む膜電極接合体ＭＥＡと、該膜電極接合体ＭＥＡの両面に形成された拡散層５Ａ、５Ｂとを接合する。 - 特許庁

P^+ impurity diffusion embedded layers 15 are formed in the semiconductor substrate under the lower parts of drain electrodes 12 and each of the layers 15 turns into one part of the breaking current paths to reach from the electrodes 12 to a source electrode 10 via the region 6.例文帳に追加

ドレイン電極１２の下方における半導体基板にｐ^+不純物拡散埋込層１５が形成され、ドレイン電極１２からｐ^+ボディ領域６を介してソース電極１０に至るブレーク電流経路の一部となる。 - 特許庁

There are provided a process of forming ion implantation control openings 13-14 which mutually align diffusion layer formation regions 7-9, an ion implantation mask layer forming process for forming ion implantation openings 29 and 30 for each diffusion layer; and a diffusion layer forming process in which an impurity element is ion-implanted through the ion implantation openings to form diffusion layers.例文帳に追加

各拡散層形成領域７〜９を相互に位置決めするイオン注入制御開口部１３〜１４を形成する工程を施した後に、各拡散層毎にイオン注入開口部２９，３０を形成するイオン注入マスク層形成工程と、各イオン注入開口部から不純物元素をイオン注入して各拡散層を形成する拡散層形成工程を実施する。 - 特許庁

At the contacting part of the alloy grains 6 and the glass tube 1, Si diffusion layer 8 of the glass tube 1 is formed on the alloy grains 6 and zinc - mercury diffusion layer 9 is formed on the glass tube 1, and the glass tube 1 and the alloy grains 6 are mutually adhered firmly by these diffusion layers 8, 9.例文帳に追加

合金粒６とガラス管１との接触部分においては、合金粒６にガラス管１のＳｉ拡散層８が形成され、ガラス管１に合金粒６の亜鉛−水銀拡散層９が形成されており、これら拡散層８，９によってガラス管１と合金粒６とが互いに強固に固着されている。 - 特許庁

The shapes wrapping around the overhanging part 21 are imparted to the gas diffusion layers 14, 15 by forming a double-layered structure in which a separator side gas diffusion layer 25 provided with an opening 27 to house the overhanging part 21 therein is overlapped to an ion-exchange membrane side gas diffusion layer 26, or by forming a concavity 28 to house the overhanging part 21.例文帳に追加

張出し部２１を包み込む形状は、張出し部２１が収められる開口部２７を設けたセパレータ側ガス拡散層２５をイオン交換膜側ガス拡散層２６に重ね合わせる二層構成、或いは張出し部２１を収容する陥没部２８を形成することにより、ガス拡散層１４，１５に付与される。 - 特許庁

A plurality of high concentration diffusion layers 3 in linear configurations whose dopant concentration is set so as to be higher than that of the surrounding area are formed on the first main surface of the semiconductor solar battery substrate 1, and the surrounding area of the high concentration diffusion layer 3 is formed as a low concentration diffusion layer 2 whose dopant concentration is low.例文帳に追加

半導体太陽電池基板１の第一主表面には、ドーパントの濃度が周囲の領域よりも高く設定された線状形態の高濃度拡散層３が複数形成され、該高濃度拡散層３の周囲領域が、それよりもドーパントの濃度が低い低濃度拡散層２とされてなる。 - 特許庁

Furthermore, since diffusion of components of thermoelectric conversion members 111, 112 due to an operation temperature or the like can be prevented by diffusion prevention layers 151-154, the durability and stability of a thermoelectric conversion module 100 can be also improved.例文帳に追加

しかも、作動温度などによる熱電変換部材１１１，１１２の構成成分の拡散を拡散防止層１５１〜１５４により防止することができるので、熱電変換モジュール１００の耐久性および安定性を向上させることもできる。 - 特許庁

The fuel cell structure includes a membrane electrode assembly 20, a first porous metal plate 30, a metal plate 40, and end plates 50, of which, the membrane electrode assembly 20 consists of an anode gas diffusion layer 24, a cathode gas diffusion layer 25, a proton exchange membrane 21, and catalyst layers 22, 23.例文帳に追加

膜電極接合体２０、第１の多孔質金属板３０、金属板４０およびエンドプレート５０から構成し、膜電極接合体２０は、アノードガス拡散層２４、カソードガス拡散層２５、プロトン交換膜２１、触媒層２２、２３からなる。 - 特許庁

The average particle size of a second storage node electrode 82 is set larger than that of a buried strap 10, thus suppressing diffusion of impurities in the second storage node electrode 82 to the source and drain diffusion layers 17, and increase injunction depth.例文帳に追加

第２ストレージノード電極８_2 の平均粒径を埋込みストラップ１０の平均粒径よりも大きくすることによって、第２ストレージノード電極８_2 中の不純物のソース／ドレイン拡散層１７への拡散を抑制し、接合深さの増加を抑制する。 - 特許庁

The lateral MOS transistor includes a substrate 100, an active layer 101, the Locos oxide film 102, diffusion layers 103, 104 and 105, a gate oxide layer 106, a drain region 107, a source region 108, a body diffusion layer 109, and a gate polycide electrode 110.例文帳に追加

横型ＭＯＳトランジスタは、基板１００、活性層１０１、Ｌｏｃｏｓ酸化膜１０２、拡散層１０３、１０４、１０５、ゲート酸化層１０６、ドレイン領域１０７、ソース領域１０８、ボディ拡散層１０９、ゲートポリサイド電極１１０を備える。 - 特許庁

Second gas diffusion members 34 and 36, out of the plurality of gas diffusion members, to be arranged so as to adjoin an electrolyte layer 30 are jointed to the electrolyte layer 30 by interlaying catalyst layers 31 and 32 having activity for facilitating reaction.例文帳に追加

また、複数のガス拡散部材のうち、電解質層３０に隣接するように配設すべき第２のガス拡散部材３４，３６と、電解質層３０とを、反応を促進する活性を有する触媒層３１，３２を間に介して接合する。 - 特許庁

A first p-type diffusion layer 101 and a p-type semiconductor layer 102 are arranged on a silicon substrate 100, two n-type diffusion layers 103, 103 are arranged on a surface part of the p-type semiconductor layer 102, and two light receiving parts are constituted.例文帳に追加

シリコン基板１００上に、第１Ｐ型拡散層１０１とＰ型半導体層１０２とを備え、このＰ型半導体層１０２の表面部分に２つのＮ型拡散層１０３，１０３を設けて２つの受光部を構成する。 - 特許庁

This is provided with a solid polyelectrolyte membrane, an anode electrode arranged on both main faces of the solid polyelectrolyte membrane, a cathode electrode, the anode electrode, anode gas diffusion layers arranged in the outside of the respective cathode electrodes, and a cathode gas diffusion layer.例文帳に追加

固体高分子電解質膜と、固体高分子電解質膜の両主面に配置されたアノード電極と、カソード電極と、アノード電極と、カソード電極それぞれの外側に配置されたアノードガス拡散層と、カソードガス拡散層とを備える。 - 特許庁

N-type first and second electrode diffusion layers 221 and 222 and a p-type third electrode diffusion layer 23 are formed in the same step as that at the time, when an n-channel or p-channel MOSFET source/drain region is formed.例文帳に追加

Ｎチャネル型やＰチャネル型のＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域の形成時と同一の工程でＮ型の第１電極用拡散層２２１及び第２電極用拡散層２２２、Ｐ型の第３電極用拡散層２３を形成する。 - 特許庁

In a guard ring region 3, second diffusion layers 3a, 3b, 3c of a second conductivity type are provided in the main surface of a semiconductor substrate 5 of a first conductivity type.例文帳に追加

ガードリング領域３において、第１導電型の半導体基板５の主面に、ガードリングとなる第２導電型の第２拡散層３ａ、３ｂ、３ｃが設けられている。 - 特許庁

The n-type FET 10 includes n-type impurity diffusion layers 12, 13, a p-type impurity implantation region 14, a gate insulation film 15, and a gate electrode 16.例文帳に追加

Ｎ型ＦＥＴ１０は、Ｎ型不純物拡散層１２，１３、Ｐ型不純物注入領域１４、ゲート絶縁膜１５、およびゲート電極１６を含んでいる。 - 特許庁

First and second control gates CG driving the floating gate through an inter-gate insulating film IGI are formed on both sides of the floating gate, which correspond to the diffusion layers.例文帳に追加

両拡散層に対応した浮遊ゲートの両側にゲート間絶縁膜ＩＧＩを介して浮遊ゲートを駆動する第１、第２の制御ゲートＣＧが形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid state imaging device (semiconductor device), which keeps a diffusion profile of impurities sharp and surely keeps insulating layers from each other.例文帳に追加

不純物の拡散プロファイルが急峻に保たれ、かつ層間の絶縁性が確実に保たれた固体撮像装置（半導体装置）の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device mounted with transistors of new structure in which resistance values of diffusion layers of two transistors formed on the same insulating substrate are made same.例文帳に追加

同一絶縁基板上に形成された２つのトランジスタの拡散層の抵抗値を同じにすることのできる新構造のトランジスタを搭載した半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory cell which can be adapted to multiple specifications by altering at least one of metal and contact layers, while the bulk of a diffusion layer, etc. are fixed.例文帳に追加

拡散層等のバルクが固定であってメタル層、コンタクト層の少なくとも何れか１層を変更して複数の仕様に対応可能なメモリセルを提供すること。 - 特許庁

A plurality of impeding portions 8 to impede a gas flow in the direction along the face in contact with a diffusion layer 5 are provided in gas passage layers 6a, 6b formed by a porous body.例文帳に追加

多孔体によって形成されたガス流路層６ａ、６ｂ内に、拡散層５に接触する面に沿った方向のガスの流れを阻害する阻害部８を複数設ける。 - 特許庁

So, the gaseous diffusion water-repellent layers 10 and 12 can be formed at low temperature sufficiently lower than the heat resistant temperature of an electrolyte membrane 16 comprised of polymer solid electrolytes.例文帳に追加

そのため、高分子固体電解質から成る電解質膜１６の耐熱温度よりも十分に低い低温でガス拡散撥水層１０，１２を形成することができる。 - 特許庁

The membrane electrode assembly 301 has at least one membrane, and the two gas diffusion layers are combined with both sides of the membrane electrode assembly 301.例文帳に追加

前記膜電極接合体３０１は、膜を少なくとも１つ有し、２つのガス拡散層は、膜電極接合体３０１の両側に、それぞれ結合されている。 - 特許庁

On the front surface of the substrate 10, a first element isolation region 12 of an STI structure is formed, which separates diffusion layers 14 that function as a source drain region.例文帳に追加

基板１０の表面には、ソース・ドレイン領域として機能する拡散層１４どうしを分離するSTI構造の第一の素子分離領域１２が形成されている。 - 特許庁